CN111534855A - 一种多元化合物组分渐变层的分子束外延生长方法 - Google Patents

一种多元化合物组分渐变层的分子束外延生长方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111534855A
CN111534855A CN202010385228.2A CN202010385228A CN111534855A CN 111534855 A CN111534855 A CN 111534855A CN 202010385228 A CN202010385228 A CN 202010385228A CN 111534855 A CN111534855 A CN 111534855A
Authority
CN
China
Prior art keywords
component
sub
temperature
source furnace
molecular beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202010385228.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111534855B (zh
Inventor
郭帅
冯巍
谢小刚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xinlei semiconductor technology (Suzhou) Co.,Ltd.
Original Assignee
Epi Solution Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Epi Solution Technology Co ltd filed Critical Epi Solution Technology Co ltd
Priority to CN202010385228.2A priority Critical patent/CN111534855B/zh
Publication of CN111534855A publication Critical patent/CN111534855A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111534855B publication Critical patent/CN111534855B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
    • C30B25/183—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate being provided with a buffer layer, e.g. a lattice matching layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C30B23/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B23/025—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/16—Controlling or regulating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明提供一种多元化合物组分渐变层的分子束外延生长方法，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：获取元素B在预设炉温下的束流速率；获取元素A的束流速率随炉温变化的函数关系；根据预设规则将组分渐变层的厚度范围划分为n个子区域；针对每一子区域，计算确定元素A的源炉生长工艺参数；在元素B的炉温恒定为预设炉温并且元素A的源炉设定为所确定的生长工艺参数下，生长组分渐变层。根据预期组分变化函数关系对待生长的渐变层进行子区域划分，并针对每个子区域进行温度设定，从而在整个厚度范围内实现生长的组分变化关系与预期变化关系高度匹配。该方法操作方便，且所生长的组分渐变层的组分变化关系能够根据预期变化关系进行控制。

Description

一种多元化合物组分渐变层的分子束外延生长方法
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种多元化合物组分渐变层的分子束外延生长方法。
背景技术
在利用分子束外延(MBE)进行异质外延材料生长时，由于外延结构和器件性能的要求，有时需要生长晶格不匹配的外延层。在衬底表面直接生长晶格不匹配的外延层，会由于应力作用而在所生长的外延层中诱发大量的缺陷位错，从而大幅降低外延层的晶体质量。
为了减小晶格不匹配而导致的外延层中的位错密度，通常在衬底表面与待生长的外延层之间生长一层由多元化合物组分渐变层构成的缓冲层，通过在生长缓冲层的过程中使得缓冲层中的化合物组分逐渐变化，从而实现缓冲层的晶格常数从靠近衬底表面一侧向远离衬底表面一侧逐渐变化。理想情况下，缓冲层的靠近衬底表面一侧的晶格常数与衬底表面的晶格常数匹配，缓冲层的远离衬底表面一侧的晶格常数与待生长的外延层的晶格常数匹配。然后，在缓冲层上生长外延层，可以大幅减小外延层中的位错密度。
在分子束外延的大规模生产中，为了实现多元化合物组分渐变层(例如InxGa1-xAs组分渐变层)的生长，可以固定化合物中一种元素(例如Ga)的生长速率不变(也就是Ga源炉的温度不变)，而使得另一种元素(例如In)的生长速率逐渐变化(也就是In源炉的温度逐渐变化)。常规分子束外延设备对源炉温度变化的控制，通常仅有阶跃模式和线性渐变模式两种。
在常规的多元化合物组分渐变层生长中，通常确定渐变组分(例如In)源炉的起始温度(由缓冲层起始组分决定)和终止温度(由缓冲层终止组分决定)，并且根据缓冲层总厚度确定生长时间，在所确定的生长时间范围内，渐变组分(例如In)源炉的温度从起始温度线性渐变至终止温度，从而获得组分渐变的化合物缓冲层。
在已经确定缓冲层的起始组分和终止组分的情况下，常规组分渐变层生长方法所生长的组分渐变层的组分随厚度的组分变化关系是固定的。通常，对于不同化合物的组分渐变层在其整个厚度范围内的不同组分变化关系会导致具有不同性质的缓冲层。因此，期望提出一种组分渐变层的分子束外延生长方法，以实现能够根据预期的组分变化关系来生长缓冲层。
发明内容
本发明的目的在于，针对上述现有技术的不足，提供一种多元化合物组分渐变层的分子束外延生长方法，以解决根据预期的组分变化关系来生长组分渐变层的问题。
为实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：
本发明提供了一种多元化合物组分渐变层的分子束外延生长方法，多元化合物组分渐变层的化学式为AxB1-xC，其中A和B均为II族元素或均为III族元素，在多元化合物组分渐变层的厚度范围内，x根据预期组分变化函数关系从x1渐变为x2，0<x1,x2<1，并且x1≠x2，所述方法包括：
获取元素B在预设固定源炉温度下的分子束外延束流速率；
获取元素A的分子束外延束流速率随元素A的源炉温度变化的第一函数关系；
根据预设规则将多元化合物组分渐变层的厚度范围划分为n个子区域，n≥1，预设规则用于使得：划分为n个子区域后，在针对每个子区域计算确定元素A的生长工艺参数的情况下，在多元化合物组分渐变层的整个厚度范围内的x生长组分变化函数关系与预期组分变化函数关系之间的差异小于预设阈值，x生长组分变化函数关系表示对多元化合物组分渐变层的厚度范围进行划分并且按照划分后的每一个子区域确定对应的生长工艺参数的情况下的x生长组分在所述多元化合物组分渐变层的厚度范围内的变化关系；
针对n个子区域中的每一个子区域，分别基于该子区域对应的厚度、该子区域两端处对应的元素A的预期组分，并且结合第一函数关系和元素B在预设固定源炉温度下的分子束外延束流速率，计算确定元素A的源炉的生长工艺参数，生长工艺参数包括元素A的源炉在每一个子区域两端处对应的第一温度和第二温度以及源炉温度从第一温度线性渐变为第二温度所需的时间；
在元素B的源炉温度恒定为预设固定源炉温度并且元素A的源炉设定为计算确定的生长工艺参数的条件下，通过分子束外延生长多元化合物组分渐变层。
可选地，所述根据预设规则将多元化合物组分渐变层的厚度范围划分为n个子区域，包括：
步骤a、初始化n为1，此时多元化合物组分渐变层的整个厚度作为划分后的子区域；
步骤b、根据第一函数关系和元素B在预设固定源炉温度下的分子束外延束流速率，确定元素A的源炉的初始生长工艺参数，初始生长工艺参数包括元素A的源炉在划分后的每一个子区域的两端处对应的起始温度和终止温度；
步骤c、在元素B的源炉温度恒定为预设固定源炉温度并且元素A的源炉为初始生长工艺参数的条件下，结合第一函数关系，计算确定x生长组分变化函数关系；
步骤d、针对多元化合物组分渐变层的整个厚度范围内以预定厚度等间距分布的每一厚度值，根据x生长组分变化函数关系和预期组分变化函数关系，获得对应的x生长组分和预期组分，并计算x生长组分与预期组分之差的绝对值，然后将所有厚度值对应的绝对值之和作为差值数据，预定厚度小于多元化合物组分渐变层的总厚度的1/100；
步骤e、在差值数据大于或等于预设阈值的情况下，n＝n+1，并且对多元化合物组分渐变层的厚度范围进行重新划分，以获得新的划分子区域；
步骤f：迭代执行步骤b至步骤e，直到差值数据小于预设阈值为止，并且在差值数据小于预设阈值时，将此时对多元化合物组分渐变层的厚度范围划分的n个子区域作为对多元化合物组分渐变层的厚度范围最终划分的n个子区域。
可选地，步骤e包括：
步骤e1、在差值数据大于或等于预设阈值的情况下，n＝n+1；
步骤e2、对多元化合物组分渐变层的厚度范围进行等分划分，划分位置为整个厚度的等分点处，以得到初始划分子区域；
步骤e3、针对每一个初始划分子区域，分别计算该子区域内x生长组分变化函数关系与预期组分变化函数关系之间的差作为子区域差值数据；
步骤e4、从整个厚度范围的一端开始直到另一端结束，依次针对相邻两个子区域，如果一个子区域的子区域差值数据大于另一个子区域的子区域差值数据，则将相邻两个子区域之间的划分位置从原位置移动至子区域差值数据较大的子区域的中间位置处，并且将该中间位置作为相邻两个子区域的重新划分位置；
步骤e5、执行步骤e4预设次数，并且基于最终的重新划分位置来获得多元化合物组分渐变层的厚度范围的新的划分子区域。
可选地，生长工艺参数中的第一温度和第二温度分别通过如下方式计算获得：针对划分后的每一个子区域，结合预期组分变化函数关系，确定该每一个子区域的两端处所对应厚度位置的预期组分值，根据所确定的预期组分值，并且结合元素B在预设固定源炉温度下的分子束外延束流速率，确定元素A的源炉在每一个子区域两端处对应的第一分子束外延束流速率和第二分子束外延束流速率，然后结合第一函数关系，分别确定第一分子束外延束流速率和第二分子束外延束流速率分别对应的元素A的源炉的第一温度和第二温度。
可选地，生长工艺参数中的源炉温度从第一温度线性渐变为第二温度所需的时间通过如下方式计算获得：结合第一函数关系，确定源炉温度从第一温度线性渐变为第二温度的过程中，元素A的分子束外延束流速率从第一分子束外延束流速率渐变为第二分子束外延束流速率的束流速率变化函数关系，结合元素B在预设固定源炉温度下的分子束外延束流速率以及对应子区域的厚度，计算求解源炉温度从第一温度线性渐变为第二温度所需的时间。
可选地，预设次数的范围为1次至5次。
可选地，多元化合物组分渐变层的化学式为InxGa1-xAs。
可选地，第一函数关系为下式：
s＝293.857t3-6415.94t2+46765.376t-113769.2，
其中s为元素In的分子束外延束流速率，单位为nm/h，t对应于In源炉的温度，t的取值等于In源炉温度除以100。
可选地，预期组分变化函数关系为如下中的一者：凸函数关系、线性函数关系或凹函数关系。
可选地，在预期组分变化函数关系为线性函数关系的情况下，针对厚度为1000nm的InxGa1-xAs组分渐变层，Ga束流速率速率固定为500nm/h，x1＝0.1，x2＝0.4，预设阈值为0.3，多元化合物组分渐变层的厚度范围被划分为3个子区域，对应的两个划分位置位于多元化合物组分渐变层的厚度范围的170nm和580nm位置处。
本发明的有益效果包括：
本发明提供的多元化合物组分渐变层的分子束外延生长方法包括：获取元素B在预设固定源炉温度下的分子束外延束流速率；获取元素A的分子束外延束流速率随元素A的源炉温度变化的第一函数关系；根据预设规则将多元化合物组分渐变层的厚度范围划分为n个子区域，n≥1，预设规则用于使得：划分为n个子区域后，在针对每个子区域计算确定元素A的生长工艺参数的情况下，在多元化合物组分渐变层的整个厚度范围内的x生长组分变化函数关系与预期组分变化函数关系之间的差异小于预设阈值，x生长组分变化函数关系表示对多元化合物组分渐变层的厚度范围进行划分并且按照划分后的每一个子区域确定对应的生长工艺参数的情况下的x生长组分在所述多元化合物组分渐变层的厚度范围内的变化关系；针对n个子区域中的每一个子区域，分别基于该子区域对应的厚度、该子区域两端处对应的元素A的预期组分，并且结合第一函数关系和元素B在预设固定源炉温度下的分子束外延束流速率，计算确定元素A的源炉的生长工艺参数，生长工艺参数包括元素A的源炉在每一个子区域两端处对应的第一温度和第二温度以及源炉温度从第一温度线性渐变为第二温度所需的时间；在元素B的源炉温度恒定为预设固定源炉温度并且元素A的源炉设定为计算确定的生长工艺参数的条件下，通过分子束外延生长多元化合物组分渐变层。根据预期组分变化函数关系对待生长的组分渐变层进行子区域划分，然后针对每个子区域进行温度设定生长，从而在整个渐变层的厚度范围内实现实际生长的组分变化关系与预期变化关系高度匹配，该方法无需更改分子束外延设备现有的源炉温度升降温模式，而只需将一层渐变层拆分成多个子层进行生长，操作方便，并且组分渐变层的组分变化关系能够根据预期变化关系进行控制。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示出了本发明实施例提供的多元化合物组分渐变层的分子束外延生长方法的流程示意图；
图2示出了本发明实施例提供的In分子束外延束流速率随In源炉温度变化关系的曲线图；
图3示出了本发明实施例提供的In组分随In源炉温度变化关系的曲线图；
图4示出了本发明实施例提供的In组分随InxGa1-xAs组分渐变层厚度变化关系的曲线图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在利用分子束外延(MBE)进行异质外延材料生长时，由于外延结构和器件性能的要求，有时需要生长晶格不匹配的外延层。在衬底表面直接生长晶格不匹配的外延层，会由于应力作用而在所生长的外延层中诱发大量的缺陷位错，从而大幅降低外延层的晶体质量。
为了减小晶格不匹配而导致的外延层中的位错密度，通常在衬底表面与待生长的外延层之间生长一层由多元化合物组分渐变层构成的缓冲层，然后，在缓冲层上生长外延层，可以大幅减小外延层中的位错密度。在常规的多元化合物组分渐变层生长中，通常确定渐变组分(例如In)源炉的起始温度(由缓冲层起始组分决定)和终止温度(由缓冲层终止组分决定)，并且根据缓冲层总厚度确定生长时间，在所确定的生长时间范围内，渐变组分(例如In)源炉的温度从起始温度线性渐变至终止温度，从而获得组分渐变的化合物缓冲层。
在已经确定缓冲层的起始组分和终止组分的情况下，常规组分渐变层生长方法所生长的组分渐变层的组分随厚度的组分变化关系是固定的，并且该变化关系通常不是线性的，对于不同化合物的组分渐变层在其整个厚度范围内的不同组分变化关系会导致具有不同性质的缓冲层。常规的渐变层生长方法无法根据人为设计的预期组分变化关系来进行符合预期的生长。因此，期望提出一种组分渐变层的分子束外延生长方法，以实现能够根据预期的组分变化关系来生长缓冲层。
图1示出了本发明实施例提供的多元化合物组分渐变层的分子束外延生长方法的流程示意图，如图1所示，本发明提供了一种多元化合物组分渐变层的分子束外延生长方法，多元化合物组分渐变层的化学式为AxB1-xC，其中A和B均为II族元素或均为III族元素，在多元化合物组分渐变层的厚度范围内，x根据预期组分变化函数关系从x1渐变为x2，0<x1,x2<1，并且x1≠x2。由于AxB1-xC中的C与本发明关注的组分渐变层的组分x无关，因此本发明对化学式中的C不做限制，C可以是单质元素，也可以是多种元素，本发明将组分渐变层的化学式表示为AxB1-xC仅仅是为了方便描述A和B以及A相对于B的组分x。具体地，例如，组分渐变层可以为InxGa1-xAs，此时A对应于In，B对应于Ga，C对应于As；组分渐变层可以为InxGa1- xAsP，此时A对应于In，B对应于Ga，C对应于AsP；组分渐变层可以为InyGa0.5-yAl0.5As，此时，Ax对应于Iny，B1-x对应于Ga0.5-y，C对应于Al0.5As，等等。
所述方法包括：
步骤101、获取元素B在预设固定源炉温度下的分子束外延束流速率。为了获得组分渐变层，通常将A和B中的一者的束流速率固定，另一者变化，从而实现组分渐变。例如可以将元素B的束流速率固定，在分子束外延中对应于将元素B的源炉温度固定为预设的温度值，并且该温度值下元素的速率速率可以预先测量获得。
步骤102、获取元素A的分子束外延束流速率随元素A的源炉温度变化的第一函数关系。
通常情况下，在分子束外延工艺中，源炉温度越高，其对应的束流速度越高，并且对于一台固定的分子束外延设备，分子束外延束流速率与其源炉温度的函数关系是相对稳定的，该关系可以预先获得，并且通常在分子束外延大规模生产中，该关系数据是常规数据。
步骤103、根据预设规则将多元化合物组分渐变层的厚度范围划分为n个子区域，n≥1。
预设规则用于使得：划分为n个子区域后，在针对每个子区域计算确定元素A的生长工艺参数的情况下，在多元化合物组分渐变层的整个厚度范围内的x生长组分变化函数关系与预期组分变化函数关系之间的差异小于预设阈值，x生长组分变化函数关系表示对多元化合物组分渐变层的厚度范围进行划分并且按照划分后的每一个子区域确定对应的生长工艺参数的情况下的x生长组分在所述多元化合物组分渐变层的厚度范围内的变化关系。
常规的组分渐变层生长，一个元素束流速率固定(温度固定)，通常根据整个渐变层厚度的起始组分和终止组分，确定另一个元素的起始束流速率(对应于起始温度)和终止束流速率(对应于终止温度)，然后根据总厚度确定生长时间，并且在生长时间范围内，所述的另一个元素的源炉温度从起始温度线性渐变至终止温度，从而完成生长。但是该渐变层的组分变化不能根据期望变化进行控制，因此，可以根据预设规则，将多元化合物组分渐变层的厚度范围划分为n个子区域，然后，分别确定每一个子区域对应的起始温度和终止温度。例如，如果多元化合物组分渐变层的厚度为500nm，则可以将该500nm划分成100nm、400nm两个子区域，或者将该500nm划分成100nm、150nm和250nm三个子区域，等等。
步骤104、针对n个子区域中的每一个子区域，分别基于该子区域对应的厚度、该子区域两端处对应的元素A的预期组分，并且结合第一函数关系和元素B在预设固定源炉温度下的分子束外延束流速率，计算确定元素A的源炉的生长工艺参数。
生长工艺参数包括元素A的源炉在每一个子区域两端处对应的第一温度和第二温度以及源炉温度从第一温度线性渐变为第二温度所需的时间。具体地，例如，如果多元化合物组分渐变层的厚度为500nm，并且将该500nm划分成100nm、150nm和250nm三个子区域，则，首先确定第一个子区域(100nm子区域)的起始点(整个厚度的0nm位置)处的第一预期组分、第一个子区域(100nm子区域)的终止点(整个厚度的100nm位置)处的第二预期组分、第二个子区域(150nm子区域)的起始点(整个厚度的100nm位置)处的第三预期组分、第二个子区域(150nm子区域)的终止点(整个厚度的250nm位置)处的第四预期组分、第三个子区域(250nm子区域)的起始点(整个厚度的250nm位置)处的第五预期组分、第三个子区域(250nm子区域)的终止点(整个厚度的500nm位置)处的第六预期组分，应当理解，第二预期组分等于第三预期组分，第四预期组分等于第五预期组分。根据第一预期组分，确定第一个子区域的起始点(整个厚度的0nm位置)处源炉的温度T1，根据第二预期组分，确定第二个子区域的起始点(整个厚度的100nm位置)处源炉的温度T2，根据第五预期组分，确定第三个子区域(250nm子区域)的起始点(整个厚度的250nm位置)处的源炉的温度T3，根据第六预期组分，确定第三个子区域(250nm子区域)的终止点(整个厚度的500nm位置)处的源炉的温度T4，然后根据每个子区域的厚度，分别确定对应的生长时间段P1、P2和P3。
步骤105、在元素B的源炉温度恒定为预设固定源炉温度并且元素A的源炉设定为计算确定的生长工艺参数的条件下，通过分子束外延生长多元化合物组分渐变层。
例如，步骤104中举例说明的子区域划分以及举例示出的工艺参数，可以在元素B的源炉温度恒定为预设固定源炉温度的情况下，在元素A的源炉在时间段P1内从温度T1线性渐变至温度T2，然后元素A的源炉在时间段P2内从温度T2线性渐变至温度T3，再然后，元素A的源炉在时间段P3内从温度T3线性渐变至温度T4，从而完成组分渐变层的生长。
综上所述，根据预期组分变化函数关系对待生长的组分渐变层进行子区域划分，然后针对每个子区域进行温度设定生长，从而在整个渐变层的厚度范围内实现实际生长的组分变化关系与预期变化关系高度匹配，该方法无需更改分子束外延设备现有的源炉温度升降温模式，而只需将一层渐变层拆分成多个子层进行生长，操作方便，并且组分渐变层的组分变化关系能够根据预期变化关系进行控制。
可选地，所述根据预设规则将多元化合物组分渐变层的厚度范围划分为n个子区域，包括：步骤a、初始化n为1，此时多元化合物组分渐变层的整个厚度作为划分后的子区域；步骤b、根据第一函数关系和元素B在预设固定源炉温度下的分子束外延束流速率，确定元素A的源炉的初始生长工艺参数，初始生长工艺参数包括元素A的源炉在划分后的每一个子区域的两端处对应的起始温度和终止温度；步骤c、在元素B的源炉温度恒定为预设固定源炉温度并且元素A的源炉为初始生长工艺参数的条件下，结合第一函数关系，计算确定x生长组分变化函数关系；步骤d、针对多元化合物组分渐变层的整个厚度范围内以预定厚度等间距分布的每一厚度值，根据x生长组分变化函数关系和预期组分变化函数关系，获得对应的x生长组分和预期组分，并计算x生长组分与预期组分之差的绝对值，然后将所有厚度值对应的绝对值之和作为差值数据，为了获得更准确的计算值，对组分渐变层进行离散化的预设厚度通常远小于渐变层的总厚度，例如，预定厚度小于多元化合物组分渐变层的总厚度的1/100；步骤e、在差值数据大于或等于预设阈值的情况下，n＝n+1，并且对多元化合物组分渐变层的厚度范围进行重新划分，以获得新的划分子区域；步骤f：迭代执行步骤b至步骤e，直到差值数据小于预设阈值为止，并且在差值数据小于预设阈值时，将此时对多元化合物组分渐变层的厚度范围划分的n个子区域作为对多元化合物组分渐变层的厚度范围最终划分的n个子区域。理论上，当n趋于无穷大时，实际生长的组分变化关系与预期变化关系可以实现一致。通常情况下，划分的子区域数量越多，实际生长中，所需要的总生长时间越长。然而，在生产中考虑到时间成本，希望在满足生长要求(也就是差值数据小于预设阈值)的前提下n尽可能小。因此，本实施例中通过将n初始化为1，然后通过计算差值数据，并将其与预设阈值进行比较，在划分不满足生长要求的情况下逐渐迭代增加n值，从而可以获得满足生长组分渐变要求的最少划分。通过获得尽可能少的划分，可以在满足生长组分渐变要求情况下实现所需生长时间的缩短。
可选地，步骤e包括：步骤e1、在差值数据大于或等于预设阈值的情况下，n＝n+1；步骤e2、对多元化合物组分渐变层的厚度范围进行等分划分，划分位置为整个厚度的等分点处，以得到初始划分子区域；步骤e3、针对每一个初始划分子区域，分别计算该子区域内x生长组分变化函数关系与预期组分变化函数关系之间的差作为子区域差值数据；步骤e4、从整个厚度范围的一端开始直到另一端结束，依次针对相邻两个子区域，如果一个子区域的子区域差值数据大于另一个子区域的子区域差值数据，则将相邻两个子区域之间的划分位置从原位置移动至子区域差值数据较大的子区域的中间位置处，并且将该中间位置作为相邻两个子区域的重新划分位置；例如，如果整个厚度范围被划分成H1(例如，100nm厚度)、H2(例如，150nm厚度)和H3(例如，250nm厚度)三个子区域，则首先针对H1和H2进行子区域差值比较，如果H2的差值数据大于H1的差值数据，则将划分位置从原位置移动至H2的中间位置，也就是说，重新划分后的H1对应于175nm厚度，重新划分后的H2对应于75nm厚度；对H1和H2比较完成之后，再对重新划分后的H2和原来的H3进行比较，依次类推，直至比较完所有的子区域；步骤e5、执行步骤e4预设次数，并且基于最终的重新划分位置来获得多元化合物组分渐变层的厚度范围的新的划分子区域。可选地，预设次数的范围为1次至5次。优选地，预设次数可以为2次或3次。通过执行步骤e3至步骤e5，可以在划分子区域数量不变的前提下，尽可能找出差值数据较小的划分方式，从而获得优化的划分方式。也就是说，通过执行步骤e3至步骤e5，可以在满足步骤e中所述的预设阈值的情况下，尽可能减少划分子区域的数量，从而实现生长时间的节省。
可选地，生长工艺参数中的第一温度和第二温度分别通过如下方式计算获得：针对划分后的每一个子区域，结合预期组分变化函数关系，确定该每一个子区域的两端处所对应厚度位置的预期组分值，根据所确定的预期组分值，并且结合元素B在预设固定源炉温度下的分子束外延束流速率，确定元素A的源炉在每一个子区域两端处对应的第一分子束外延束流速率和第二分子束外延束流速率，然后结合第一函数关系，分别确定第一分子束外延束流速率和第二分子束外延束流速率分别对应的元素A的源炉的第一温度和第二温度。
可选地，生长工艺参数中的源炉温度从第一温度线性渐变为第二温度所需的时间通过如下方式计算获得：结合第一函数关系，确定源炉温度从第一温度线性渐变为第二温度的过程中，元素A的分子束外延束流速率从第一分子束外延束流速率渐变为第二分子束外延束流速率的束流速率变化函数关系，结合元素B在预设固定源炉温度下的分子束外延束流速率以及对应子区域的厚度，计算求解源炉温度从第一温度线性渐变为第二温度所需的时间。
可选地，多元化合物组分渐变层的化学式为InxGa1-xAs。
对于In组分渐变层，可以预先获得In分子束外延束流速率随In源炉温度的关系图，如图2所示，具体地，第一函数关系为下式：
s＝293.857t3-6415.94t2+46765.376t-113769.2，
其中s为元素In的分子束外延束流速率，单位为nm/h，t对应于In源炉的温度，t的取值等于In源炉温度除以100。在图2中，黑点数据表示实际测量数据点，上述的第一函数关系为进行拟合后获得的函数关系。横坐标采用In源炉温度除以100而不是In源炉温度，是为了简化拟合函数的系数形式。例如，In源炉温度750℃对应于图2中横坐标的7.5。
图3示出了本发明实施例提供的In组分随In源炉温度变化关系的曲线图。具体地，根据图2中所示的In分子束外延束流速率随In源炉温度的关系图，对于InxB1-xC，B例如为Ga，C例如为As，如果假定B的束流速率固定为500nm/h不变，则可以获得图3中所示的In组分随In源炉温度变化关系的曲线图。
可选地，预期组分变化函数关系为如下中的一者：凸函数关系、线性函数关系或凹函数关系。预期组分变化函数关系例如为x＝x1+(x2-x1)*(L/L0)b，其中L0表示渐变层的总厚度，x1表示渐变层起始厚度位置处的组分，x2表示渐变层终止厚度位置处的组分，x表示渐变层中间某一L厚度位置处的组分，其中L/L0的幂指数b>0。当b＝1时，预期组分变化函数关系为线性函数关系，当b>1时，预期组分变化函数关系为凹函数关系，当0<b<1时，预期组分变化函数关系为凸函数关系。
可选地，在预期组分变化函数关系为线性函数关系的情况下，针对厚度为1000nm的InxGa1-xAs组分渐变层，Ga束流速率速率固定为500nm/h，x1＝0.1，x2＝0.4，预设阈值为0.3，多元化合物组分渐变层的厚度范围被划分为3个子区域，对应的两个划分位置位于多元化合物组分渐变层的厚度范围的170nm和580nm位置处。具体地，如图4所示，曲线1表示了预期组分变化函数关系为线性函数关系，起始组分为0.1，终止组分为0.4，InxGa1-xAs组分渐变层的总厚度为1000nm，曲线2对应于采用常规的方法生长的渐变层，也就是In源炉的起始温度对应于组分为0.1的温度T0.1，In源炉的终止温度对应于组分为0.4的温度T0.4，然后In源炉在生长时间内从温度T0.1线性渐变至温度T0.4。曲线3对应于采用本发明实施例提供的方法生长的渐变层。在本实施例中，进行子区域划分的预设阈值为0.3，在n＝1时，也就是曲线2与曲线1的差值数据为约2.11，因此根据本发明上述的划分方法对整个厚度范围进行进一步划分，最终确定的两个划分位置位于多元化合物组分渐变层的厚度范围的170nm和580nm位置处，也就是说，将1000nm的渐变层划分为170nm、410nm和420nm三个子区域。曲线3与曲线1的差值数据为约0.27，满足要求。从图4也可以明显看出，曲线3的组分分布与预期分布符合地很好，因此，将渐变层划分为仅3个子区域即可满足预期要求，在该预设阈值条件下，无需采用更多的子区域划分，从而节省了生长时间。通过减小预设阈值，再对整个厚度进行进一步划分，可以获得与预期分布符合地更好的组分分布，相应地，可能会导致划分的子区域数量的增加。对于预期组分变化函数关系为凸函数关系或凹函数关系的情况，可以采用类似的方法获得满足预期组分分布条件的分子束外延生长工艺参数。
上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让本领域普通技术人员能够了解本发明的内容并加以实施，并不能以此限制本发明的保护范围，凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰,都应涵盖在本发明的保护范围内。

Claims (10)

1.一种多元化合物组分渐变层的分子束外延生长方法，其特征在于，所述多元化合物组分渐变层的化学式为AxB1-xC，其中A和B均为II族元素或均为III族元素，在所述多元化合物组分渐变层的厚度范围内，x根据预期组分变化函数关系从x1渐变为x2，0<x1,x2<1，并且x1≠x2，所述方法包括：
获取元素B在预设固定源炉温度下的分子束外延束流速率；
获取元素A的分子束外延束流速率随元素A的源炉温度变化的第一函数关系；
根据预设规则将所述多元化合物组分渐变层的厚度范围划分为n个子区域，n≥1，所述预设规则用于使得：划分为n个子区域后，在针对每个子区域计算确定元素A的生长工艺参数的情况下，在所述多元化合物组分渐变层的整个厚度范围内的x生长组分变化函数关系与所述预期组分变化函数关系之间的差异小于预设阈值，所述x生长组分变化函数关系表示对所述多元化合物组分渐变层的厚度范围进行划分并且按照划分后的每一个子区域确定对应的生长工艺参数的情况下的x生长组分在所述多元化合物组分渐变层的厚度范围内的变化关系；
针对所述n个子区域中的每一个子区域，分别基于该子区域对应的厚度、该子区域两端处对应的元素A的预期组分，并且结合所述第一函数关系和元素B在预设固定源炉温度下的分子束外延束流速率，计算确定元素A的源炉的生长工艺参数，所述生长工艺参数包括元素A的源炉在每一个子区域两端处对应的第一温度和第二温度以及源炉温度从所述第一温度线性渐变为所述第二温度所需的时间；
在元素B的源炉温度恒定为所述预设固定源炉温度并且元素A的源炉设定为计算确定的所述生长工艺参数的条件下，通过分子束外延生长所述多元化合物组分渐变层。
2.根据权利要求1所述的多元化合物组分渐变层的分子束外延生长方法，其特征在于，所述根据预设规则将所述多元化合物组分渐变层的厚度范围划分为n个子区域，包括：
步骤a、初始化n为1，此时所述多元化合物组分渐变层的整个厚度作为划分后的子区域；
步骤b、根据所述第一函数关系和元素B在预设固定源炉温度下的分子束外延束流速率，确定元素A的源炉的初始生长工艺参数，所述初始生长工艺参数包括元素A的源炉在划分后的每一个子区域的两端处对应的起始温度和终止温度；
步骤c、在元素B的源炉温度恒定为所述预设固定源炉温度并且元素A的源炉为所述初始生长工艺参数的条件下，结合所述第一函数关系，计算确定x生长组分变化函数关系；
步骤d、针对所述多元化合物组分渐变层的整个厚度范围内以预定厚度等间距分布的每一厚度值，根据所述x生长组分变化函数关系和所述预期组分变化函数关系，获得对应的x生长组分和预期组分，并计算x生长组分与预期组分之差的绝对值，然后将所有厚度值对应的绝对值之和作为差值数据，所述预定厚度小于所述多元化合物组分渐变层的总厚度的1/100；
步骤e、在所述差值数据大于或等于所述预设阈值的情况下，n＝n+1，并且对所述多元化合物组分渐变层的厚度范围进行重新划分，以获得新的划分子区域；
步骤f：迭代执行步骤b至步骤e，直到所述差值数据小于预设阈值为止，并且在所述差值数据小于预设阈值时，将此时对所述多元化合物组分渐变层的厚度范围划分的n个子区域作为对所述多元化合物组分渐变层的厚度范围最终划分的n个子区域。
3.根据权利要求2所述的多元化合物组分渐变层的分子束外延生长方法，其特征在于，所述步骤e包括：
步骤e1、在所述差值数据大于或等于所述预设阈值的情况下，n＝n+1；
步骤e2、对所述多元化合物组分渐变层的厚度范围进行等分划分，划分位置为整个厚度的等分点处，以得到初始划分子区域；
步骤e3、针对每一个初始划分子区域，分别计算该子区域内x生长组分变化函数关系与所述预期组分变化函数关系之间的差作为子区域差值数据；
步骤e4、从整个厚度范围的一端开始直到另一端结束，依次针对相邻两个子区域，如果一个子区域的子区域差值数据大于另一个子区域的子区域差值数据，则将所述相邻两个子区域之间的划分位置从原位置移动至子区域差值数据较大的子区域的中间位置处，并且将该中间位置作为所述相邻两个子区域的重新划分位置；
步骤e5、执行步骤e4预设次数，并且基于最终的重新划分位置来获得所述多元化合物组分渐变层的厚度范围的新的划分子区域。
4.根据权利要求1所述的多元化合物组分渐变层的分子束外延生长方法，其特征在于，所述生长工艺参数中的第一温度和第二温度分别通过如下方式计算获得：针对划分后的每一个子区域，结合所述预期组分变化函数关系，确定该每一个子区域的两端处所对应厚度位置的预期组分值，根据所确定的预期组分值，并且结合元素B在预设固定源炉温度下的分子束外延束流速率，确定元素A的源炉在每一个子区域两端处对应的第一分子束外延束流速率和第二分子束外延束流速率，然后结合所述第一函数关系，分别确定所述第一分子束外延束流速率和所述第二分子束外延束流速率分别对应的元素A的源炉的第一温度和第二温度。
5.根据权利要求4所述的多元化合物组分渐变层的分子束外延生长方法，其特征在于，所述生长工艺参数中的源炉温度从所述第一温度线性渐变为所述第二温度所需的时间通过如下方式计算获得：结合所述第一函数关系，确定源炉温度从所述第一温度线性渐变为所述第二温度的过程中，元素A的分子束外延束流速率从所述第一分子束外延束流速率渐变为所述第二分子束外延束流速率的束流速率变化函数关系，结合元素B在预设固定源炉温度下的分子束外延束流速率以及对应子区域的厚度，计算求解源炉温度从所述第一温度线性渐变为所述第二温度所需的时间。
6.根据权利要求3所述的多元化合物组分渐变层的分子束外延生长方法，其特征在于，所述预设次数的范围为1次至5次。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的多元化合物组分渐变层的分子束外延生长方法，其特征在于，所述多元化合物组分渐变层的化学式为InxGa1-xAs。
8.根据权利要求7所述的多元化合物组分渐变层的分子束外延生长方法，其特征在于，所述第一函数关系为下式：
s＝293.857t3-6415.94t2+46765.376t-113769.2，
其中s为元素In的分子束外延束流速率，单位为nm/h，t对应于In源炉的温度，t的取值等于In源炉温度除以100。
9.根据权利要求8所述的多元化合物组分渐变层的分子束外延生长方法，其特征在于，所述预期组分变化函数关系为如下中的一者：凸函数关系、线性函数关系或凹函数关系。
10.根据权利要求9所述的多元化合物组分渐变层的分子束外延生长方法，其特征在于，在所述预期组分变化函数关系为线性函数关系的情况下，针对厚度为1000nm的InxGa1- xAs组分渐变层，Ga束流速率速率固定为500nm/h，x1＝0.1，x2＝0.4，所述预设阈值为0.3，所述多元化合物组分渐变层的厚度范围被划分为3个子区域，对应的两个划分位置位于所述多元化合物组分渐变层的厚度范围的170nm和580nm位置处。
CN202010385228.2A 2020-05-09 2020-05-09 一种多元化合物组分渐变层的分子束外延生长方法 Active CN111534855B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010385228.2A CN111534855B (zh) 2020-05-09 2020-05-09 一种多元化合物组分渐变层的分子束外延生长方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010385228.2A CN111534855B (zh) 2020-05-09 2020-05-09 一种多元化合物组分渐变层的分子束外延生长方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111534855A true CN111534855A (zh) 2020-08-14
CN111534855B CN111534855B (zh) 2021-02-02

Family

ID=71975627

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010385228.2A Active CN111534855B (zh) 2020-05-09 2020-05-09 一种多元化合物组分渐变层的分子束外延生长方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111534855B (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113035697A (zh) * 2021-05-31 2021-06-25 新磊半导体科技（苏州）有限公司 一种高电子迁移率器件外延生长工艺参数的优化方法
CN115831743A (zh) * 2023-02-22 2023-03-21 新磊半导体科技(苏州)股份有限公司 一种hbt器件的分子束外延生长方法
CN115838965A (zh) * 2023-02-21 2023-03-24 新磊半导体科技(苏州)股份有限公司 一种分子束外延生长hemt外延片的工艺优化方法
CN116536759A (zh) * 2023-06-25 2023-08-04 合肥芯胜半导体有限公司 一种分子束外延生长渐变层的方法
CN116905090A (zh) * 2023-09-12 2023-10-20 苏州焜原光电有限公司 一种渐变磷组分磷砷化镓材料的生长方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04297020A (ja) * 1991-01-31 1992-10-21 Nec Corp ＩＶ族半導体分子線エピタキシャル成長におけるｎ型不純物ドーピング方法
CN1685090A (zh) * 2002-09-20 2005-10-19 三菱化学株式会社 Ⅲ－v化合物半导体晶体
CN101962803A (zh) * 2010-10-30 2011-02-02 北京大学 高质量单晶厚膜材料的异质外延生长方法
US20110140246A1 (en) * 2009-12-10 2011-06-16 California Institute Of Technology Delta-doping at wafer level for high throughput, high yield fabrication of silicon imaging arrays
CN102226295A (zh) * 2011-05-17 2011-10-26 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种四元化合物分子束外延组分控制参数设计的方法
CN103117209A (zh) * 2013-02-01 2013-05-22 中山大学 一种渐变AlGaN层的制备方法及采用该方法得到的器件
CN103806104A (zh) * 2014-02-19 2014-05-21 中国科学院半导体研究所 一种高Al组分AlGaN薄膜的制备方法
CN105609585A (zh) * 2015-12-16 2016-05-25 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种组分递变过渡层的气态源分子束外延材料生长方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04297020A (ja) * 1991-01-31 1992-10-21 Nec Corp ＩＶ族半導体分子線エピタキシャル成長におけるｎ型不純物ドーピング方法
CN1685090A (zh) * 2002-09-20 2005-10-19 三菱化学株式会社 Ⅲ－v化合物半导体晶体
US20110140246A1 (en) * 2009-12-10 2011-06-16 California Institute Of Technology Delta-doping at wafer level for high throughput, high yield fabrication of silicon imaging arrays
CN101962803A (zh) * 2010-10-30 2011-02-02 北京大学 高质量单晶厚膜材料的异质外延生长方法
CN102226295A (zh) * 2011-05-17 2011-10-26 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种四元化合物分子束外延组分控制参数设计的方法
CN103117209A (zh) * 2013-02-01 2013-05-22 中山大学 一种渐变AlGaN层的制备方法及采用该方法得到的器件
CN103806104A (zh) * 2014-02-19 2014-05-21 中国科学院半导体研究所 一种高Al组分AlGaN薄膜的制备方法
CN105609585A (zh) * 2015-12-16 2016-05-25 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种组分递变过渡层的气态源分子束外延材料生长方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113035697A (zh) * 2021-05-31 2021-06-25 新磊半导体科技（苏州）有限公司 一种高电子迁移率器件外延生长工艺参数的优化方法
CN115838965A (zh) * 2023-02-21 2023-03-24 新磊半导体科技(苏州)股份有限公司 一种分子束外延生长hemt外延片的工艺优化方法
CN115831743A (zh) * 2023-02-22 2023-03-21 新磊半导体科技(苏州)股份有限公司 一种hbt器件的分子束外延生长方法
CN116536759A (zh) * 2023-06-25 2023-08-04 合肥芯胜半导体有限公司 一种分子束外延生长渐变层的方法
CN116536759B (zh) * 2023-06-25 2023-09-26 合肥芯胜半导体有限公司 一种分子束外延生长渐变层的方法
CN116905090A (zh) * 2023-09-12 2023-10-20 苏州焜原光电有限公司 一种渐变磷组分磷砷化镓材料的生长方法
CN116905090B (zh) * 2023-09-12 2023-12-01 苏州焜原光电有限公司 一种渐变磷组分磷砷化镓材料的生长方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN111534855B (zh) 2021-02-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111534855B (zh) 一种多元化合物组分渐变层的分子束外延生长方法
US6503773B2 (en) Low threading dislocation density relaxed mismatched epilayers without high temperature growth
DE102007027446B4 (de) Halbleitersubstrat auf Gruppe-III-V-Nitrid-Basis und lichtemittierende Vorrichtung auf Gruppe-III-V-Nitrid-Basis
Dunstan et al. Plastic relaxation of InGaAs grown on GaAs
DE112015000824B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Halbleiterchips
DE102013106683A1 (de) Halbleitervorrichtungen und Verfahren zur Herstellung derselben
JP7158842B2 (ja) パワーエレクトロニクス装置用のｉｉｉ－ｎ系基板およびその製造方法
US20110239932A1 (en) Method for reducing defects in epitaxially grown on the group III-nitride materials
Hao et al. Anomalous compositional pulling effect in InGaN/GaN multiple quantum wells
Wang et al. Initial growth control of GaN on Si with physical-vapor-deposition-AlN seed layer for high-quality GaN templates
KR20060101799A (ko) 적층 구조 및 그 제조 방법
Koukitu et al. Thermodynamic analysis of the MOVPE growth of InGaAlN quaternary alloy
CN117672432A (zh) 一种基于第一性原理的薄膜临界厚度确定方法
KR102288586B1 (ko) 연속적으로 감소된 결정학적 전위 밀도 영역을 갖는 iii족-질화물 구조체
CN105612276A (zh) 外延生长用模板以及其制作方法、和氮化物半导体装置
Kujofsa et al. Design of Dislocation-Compensated ZnS y Se 1− y/GaAs (001) Heterostructures
DE69505022T2 (de) Verfahren zum Ätzen eines Verbundhalbleiters
Kujofsa et al. Comparison of Continuously-and Step-Graded ZnS y Se 1− y/GaAs (001) Metamorphic Buffer Layers
WO2013120988A1 (en) Method of semiconductor quantum cascade lasers manufacturing
Lundin et al. Semi-insulating GaN: C epilayers grown by metalorganic vapor phase epitaxy using propane as a carbon source
KR101681279B1 (ko) 질화물 박막 및 그 제조방법
JP6280060B2 (ja) 結晶成長評価方法および評価装置
TWI550689B (zh) 使用晶格調整晶域匹配磊晶之化合物半導體的磊晶成長方法
CN110603650B (zh) 一种半导体结构和制备半导体结构的方法
DE102022003646A1 (de) Halbleiterscheibe zur Ausbildung von GaN-Halbleiterbauelementen

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: No.28 factory building, supporting industrial park, export processing zone, NO.666, Jianlin Road, high tech Zone, Suzhou City, Jiangsu Province

Patentee after: Xinlei semiconductor technology (Suzhou) Co.,Ltd.

Address before: No.28 factory building, supporting industrial park, export processing zone, NO.666, Jianlin Road, high tech Zone, Suzhou City, Jiangsu Province

Patentee before: EPI SOLUTION TECHNOLOGY CO.,LTD.