CN111562806B - Cmos工艺上实现低温度系数电压及电流的参考源电路 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种CMOS工艺上实现低温度系数电压及电流的参考源电路，电路通过N沟道耗尽型MOS管的阈值电压具有正温度系数和N沟道增强型MOS管的阈值具有负温度系数在电路中相互抵消，达到具有很低的温度系数电压电流参考源产生电路。本发明整体电路设计简单，输出稳定的电压电流参考源，具有很低的温度系数，可根据实际需求进行调节可修调的熔丝的通断，从而得到不同的电压与电流参考源。
Description
技术领域
本发明涉及电路技术领域，尤其是涉及一种低温度系数的电压参考电路。
背景技术
目前随着科学技术的发展，家用电器不断地小型化集成化，对于电源芯片的要求也越来越高。目前大多数芯片在使用过程中都要求在-40℃-150℃的范围内工作正常，这就需要电路内部的电压电流不随温度的变化，也就是具有很低的温度系数。目前，大多数电流电压源产生电路的温度系数都较高、或者是采用双极型带隙基准，电路内部结构很复杂，成品芯片面积大，对于温度的变化很敏感，不利于电源电路的使用。因此设计一种可在标准CMOS工艺上实现的简单低温度系数的电压电流源参考电路具有很高的必要性。
发明内容
为了克服现有技术的不足，本发明提供一种CMOS工艺上实现低温度系数电压及电流的参考源电路，本发明提供可在标准CMOS工艺上实现的简单低温度系数电压及电流参考源电路，电路通过N沟道耗尽型MOS管的阈值电压具有正温度系数和N沟道增强型MOS管的阈值具有负温度系数在电路中相互抵消，达到具有很低的温度系数电压电流参考源产生电路。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：
一种CMOS工艺上实现低温度系数电压及电流的参考源电路，包括P沟道增强型MOS管PM1-PM3，N沟道耗尽型MOS管NM1、NM2、NM5，N沟道增强型MOS管NM3、NM4、NM6-NM10，电阻R1-R9，可修调的熔丝T1-T6，电容C1，控制电路端口，VIN输入端口、VR电压输出端口和IR电流输出端口；
所述N沟道耗尽型MOS管NM1漏极连接VIN输入端口，栅极源极连接N沟道耗尽型MOS管NM2漏极；所述N沟道耗尽型MOS管NM2漏极连接N沟道耗尽型MOS管NM1栅极源极，栅极源极连接N沟道增强型MOS管NM3的栅极漏极、N沟道耗尽型MOS管NM5栅极、N沟道增强型MOS管NM6栅极、电容C1一端；所述N沟道增强型MOS管NM3栅极漏极连接N沟道耗尽型MOS管NM2栅极漏极、N沟道耗尽型MOS管NM5栅极、N沟道增强型MOS管NM6栅极、电容C1一端，漏极连接N沟道增强型MOS管NM4栅极漏极；所述N沟道增强型MOS管NM4栅极漏极连接N沟道增强型MOS管NM3源极，源极接地；所述N沟道耗尽型MOS管NM5栅极连接N沟道耗尽型MOS管NM2栅极源极、N沟道增强型MOS管NM3漏极源极、N沟道增强型MOS管NM6栅极、电容C1一端，漏极连接P沟道增强型MOS管PM1栅极漏极、P沟道增强型MOS管PM2、PM3栅极，源极连接N沟道增强型MOS管NM6漏极和N沟道增强型MOS管NM7栅极；所述N沟道增强型MOS管NM6栅极连接N沟道耗尽型MOS管NM2栅极源极、N沟道增强型MOS管NM3栅极漏极、N沟道耗尽型MOS管NM5栅极、电容C1一端，漏极连接N沟道耗尽型MOS管NM5源极、N沟道增强型MOS管NM7栅极，源极连接电阻R1一端、电阻R6一端和P沟道增强型MOS管PM2漏极；所述N沟道增强型MOS管NM7栅极连接控制电路输出端，漏极连接N沟道增强型MOS管NM8、NM9、NM10、NM11的源极，源极接地；所述N沟道增强型MOS管NM8栅极连接P沟道增强型MOS管PM3漏极、电阻R10一端、N沟道耗尽型MOS管NM9、NM10、NM11栅极，漏极连接电阻R7的另一端，源极连接N沟道增强型MOS管NM7漏极和N沟道耗尽型MOS管NM9、NM10、NM11源极；所述N沟道耗尽型MOS管NM9栅极连接P沟道增强型MOS管PM3漏极、电阻R10一端、N沟道增强型MOS管NM8、NM10、NM11栅极，漏极连接电阻R8的另一端，源极连接N沟道增强型MOS管NM7漏极和N沟道增强型MOS管NM8、NM10、NM11源极；所述N沟道耗尽型MOS管NM10栅极连接P沟道增强型MOS管PM3漏极、电阻R10一端、N沟道增强型MOS管NM8、NM10、NM11栅极，漏极连接电阻R9的另一端，源极连接N沟道增强型MOS管NM7漏极和N沟道增强型MOS管NM8、NM9、NM11源极；所述N沟道耗尽型MOS管NM11栅极连接P沟道增强型MOS管PM3漏极、电阻R10一端、N沟道增强型MOS管NM8、NM10、NM11栅极，漏极连接IR电流输出端，源极连接N沟道增强型MOS管NM7漏极和N沟道增强型MOS管NM8、NM9、NM10源极；
所述P沟道增强型MOS管PM1源极连接VIN输入端口，栅极漏极连接P沟道增强型MOS管PM2、PM3栅极，N沟道耗尽型MOS管NM5漏极；所述P沟道增强型MOS管PM2源极连接VIN输入端口，栅极连接P沟道增强型MOS管PM1栅极漏极、PM3栅极和N沟道耗尽型MOS管NM5漏极，漏极连接N沟道增强型MOS管NM6源极、电阻R1一端和电阻R6一端；所述P沟道增强型MOS管PM3源极连接VIN输入端口，栅极连接P沟道增强型MOS管PM1栅极漏极、PM2栅极和N沟道耗尽型MOS管NM5漏极，漏极连接电阻R10一端、N沟道增强型MOS管NM8、NM9、NM10和NM11的栅极。其中P沟道增强型MOS管PM1-PM3构成电流镜结构，起镜像电流的作用；
所述电阻R1的一端连接N沟道增强型MOS管NM6源极、P沟道增强型MOS管PM2漏极和电阻R6一端，电阻R1的另一端连接电阻R2一端和可修调的熔丝T1一端；所述电阻R2的一端连接电阻R1另一端、可修调的熔丝T1另一端，电阻R2的另一端连接电阻R3的一端和可修调的熔丝T2一端；所述电阻R3的一端连接电阻R2另一端、可修调的熔丝T1另一端和可修调的熔丝T2一端，电阻R3的另一端连接电阻R4的一端、可修调的熔丝T2另一端和可修调的熔丝T3一端；所述电阻R4的一端连接电阻R3另一端、可修调的熔丝T2另一端和可修调的熔丝T3一端，电阻R4的另一端连接电阻R4的一端和可修调的熔丝T3一端；所述电阻R5的一端连接电阻R4另一端和可修调的熔丝T3另一端，电阻R5的另一端接地；所述电阻R6的一端连接N沟道增强型MOS管NM6源极、P沟道增强型MOS管PM2漏极和电阻R1一端，电阻R6的另一端连接VR输出端口；所述电阻R7的一端连接可修调的熔丝T4另一端，电阻R7的另一端连接N沟道增强型MOS管NM8漏极；所述电阻R8的一端连接可修调的熔丝T5另一端，电阻R8的另一端连接N沟道耗尽型MOS管NM9漏极；所述电阻R9的一端连接可修调的熔丝T6另一端，电阻R9的另一端连接N沟道耗尽型MOS管NM10漏极；所述电阻R10的一端连接P沟道增强型MOS管PM3漏极和N沟道增强型MOS管NM8、NM9、NM10、NM11的栅极，电阻R10的另一端连接可修调的熔丝T4、T5、T6一端。所述电容C1的一端连接N沟道耗尽型MOS管NM2栅极源极、N沟道增强型MOS管NM3漏极栅极、N沟道耗尽型MOS管NM5栅极和N沟道增强型MOS管NM6栅极，电容C1的另一端接地；
所述可修调的熔丝T1一端连接电阻R1另一端和电阻R2一端，另一端连接电阻R2另一端、电阻R3一端和可修调的熔丝T2一端；所述可修调的熔丝T2一端连接可修调的熔丝T1另一端、电阻R2另一端和电阻R3一端，另一端连接电阻R3另一端、电阻R4一端和可修调的熔丝T3一端；所述可修调的熔丝T3一端连接可修调的熔丝T2另一端、电阻R3另一端和电阻R4一端，另一端连接电阻R4另一端、电阻R5一端；所述可修调的熔丝T4一端连接电阻R10另一端和可修调的熔丝T5、T6一端，另一端连接电阻R7一端；所述可修调的熔丝T5一端连接电阻R10另一端和可修调的熔丝T4、T6一端，另一端连接电阻R8一端；所述可修调的熔丝T6一端连接电阻R10另一端和可修调的熔丝T4、T5一端，另一端连接电阻R9一端；所述控制电路输出端连接N沟道增强型MOS管NM7栅极。其中通过改变可修调的熔丝T1、T2、T3的通断来改变电阻R1、R2、R3接入电阻R1和R5之间关系，进一步调整电阻R5支路上电流的大小，从而调整达到电阻R6一端的电压值，VR输出端的电压也就做出调整；通过改变可修调的熔丝T1、T2、T3的通断来改变接入N沟道增强型MOS管NM8-NM11构成的电流镜的输入电流的大小。
本发明的有益效果在于：
1.整体电路设计简单，输出稳定的电压电流参考源，具有很低的温度系数。
2.可根据实际需求进行调节可修调的熔丝的通断，从而得到不同的电压与电流参考源。
附图说明
图1为本发明在CMOS工艺上实现的简单低温度系数电压及电流参考源电路示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
一种CMOS工艺上实现的低温度系数电压及电流参考源电路，如图1所示，包括P沟道增强型MOS管PM1-PM3，N沟道耗尽型MOS管NM1、NM2、NM5，N沟道增强型MOS管NM3、NM4、NM6-NM10，电阻R1-R9，可修调的熔丝T1-T6，电容C1，控制电路端口，以及VIN输入端口、VR电压输出端口和IR电流输出端口。
所述N沟道耗尽型MOS管NM1漏极连接VIN输入端口，栅极源极连接N沟道耗尽型MOS管NM2漏极；所述N沟道耗尽型MOS管NM2漏极连接N沟道耗尽型MOS管NM1栅极源极，栅极源极连接N沟道增强型MOS管NM3的栅极漏极、N沟道耗尽型MOS管NM5栅极、N沟道增强型MOS管NM6栅极、电容C1一端；所述N沟道增强型MOS管NM3栅极漏极连接N沟道耗尽型MOS管NM2栅极漏极、N沟道耗尽型MOS管NM5栅极、N沟道增强型MOS管NM6栅极、电容C1一端，漏极连接N沟道增强型MOS管NM4栅极漏极；所述N沟道增强型MOS管NM4栅极漏极连接N沟道增强型MOS管NM3源极，源极接地；所述N沟道耗尽型MOS管NM5栅极连接N沟道耗尽型MOS管NM2栅极源极、N沟道增强型MOS管NM3漏极源极、N沟道增强型MOS管NM6栅极、电容C1一端，漏极连接P沟道增强型MOS管PM1栅极漏极、P沟道增强型MOS管PM2、PM3栅极，源极连接N沟道增强型MOS管NM6漏极和N沟道增强型MOS管NM7栅极；所述N沟道增强型MOS管NM6栅极连接N沟道耗尽型MOS管NM2栅极源极、N沟道增强型MOS管NM3栅极漏极、N沟道耗尽型MOS管NM5栅极、电容C1一端，漏极连接N沟道耗尽型MOS管NM5源极、N沟道增强型MOS管NM7栅极，源极连接电阻R1一端、电阻R6一端和P沟道增强型MOS管PM2漏极；所述N沟道增强型MOS管NM7栅极连接控制电路输出端，漏极连接N沟道增强型MOS管NM8、NM9、NM10、NM11的源极，源极接地；所述N沟道增强型MOS管NM8栅极连接P沟道增强型MOS管PM3漏极、电阻R10一端、N沟道耗尽型MOS管NM9、NM10、NM11栅极，漏极连接电阻R7的另一端，源极连接N沟道增强型MOS管NM7漏极和N沟道耗尽型MOS管NM9、NM10、NM11源极；所述N沟道耗尽型MOS管NM9栅极连接P沟道增强型MOS管PM3漏极、电阻R10一端、N沟道增强型MOS管NM8、NM10、NM11栅极，漏极连接电阻R8的另一端，源极连接N沟道增强型MOS管NM7漏极和N沟道增强型MOS管NM8、NM10、NM11源极；所述N沟道耗尽型MOS管NM10栅极连接P沟道增强型MOS管PM3漏极、电阻R10一端、N沟道增强型MOS管NM8、NM10、NM11栅极，漏极连接电阻R9的另一端，源极连接N沟道增强型MOS管NM7漏极和N沟道增强型MOS管NM8、NM9、NM11源极；所述N沟道耗尽型MOS管NM11栅极连接P沟道增强型MOS管PM3漏极、电阻R10一端、N沟道增强型MOS管NM8、NM10、NM11栅极，漏极连接IR电流输出端，源极连接N沟道增强型MOS管NM7漏极和N沟道增强型MOS管NM8、NM9、NM10源极。
所述P沟道增强型MOS管PM1源极连接VIN输入端口，栅极漏极连接P沟道增强型MOS管PM2、PM3栅极，N沟道耗尽型MOS管NM5漏极；所述P沟道增强型MOS管PM2源极连接VIN输入端口，栅极连接P沟道增强型MOS管PM1栅极漏极、PM3栅极和N沟道耗尽型MOS管NM5漏极，漏极连接N沟道增强型MOS管NM6源极、电阻R1一端和电阻R6一端；所述P沟道增强型MOS管PM3源极连接VIN输入端口，栅极连接P沟道增强型MOS管PM1栅极漏极、PM2栅极和N沟道耗尽型MOS管NM5漏极，漏极连接电阻R10一端、N沟道增强型MOS管NM8、NM9、NM10和NM11的栅极。其中P沟道增强型MOS管PM1-PM3构成电流镜结构，主要起到镜像电流的作用。
所述电阻R1一端连接N沟道增强型MOS管NM6源极、P沟道增强型MOS管PM2漏极和电阻R6一端，另一端连接电阻R2一端和可修调的熔丝T1一端；所述电阻R2的一端连接电阻R1另一端、可修调的熔丝T1另一端，另一端连接电阻R3的一端和可修调的熔丝T2一端；所述电阻R3的一端连接电阻R2另一端、可修调的熔丝T1另一端和可修调的熔丝T2一端，另一端连接电阻R4的一端、可修调的熔丝T2另一端和可修调的熔丝T3一端；所述电阻R4的一端连接电阻R3另一端、可修调的熔丝T2另一端和可修调的熔丝T3一端，另一端连接电阻R4的一端和可修调的熔丝T3一端；所述电阻R5的一端连接电阻R4另一端和可修调的熔丝T3另一端，另一端接地；所述电阻R6一端连接N沟道增强型MOS管NM6源极、P沟道增强型MOS管PM2漏极和电阻R1一端，另一端连接VR输出端口；所述电阻R7一端连接可修调的熔丝T4另一端，另一端连接N沟道增强型MOS管NM8漏极；所述电阻R8一端连接可修调的熔丝T5另一端，另一端连接N沟道耗尽型MOS管NM9漏极；所述电阻R9一端连接可修调的熔丝T6另一端，另一端连接N沟道耗尽型MOS管NM10漏极；所述电阻R10一端连接P沟道增强型MOS管PM3漏极和N沟道增强型MOS管NM8、NM9、NM10、NM11的栅极，另一端连接可修调的熔丝T4、T5、T6一端。所述电容C1一端连接N沟道耗尽型MOS管NM2栅极源极、N沟道增强型MOS管NM3漏极栅极、N沟道耗尽型MOS管NM5栅极和N沟道增强型MOS管NM6栅极，另一端接地。
所述可修调的熔丝T1一端连接电阻R1另一端和电阻R2一端，另一端连接电阻R2另一端、电阻R3一端和可修调的熔丝T2一端；所述可修调的熔丝T2一端连接可修调的熔丝T1另一端、电阻R2另一端和电阻R3一端，另一端连接电阻R3另一端、电阻R4一端和可修调的熔丝T3一端；所述可修调的熔丝T3一端连接可修调的熔丝T2另一端、电阻R3另一端和电阻R4一端，另一端连接电阻R4另一端、电阻R5一端；所述可修调的熔丝T4一端连接电阻R10另一端和可修调的熔丝T5、T6一端，另一端连接电阻R7一端；所述可修调的熔丝T5一端连接电阻R10另一端和可修调的熔丝T4、T6一端，另一端连接电阻R8一端；所述可修调的熔丝T6一端连接电阻R10另一端和可修调的熔丝T4、T5一端，另一端连接电阻R9一端；所述控制电路输出端连接N沟道增强型MOS管NM7栅极。其中通过改变可修调的熔丝T1、T2、T3的通断来改变电阻R1、R2、R3接入电阻R1和R5之间关系，进一步调整电阻R5支路上电流的大小，从而调整达到电阻R6一端的电压值，VR输出端的电压也就做出调整。通过改变可修调的熔丝T1、T2、T3的通断来改变接入N沟道增强型MOS管NM8-NM11构成的电流镜的输入电流的大小。
结合图1，电路的整体工作原理为：当VDD电源端开始上电后，N沟道耗尽型MOS管NM1、NM2栅源都是连接在一起，所以NM1、NM2的VGS＝0，N沟道耗尽型MOS管NM1、NM2管子进入饱和区，产生电流I1，N沟道增强型MOS管NM3栅漏连接在一起，MOS管NM3导通。由于N沟道耗尽型MOS管NM1、NM2具有和阈值电压相关的正温度系数，N沟道增强型MOS管NM3具有和阈值电压相关的负温度系数，由基尔霍夫电流定律知同一支路电流相等，所以对于通过N沟道耗尽型MOS管NM2和N沟道增强型MOS管NM3的电流有如下关系：
因为在工艺中
μn2Cox2＝μn3Cox3
且VGS2＝0，所以有：
也就是：
通过调节N沟道耗尽型MOS管NM2和N沟道增强型MOS管NM3的宽长比，可以让VGS3电压与温度系数无关.同时N沟道增强型MOS管NM3栅极的电压等于N沟道增强型MOS管NM4栅源电压VGS4加上N沟道增强型MOS管NM3栅源电压VGS4，也就是：
VG3＝VGS3+VGS4
N沟道增强型MOS管NM3、NM6构成电流镜结构，由于N沟道耗尽型MOS管NM5栅极电压等于VG3，所以MOS管NM5处于饱和区，电流I1通过MOS管NM3和NM6构成的电流镜镜像到P沟道增强型MOS管PM1的漏极电流为I2。P沟道增强型MOS管PM1、PM2、PM3构成电流镜结构，所以MOS管PM2、PM3的漏极镜像MOS管PM1漏极的电流分别为I3、I4。当电路启动后，通过电阻R1的电流I5，等于流过P沟道增强型MOS管PM1漏极支路电流I2和P沟道增强型MOS管PM2漏极支路电流I3之和，也就是：
I5＝I2+I3
通过调节可修调的熔丝T1、T2、T3，改变电阻串R1-R5的连接组合，从而可以调节电阻R1上端的电压大小，也就是VR输出电压的大小。
由于N沟道增强型MOS管NM8、NM9、NM10是并列关系，所以通过调节可修调的熔丝T4、T5、T6的通断，可以调节MOS管NM8、NM9、NM10的并列关系，从而改变电流镜输入端电流的大小，输出端镜像电流IR也就随之改变。
综上，本发明技术提出了一种可在标准CMOS工艺上实现的简单低温度系数电压及电流参考源电路，可以有效地进行降低温度对于电流的影响。相对于之前的低温度系数电路，这种方法整体电路设计简单，具有很低的温度系数，温度的变化几乎不会影响到内部电压电流的变化，而且电路内部功耗很小，对于其他电路可以提供很好的电压电流参考源电路的效果。
Claims (1)
1.一种CMOS工艺上实现低温度系数电压及电流的参考源电路，包括P沟道增强型MOS管PM1-PM3，N沟道耗尽型MOS管NM1、NM2、NM5，N沟道增强型MOS管NM3、NM4、NM6-NM10，电阻R1-R9，可修调的熔丝T1-T6，电容C1，控制电路端口，VIN输入端口、VR电压输出端口和IR电流输出端口，其特征在于：
所述N沟道耗尽型MOS管NM1漏极连接VIN输入端口，栅极源极连接N沟道耗尽型MOS管NM2漏极；所述N沟道耗尽型MOS管NM2漏极连接N沟道耗尽型MOS管NM1栅极源极，栅极源极连接N沟道增强型MOS管NM3的栅极漏极、N沟道耗尽型MOS管NM5栅极、N沟道增强型MOS管NM6栅极、电容C1一端；所述N沟道增强型MOS管NM3栅极漏极连接N沟道耗尽型MOS管NM2栅极漏极、N沟道耗尽型MOS管NM5栅极、N沟道增强型MOS管NM6栅极、电容C1一端，漏极连接N沟道增强型MOS管NM4栅极漏极；所述N沟道增强型MOS管NM4栅极漏极连接N沟道增强型MOS管NM3源极，源极接地；所述N沟道耗尽型MOS管NM5栅极连接N沟道耗尽型MOS管NM2栅极源极、N沟道增强型MOS管NM3漏极源极、N沟道增强型MOS管NM6栅极、电容C1一端，漏极连接P沟道增强型MOS管PM1栅极漏极、P沟道增强型MOS管PM2、PM3栅极，源极连接N沟道增强型MOS管NM6漏极和N沟道增强型MOS管NM7栅极；所述N沟道增强型MOS管NM6栅极连接N沟道耗尽型MOS管NM2栅极源极、N沟道增强型MOS管NM3栅极漏极、N沟道耗尽型MOS管NM5栅极、电容C1一端，漏极连接N沟道耗尽型MOS管NM5源极、N沟道增强型MOS管NM7栅极，源极连接电阻R1一端、电阻R6一端和P沟道增强型MOS管PM2漏极；所述N沟道增强型MOS管NM7栅极连接控制电路输出端，漏极连接N沟道增强型MOS管NM8、NM9、NM10、NM11的源极，源极接地；所述N沟道增强型MOS管NM8栅极连接P沟道增强型MOS管PM3漏极、电阻R10一端、N沟道耗尽型MOS管NM9、NM10、NM11栅极，漏极连接电阻R7的另一端，源极连接N沟道增强型MOS管NM7漏极和N沟道耗尽型MOS管NM9、NM10、NM11源极；所述N沟道耗尽型MOS管NM9栅极连接P沟道增强型MOS管PM3漏极、电阻R10一端、N沟道增强型MOS管NM8、NM10、NM11栅极，漏极连接电阻R8的另一端，源极连接N沟道增强型MOS管NM7漏极和N沟道增强型MOS管NM8、NM10、NM11源极；所述N沟道耗尽型MOS管NM10栅极连接P沟道增强型MOS管PM3漏极、电阻R10一端、N沟道增强型MOS管NM8、NM10、NM11栅极，漏极连接电阻R9的另一端，源极连接N沟道增强型MOS管NM7漏极和N沟道增强型MOS管NM8、NM9、NM11源极；所述N沟道耗尽型MOS管NM11栅极连接P沟道增强型MOS管PM3漏极、电阻R10一端、N沟道增强型MOS管NM8、NM10、NM11栅极，漏极连接IR电流输出端，源极连接N沟道增强型MOS管NM7漏极和N沟道增强型MOS管NM8、NM9、NM10源极；
所述P沟道增强型MOS管PM1源极连接VIN输入端口，栅极漏极连接P沟道增强型MOS管PM2、PM3栅极，N沟道耗尽型MOS管NM5漏极；所述P沟道增强型MOS管PM2源极连接VIN输入端口，栅极连接P沟道增强型MOS管PM1栅极漏极、PM3栅极和N沟道耗尽型MOS管NM5漏极，漏极连接N沟道增强型MOS管NM6源极、电阻R1一端和电阻R6一端；所述P沟道增强型MOS管PM3源极连接VIN输入端口，栅极连接P沟道增强型MOS管PM1栅极漏极、PM2栅极和N沟道耗尽型MOS管NM5漏极，漏极连接电阻R10一端、N沟道增强型MOS管NM8、NM9、NM10和NM11的栅极；其中P沟道增强型MOS管PM1-PM3构成电流镜结构，起镜像电流的作用；
所述电阻R1的一端连接N沟道增强型MOS管NM6源极、P沟道增强型MOS管PM2漏极和电阻R6一端，电阻R1的另一端连接电阻R2一端和可修调的熔丝T1一端；所述电阻R2的一端连接电阻R1另一端、可修调的熔丝T1另一端，电阻R2的另一端连接电阻R3的一端和可修调的熔丝T2一端；所述电阻R3的一端连接电阻R2另一端、可修调的熔丝T1另一端和可修调的熔丝T2一端，电阻R3的另一端连接电阻R4的一端、可修调的熔丝T2另一端和可修调的熔丝T3一端；所述电阻R4的一端连接电阻R3另一端、可修调的熔丝T2另一端和可修调的熔丝T3一端，电阻R4的另一端连接电阻R4的一端和可修调的熔丝T3一端；所述电阻R5的一端连接电阻R4另一端和可修调的熔丝T3另一端，电阻R5的另一端接地；所述电阻R6的一端连接N沟道增强型MOS管NM6源极、P沟道增强型MOS管PM2漏极和电阻R1一端，电阻R6的另一端连接VR输出端口；所述电阻R7的一端连接可修调的熔丝T4另一端，电阻R7的另一端连接N沟道增强型MOS管NM8漏极；所述电阻R8的一端连接可修调的熔丝T5另一端，电阻R8的另一端连接N沟道耗尽型MOS管NM9漏极；所述电阻R9的一端连接可修调的熔丝T6另一端，电阻R9的另一端连接N沟道耗尽型MOS管NM10漏极；所述电阻R10的一端连接P沟道增强型MOS管PM3漏极和N沟道增强型MOS管NM8、NM9、NM10、NM11的栅极，电阻R10的另一端连接可修调的熔丝T4、T5、T6一端；所述电容C1的一端连接N沟道耗尽型MOS管NM2栅极源极、N沟道增强型MOS管NM3漏极栅极、N沟道耗尽型MOS管NM5栅极和N沟道增强型MOS管NM6栅极，电容C1的另一端接地；
所述可修调的熔丝T1一端连接电阻R1另一端和电阻R2一端，另一端连接电阻R2另一端、电阻R3一端和可修调的熔丝T2一端；所述可修调的熔丝T2一端连接可修调的熔丝T1另一端、电阻R2另一端和电阻R3一端，另一端连接电阻R3另一端、电阻R4一端和可修调的熔丝T3一端；所述可修调的熔丝T3一端连接可修调的熔丝T2另一端、电阻R3另一端和电阻R4一端，另一端连接电阻R4另一端、电阻R5一端；所述可修调的熔丝T4一端连接电阻R10另一端和可修调的熔丝T5、T6一端，另一端连接电阻R7一端；所述可修调的熔丝T5一端连接电阻R10另一端和可修调的熔丝T4、T6一端，另一端连接电阻R8一端；所述可修调的熔丝T6一端连接电阻R10另一端和可修调的熔丝T4、T5一端，另一端连接电阻R9一端；所述控制电路输出端连接N沟道增强型MOS管NM7栅极；其中通过改变可修调的熔丝T1、T2、T3的通断来改变电阻R1、R2、R3接入电阻R1和R5之间关系，进一步调整电阻R5支路上电流的大小，从而调整达到电阻R6一端的电压值，VR输出端的电压也就做出调整；通过改变可修调的熔丝T1、T2、T3的通断来改变接入N沟道增强型MOS管NM8-NM11构成的电流镜的输入电流的大小。
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| CN112859995B (zh) * | 2021-01-12 | 2024-05-24 | 拓尔微电子股份有限公司 | 一种电压基准电路及调节方法 |
Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08184505A (ja) * | 1994-11-02 | 1996-07-16 | Seiko Instr Inc | 温度検出装置 |
| JP2000089843A (ja) * | 1998-07-16 | 2000-03-31 | Ricoh Co Ltd | 基準電圧源用半導体装置 |
| US7030598B1 (en) * | 2003-08-06 | 2006-04-18 | National Semiconductor Corporation | Low dropout voltage regulator |
| CN102591395A (zh) * | 2012-03-06 | 2012-07-18 | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 | 具有带隙基准源功能的恒流源电路 |
| CN103531576A (zh) * | 2013-10-25 | 2014-01-22 | 无锡中星微电子有限公司 | 修调电阻控制装置及使用该装置的晶圆测试系统 |
| CN204858531U (zh) * | 2015-07-11 | 2015-12-09 | 陈敏 | 一种高精度的过温保护电路 |
| CN105470159A (zh) * | 2015-11-17 | 2016-04-06 | 无锡中微腾芯电子有限公司 | 芯片测试中监控烧熔丝达成率的方法 |
| CN107478992A (zh) * | 2016-06-08 | 2017-12-15 | 比亚迪股份有限公司 | 电压检测与判断电路和具有其的动力电池系统 |
| CN107732870A (zh) * | 2017-08-31 | 2018-02-23 | 北京时代民芯科技有限公司 | 一种应用于开关电源的可配置过温保护电路 |
| CN107908221A (zh) * | 2017-10-25 | 2018-04-13 | 丹阳恒芯电子有限公司 | 一种低功耗ldo系统 |
| CN110719093A (zh) * | 2019-10-08 | 2020-01-21 | 西安拓尔微电子有限责任公司 | 用于负载开关的多路高速宽带过流检测电路及控制方法 |
| CN212379778U (zh) * | 2020-05-18 | 2021-01-19 | 西安拓尔微电子有限责任公司 | Cmos工艺上实现低温度系数电压及电流的参考源电路 |
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|---|---|---|---|---|
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Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08184505A (ja) * | 1994-11-02 | 1996-07-16 | Seiko Instr Inc | 温度検出装置 |
| JP2000089843A (ja) * | 1998-07-16 | 2000-03-31 | Ricoh Co Ltd | 基準電圧源用半導体装置 |
| US7030598B1 (en) * | 2003-08-06 | 2006-04-18 | National Semiconductor Corporation | Low dropout voltage regulator |
| CN102591395A (zh) * | 2012-03-06 | 2012-07-18 | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 | 具有带隙基准源功能的恒流源电路 |
| CN103531576A (zh) * | 2013-10-25 | 2014-01-22 | 无锡中星微电子有限公司 | 修调电阻控制装置及使用该装置的晶圆测试系统 |
| CN204858531U (zh) * | 2015-07-11 | 2015-12-09 | 陈敏 | 一种高精度的过温保护电路 |
| CN105470159A (zh) * | 2015-11-17 | 2016-04-06 | 无锡中微腾芯电子有限公司 | 芯片测试中监控烧熔丝达成率的方法 |
| CN107478992A (zh) * | 2016-06-08 | 2017-12-15 | 比亚迪股份有限公司 | 电压检测与判断电路和具有其的动力电池系统 |
| CN107732870A (zh) * | 2017-08-31 | 2018-02-23 | 北京时代民芯科技有限公司 | 一种应用于开关电源的可配置过温保护电路 |
| CN107908221A (zh) * | 2017-10-25 | 2018-04-13 | 丹阳恒芯电子有限公司 | 一种低功耗ldo系统 |
| CN110719093A (zh) * | 2019-10-08 | 2020-01-21 | 西安拓尔微电子有限责任公司 | 用于负载开关的多路高速宽带过流检测电路及控制方法 |
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