CN111542170A - Mems载板的声孔的加工方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种MEMS载板的声孔的加工方法，包括以下步骤：准备一张MEMS载板，MEMS载板包括一由两个内铜层和一内绝缘层压合复合而成的芯板、两个分别通过一第一绝缘层压合于两个内铜层表面上的第一铜层、及两个分别通过一第二绝缘层压合于两个第一铜层表面上的第二铜层；对一第二铜层进行镭射开窗作业，形成能裸露出第二绝缘层局部表面的窗口；对第二绝缘层的裸露表面区域进行激光烧蚀开槽作业，加工出能贯穿第二绝缘层及第一绝缘层的盲槽；在MEMS载板上并对应于盲槽槽底的位置处进行激光切孔作业，加工出一端与盲槽相通、另一端贯穿另一第二铜层的声孔。该声孔加工方法具有简单、易操作、操作精度高、加工效率高等特点，确保了声孔品质。

Description

MEMS载板的声孔的加工方法
技术领域
本发明涉及电路板制作技术领域，具体提供一种MEMS载板的声孔的加工方法。
背景技术
随着电子技术的发展和人们对电子产品小型化、高度集成化的要求，为减少载板体积和增加空间利用率，盲槽产品应运而生。
现有工艺中对盲槽和声孔的加工工艺主要采用：第一种加工工艺：先进行机械钻孔(声孔)作业，再进行镭射槽开窗作业，然后进行CO2激光烧槽作业；或者，第二种加工工艺：先进行镭射槽开窗作业，再进行CO2激光烧槽作业，然后再进行X-Ray钻靶(钻声孔时对位用)作业和机械钻孔(声孔)作业。
但是，对于上述第一种加工工艺，当设计声孔位于盲槽处时，那么在进行镭射烧槽时，因需烧槽区域有通孔(声孔)存在，能量会穿过通孔并损伤孔壁，从而影响声孔品质。对于上述第二种加工工艺，因声孔采用了两次钻孔作业，这一方面会造成声孔与图形的精度变差，另一方面会增加流程，造成成本浪费。
有鉴于此，特提出本发明。
发明内容
为了克服上述缺陷，本发明提供了一种MEMS载板的声孔的加工方法，其具有简单、易操作、操作精度高、加工效率高等特点，很好的确保了声孔品质。
本发明为了解决其技术问题所采用的技术方案是：一种MEMS载板的声孔的加工方法，包括以下步骤：
步骤1)、准备一张MEMS载板，所述MEMS载板包括芯板、两个第一铜层和两个第二铜层，其中，所述芯板由两个内铜层通过位于中间的内绝缘层压合复合而成，两个所述第一铜层各分别通过一第一绝缘层压合于两个所述内铜层表面上，两个所述第二铜层各分别通过一第二绝缘层压合于两个所述第一铜层表面上；
步骤2)、根据线路布局要求，对一所述第二铜层进行镭射开窗作业，以形成能裸露出所述第二绝缘层局部表面的窗口；
步骤3)、对所述第二绝缘层的裸露表面区域进行激光烧蚀开槽作业，加工出能贯穿所述第二绝缘层及所述第一绝缘层的盲槽；
步骤4)、在所述MEMS载板上并对应于所述盲槽槽底的位置处进行激光切孔作业，加工出一端与所述盲槽相通、另一端贯穿另一所述第二铜层的声孔。
作为本发明的进一步改进，所述盲槽为矩形凹槽结构，且所述盲槽的槽深为0.05～0.1mm、槽宽为1～3mm、槽长为2～6mm。
作为本发明的进一步改进，所述盲槽的内侧壁与所述窗口的内侧壁相齐平。
作为本发明的进一步改进，所述声孔为长条直孔，且所述声孔的投影落入所述盲槽中。
作为本发明的进一步改进，在上述激光烧蚀开槽作业和激光切孔作业中，所用激光器的工作参数为：激光功率为10～50W，单脉冲能量为30～240μJ，工作频率为100～500Khz。
本发明的有益效果是：相较于现有技术，本发明所述的声孔加工方法具有以下优点：①本发明采取“先激光烧槽、再激光切孔”的加工方式，不仅可一次加工出盲槽和声孔，简化了加工流程，节约了加工成本；还有效地避免了能量对声孔造成损伤的弊端，提高了声孔及盲槽的加工精度，具体为：槽长、宽尺寸精度可达±0.025mm，槽深精度可达±0.02mm，声孔孔径精度可达±0.025mm，位置度精度可达±0.025mm。②本发明采取激光切孔方式进行打声孔，可实现对声孔孔壁的粗糙程度可控，如：可使声孔锥度(即上下孔径差)≤0.02mm，从而能有效控制声孔品质。③本发明所述的声孔加工方法简单、易操作，加工效率高，利于大批量加工生产。
附图说明
图1为本发明所述MEMS载板的结构示意图；
图2为本发明经过镭射开窗作业后的MEMS载板的结构示意图；
图3为本发明经过激光烧蚀开槽作业后的MEMS载板的结构示意图；
图4为本发明经过激光切孔作业后的MEMS载板的结构示意图。
结合附图，作以下说明：
1—芯板；10—内铜层；11—内绝缘层；2—第一铜层；3—第二铜层；30—窗口；4—第一绝缘层；5—第二绝缘层；6—盲槽；7—声孔。
具体实施方式
以下藉由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，熟悉此技艺的人士可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。
须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技艺的人士了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容所能涵盖的范围内。于本说明书中所述的“第一”、“第二”仅为便于叙述明了，而非用以限定本发明可实施的范围。
实施例1：
本发明提供了一种MEMS载板的声孔的加工方法，包括以下步骤：步骤1)、准备一张MEMS载板，具体可参阅附图1所示，所述MEMS载板包括芯板1、两个第一铜层2和两个第二铜层3，其中，所述芯板1由两个内铜层10通过位于中间的内绝缘层11压合复合而成，两个所述第一铜层2各分别通过一第一绝缘层4压合于两个所述内铜层10表面上，两个所述第二铜层3各分别通过一第二绝缘层5压合于两个所述第一铜层2表面上；
步骤2)、根据线路布局要求，对一所述第二铜层3进行镭射开窗作业，以形成能裸露出所述第二绝缘层5局部表面的窗口30，可参阅附图2所示；
步骤3)、对所述第二绝缘层5的裸露表面区域进行UV激光烧蚀开槽作业，加工出能贯穿所述第二绝缘层5及所述第一绝缘层4的盲槽6，即所述盲槽的槽底为内铜层，这样便不存在能量对声孔损伤的问题；具体可参阅附图3所示；
步骤4)、在所述MEMS载板上并对应于所述盲槽6槽底的位置处进行UV激光切孔作业，加工出一端与所述盲槽6相通、另一端贯穿另一所述第二铜层3的声孔7，具体可参阅附图4所示；在完成盲槽和声孔的加工后，对所述MEMS载板进行后续的除胶、外层线路制作、防焊制作、表面处理、成品检测等多个常规工序，获得带盲槽和声孔、且声孔还位于盲槽处的MEMS印制板。
在本实施例中，优选的，所述盲槽6为矩形凹槽结构，且所述盲槽6的槽深为0.05～0.1mm、槽宽为1～3mm、槽长为2～6mm。
优选的，所述盲槽6的内侧壁与所述窗口30的内侧壁相齐平。
优选的，所述声孔7为长条直孔，且所述声孔7的投影落入所述盲槽6中。
优选的，在上述UV激光烧蚀开槽作业和UV激光切孔作业中，所用激光器的工作参数为：激光功率为10～50W，单脉冲能量为30～240μJ，工作频率为100～500Khz。
综上所述，相较于现有技术，本发明通过采取“先激光烧槽、再激光切孔”的加工方式，不仅可一次加工出盲槽和声孔，简化了加工流程，节约了加工成本；还有效地避免了能量对声孔造成损伤的弊端，提高了声孔及盲槽的加工精度，具体为：槽长、宽尺寸精度可达±0.025mm，槽深精度可达±0.02mm，声孔孔径精度可达±0.025mm，位置度精度可达±0.025mm。另外，本发明采取激光切孔方式进行打声孔，可实现对声孔孔壁的粗糙程度可控，如：可使声孔锥度(即上下孔径差)≤0.02mm，从而能有效控制声孔品质。此外，本发明所述的声孔加工方法简单、易操作，加工效率高，利于大批量加工生产。
上述实施方式仅例示性说明本发明的功效，而非用于限制本发明，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为在本发明的保护范围内。

Claims (5)

1.一种MEMS载板的声孔的加工方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤1)、准备一张MEMS载板，所述MEMS载板包括芯板(1)、两个第一铜层(2)和两个第二铜层(3)，其中，所述芯板(1)由两个内铜层(10)通过位于中间的内绝缘层(11)压合复合而成，两个所述第一铜层(2)各分别通过一第一绝缘层(4)压合于两个所述内铜层(10)表面上，两个所述第二铜层(3)各分别通过一第二绝缘层(5)压合于两个所述第一铜层(2)表面上；
步骤2)、根据线路布局要求，对一所述第二铜层(3)进行镭射开窗作业，以形成能裸露出所述第二绝缘层(5)局部表面的窗口(30)；
步骤3)、对所述第二绝缘层(5)的裸露表面区域进行激光烧蚀开槽作业，加工出能贯穿所述第二绝缘层(5)及所述第一绝缘层(4)的盲槽(6)；
步骤4)、在所述MEMS载板上并对应于所述盲槽(6)槽底的位置处进行激光切孔作业，加工出一端与所述盲槽(6)相通、另一端贯穿另一所述第二铜层(3)的声孔(7)。
2.根据权利要求1所述的MEMS载板的声孔的加工方法，其特征在于：所述盲槽(6)为矩形凹槽结构，且所述盲槽(6)的槽深为0.05～0.1mm、槽宽为1～3mm、槽长为2～6mm。
3.根据权利要求2所述的MEMS载板的声孔的加工方法，其特征在于：所述盲槽(6)的内侧壁与所述窗口(30)的内侧壁相齐平。
4.根据权利要求1所述的MEMS载板的声孔的加工方法，其特征在于：所述声孔(7)为长条直孔，且所述声孔(7)的投影落入所述盲槽(6)中。
5.根据权利要求1所述的MEMS载板的声孔的加工方法，其特征在于：在上述激光烧蚀开槽作业和激光切孔作业中，所用激光器的工作参数为：激光功率为10～50W，单脉冲能量为30～240μJ，工作频率为100～500Khz。
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