CN111540729B - 一种多接触式静电抑制管 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种多接触式静电抑制管，包括基板，所述基板上端面上设置有引脚框架，所述引脚框架包括一根横向设置的主架，所述主架的前后两侧均匀排列有一组引脚，相邻的引脚之间形成凹槽，所述晶片设置在凹槽中，所述晶片与引脚之间通过电极相连，所述基板的底部和四周设置外壳，所述外壳罩设在引脚框架和晶片的外部，所述外壳的内表面上设置有高电份子。本发明是一种制造工艺简化，散热性能好，静电抑制效果好的多接触式静电抑制管。

Description

一种多接触式静电抑制管
技术领域
本发明涉及电子技术领域，具体为一种多接触式静电抑制管。
背景技术
目前原有的静电抑制管芯片采用平面外延技术，导致结电容较大，电阻率高平面结构的焊接模式难以承受脆弱的栅氧层结构，必须采用小线经多条线的焊接模式，允许通过电流小，因此需要多根焊线焊接，工艺复杂。传统工艺中晶片贴合面无散热渠道只能通过自身热传导向外传输热量，极大影响了成品性能。因此，亟需一种新型的多接触式静电抑制管克服上述缺陷。
发明内容
本发明的目的在于提供一种多接触式静电抑制管，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种多接触式静电抑制管，包括基板，所述基板上端面上设置有引脚框架，所述引脚框架包括一根横向设置的主架，所述主架的前后两侧均匀排列有一组引脚，相邻的引脚之间形成凹槽，所述晶片设置在凹槽中，所述晶片与引脚之间通过电极相连，所述基板的底部和四周设置外壳，所述外壳罩设在引脚框架和晶片的外部，所述外壳的内表面上设置有高电份子。
优选的，所述引脚框架的左右两端设置有引出脚，左侧的引出脚上连接有进线端子，右侧的引出脚上连接有出线端子。
优选的，所述基板上设置有引脚框架槽，所述引脚框架设置在引脚框架槽。
优选的，所述基板上设置有前后各一组晶片槽，所述晶片设置在晶片槽中。
优选的，所述电极上设置有ESD防护片。
优选的，所述电极通过单跟焊线与引脚、晶片焊接。
优选的，所述引脚框架由铜基材制成。
优选的，所述引脚框架和晶片通过导热绝缘灌封胶与外壳相连。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明中，外壳由Polymer聚合物材料制成，所述高电分子以规则的点阵离散状排列在外壳的内表面上，当静电电压超过Polymer的触发电压时高电分子迅速产生尖端对尖端的放电，将静电在瞬间泄放到地。引脚框架更好的满足散热效果，提高耗散功率。引脚框架槽提高引脚框架在基板上的安装效率和精度。晶片槽提高晶片在基板上的安装效率和精度。ESD防护片对晶片起到进一步静电防护作用。电极通过单跟焊线与引脚、晶片焊接，单根焊线允许通过电流大，制造工艺简化。引脚框架由铜基材制成具有良好的散热性能。导热绝缘灌封胶提高引脚框架和晶片向外壳传导热量的效率。本发明是一种制造工艺简化，散热性能好，静电抑制效果好的多接触式静电抑制管。
附图说明
图1为一种多接触式静电抑制管的结构示意图；
图2为图1中K处的局部放大图。
图中：1-引脚框架，2-主架，3-引出脚，4-进线端子，5-出线端子，6-引脚，7-凹槽，8-外壳，9-基板，10-晶片，11-晶片槽，12-引脚框架槽，13-电极，14-ESD防护片。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1～2，本发明提供一种技术方案：
一种多接触式静电抑制管，包括基板9，所述基板9上端面上设置有引脚框架1，所述引脚框架1包括一根横向设置的主架2，所述主架2的前后两侧均匀排列有一组引脚6，相邻的引脚6之间形成凹槽7，所述晶片10设置在凹槽7中，所述晶片10与引脚6之间通过电极13相连，所述基板9的底部和四周设置外壳8，所述外壳8罩设在引脚框架1和晶片10的外部，所述外壳8的内表面上设置有高电份子。
外壳8由Polymer聚合物材料制成，所述高电分子以规则的点阵离散状排列在外壳8的内表面上，当静电电压超过Polymer的触发电压时高电分子迅速产生尖端对尖端的放电，将静电在瞬间泄放到地。引脚框架1更好的满足散热效果，提高耗散功率。
可优选地，所述引脚框架1的左右两端设置有引出脚3，左侧的引出脚3上连接有进线端子4，右侧的引出脚3上连接有出线端子5。
进线端子4和出线端子5用于接线。
可优选地，所述基板9上设置有引脚框架槽12，所述引脚框架1设置在引脚框架槽12。
引脚框架槽12提高引脚框架1在基板9上的安装效率和精度。
可优选地，所述基板9上设置有前后各一组晶片槽11，所述晶片10设置在晶片槽11中。
晶片槽11提高晶片10在基板9上的安装效率和精度。
可优选地，所述电极13上设置有ESD防护片14。
ESD防护片对晶片10起到进一步静电防护作用。
可优选地，所述电极13通过单跟焊线与引脚6、晶片10焊接。
电极13通过单跟焊线与引脚6、晶片10焊接，单根焊线允许通过电流大，制造工艺简化。
可优选地，所述引脚框架1由铜基材制成。
引脚框架1由铜基材制成具有良好的散热性能。
可优选地，所述引脚框架1和晶片10通过导热绝缘灌封胶与外壳8相连。
导热绝缘灌封胶提高引脚框架1和晶片10向外壳8传导热量的效率。
本发明的工作原理是：外壳8由Polymer聚合物材料制成，所述高电分子以规则的点阵离散状排列在外壳8的内表面上，当静电电压超过Polymer的触发电压时高电分子迅速产生尖端对尖端的放电，将静电在瞬间泄放到地。引脚框架1更好的满足散热效果，提高耗散功率。进线端子4和出线端子5用于接线。引脚框架槽12提高引脚框架1在基板9上的安装效率和精度。晶片槽11提高晶片10在基板9上的安装效率和精度。ESD防护片对晶片10起到进一步静电防护作用。电极13通过单跟焊线与引脚6、晶片10焊接，单根焊线允许通过电流大，制造工艺简化。引脚框架1由铜基材制成具有良好的散热性能。导热绝缘灌封胶提高引脚框架1和晶片10向外壳8传导热量的效率。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

Claims (8)

1.一种多接触式静电抑制管，包括基板（9），其特征在于：所述基板（9）上端面上设置有引脚框架（1），所述引脚框架（1）包括一根横向设置的主架（2），所述主架（2）的前后两侧均匀排列有一组引脚（6），相邻的引脚（6）之间形成凹槽（7），晶片（10）设置在所述凹槽（7）中，所述晶片（10）与引脚（6）之间通过电极（13）相连，所述基板（9）的底部和四周设置外壳（8），所述外壳（8）罩设在引脚框架（1）和晶片（10）的外部，所述外壳（8）的内表面上设置有高电分子，所述外壳（8）由Polymer聚合物材料制成，所述高电分子以规则的点阵离散状排列在外壳（8）的内表面上。
2.根据权利要求 1 所述的一种多接触式静电抑制管，其特征在于：所述引脚框架（1）的左右两端设置有引出脚（3），左侧的引出脚（3）上连接有进线端子（4），右侧的引出脚（3）上连接有出线端子（5）。
3.根据权利要求 1 所述的一种多接触式静电抑制管，其特征在于：所述基板（9）上设置有引脚框架槽（12），所述引脚框架（1）设置在引脚框架槽（12）。
4.根据权利要求 1 所述的一种多接触式静电抑制管，其特征在于：所述基板（9）上设置有前后各一组晶片槽（11），所述晶片（10）设置在晶片槽（11）中。
5.根据权利要求 1 所述的一种多接触式静电抑制管，其特征在于：所述电极（13）上设置有 ESD 防护片（14）。
6.根据权利要求 1 所述的一种多接触式静电抑制管，其特征在于：所述电极（13）通过单根焊线与引脚（6）、晶片（10）焊接。
7.根据权利要求 1 所述的一种多接触式静电抑制管，其特征在于：所述引脚框架（1）由铜基材制成。
8.根据权利要求 1 所述的一种多接触式静电抑制管，其特征在于：所述引脚框架（1）和晶片（10）通过导热绝缘灌封胶与外壳（8）相连。
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