CN111509060A - 一种太阳能电池片及其应用 - Google Patents

一种太阳能电池片及其应用 Download PDF

Info

Publication number
CN111509060A
CN111509060A CN202010382292.5A CN202010382292A CN111509060A CN 111509060 A CN111509060 A CN 111509060A CN 202010382292 A CN202010382292 A CN 202010382292A CN 111509060 A CN111509060 A CN 111509060A
Authority
CN
China
Prior art keywords
module
solar cell
pyramid
assembly
disposed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010382292.5A
Other languages
English (en)
Inventor
孟祥熙
曹育红
杨立功
符黎明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Changzhou Shichuang Energy Co Ltd
Original Assignee
Changzhou Shichuang Energy Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Changzhou Shichuang Energy Co Ltd filed Critical Changzhou Shichuang Energy Co Ltd
Priority to CN202010382292.5A priority Critical patent/CN111509060A/zh
Publication of CN111509060A publication Critical patent/CN111509060A/zh
Priority to PCT/CN2021/087749 priority patent/WO2021223585A1/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0236—Special surface textures
    • H01L31/02363—Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种太阳能电池片，其正面设有棱锥绒面结构；所述棱锥为四棱锥，包括底面和四个侧面；沿棱锥侧周周向，该四个侧面依次为：第一侧面、第二侧面、第三侧面以及第四侧面；所述第一侧面与底面的夹角为55～90度；且电池片上各棱锥的第一侧面朝向相同。本发明还提供该太阳能电池片的应用。与现有采用正四棱锥绒面结构的电池片相比，本发明电池片的反射率更低；采用本发明电池片的组件，效率更高；且本发明组件适于竖直安装和水平安装；组件还可以水平拼接成方阵，可大大减少方阵的占地面积。

Description

一种太阳能电池片及其应用
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池片及其应用。
背景技术
硅片表面的反射率是影响太阳能电池效率的重要因素，为了降低硅片表面的反射率，需要在硅片表面制备绒面结构，常见的是金字塔结构，即正四棱锥结构。
现有的正四棱锥绒面结构可以降低硅片表面的反射率，但还需要进一步优化绒面结构，以便进一步降低硅片表面的反射率。
发明内容
为了进一步降低硅片表面的反射率，本发明提供一种太阳能电池片，其正面设有棱锥绒面结构；所述棱锥为四棱锥，包括底面和四个侧面；沿棱锥侧周周向，该四个侧面依次为：第一侧面、第二侧面、第三侧面以及第四侧面；所述第一侧面与底面的夹角为55～90度，第二侧面、第三侧面、第四侧面与底面的夹角都为锐角；且电池片上各棱锥的第一侧面朝向相同。
优选的，所述底面为长方形或正方形；所述第二侧面与底面的夹角，等于第四侧面与底面的夹角。
在电池片放置状态相同、且太阳光入射角度相同的情况下，本发明棱锥绒面结构对太阳光的反射次数可多于现有正四棱锥绒面结构对太阳光的反射次数，故与现有采用正四棱锥绒面结构的电池片相比，本发明电池片的反射率更低。
本发明还提供一种太阳能电池组件，其采用上述太阳能电池片，且组件中各电池片的棱锥第一侧面朝向相同。
太阳能电池组件一般包含多个电池片，组件中各电池片的棱锥第一侧面朝向相同，可发挥各电池片的棱锥绒面结构的陷光作用；在组件放置状态相同、且太阳光入射角度相同的情况下，与现有采用正四棱锥绒面结构电池片的组件相比，本发明组件中每个电池片的反射率都更低，故本发明整个组件的效率更高。
上述组件可竖直设置，如组件安装在建筑物的外立面上；当组件安装在南半球，组件优选朝北竖直设置；当组件安装在北半球，组件优选朝南竖直设置；且组件竖直设置时，组件中各电池片的棱锥第一侧面朝上设置更优。
组件竖直设置时，组件中各电池片的棱锥第一侧面朝上设置，可更好地应用本发明棱锥绒面结构的陷光作用；安装在南半球的组件朝北竖直设置、安装在北半球的组件朝南竖直设置，可使组件更好地得到太阳的辐照，提高组件的发电量。
上述组件可水平设置：当组件在南半球水平安装，组件中各电池片的棱锥第一侧面朝北设置，可更好地应用本发明棱锥绒面结构的陷光作用；当组件在北半球水平安装，组件中各电池片的棱锥第一侧面朝南设置，可更好地应用本发明棱锥绒面结构的陷光作用。
上述组件可倾斜设置，如采用现有组件的倾斜安装方式；当组件安装在南半球，组件优选朝北倾斜设置；当组件安装在北半球，组件优选朝南倾斜设置；且组件倾斜设置时，组件中各电池片的棱锥第一侧面朝上设置更优。
组件倾斜设置时，组件中各电池片的棱锥第一侧面朝上设置，可更好地应用本发明棱锥绒面结构的陷光作用；安装在南半球的组件朝北倾斜设置、安装在北半球的组件朝南倾斜设置，可使组件更好地得到太阳的辐照，提高组件的发电量。
本发明还提供一种太阳能电池方阵，其采用上述水平设置的组件，且方阵中相邻的组件拼接在一起。
本发明方阵中相邻的组件拼接在一起，即相邻的组件可以零间隙，可大大减少方阵的占地面积。
附图说明
图1是电池片都平置时的示意图；
图2是电池片都竖置时的示意图；
图3是电池片都斜置时的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。
实施例1
为了进一步降低硅片表面的反射率，本发明提供一种太阳能电池片，其正面设有棱锥绒面结构；所述棱锥为四棱锥，包括底面和四个侧面；底面为长方形或正方形；沿棱锥侧周周向，该四个侧面依次为：第一侧面、第二侧面、第三侧面以及第四侧面；所述第一侧面与底面的夹角为55～90度，第二侧面、第三侧面、第四侧面与底面的夹角都为锐角；第二侧面与底面的夹角，等于第四侧面与底面的夹角；且电池片上各棱锥的第一侧面朝向相同。
如图1所示，在电池片都平置、且太阳光入射角度相同的情况下，本发明棱锥绒面结构对太阳光的反射次数可多于现有正四棱锥绒面结构对太阳光的反射次数；
如图2所示，在电池片都竖置、且太阳光入射角度相同的情况下，本发明棱锥绒面结构对太阳光的反射次数可多于现有正四棱锥绒面结构对太阳光的反射次数；
如图3所示，在电池片都斜置、且太阳光入射角度相同的情况下，本发明棱锥绒面结构对太阳光的反射次数可多于现有正四棱锥绒面结构对太阳光的反射次数；
综上可知，在电池片放置状态相同、且太阳光入射角度相同的情况下，本发明棱锥绒面结构对太阳光的反射次数可多于现有正四棱锥绒面结构对太阳光的反射次数，故与现有采用正四棱锥绒面结构的电池片相比，本发明电池片的反射率更低。
实施例2
本发明还提供一种太阳能电池组件，其采用上述太阳能电池片，且组件中各电池片的棱锥第一侧面朝向相同。
太阳能电池组件一般包含多个电池片，组件中各电池片的棱锥第一侧面朝向相同，可发挥各电池片的棱锥绒面结构的陷光作用。
上述组件可水平设置：当组件在南半球水平安装，组件中各电池片的棱锥第一侧面朝北设置（即组件中电池片上各棱锥的第一侧面都斜向北设置），可更好地应用本发明棱锥绒面结构的陷光作用；当组件在北半球水平安装，组件中各电池片的棱锥第一侧面朝南设置（即组件中电池片上各棱锥的第一侧面都斜向南设置），可更好地应用本发明棱锥绒面结构的陷光作用。
上述组件可竖直设置，如组件安装在建筑物的外立面上；组件竖直设置时，组件中各电池片的棱锥第一侧面朝上设置（即组件中电池片上各棱锥的第一侧面都斜向上设置），可更好地应用本发明棱锥绒面结构的陷光作用；安装在南半球的组件朝北竖直设置、安装在北半球的组件朝南竖直设置，可使组件更好地得到太阳的辐照，提高组件的发电量。
上述组件可倾斜设置，如采用现有组件的倾斜安装方式；组件倾斜设置时，组件中各电池片的棱锥第一侧面朝上设置（即组件中电池片上各棱锥的第一侧面都斜向上设置），可更好地应用本发明棱锥绒面结构的陷光作用；安装在南半球的组件朝北倾斜设置、安装在北半球的组件朝南倾斜设置，可使组件更好地得到太阳的辐照，提高组件的发电量。
在组件放置状态相同、且太阳光入射角度相同的情况下，与现有采用正四棱锥绒面结构电池片的组件相比，本发明组件中每个电池片的反射率都更低，故本发明整个组件的效率更高。
实施例3
本发明还提供一种太阳能电池方阵，其采用上述水平设置的组件，且方阵中相邻的组件拼接在一起。
本发明方阵中相邻的组件拼接在一起，即相邻的组件可以零间隙，可大大减少方阵的占地面积。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (14)

1.一种太阳能电池片，其正面设有棱锥绒面结构；所述棱锥为四棱锥，包括底面和四个侧面；沿棱锥侧周周向，该四个侧面依次为：第一侧面、第二侧面、第三侧面以及第四侧面；其特征在于：所述第一侧面与底面的夹角为55～90度；且电池片上各棱锥的第一侧面朝向相同。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，所述第二侧面与底面的夹角，等于第四侧面与底面的夹角。
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池片，其特征在于，所述底面为长方形或正方形。
4.一种太阳能电池组件，其采用权利要求1至3中任一项所述的太阳能电池片，且组件中各电池片的棱锥第一侧面朝向相同。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池组件，其特征在于，组件竖直设置，且组件中各电池片的棱锥第一侧面朝上设置。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池组件，其特征在于，组件安装在建筑物的外立面上。
7.根据权利要求5所述的太阳能电池组件，其特征在于，组件安装在南半球，且组件朝北竖直设置。
8.根据权利要求5所述的太阳能电池组件，其特征在于，组件安装在北半球，且组件朝南竖直设置。
9.根据权利要求4所述的太阳能电池组件，其特征在于，组件安装在南半球，组件水平设置，且组件中各电池片的棱锥第一侧面朝北设置。
10.根据权利要求4所述的太阳能电池组件，其特征在于，组件安装在北半球，组件水平设置，且组件中各电池片的棱锥第一侧面朝南设置。
11.根据权利要求4所述的太阳能电池组件，其特征在于，组件倾斜设置，且组件中各电池片的棱锥第一侧面朝上设置。
12.根据权利要求11所述的太阳能电池组件，其特征在于，组件安装在南半球，且组件朝北倾斜设置。
13.根据权利要求11所述的太阳能电池组件，其特征在于，组件安装在北半球，且组件朝南倾斜设置。
14.一种太阳能电池方阵，其采用权利要求9或10所述的太阳能电池组件，且方阵中相邻的组件拼接在一起。
CN202010382292.5A 2020-05-08 2020-05-08 一种太阳能电池片及其应用 Pending CN111509060A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010382292.5A CN111509060A (zh) 2020-05-08 2020-05-08 一种太阳能电池片及其应用
PCT/CN2021/087749 WO2021223585A1 (zh) 2020-05-08 2021-04-16 一种太阳能电池片及其应用

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010382292.5A CN111509060A (zh) 2020-05-08 2020-05-08 一种太阳能电池片及其应用

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111509060A true CN111509060A (zh) 2020-08-07

Family

ID=71864325

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010382292.5A Pending CN111509060A (zh) 2020-05-08 2020-05-08 一种太阳能电池片及其应用

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN111509060A (zh)
WO (1) WO2021223585A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021223585A1 (zh) * 2020-05-08 2021-11-11 常州时创能源股份有限公司 一种太阳能电池片及其应用

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN118116986A (zh) * 2024-02-07 2024-05-31 隆基绿能科技股份有限公司 一种太阳能电池和光伏组件

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010012044A1 (de) * 2010-03-19 2011-09-22 Friedrich-Schiller-Universität Jena Strukturierte Siliziumschicht für ein optoelektronisches Bauelement und optoelektronisches Bauelement
CN103236447A (zh) * 2013-04-24 2013-08-07 集美大学 光面晶体硅-陷光膜复合太阳能电池
CN105355697A (zh) * 2015-11-20 2016-02-24 电子科技大学 一种陷光结构和其制作方法以及应用该结构的薄膜太阳能电池
CN108305913A (zh) * 2018-01-25 2018-07-20 山东大学 硅晶太阳电池微细加工制绒装置及方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN207651507U (zh) * 2017-12-21 2018-07-24 山东新华联智能光伏有限公司 具有陷光结构的太阳能电池片
CN111509060A (zh) * 2020-05-08 2020-08-07 常州时创能源股份有限公司 一种太阳能电池片及其应用

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010012044A1 (de) * 2010-03-19 2011-09-22 Friedrich-Schiller-Universität Jena Strukturierte Siliziumschicht für ein optoelektronisches Bauelement und optoelektronisches Bauelement
CN103236447A (zh) * 2013-04-24 2013-08-07 集美大学 光面晶体硅-陷光膜复合太阳能电池
CN105355697A (zh) * 2015-11-20 2016-02-24 电子科技大学 一种陷光结构和其制作方法以及应用该结构的薄膜太阳能电池
CN108305913A (zh) * 2018-01-25 2018-07-20 山东大学 硅晶太阳电池微细加工制绒装置及方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021223585A1 (zh) * 2020-05-08 2021-11-11 常州时创能源股份有限公司 一种太阳能电池片及其应用

Also Published As

Publication number Publication date
WO2021223585A1 (zh) 2021-11-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8039731B2 (en) Photovoltaic concentrator for solar energy system
CN202930413U (zh) 太阳能模组装置
GB2024511A (en) Solar cell modulesj
KR101762795B1 (ko) 양면태양전지셀을 이용한 양면유리 태양전지 모듈과 입체형 반사체를 접목한 고효율 태양전지 시스템
US20100024866A1 (en) Solar energy concentrator
US20160020351A1 (en) Bifacial-cell-based solar-energy converting system
CN111509060A (zh) 一种太阳能电池片及其应用
CN110931584A (zh) 一种折板形光伏组件与其使用的正面玻璃以及光伏系统
JP4043100B2 (ja) 太陽電池装置
CN111244208B (zh) 太阳能电池片及其应用
KR100967380B1 (ko) 태양광 집광 장치 및 그를 이용한 태양광 발전 시스템
US20140305491A1 (en) Solar cell module
CN114678437B (zh) 光伏组件
CN111180539B (zh) 提高太阳能电池组件和方阵发电量的方法
KR100764099B1 (ko) 반사판을 구비한 태양광 집광판 및 태양광 집광판 제조방법
KR101172559B1 (ko) 굴절유리를 이용한 태양전지 모듈
JP2015228729A (ja) ソーラーパネルサイト
US20120073627A1 (en) Solar cell module
KR102474546B1 (ko) 반사판 최적 설계를 이용한 발전량 패턴 조절이 가능한 수직설치형 양면수광형 태양광 모듈 시스템
KR102519710B1 (ko) 음영을 개선한 태양광 모듈
US11462653B2 (en) Solar array
WO2024014537A1 (ja) 積層型光起電ブロック
KR102407525B1 (ko) 다중 솔라셀 유닛을 이용한 태양광 발전량 증강 방법 및 장치
CN219873560U (zh) 一种光伏组件用光全反射膜
JP2023072989A (ja) 太陽光発電装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20200807

RJ01 Rejection of invention patent application after publication