CN111584719A - 一种碳纳米管/砷化镓异质结宽光谱超薄太阳能电池及其构筑方法 - Google Patents

一种碳纳米管/砷化镓异质结宽光谱超薄太阳能电池及其构筑方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111584719A
CN111584719A CN202010403729.9A CN202010403729A CN111584719A CN 111584719 A CN111584719 A CN 111584719A CN 202010403729 A CN202010403729 A CN 202010403729A CN 111584719 A CN111584719 A CN 111584719A
Authority
CN
China
Prior art keywords
gallium arsenide
solar cell
carbon nanotube
insulating layer
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
CN202010403729.9A
Other languages
English (en)
Inventor
苏言杰
刘丕均
叶显柱
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nanjing Micron Electronic Industry Research Institute Co ltd
Nanjing Crystal Carbon Nanotechnology Co Ltd
Original Assignee
Nanjing Micron Electronic Industry Research Institute Co ltd
Nanjing Crystal Carbon Nanotechnology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nanjing Micron Electronic Industry Research Institute Co ltd, Nanjing Crystal Carbon Nanotechnology Co Ltd filed Critical Nanjing Micron Electronic Industry Research Institute Co ltd
Priority to CN202010403729.9A priority Critical patent/CN111584719A/zh
Publication of CN111584719A publication Critical patent/CN111584719A/zh
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
    • H10K85/221—Carbon nanotubes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Abstract

本发明公开了一种碳纳米管/砷化镓异质结宽光谱超薄太阳能电池及其构筑方法，属于半导体光电器件技术领域。包括：下电极、N型砷化镓基底，位于砷化镓基底上带窗口的绝缘层，位于绝缘层窗口内与砷化镓直接接触的碳纳米管薄膜，设置在绝缘层表面碳纳米管薄膜上的图形化上电极。与现有技术相比，本发明可以同时利用碳纳米管与砷化镓对光子的高效吸收与转换特性，并通过所形成的异质结界面快速分离、输运，一方面大幅度降低了光生载流子复合几率，另一方面大大拓宽了砷化镓的响应光谱。本发明的太阳电池具有结构简单、工艺简便、轻薄等突出优点。

Description

一种碳纳米管/砷化镓异质结宽光谱超薄太阳能电池及其构 筑方法
技术领域
本发明属于半导体光电器件技术领域，尤其是一种碳纳米管/砷化镓异质结宽光谱超薄太阳能电池及其构筑方法。
背景技术
半导体性单壁碳纳米管（SWCNTs）具有较好的电学性能、力学性能和热学性能，其高载流子迁移率、高光吸收系数和较好的机械性能，被认为构建下一代光电子器件的理想材料。SWCNTs在近红外波段的光吸收系数仍有104 ~105 cm-1，这比传统窄带隙半导体高1-2个数量级，且其较高的载流子迁移率（105 cm2/Vs）和长激子扩散长度。这使得SWCNTs可以作为高性能碳基太阳能电池的活性材料。另外， SWCNTs还具有吸收高能光子可激发多个电子空穴对的多激子效应和吸收多个光子激发一个电子空穴对的多光子吸收效应，这将对构筑具有宽光谱吸收的太阳能电池提供可能。
目前，高效太阳电池的主要基于硅和砷化镓的PN结构且需要复杂的生长、掺杂工艺。当碳纳米管与硅或砷化镓结合时也可以被构筑成太阳能电池，具有结构简单、成本低廉、工艺简便等诸多优点。但是，更多的研究集中在直接将SWCNTs与n型Si或p型Si形成异质结作为光伏电池器件。在Si基底上的透明SWCNTs起到多重作用，如窗口层电极、形成内建电场并收集载流子、抗反射层等。从这一点来讲，采用砷化镓与SWCNTs形成异质结构筑太阳电池更具有优势，因为砷化镓是禁带宽度为 1.42eV 的直接半导体材料，室温下的电子迁移率可达8000 cm2V-1s-1，比Si高5～6倍的电子迁移率。无论从光谱匹配和电学性能方面考虑，SWCNTs/GaAs异质结太阳能电池有望比SWCNTs/Si异质结太阳能电池获得更高的光电转换效率。
发明内容
发明目的：提供一种碳纳米管/砷化镓异质结宽光谱超薄太阳能电池及其构筑方法，以解决背景技术中所涉及的问题。
技术方案：一种碳纳米管/砷化镓异质结宽光谱超薄太阳能电池，包括：下电极、砷化镓基底、绝缘层、碳纳米管薄膜、上电极。其中，基底采用N型掺杂砷化镓制成。下电极位于所述基底的底部。绝缘层位于基底上部且中间开有窗口。碳纳米管薄膜位于绝缘层或绝缘层窗口内与所述基底直接接触，形成碳纳米管/砷化镓异质结；在所述的碳纳米管/砷化镓异质结中，砷化镓和半导体性单壁碳纳米管同时起光吸收作用，且对光电流贡献相当。图形化上电极位于所述绝缘层表面碳纳米管薄膜上。
作为一个优选方案，所述下电极为金电极。
作为一个优选方案，所述基底厚度为50～500nm。
作为一个优选方案，所述绝缘层为Si3N4、Al2O3或SiO2。
作为一个优选方案，所述碳纳米管薄膜由纯半导体性单壁碳纳米管组成，且绝缘窗口内碳纳米管与N型砷化镓直接接触，其余部分在绝缘层表面。
作为一个优选方案，所述的碳纳米管薄膜通过旋涂法、抽滤法或静电自组装法获得，所述碳纳米管薄膜厚度为5～50nm。
作为一个优选方案，所述的上电极为银电极，且银电极与绝缘层表面的碳纳米管薄膜接触。
本发明还提供一种碳纳米管/砷化镓异质结宽光谱超薄太阳能电池的构筑方法，包括如下步骤：
步骤一、以N型掺杂砷化镓半导体为基底，背面蒸镀金电极，在掺杂砷化镓基底上采用原子层溅射沉积的方法生长带窗口的绝缘层；
步骤二、采用抽滤的方法制备碳纳米管薄膜；
步骤三、将碳纳米管薄膜转移到砷化镓基底上，点上图形化的银胶并烘干作为上电极；即得到宽光谱超薄太阳能电池。
有益效果：本发明涉及一种碳纳米管/砷化镓异质结宽光谱超薄太阳能电池及其构筑方法，与现有技术相比，本发明的碳纳米管/砷化镓异质结太阳能电池比现有电池厚度低一个数量级以上，同时利用砷化镓和单壁碳纳米管的高效光吸收性能，同时可以充分利用单壁碳纳米管的超高载流子输运能力，突破了现有砷化镓电池的吸光极限（860nm）。本发明的太阳能电池具有结构简单、工艺简便、轻薄等突出优点。
附图说明
图1为实施例1所提供的太阳能电池示意图。
图2为实施例1所构筑的太阳能电池SEM图。
图3为实施例1所提供的太阳能电池AFM图。
图4为实施例1和对比例1所提供的太阳能电池的J-V曲线。
附图标记为：基底1、下电极2、绝缘层3、碳纳米管薄膜4、上电极5。
具体实施方式
在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。
目前，高效太阳电池的主要基于硅和砷化镓的PN结构且需要复杂的生长、掺杂工艺。当碳纳米管与硅或砷化镓结合时也可以被构筑成太阳能电池，具有结构简单、成本低廉、工艺简便等诸多优点。但是，更多的研究集中在直接将SWCNTs与n型Si或p型Si形成异质结作为光伏电池器件。在Si基底上的透明SWCNTs起到多重作用，如窗口层电极、形成内建电场并收集载流子、抗反射层等。从这一点来讲，采用砷化镓与SWCNTs形成异质结构筑太阳电池更具有优势，因为砷化镓是禁带宽度为 1.42eV 的直接半导体材料，室温下的电子迁移率可达8000 cm2V-1s-1，比Si高5～6倍的电子迁移率。无论从光谱匹配和电学性能方面考虑，SWCNTs/GaAs异质结太阳能电池有望比SWCNTs/Si异质结太阳能电池获得更高的光电转换效率。
目前已经有研究证实了SWCNTs网络的引入使得更有利于大面积GaAs太阳能电池表面的电荷收集，降低载流子输运电阻。但必须指出的是，上述研究中的SWCNTs仅仅作为透明电极和空穴收集的作用，光吸收绝大部分依靠厚度满足要求的砷化镓基底，原理上与石墨烯/砷化镓异质结太阳能电池类似。因此，现有SWCNTs/GaAs异质结太阳能电池的光谱响应不可能超过砷化镓本身的响应范围，限制了砷化镓太阳电池转化效率的进一步提高。此外，较厚的砷化镓只能用于构筑刚性太阳电池，无法满足柔性太阳能电池的发展需求。
本发明例提供一种基于碳纳米管/砷化镓异质结的宽光谱超薄太阳能电池，包括：下电极、砷化镓基底、绝缘层、碳纳米管薄膜、上电极。其中，基底采用N型掺杂砷化镓制成。下电极位于所述基底的底部。绝缘层位于基底上部且中间开有窗口。碳纳米管薄膜位于绝缘层或绝缘层窗口内与所述基底直接接触，形成碳纳米管/砷化镓异质结；在所述的碳纳米管/砷化镓异质结中，砷化镓和半导体性单壁碳纳米管同时起光吸收作用，且对光电流贡献相当。图形化上电极位于所述绝缘层表面碳纳米管薄膜上。可以同时利用碳纳米管与砷化镓对光子的高效吸收与转换特性，并通过所形成的异质结界面快速分离、输运，一方面大幅度降低了光生载流子复合几率，另一方面大大拓宽了砷化镓的响应光谱。
其制备方法包括如下步骤：步骤一、以N型掺杂砷化镓半导体为基底，背面蒸镀金电极，在掺杂砷化镓基底上采用原子层溅射沉积的方法生长带窗口的绝缘层；步骤二、采用抽滤的方法制备碳纳米管薄膜，形成碳纳米管/砷化镓异质结；在所述的碳纳米管/砷化镓异质结中，砷化镓和半导体性单壁碳纳米管同时起光吸收作用，且对光电流贡献相当。步骤三、将碳纳米管薄膜转移到砷化镓基底上，点上图形化的银胶并烘干作为上电极；即得到宽光谱超薄太阳能电池。
下面结合实施例，对本发明作进一步说明，所述的实施例的示例旨在解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。实施例中未注明具体技术和反应条件者，可按照本领域内的文献所描述的技术或条件或产品说明书进行。凡未注明厂商的试剂、仪器或设备，均可通过市售获得。
实施例1
本实施例提供一种基于碳纳米管/砷化镓异质结的宽光谱超薄太阳能电池，其结构示意图如图1所示。该器件包括砷化镓基底、绝缘层、碳纳米管薄膜、上电极，其构筑方法如下：
（1）以N型GaAs（500nm）半导体为基底，背面蒸镀金电极，在GaAs（200nm）基底上采用原子层溅射沉积的方法生长带窗口的Si3N4绝缘层；
（2）采用抽滤的方法制备碳纳米管薄膜（50nm）；
（3）将碳纳米管薄膜转移到砷化镓基底上，点上图形化的银胶并烘干作为上电极。即得到宽光谱超薄太阳能电池。
实施例2
本实施例提供一种基于碳纳米管/砷化镓异质结的宽光谱超薄太阳能电池，其结构示意图如图1所示。该器件包括砷化镓基底、绝缘层、碳纳米管薄膜、上电极，其构筑方法如下：
（1）采用N型高掺杂GaAs（200nm）作为基底，背面蒸镀金电极，在其表面热氧化生长带窗口的Al2O3（100 nm）为绝缘层。
（2）采用抽滤的方法制备单壁碳纳米管薄膜（20nm）；
（3）GaAs基底上采用干法转移法转移碳管薄膜；
（4）采用银上电极导出内建电场分离的载流子。即得到高性能宽光谱超薄太阳能电池。
实施例3
本实施例提供一种基于碳纳米管/砷化镓异质结的宽光谱超薄太阳能电池，该光电器件包括砷化镓基底、半导体性SWCNTs薄膜、图形化电极组成。其构筑方法如下：
（1）以GaAs（100nm）作为基底，背面蒸镀金电极，在GaAs（100nm）基底上采用原子层溅射沉积的方法生长带窗口的SiO2绝缘层；
（2）采用旋涂的方法制备单壁碳纳米管薄膜（10nm）；
（3）采用传统微加工工艺沉积图形化的Ag电极。即得到宽光谱超薄太阳能电池。
实施例4
本实施例提供一种基于碳纳米管/砷化镓异质结的宽光谱超薄太阳能电池，该光电导器件包括砷化镓基底、半导体性SWCNTs薄膜、图形化电极组成。其构筑方法如下：
（1）采用N型高掺杂GaAs（50nm）作为基底，在其表面热氧化生长带窗口的Si3N4为绝缘层。
（2）采用静电自组装法将半导体性单壁碳纳米管薄膜（5 nm）沉积在GaAs基底上；
（3）用传统微加工工艺沉积图形化的Ag电极。即得到高性能太阳能电池。
对比例1
本实施例提供一种基于石墨烯/砷化镓异质结的宽光谱超薄太阳能电池，其结构示意图如图1所示。该器件包括砷化镓基底、绝缘层、石墨烯薄膜、上电极，其构筑方法如下：
（1）以N型GaAs（500nm）半导体为基底，背面蒸镀金电极，在GaAs（200nm）基底上采用原子层溅射沉积的方法生长带窗口的Si3N4绝缘层；
（2）采用抽滤的方法制备石墨烯薄膜（50nm）；
（3）将碳纳米管薄膜转移到砷化镓基底上，点上图形化的银胶并烘干作为上电极。即得到宽光谱超薄太阳能电池。
检测例
将实施例1和对比例1中获得太阳能电池进行电学性能测试，如附图4所示，实施例1中的短路电流密度Jsc为22.85A/cm2，开路电压Voc为0.96V，填充因子EF为88.6%，光电转换效率η为32.9%；对比例1中的短路电流密度Jsc为13.68A/cm2，开路电压Voc为0.91V，填充因子EF为84.5%，光电转换效率η为28.1%。通过对比本发明制备的碳纳米管/砷化镓异质结的太阳能电池与石墨烯/砷化镓异质结太阳能电池的短路电流密度Jsc，本发明制备的碳纳米管/砷化镓异质结的太阳能电池具有更高效的光吸收性能；另外，通过对比开路电压Voc，可以侧面验证本发明制备的太阳能电池充分利用单壁碳纳米管的超高载流子输运能力，突破了现有砷化镓电池的吸光极限（860nm）。本发明的太阳能电池具有结构简单、工艺简便、轻薄等突出优点。
另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合。为了避免不必要的重复，本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。

Claims (8)

1.一种碳纳米管/砷化镓异质结宽光谱超薄太阳能电池，其特征在于，包括：
基底，采用N型掺杂砷化镓制成；
下电极，位于所述基底的底部；
绝缘层，位于基底上部且中间开有窗口；
碳纳米管薄膜，位于绝缘层或绝缘层窗口内与所述基底直接接触，形成碳纳米管/砷化镓异质结；
图形化上电极，位于所述绝缘层表面碳纳米管薄膜上。
2.根据权利要求1所述的碳纳米管/砷化镓异质结宽光谱超薄太阳能电池，其特征在于，所述下电极为金电极。
3.根据权利要求1所述的碳纳米管/砷化镓异质结宽光谱超薄太阳能电，其特征在于，所述基底厚度为50～500nm。
4.根据权利要求1所述的碳纳米管/砷化镓异质结宽光谱超薄太阳能电池，其特征在于，所述绝缘层为Si3N4、Al2O3或SiO2。
5.根据权利要求1所述的碳纳米管/砷化镓异质结宽光谱超薄太阳能电池，其特征在于，所述碳纳米管薄膜由半导体性单壁碳纳米管组成，且绝缘窗口内碳纳米管与N型砷化镓直接接触，其余部分在绝缘层表面。
6.根据权利要求1所述的碳纳米管/砷化镓异质结宽光谱超薄太阳能电池，其特征在于，所述的碳纳米管薄膜通过旋涂法、抽滤法或静电自组装法获得，所述碳纳米管薄膜厚度为5～50nm。
7.根据权利要求1所述的碳纳米管/砷化镓异质结宽光谱超薄太阳能电池，所述的上电极为银电极，且银电极与绝缘层表面的碳纳米管薄膜接触。
8.一种碳纳米管/砷化镓异质结宽光谱超薄太阳能电池的构筑方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、以N型掺杂砷化镓半导体为基底，背面蒸镀金电极，在掺杂砷化镓基底上采用原子层溅射沉积的方法生长带窗口的绝缘层；
步骤二、采用抽滤的方法制备碳纳米管薄膜；
步骤三、将碳纳米管薄膜转移到砷化镓基底上，点上图形化的银胶并烘干作为上电极；即得到宽光谱超薄太阳能电池。
CN202010403729.9A 2020-05-13 2020-05-13 一种碳纳米管/砷化镓异质结宽光谱超薄太阳能电池及其构筑方法 Withdrawn CN111584719A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010403729.9A CN111584719A (zh) 2020-05-13 2020-05-13 一种碳纳米管/砷化镓异质结宽光谱超薄太阳能电池及其构筑方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010403729.9A CN111584719A (zh) 2020-05-13 2020-05-13 一种碳纳米管/砷化镓异质结宽光谱超薄太阳能电池及其构筑方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111584719A true CN111584719A (zh) 2020-08-25

Family

ID=72110815

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010403729.9A Withdrawn CN111584719A (zh) 2020-05-13 2020-05-13 一种碳纳米管/砷化镓异质结宽光谱超薄太阳能电池及其构筑方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111584719A (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112331774A (zh) * 2020-11-04 2021-02-05 上海交通大学 砷化镓/碳纳米管异质结超薄太阳能电池结构及其制备
CN114093973A (zh) * 2021-10-15 2022-02-25 华南理工大学 一种火焰修饰碳纳米管/氧化镍/砷化镓太阳电池及其制备方法
CN114823931A (zh) * 2022-03-31 2022-07-29 华南理工大学 一种碳纳米管/银纳米线复合薄膜及其砷化镓基异质结太阳电池和制备方法
CN115084308A (zh) * 2021-03-15 2022-09-20 中国科学院物理研究所 锗衬底-砷化镓/锗异质结薄膜复合结构及其制法和应用

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112331774A (zh) * 2020-11-04 2021-02-05 上海交通大学 砷化镓/碳纳米管异质结超薄太阳能电池结构及其制备
CN112331774B (zh) * 2020-11-04 2022-12-30 上海交通大学 砷化镓/碳纳米管异质结超薄太阳能电池结构及其制备
CN115084308A (zh) * 2021-03-15 2022-09-20 中国科学院物理研究所 锗衬底-砷化镓/锗异质结薄膜复合结构及其制法和应用
CN115084308B (zh) * 2021-03-15 2023-07-21 中国科学院物理研究所 锗衬底-砷化镓/锗异质结薄膜复合结构及其制法和应用
CN114093973A (zh) * 2021-10-15 2022-02-25 华南理工大学 一种火焰修饰碳纳米管/氧化镍/砷化镓太阳电池及其制备方法
CN114823931A (zh) * 2022-03-31 2022-07-29 华南理工大学 一种碳纳米管/银纳米线复合薄膜及其砷化镓基异质结太阳电池和制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Kong et al. Graphene/Si Schottky solar cells: a review of recent advances and prospects
CN111584719A (zh) 一种碳纳米管/砷化镓异质结宽光谱超薄太阳能电池及其构筑方法
Hu et al. Carbon nanotube/silicon heterojunctions for photovoltaic applications
He et al. Highly efficient Si-nanorods/organic hybrid core-sheath heterojunction solar cells
Lee et al. ZnO and conjugated polymer bulk heterojunction solar cells containing ZnO nanorod photoanode
US20100096004A1 (en) Solar cell with nanostructure electrode(s)
US20080110486A1 (en) Amorphous-crystalline tandem nanostructured solar cells
US20130240027A1 (en) Multijunction hybrid solar cell with parallel connection and nanomaterial charge collecting interlayers
WO2008086709A1 (fr) Cellule solaire à base de film à nanotubes de carbone et procédé de fabrication correspondant
JP2010518623A (ja) ホットキャリアクーリングが低減された光電池
JP2010517299A (ja) 光電池およびその作製方法
Lee et al. Thickness effects of thermally evaporated C60 thin films on regular-type CH3NH3PbI3 based solar cells
CN108232016B (zh) 基于纤维素修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池
Passatorntaschakorn et al. Room-temperature carbon electrodes with ethanol solvent interlacing process for efficient and stable planar hybrid perovskite solar cells
KR101244112B1 (ko) 태양전지용 광흡수층 제조방법, 이를 포함하는 태양전지 및 이의 제조방법
Castrucci Carbon nanotube/silicon hybrid heterojunctions for photovoltaic devices
Chen et al. Harnessing light energy with a planar transparent hybrid of graphene/single wall carbon nanotube/n-type silicon heterojunction solar cell
Gao et al. High‐Efficiency Graphene‐Oxide/Silicon Solar Cells with an Organic‐Passivated Interface
Li et al. CuI-Si heterojunction solar cells with carbon nanotube films as flexible top-contact electrodes
CN107732014B (zh) 一种基于三元无机体型异质结薄膜的太阳电池及其制备方法
Li et al. Solution-processed bulk heterojunction solar cells based on interpenetrating CdS nanowires and carbon nanotubes
CN112420933B (zh) 基于单壁碳纳米管薄膜的异质结光电探测器的制备方法
KR102113329B1 (ko) 알코올에 용해 가능한 폴리플루오렌계열 공액고분자와 탄소나노튜브를 포함하는 유기광전소자용 전자수송층, 이를 포함하는 유기태양전지 및 이의 제조방법
Zhao et al. High-efficiency CNT-Si solar cells based on a collaborative system enabled by oxide penetration
Shafique et al. Effect of anti-reflecting layers on device performance of SWCNTs/Si hetero-junction hybrid solar cells

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WW01 Invention patent application withdrawn after publication
WW01 Invention patent application withdrawn after publication

Application publication date: 20200825