CN111564403A - 基板承载台及基板处理方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种基板承载台及基板处理方法，包括基板台和至少三个吸附装置，所述基板台设置有至少三个通孔，所述吸附装置包括：框架，所述框架的顶部设置有开口；支撑顶针，所述支撑顶针的内部设置有中空管路，所述支撑顶针至少一部分穿过所述开口和所述通孔；吸附盘，所述吸附盘设置于所述支撑柱顶针的顶部；缓冲构件，所述缓冲构件设置在所述框架内，并与所述支撑顶针相连接；以及夹持构件，所述夹持构件设置在所述框架内，用于使得所述支撑顶针与所述框架固紧或松开。本发明提供的基板承载台及基板处理方法用于改善基板不能紧密贴合于基板台的问题。
Description
技术领域
本发明涉及显示器生产技术领域，尤其涉及一种基板承载台及基板处理方法。
背景技术
不论是制作液晶显示器面板，还是制作有机电致发光显示器面板，均需要在平整的基板上多次进行光制程及成膜制程。
在显示面板、特别是柔性显示面板的生产过程中，受前制程中高温等因素的影响，基板上贴附的塑料膜与衬底玻璃的收缩率差异导致基板不可避免的出现不规则翘曲而变得不平整，如四周翘起或中间拱起等情况，并且随着基板尺寸的增大，翘曲的程度也不断加大。如图1所示，现有的基板承载台主要有基板台1a和升降顶针(Pin)1b构成。现有的基板承载台遇到不平整的基板时，由于基板上的翘起部分远离载台上的真空吸附孔位，无法建立真空吸附，导致基板不能紧密贴合于基板台。
故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。
发明内容
本发明实施例提供一种基板承载台及基板处理方法，用于改善基板不能紧密贴合于基板台的问题。
本发明提供一种基板承载台，包括基板台和至少三个吸附装置，所述基板台设置有至少三个通孔，所述吸附装置包括:
框架，所述框架的顶部设置有开口；
支撑顶针，所述支撑顶针的内部设置有中空管路，所述支撑顶针至少一部分穿过所述开口和所述通孔；
吸附盘，所述吸附盘设置于所述支撑柱顶针的顶部；
缓冲构件，所述缓冲构件设置在所述框架内，并与所述支撑顶针相连接；以及
夹持构件，所述夹持构件设置在所述框架内，用于使得所述支撑顶针与所述框架固紧或松开。
在本发明提供的基板承载台中，所述基板承载台还包括：
真空抽吸装置，所述真空抽吸装置的抽吸管与所述支撑顶针的所述中空管路连通。
在本发明提供的基板承载台中，所述缓冲构件包括缠绕所述支撑顶针一部分的弹簧。
在本发明提供的基板承载台中，所述缓冲构件包括气缸，所述气缸设置于所述框架的底部，并与所述支撑顶针的一部分相连。
在本发明提供的基板承载台中，所述吸附盘内设有多个连通部，所述连通部与所述中空管路连通。
在本发明提供的基板承载台中，所述基板承载台还包括控制装置，所述控制装置与所述夹持构件连接，所述控制装置用于控制所述夹持构件将所述支撑顶针与所述框架固紧或松开。
本发明还提供一种基板处理方法，包括如下步骤：
步骤A：提供一基板承载台，其中，所述基板承载台包括基板台和至少三个吸附装置，所述基板台设置有至少三个通孔，所述吸附装置包括框架、支撑顶针、吸附盘、缓冲构件和夹持构件，其中，所述框架的顶部设置有开口，所述支撑顶针的内部设置有中空管路，所述支撑顶针至少一部分穿过所述开口和所述通孔，所述吸附盘设置于所述支撑柱顶针的顶部，所述缓冲构件设置在所述框架内，并与所述支撑顶针相连接，所述夹持构件设置在所述框架内，用于使得所述支撑顶针与所述框架固紧或松开；
步骤B：在第一吸附装置、第二吸附装置和第三吸附装置的所述支撑顶针与所述框架均处于松开状态时，将基板的第一边缘部、中部、第二边缘部分别与所述基板承载台的所述第一吸附装置、所述第二吸附装置和所述第三吸附装置的所述吸附盘相接触；
步骤C：所述第一吸附装置、所述第二吸附装置和所述第三吸附装置的所述夹持构件将所述支撑顶针与所述框架相固紧；
步骤D：对所述第一吸附装置和所述第三吸附装置中的所述支撑顶针的所述中空管道抽吸真空，以使设置于所述支撑顶针上的所述吸附盘吸附所述基板的所述第一边缘部和所述第二边缘部；
步骤E：将所述第一吸附装置、所述第二吸附装置和所述第三吸附装置朝远离所述基板台的方向移动，以使所述基板的所述中部与所述基板台相接触；
步骤F：将所述第一吸附装置和所述第三吸附装置朝远离所述基板台的方向移动，以使所述基板的所述第一边缘部和所述第二边缘部贴附于所述基板台的表面；
步骤G：对贴附于所述基板台的表面上的所述基板进行处理。
在本发明提供的基板处理方法中，在所述步骤B中，所述第一吸附装置包括第一框架、第一支撑顶针、第一吸附盘、第一缓冲构件和第一夹持构件，所述第二吸附装置包括第二框架、第二支撑顶针、第二吸附盘、第二缓冲构件和第二夹持构件，所述第三吸附装置包括第三框架、第三支撑顶针、第三吸附盘、第三缓冲构件和第三夹持构件；
所述步骤B包括：在所述第一支撑顶针与所述第一框架、所述第二支撑顶针与所述第二框架和所述第三支撑顶针和所述第三框架均处于松开状态时，将基板的第一边缘部、中部、第二边缘部分别与所述基板承载台的所述第一吸附盘、所述第二吸附盘和所述第三吸附盘相接触。
在本发明提供的基板处理方法中，所述步骤C包括：
所述第一夹持构件将所述第一支撑顶针与所述第一框架相固紧；
所述第二夹持构件将所述第二支撑顶针与所述第二框架相固紧；
所述第三夹持构件将所述第三支撑顶针与所述第三框架相固紧。
在本发明提供的基板处理方法中，所述步骤D包括：控制真空抽吸装置，对所述第一支撑顶针的所述中空管路、所述第二支撑顶针的所述中空管路和所述第三支撑顶针的所述中空管路抽吸真空，以使所述第一吸附盘和所述第三吸附盘吸附所述基板的所述第一边缘部和所述第二边缘部，所述第二吸附盘吸附所述基板的所述中部。
相较于现有技术，本发明提供一种基板承载台及基板处理方法，本发明的基板承载台包括多个吸附装置，吸附装置包括支撑顶针、吸盘，缓冲构件和夹持构件。通过在支撑顶针内形成真空，使得在真空吸附作用将基板吸附于吸附盘上，并通过缓冲构件的作用使得基板依靠重力以及真空吸附力贴合于基板台上，改善基板不能紧密贴合于基板台的问题。
为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
附图说明
图1为现有技术中基板承载台的示意图；
图2和图3为本发明实施例提供基板承载台的示意图；
图4为本发明实施例提供的基板承载台中吸附装置的示意图；
图5为本发明实施例提供的基板处理方法的步骤流程图；
图6至图8为本发明实施例提供的基板处理方法的示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，请参照附图中的图式，其中相同的组件符号代表相同的组件，以下的说明是基于所示的本发明具体实施例，其不应被视为限制本发明未在此详述的其他具体实施例。本说明书所使用的词语“实施例”意指实例、示例或例证。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
请结合图2和图4，本发明实施例提供一种基板承载台100，包括基板台10和至少三个吸附装置20，所述基板台10设置有至少三个通孔11，所述吸附装置20包括框架21、支撑顶针22、吸附盘23、缓冲构件24和夹持构件25。其中，所述框架21的顶部设置有开口211。所述支撑顶针22的内部设置有中空管路221，所述支撑顶针22的至少一部分穿过所述开口211和所述通孔11。所述吸附盘23设置于所述支撑柱顶针22的顶部。所述缓冲构件24设置在所述框架21内，并与所述支撑顶针22相连接。以及所述夹持构件25设置在所述框架21内，用于使得所述支撑顶针22与所述框架21固紧或松开。
其中，所述夹持构件25用于调整支撑顶针22的高度，所述夹持构件25包括第一端和第二端，当夹持构件25处于松开状态时，第一端与支撑顶针22连接，第二端与框架21的内壁分离；或者，第一端与支撑顶针22分离，第二端与框架21的内壁连接，使得支撑顶针22上升或下降。
进一步的，请继续参考图2，所述基板承载台100还包括真空抽吸装置30，所述真空抽吸装置30的抽吸管31与所述支撑顶针22的所述中空管路221连通。其中，所述真空抽吸装置30包括真空泵。
所述基板承载台100还包括控制装置40，所述控制装置40与所述夹持构件25连接，用于控制所述夹持构件25将所述支撑顶针22与所述框架21固紧或松开。控制装置40包括程序控制装置。
进一步的，所述吸附盘23内设有多个连通部231，所述连通部231与所述中空管路221连通。吸附盘的材料包括聚合物材料，例如，丁晴橡胶或硅橡胶。吸附盘具有波纹管结构。
可选的，请参考图3，在本发明实施例中，各个所述支撑顶针22的所述中空管路211与所述一个真空抽吸装置30连通。也就是说，可通过一个真空抽吸装置30连接吸附装置20，也可以将一个真空抽吸装置30与一个所述吸附装置20单独连接。
进一步的，请参考图4，所述缓冲构件24包括缠绕所述支撑顶针22一部分的弹簧241，以及，包括远离所述框架21的底部的弹簧支撑片242。缓冲构件24用于当在基板承载台100上放置基板时，调节支撑顶针的高度。
可选的，在本发明实施例中，所述缓冲构件24包括气缸，所述气缸设置于所述框架21的底部，并与所述支撑顶针22的一部分相连。
本发明实施例还提供一种基板处理方法，请参考图5，所述基板处理方法包括如下步骤：
步骤S1：提供一基板承载台；
步骤S2：在第一吸附装置、第二吸附装置和第三吸附装置的所述支撑顶针与所述框架均处于松开状态时，将基板的第一边缘部、中部、第二边缘部分别与所述基板承载台的所述第一吸附装置、所述第二吸附装置和所述第三吸附装置的所述吸附盘相接触；
步骤S3：所述第一吸附装置、所述第二吸附装置和所述第三吸附装置的所述夹持构件将所述支撑顶针与所述框架相固紧；
步骤S4：对所述第一吸附装置和所述第三吸附装置中的所述支撑顶针的所述中空管道抽吸真空，以使设置于所述支撑顶针上的所述吸附盘吸附所述基板的所述第一边缘部和所述第二边缘部；
步骤S5：将所述第一吸附装置、所述第二吸附装置和所述第三吸附装置朝远离所述基板台的方向移动，以使所述基板的所述中部与所述基板台相接触；
步骤S6：将所述第一吸附装置和所述第三吸附装置朝远离所述基板台的方向移动，以使所述基板的所述第一边缘部和所述第二边缘部贴附于所述基板台的表面；
步骤S7：对贴附于所述基板台的表面上的所述基板进行处理。
具体的，请结合图2和图4，在步骤S1中，所述基板承载台100包括基板台10和至少三个吸附装置20，所述基板台10设置有至少三个通孔11，所述吸附装置20包括框架21、支撑顶针22、吸附盘23、缓冲构件24和夹持构件25。其中，所述框架21的顶部设置有开口211。所述支撑顶针22的内部设置有中空管路221，所述支撑顶针22的至少一部分穿过所述开口211和所述通孔11。所述吸附盘23设置于所述支撑22顶针的顶部。所述缓冲构件24设置在所述框架22内，并与所述支撑顶针22相连接。所述夹持构件25设置在所述框架21内，用于使得所述支撑顶针22与所述框架21固紧或松开。
其中，所述夹持构件25用于调整支撑顶针22的高度，所述夹持构件25包括第一端和第二端，当夹持构件25处于松开状态时，第一端与支撑顶针22连接，第二端与框架21的内壁分离；或者，第一端与支撑顶针22分离，第二端与框架21的内壁连接，使得支撑顶针22上升或下降。
请结合图2、图4和图6，在步骤S2中，所述吸附装置20包括第一吸附装置20a、第二吸附装置20b和第三吸附装置20c，所述第一吸附装置包括第一框架、第一支撑顶针、第一吸附盘、第一缓冲构件和第一夹持构件，所述第二吸附装置包括第二框架、第二支撑顶针、第二吸附盘、第二缓冲构件和第二夹持构件，所述第三吸附装置包括第三框架、第三支撑顶针、第三吸附盘、第三缓冲构件和第三夹持构件。需要理解的是，本发明中的第一吸附装置20a、所述第二吸附装置20b和所述第三吸附装置20c具有相同的结构，因此，本发明仅对一吸附装置20中的各个部件进行标号，本发明的其他吸附装置均有相相同结构。进一步的，在步骤S2中，在所述第一支撑顶针与所述第一框架、所述第二支撑顶针与所述第二框架和所述第三支撑顶针和所述第三框架均处于松开状态时，将基板的第一边缘部、中部、第二边缘部分别与所述基板承载台的所述第一吸附盘、所述第二吸附盘和所述第三吸附盘相接触。
在第一支撑顶针与第一框架、第二支撑顶针与第二框架和第三支撑顶针和第三框架均处于松开状态时。此时，由于基板50在重力作用下，缓冲构件被压缩，使得将基板50的第一边缘部、中部、第二边缘部分别与所述基板承载台的各个吸附盘接触。
随后，在步骤S3中，所述第一夹持构件将所述第一支撑顶针与所述第一框架相固紧。所述第二夹持构件将所述第二支撑顶针与所述第二框架相固紧。所述第三夹持构件将所述第三支撑顶针与所述第三框架相固紧。通过固紧第一支撑顶针与第一框架、第二支撑顶针与第二框架和第三支撑顶针和第三框架使得各吸附装置成为一体，各个支撑顶针固定，防止基板50的位置发生偏移。
接下来，在步骤S4中，请参考图2或图3，控制真空抽吸装置30，对所述第一支撑顶针的所述中空管路、所述第二支撑顶针的所述中空管路和所述第三支撑顶针的所述中空管路抽吸真空，以使设置于所述第一吸附盘和所述第三吸附盘吸附所述基板50的所述第一边缘部和所述第二边缘部，所述第二吸附盘吸附所述基板的所述中部。通过抽吸真空的方法在第一支撑顶针的中空管路、第二支撑顶针的中空管路和第三支撑顶针的中空管路形成负压，所述基板50对应于各个吸盘的位置被真空吸附。
在步骤S5中，请参考图7，将所述第一支撑顶针、所述第二支撑顶针和所述第三支撑顶针朝远离所述基板台的方向移动，以使所述基板的所述中部与所述基板台相接触。通过松开各个缓冲构件，使得各个支撑顶针和各自的框架分离，由于基板50的重力以及各个中空管路内吸附力的作用使得各个顶针朝远离基板台的方向移动，基板50的中部贴合于基板台上。
在步骤S6中，请参考图8，将所述第一支撑顶针和所述第三支撑顶针朝远离所述基板台10的方向移动，以使所述基板50的所述第一边缘部和所述第二边缘部贴附于所述基板台10的表面。继续通过抽吸真空的方法在第一支撑顶针的中空管路、第二支撑顶针的中空管路和第三支撑顶针的中空管路形成负压，所述基板50对应于各个吸盘的位置被真空吸附。此时，缓冲构件被压缩，第一支撑顶针和第三支撑顶针继续朝远离所述基板台10的方向移动，以使基板50的第一边缘部和第二边缘部贴附于基板台10的表面。应该理解的是，本发明中的各个支撑顶针朝远离所述基板台的方向移动是针对于各个支撑顶针的底部而言的。也就是说，各个支撑顶针沿缓冲构件被压缩的方向移动。
在步骤S7中，对贴附于所述基板台10的表面上的所述基板50进行处理，其中，对基板进行处理包括对基板的后续处理，例如，加热处理、冷却处理、涂布处理或曝光处理等。
可选的，请参考图4，在步骤S1中的所述缓冲构件24包括缠绕所述支撑顶针22一部分的弹簧241，以及，远离所述框架21的底部的弹簧支撑片。
或者，所述缓冲构件24包括气缸，所述气缸设置于所述框架的底部，并与所述支撑顶针的一部分相连。以及，所述吸附盘23内设有多个连通部231，所述连通部231与所述支撑顶针22的所述中空管路221连通。
相较于现有技术，本发明提供一种基板承载台及基板处理方法，本发明的基板承载台包括多个吸附装置，吸附装置包括支撑顶针、吸盘，缓冲构件和夹持构件。通过在支撑顶针内形成真空，使得在真空吸附作用将基板吸附于吸附盘上，并通过缓冲构件的作用使得基板依靠重力以及真空吸附力贴合于基板台上，改善基板不能紧密贴合于基板台的问题。
另外，本发明中的夹持构件用于固定各个支撑顶针的升降高度，防止基板位置偏移。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种基板承载台，其特征在于，包括基板台和至少三个吸附装置，所述基板台设置有至少三个通孔，所述吸附装置包括:
框架，所述框架的顶部设置有开口；
支撑顶针，所述支撑顶针的内部设置有中空管路，所述支撑顶针至少一部分穿过所述开口和所述通孔；
吸附盘，所述吸附盘设置于所述支撑柱顶针的顶部；
缓冲构件，所述缓冲构件设置在所述框架内，并与所述支撑顶针相连接；以及
夹持构件，所述夹持构件设置在所述框架内，用于使得所述支撑顶针与所述框架固紧或松开。
2.根据权利要求1所述的基板承载台，其特征在于，所述基板承载台还包括：
真空抽吸装置，所述真空抽吸装置的抽吸管与所述支撑顶针的所述中空管路连通。
3.根据权利要求1所述的基板承载台，其特征在于，所述缓冲构件包括缠绕所述支撑顶针一部分的弹簧。
4.根据权利要求1所述的基板承载台，其特征在于，所述缓冲构件包括气缸，所述气缸设置于所述框架的底部，并与所述支撑顶针的一部分相连。
5.根据权利要求1所述的基板承载台，其特征在于，所述吸附盘内设有多个连通部，所述连通部与所述中空管路连通。
6.根据权利要求1至5任一项所述的基板承载台，其特征在于，所述基板承载台还包括控制装置，所述控制装置与所述夹持构件连接，所述控制装置用于控制所述夹持构件将所述支撑顶针与所述框架固紧或松开。
7.一种基板处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤A：提供一基板承载台，其中，所述基板承载台包括基板台和至少三个吸附装置，所述基板台设置有至少三个通孔，所述吸附装置包括框架、支撑顶针、吸附盘、缓冲构件和夹持构件，其中，所述框架的顶部设置有开口，所述支撑顶针的内部设置有中空管路，所述支撑顶针至少一部分穿过所述开口和所述通孔，所述吸附盘设置于所述支撑柱顶针的顶部，所述缓冲构件设置在所述框架内，并与所述支撑顶针相连接，所述夹持构件设置在所述框架内，用于使得所述支撑顶针与所述框架固紧或松开；
步骤B：在第一吸附装置、第二吸附装置和第三吸附装置的所述支撑顶针与所述框架均处于松开状态时，将基板的第一边缘部、中部、第二边缘部分别与所述基板承载台的所述第一吸附装置、所述第二吸附装置和所述第三吸附装置的所述吸附盘相接触；
步骤C：所述第一吸附装置、所述第二吸附装置和所述第三吸附装置的所述夹持构件将所述支撑顶针与所述框架相固紧；
步骤D：对所述第一吸附装置和所述第三吸附装置中的所述支撑顶针的所述中空管道抽吸真空，以使设置于所述支撑顶针上的所述吸附盘吸附所述基板的所述第一边缘部和所述第二边缘部；
步骤E：将所述第一吸附装置、所述第二吸附装置和所述第三吸附装置朝远离所述基板台的方向移动，以使所述基板的所述中部与所述基板台相接触；
步骤F：将所述第一吸附装置和所述第三吸附装置朝远离所述基板台的方向移动，以使所述基板的所述第一边缘部和所述第二边缘部贴附于所述基板台的表面；
步骤G：对贴附于所述基板台的表面上的所述基板进行处理。
8.根据权利要求7所述的基板处理方法，其特征在于，在所述步骤B中，所述第一吸附装置包括第一框架、第一支撑顶针、第一吸附盘、第一缓冲构件和第一夹持构件，所述第二吸附装置包括第二框架、第二支撑顶针、第二吸附盘、第二缓冲构件和第二夹持构件，所述第三吸附装置包括第三框架、第三支撑顶针、第三吸附盘、第三缓冲构件和第三夹持构件；
所述步骤B包括：在所述第一支撑顶针与所述第一框架、所述第二支撑顶针与所述第二框架和所述第三支撑顶针和所述第三框架均处于松开状态时，将基板的第一边缘部、中部、第二边缘部分别与所述基板承载台的所述第一吸附盘、所述第二吸附盘和所述第三吸附盘相接触。
9.根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，所述步骤C包括：
所述第一夹持构件将所述第一支撑顶针与所述第一框架相固紧；
所述第二夹持构件将所述第二支撑顶针与所述第二框架相固紧；
所述第三夹持构件将所述第三支撑顶针与所述第三框架相固紧。
10.根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，所述步骤D包括：控制真空抽吸装置，对所述第一支撑顶针的所述中空管路、所述第二支撑顶针的所述中空管路和所述第三支撑顶针的所述中空管路抽吸真空，以使所述第一吸附盘和所述第三吸附盘吸附所述基板的所述第一边缘部和所述第二边缘部，所述第二吸附盘吸附所述基板的所述中部。
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