CN111508852B - 一种半导体管芯的封装构件及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提出一种半导体管芯的封装构件及其制备方法，包括以下步骤：在线路基板上设置一半导体管芯，对所述半导体管芯的四周边缘进行刻蚀，使得所述半导体管芯四周的侧面为倾斜侧表面，接着在所述半导体管芯上依次形成第一聚乙烯醇层、第一银纳米线层、第二聚乙烯醇层、第二银纳米线层、第三聚乙烯醇层、第三银纳米线层，接着形成模塑层，在所述模塑层中形成导电结构，使得所述导电结构与所述半导体管芯的所述下表面的边缘的间距小于5微米，使得所述导电结构与所述线路基板电连接，接着进行切割工艺，以形成半导体管芯的封装构件。
Description
技术领域
本发明涉及半导体封装领域，特别是涉及一种半导体管芯的封装构件及其制备方法。
背景技术
笔记本电脑、GPS、ADSL和移动电话等3C产品都会因高频电磁波干扰产生杂讯，影响通讯品质。另若人体长期暴露于强力电磁场下，则可能易患癌症病变。因此防电磁干扰已是必备而且势在必行的制程。现有的防电磁干扰的制备工艺中，通常是在封装结构外部包裹有导电涂层，导电涂层材料为银、锡、铜、锌或者其他金属材料及合金，也可以为导电树脂等其他导电涂层。如何改善防电磁干扰的制备工艺，以形成一种电磁屏蔽性能优异的导体管芯封装构件，这引起了本领域技术人员的广发关注。
发明内容
本发明的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种半导体管芯的封装构件及其制备方法。
为实现上述目的，本发明提出的一种半导体管芯的封装构件的制备方法，包括以下步骤：
(1)提供一线路基板，在所述线路基板上设置一半导体管芯，所述半导体管芯包括上表面和下表面，在所述半导体管芯的所述下表面上设置有源区以及导电垫，所述半导体管芯的所述导电垫朝向所述线路基板，且所述导电垫与所述线路基板电连接。
(2)接着对所述半导体管芯的四周边缘进行刻蚀，使得所述半导体管芯四周的侧面为倾斜侧表面，所述半导体管芯的所述倾斜侧表面与所述半导体管芯的所述下表面之间的夹角为25-50度。
(3)接着在所述线路基板上设置暴露所述半导体管芯的掩膜，接着在所述半导体管芯上旋涂第一聚乙烯醇水溶液，接着进行热处理以形成第一聚乙烯醇层，所述第一聚乙烯醇层覆盖所述半导体管芯的所述上表面和所述倾斜侧表面。
(4)接着在所述第一聚乙烯醇层上旋涂第一银纳米线悬浮液，接着进行热处理以形成第一银纳米线层，所述第一银纳米线层覆盖所述第一聚乙烯醇层。
(5)接着在所述第一银纳米线层上旋涂第二聚乙烯醇水溶液，接着进行热处理以形成第二聚乙烯醇层，所述第二聚乙烯醇层覆盖所述第一银纳米线层。
(6)接着在所述第二聚乙烯醇层上旋涂第二银纳米线悬浮液，接着进行热处理以形成第二银纳米线层，所述第二银纳米线层覆盖所述第二聚乙烯醇层。
(7)接着在所述第二银纳米线层上旋涂第三聚乙烯醇水溶液，接着进行热处理以形成第三聚乙烯醇层，所述第三聚乙烯醇层覆盖所述第二银纳米线层。
(8)接着在所述第三聚乙烯醇层上旋涂第三银纳米线悬浮液，接着进行热处理以形成第三银纳米线层，所述第三银纳米线层覆盖所述第三聚乙烯醇层。
(9)接着形成模塑层，进而在所述模塑层中形成开孔，所述开孔暴露所述线路基板，接着所述开孔中形成导电结构，使得所述导电结构与所述半导体管芯的所述下表面的边缘的间距小于5微米，使得所述导电结构与所述线路基板电连接。
(10)接着进行切割工艺，以形成半导体管芯的封装构件。
作为优选，在所述步骤(2)中，通过湿法刻蚀、干法刻蚀或切割工艺使得所述半导体管芯四周的侧面为倾斜侧表面，所述半导体管芯的所述倾斜侧表面与所述半导体管芯的所述下表面之间的夹角为30-45度。
作为优选，在所述步骤(3)中，所述第一聚乙烯醇水溶液中的聚乙烯醇的浓度为20-30mg/ml，旋涂的转速为2000-3500转/分钟，旋涂的时间为60-100秒，接着在90-110℃下热处理10-20分钟的条件下进行所述热处理，所述第一聚乙烯醇层的厚度为30-50纳米。
作为优选，在所述步骤(4)中，所述第一银纳米线悬浮液中银纳米线的浓度为10-20mg/ml，旋涂的转速为3000-5000转/分钟，旋涂的时间为1-2分钟，接着在氮气氛围中在100-150℃下热处理10-15分钟。
作为优选，在所述步骤(5)中，所述第二聚乙烯醇水溶液中的聚乙烯醇的浓度为5-10mg/ml，旋涂的转速为4500-5500转/分钟，旋涂的时间为80-120秒，接着在100-120℃下热处理15-30分钟的条件下进行所述热处理，所述第二聚乙烯醇层的厚度为10-15纳米。
作为优选，在所述步骤(6)中，所述第二银纳米线悬浮液中银纳米线的浓度为15-25mg/ml，旋涂的转速为2500-3500转/分钟，旋涂的时间为1-2分钟，接着在氮气氛围中在150-200℃下热处理20-30分钟。
作为优选，在所述步骤(7)中，所述第三聚乙烯醇水溶液中的聚乙烯醇的浓度为2-5mg/ml，旋涂的转速为5000-6000转/分钟，旋涂的时间为60-120秒，接着在100-110℃下热处理10-20分钟的条件下进行所述热处理，所述第三聚乙烯醇层的厚度为3-9纳米。
作为优选，在所述步骤(8)中，所述第三银纳米线悬浮液中银纳米线的浓度为5-15mg/ml，旋涂的转速为3500-5500转/分钟，旋涂的时间为1-2分钟，接着在氮气氛围中在180-210℃下热处理10-25分钟。
本发明还提出一种半导体管芯的封装构件，其采用上述方法形成的。
本发明与现有技术相比具有下列优点：
本发明的半导体管芯的封装构件的制备过程中，通过旋涂的方式形成聚乙烯醇层，所述聚乙烯醇层覆盖所述半导体管芯的所述上表面和所述倾斜侧表面，聚乙烯醇成膜性能优异，通过旋涂的方式即可在半导体管芯的表面形成均匀的薄膜，而通过旋涂方式即可在聚乙烯醇层上形成银纳米线层，制备工艺简单，且通过多次旋涂聚乙烯醇溶液以及多次旋涂银纳米悬浮液，以形成多层交替设置的聚乙烯醇层以及银纳米线层，有效确保了半导体管芯的封装构件的电磁屏蔽性能，且通过优化各步骤的具体工艺参数，可以得到电磁屏蔽性能优异、密封效果好、稳定性强、使用寿命长的半导体管芯的封装构件。
附图说明
图1为本发明的半导体管芯的封装构件的制备过程的结构示意图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。
本发明提出的一种半导体管芯的封装构件的制备方法，包括以下步骤：
(1)提供一线路基板，在所述线路基板上设置一半导体管芯，所述半导体管芯包括上表面和下表面，在所述半导体管芯的所述下表面上设置有源区以及导电垫，所述半导体管芯的所述导电垫朝向所述线路基板，且所述导电垫与所述线路基板电连接。
(2)接着对所述半导体管芯的四周边缘进行刻蚀，使得所述半导体管芯四周的侧面为倾斜侧表面，所述半导体管芯的所述倾斜侧表面与所述半导体管芯的所述下表面之间的夹角为25-50度。
(3)接着在所述线路基板上设置暴露所述半导体管芯的掩膜，接着在所述半导体管芯上旋涂第一聚乙烯醇水溶液，接着进行热处理以形成第一聚乙烯醇层，所述第一聚乙烯醇层覆盖所述半导体管芯的所述上表面和所述倾斜侧表面。
(4)接着在所述第一聚乙烯醇层上旋涂第一银纳米线悬浮液，接着进行热处理以形成第一银纳米线层，所述第一银纳米线层覆盖所述第一聚乙烯醇层。
(5)接着在所述第一银纳米线层上旋涂第二聚乙烯醇水溶液，接着进行热处理以形成第二聚乙烯醇层，所述第二聚乙烯醇层覆盖所述第一银纳米线层。
(6)接着在所述第二聚乙烯醇层上旋涂第二银纳米线悬浮液，接着进行热处理以形成第二银纳米线层，所述第二银纳米线层覆盖所述第二聚乙烯醇层。
(7)接着在所述第二银纳米线层上旋涂第三聚乙烯醇水溶液，接着进行热处理以形成第三聚乙烯醇层，所述第三聚乙烯醇层覆盖所述第二银纳米线层。
(8)接着在所述第三聚乙烯醇层上旋涂第三银纳米线悬浮液，接着进行热处理以形成第三银纳米线层，所述第三银纳米线层覆盖所述第三聚乙烯醇层。
(9)接着形成模塑层，进而在所述模塑层中形成开孔，所述开孔暴露所述线路基板，接着所述开孔中形成导电结构，使得所述导电结构与所述半导体管芯的所述下表面的边缘的间距小于5微米，使得所述导电结构与所述线路基板电连接。
(10)接着进行切割工艺，以形成半导体管芯的封装构件。
进一步的，在所述步骤(2)中，通过湿法刻蚀、干法刻蚀或切割工艺使得所述半导体管芯四周的侧面为倾斜侧表面，所述半导体管芯的所述倾斜侧表面与所述半导体管芯的所述下表面之间的夹角为30-45度。
进一步的，在所述步骤(3)中，所述第一聚乙烯醇水溶液中的聚乙烯醇的浓度为20-30mg/ml，旋涂的转速为2000-3500转/分钟，旋涂的时间为60-100秒，接着在90-110℃下热处理10-20分钟的条件下进行所述热处理，所述第一聚乙烯醇层的厚度为30-50纳米。
进一步的，在所述步骤(4)中，所述第一银纳米线悬浮液中银纳米线的浓度为10-20mg/ml，旋涂的转速为3000-5000转/分钟，旋涂的时间为1-2分钟，接着在氮气氛围中在100-150℃下热处理10-15分钟。
进一步的，在所述步骤(5)中，所述第二聚乙烯醇水溶液中的聚乙烯醇的浓度为5-10mg/ml，旋涂的转速为4500-5500转/分钟，旋涂的时间为80-120秒，接着在100-120℃下热处理15-30分钟的条件下进行所述热处理，所述第二聚乙烯醇层的厚度为10-15纳米。
进一步的，在所述步骤(6)中，所述第二银纳米线悬浮液中银纳米线的浓度为15-25mg/ml，旋涂的转速为2500-3500转/分钟，旋涂的时间为1-2分钟，接着在氮气氛围中在150-200℃下热处理20-30分钟。
进一步的，在所述步骤(7)中，所述第三聚乙烯醇水溶液中的聚乙烯醇的浓度为2-5mg/ml，旋涂的转速为5000-6000转/分钟，旋涂的时间为60-120秒，接着在100-110℃下热处理10-20分钟的条件下进行所述热处理，所述第三聚乙烯醇层的厚度为3-9纳米。
进一步的，在所述步骤(8)中，所述第三银纳米线悬浮液中银纳米线的浓度为5-15mg/ml，旋涂的转速为3500-5500转/分钟，旋涂的时间为1-2分钟，接着在氮气氛围中在180-210℃下热处理10-25分钟。
本发明还提出一种半导体管芯的封装构件，其采用上述方法形成的。
请参阅图1。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
如图1所示，本实施例提供一种半导体管芯的封装构件的制备方法，该制备方法包括以下步骤：
首先进行步骤(1)提供一线路基板1，在所述线路基板1上设置一半导体管芯2，所述半导体管芯2包括上表面和下表面，在所述半导体管芯2的所述下表面上设置有源区以及导电垫，所述半导体管芯2的所述导电垫朝向所述线路基板，且所述导电垫与所述线路基板电连接，所述线路基板1具体可以为印刷线路板，具体的，在所述半导体管芯2的所述导电垫上设置焊料，进而将所述半导体管芯2倒装安装在所述线路基本1上。
接着进行步骤(2)，对所述半导体管芯2的四周边缘进行刻蚀，使得所述半导体管芯2四周的侧面为倾斜侧表面，具体的，通过湿法刻蚀、干法刻蚀或切割工艺使得所述半导体管芯四周的侧面为倾斜侧表面，所述半导体管芯2的所述倾斜侧表面与所述半导体管芯2的所述下表面之间的夹角为25-50度，更为优选的，所述半导体管芯2的所述倾斜侧表面与所述半导体管芯2的所述下表面之间的夹角的范围是30-45度，更具体的为35度，通过优化所述半导体管芯2的所述倾斜侧表面与所述半导体管芯2的所述下表面之间的夹角，以便后续旋涂工艺形成聚乙烯醇层。
接着进行步骤(3)，在所述线路基板1上设置暴露所述半导体管芯的掩膜，接着在所述半导体管芯2上旋涂第一聚乙烯醇水溶液，接着进行热处理以形成第一聚乙烯醇层，所述第一聚乙烯醇层覆盖所述半导体管芯的所述上表面和所述倾斜侧表面。
其中，所述第一聚乙烯醇水溶液中的聚乙烯醇的浓度为20-30mg/ml，旋涂的转速为2000-3500转/分钟，旋涂的时间为60-100秒，接着在90-110℃下热处理10-20分钟的条件下进行所述热处理，所述第一聚乙烯醇层的厚度为30-50纳米。
在具体的实施例中，所述第一聚乙烯醇水溶液中的聚乙烯醇的浓度为25mg/ml，旋涂的转速为2800转/分钟，旋涂的时间为80秒，接着在100℃下热处理15分钟的条件下进行所述热处理，所述第一聚乙烯醇层的厚度为40纳米，第一聚乙烯醇层的成膜性能优异，进而可以保护所述半导体管芯的所述上表面和所述倾斜侧表面。
接着进行步骤(4)，在所述第一聚乙烯醇层上旋涂第一银纳米线悬浮液，接着进行热处理以形成第一银纳米线层，所述第一银纳米线层覆盖所述第一聚乙烯醇层。
其中，所述第一银纳米线悬浮液中银纳米线的浓度为10-20mg/ml，旋涂的转速为3000-5000转/分钟，旋涂的时间为1-2分钟，所述第一银纳米线悬浮液中银纳米线的直径为80-200纳米，所述第一银纳米线悬浮液中银纳米线的长度为1-3微米，接着在氮气氛围中在100-150℃下热处理10-15分钟。
在具体的实施例中，优选的，所述第一银纳米线悬浮液中银纳米线的浓度为12-18mg/ml，旋涂的转速为3400-4500转/分钟，旋涂的时间为1-2分钟，所述第一银纳米线悬浮液中银纳米线的直径为120-160纳米，所述第一银纳米线悬浮液中银纳米线的长度为1.5-2.5微米，接着在氮气氛围中在110-130℃下热处理12-15分钟，更具体的，所述第一银纳米线悬浮液中银纳米线的浓度为15mg/ml，旋涂的转速为4000转/分钟，旋涂的时间为2分钟，所述第一银纳米线悬浮液中银纳米线的直径为140纳米，所述第一银纳米线悬浮液中银纳米线的长度为2微米，接着在氮气氛围中在120℃下热处理15分钟，以得到第一银纳米线层，所述第一银纳米线层的形成方法简单易行，且制造成本低，形成的第一银纳米线层均匀的覆盖所述半导体管芯的所述上表面和所述倾斜侧表面，进而可以起到良好的电磁屏蔽效果。
接着进行步骤(5)，在所述第一银纳米线层上旋涂第二聚乙烯醇水溶液，接着进行热处理以形成第二聚乙烯醇层，所述第二聚乙烯醇层覆盖所述第一银纳米线层。
其中，所述第二聚乙烯醇水溶液中的聚乙烯醇的浓度为5-10mg/ml，旋涂的转速为4500-5500转/分钟，旋涂的时间为80-120秒，接着在100-120℃下热处理15-30分钟的条件下进行所述热处理，所述第二聚乙烯醇层的厚度为10-15纳米。
在具体的实施例中，所述第二聚乙烯醇水溶液中的聚乙烯醇的浓度为8mg/ml，旋涂的转速为5000转/分钟，旋涂的时间为100秒，接着在110℃下热处理20分钟的条件下进行所述热处理，所述第二聚乙烯醇层的厚度为12纳米。
接着进行步骤(6)，在所述第二聚乙烯醇层上旋涂第二银纳米线悬浮液，接着进行热处理以形成第二银纳米线层，所述第二银纳米线层覆盖所述第二聚乙烯醇层。
其中，所述第二银纳米线悬浮液中银纳米线的浓度为15-25mg/ml，旋涂的转速为2500-3500转/分钟，旋涂的时间为1-2分钟，所述第二银纳米线悬浮液中银纳米线的直径为150-400纳米，所述第二银纳米线悬浮液中银纳米线的的长度为2-5微米，接着在氮气氛围中在150-200℃下热处理20-30分钟。
在具体的实施例中，优选的，所述第二银纳米线悬浮液中银纳米线的浓度为18-22mg/ml，旋涂的转速为2800-3200转/分钟，旋涂的时间为1-2分钟，所述第二银纳米线悬浮液中银纳米线的直径为250-350纳米，所述第二银纳米线悬浮液中银纳米线的的长度为3-4微米，接着在氮气氛围中在160-180℃下热处理20-30分钟，更具体的，所述第二银纳米线悬浮液中银纳米线的浓度为20mg/ml，旋涂的转速为3000转/分钟，旋涂的时间为2分钟，所述第二银纳米线悬浮液中银纳米线的直径为300纳米，所述第二银纳米线悬浮液中银纳米线的的长度为3.5微米，接着在氮气氛围中在170℃下热处理25分钟，以得到第二银纳米线层，所述第二银纳米线层的形成方法简单易行，且制造成本低，形成的第二银纳米线层均匀的覆盖所述半导体管芯的所述上表面和所述倾斜侧表面，进而可以起到良好的电磁屏蔽效果。
接着进行步骤(7)，在所述第二银纳米线层上旋涂第三聚乙烯醇水溶液，接着进行热处理以形成第三聚乙烯醇层，所述第三聚乙烯醇层覆盖所述第二银纳米线层。
其中，所述第三聚乙烯醇水溶液中的聚乙烯醇的浓度为2-5mg/ml，旋涂的转速为5000-6000转/分钟，旋涂的时间为60-120秒，接着在100-110℃下热处理10-20分钟的条件下进行所述热处理，所述第三聚乙烯醇层的厚度为3-9纳米。
在具体的实施例中，所述第三聚乙烯醇水溶液中的聚乙烯醇的浓度为4mg/ml，旋涂的转速为5500转/分钟，旋涂的时间为90秒，接着在105℃下热处理15分钟的条件下进行所述热处理，所述第三聚乙烯醇层的厚度为6纳米。
接着进行步骤(8)，在所述第三聚乙烯醇层上旋涂第三银纳米线悬浮液，接着进行热处理以形成第三银纳米线层，所述第三银纳米线层覆盖所述第三聚乙烯醇层。
其中，所述第三银纳米线悬浮液中银纳米线的浓度为5-15mg/ml，旋涂的转速为3500-5500转/分钟，旋涂的时间为1-2分钟，所述第三银纳米线悬浮液中银纳米线的直径为300-600纳米，所述第三银纳米线悬浮液中银纳米线的的长度为5-10微米，接着在氮气氛围中在180-210℃下热处理10-25分钟。
在具体的实施例中，优选的，所述第三银纳米线悬浮液中银纳米线的浓度为8-12mg/ml，旋涂的转速为4000-5000转/分钟，旋涂的时间为1-2分钟，所述第三银纳米线悬浮液中银纳米线的直径为400-500纳米，所述第三银纳米线悬浮液中银纳米线的的长度为6-9微米，接着在氮气氛围中在190-200℃下热处理15-20分钟，更具体的，所述第三银纳米线悬浮液中银纳米线的浓度为10mg/ml，旋涂的转速为4500转/分钟，旋涂的时间为2分钟，所述第三银纳米线悬浮液中银纳米线的直径为450纳米，所述第三银纳米线悬浮液中银纳米线的的长度为8微米，接着在氮气氛围中在195℃下热处理18分钟，以得到第三银纳米线层，所述第三银纳米线层的形成方法简单易行，且制造成本低，形成的第三银纳米线层均匀的覆盖所述半导体管芯的所述上表面和所述倾斜侧表面，进而可以起到良好的电磁屏蔽效果。在热处理形成银纳米线层的过程中，使得聚乙烯醇层软化，进而使得各银纳米线层和各聚乙烯醇层很好的粘结在一起。
(9)接着形成模塑层，进而在所述模塑层中形成开孔，所述开孔暴露所述线路基板，接着所述开孔中形成导电结构，使得所述导电结构与所述半导体管芯的所述下表面的边缘的间距小于5微米，使得所述导电结构与所述线路基板电连接。
其中，通过压缩模塑、转移模塑、液体密封模塑、印刷或真空层压的方式形成所述模塑层，所述模塑层的材质包括环氧树脂或环氧丙烯酸酯，通过激光照射所述模塑层以形成所述开孔，接着通过化学气相沉积工艺、真空蒸镀工艺、磁控溅射工艺、电镀工艺或化学镀工艺在所述开孔中沉积铜、铝、钯、镍、金、银、钛、ITO中的一种或两种以上组合以形成所述导电结构，使得使得所述导电结构与所述半导体管芯的所述下表面的边缘的间距小于5微米，进一步小于3微米，使得所述导电结构与所述线路基板电连接。
(10)接着进行切割工艺，以形成半导体管芯的封装构件。
本发明还提出一种半导体管芯的封装构件，其采用上述的方法制备形成的，如图1所示，其包括线路基板11，设置在所述线路基板11上的半导体管芯2，设置在所述半导体管芯2上的第一封装层3，所述第一封装层3包括依次层叠的第一聚乙烯醇层、第一银纳米线层、第二聚乙烯醇层、第二银纳米线层、第三聚乙烯醇层以及第三银纳米线层，在所述第一封装层3上形成的模塑层4，以及设置于所述模塑层4中的导电结构5，所述导电结构5与所述半导体管芯2的所述下表面的边缘的间距小于5微米，进一步小于3微米，使得所述导电结构5与所述线路基板1电连接。
本发明的半导体管芯的封装构件的制备过程中，通过旋涂的方式形成聚乙烯醇层，所述聚乙烯醇层覆盖所述半导体管芯的所述上表面和所述倾斜侧表面，聚乙烯醇成膜性能优异，通过旋涂的方式即可在半导体管芯的表面形成均匀的薄膜，而通过旋涂方式即可在聚乙烯醇层上形成银纳米线层，制备工艺简单，且通过多次旋涂聚乙烯醇溶液以及多次旋涂银纳米悬浮液，以形成多层交替设置的聚乙烯醇层以及银纳米线层，有效确保了半导体管芯的封装构件的电磁屏蔽性能，且通过优化各步骤的具体工艺参数，可以得到电磁屏蔽性能优异、密封效果好、稳定性强、使用寿命长的半导体管芯的封装构件。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明披露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。
Claims (6)
1.一种半导体管芯的封装构件的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
（1）提供一线路基板，在所述线路基板上设置一半导体管芯，所述半导体管芯包括上表面和下表面，在所述半导体管芯的所述下表面上设置有源区以及导电垫，所述半导体管芯的所述导电垫朝向所述线路基板，且所述导电垫与所述线路基板电连接；
（2）接着对所述半导体管芯的四周边缘进行刻蚀，使得所述半导体管芯四周的侧面为倾斜侧表面，所述半导体管芯的所述倾斜侧表面与所述半导体管芯的所述下表面之间的夹角为30-45度；
（3）接着在所述线路基板上设置暴露所述半导体管芯的掩膜，接着在所述半导体管芯上旋涂第一聚乙烯醇水溶液，接着进行热处理以形成第一聚乙烯醇层，所述第一聚乙烯醇层覆盖所述半导体管芯的所述上表面和所述倾斜侧表面；
（4）接着在所述第一聚乙烯醇层上旋涂第一银纳米线悬浮液，接着进行热处理以形成第一银纳米线层，所述第一银纳米线层覆盖所述第一聚乙烯醇层；
（5）接着在所述第一银纳米线层上旋涂第二聚乙烯醇水溶液，接着进行热处理以形成第二聚乙烯醇层，所述第二聚乙烯醇层覆盖所述第一银纳米线层；
（6）接着在所述第二聚乙烯醇层上旋涂第二银纳米线悬浮液，接着进行热处理以形成第二银纳米线层，所述第二银纳米线层覆盖所述第二聚乙烯醇层；
（7）接着在所述第二银纳米线层上旋涂第三聚乙烯醇水溶液，接着进行热处理以形成第三聚乙烯醇层，所述第三聚乙烯醇层覆盖所述第二银纳米线层；
（8）接着在所述第三聚乙烯醇层上旋涂第三银纳米线悬浮液，接着进行热处理以形成第三银纳米线层，所述第三银纳米线层覆盖所述第三聚乙烯醇层；
（9）接着形成模塑层，进而在所述模塑层中形成开孔，所述开孔暴露所述线路基板，接着所述开孔中形成导电结构，使得所述导电结构与所述半导体管芯的所述下表面的边缘的间距小于3微米，使得所述导电结构与所述线路基板电连接；
（10）接着进行切割工艺，以形成半导体管芯的封装构件；
其中，在所述步骤（4）中，所述第一银纳米线悬浮液中银纳米线的浓度为10-20mg/ml，旋涂的转速为3000-5000转/分钟，旋涂的时间为1-2分钟，接着在氮气氛围中在100-150℃下热处理10-15分钟；在所述步骤（6）中，所述第二银纳米线悬浮液中银纳米线的浓度为15-25mg/ml，旋涂的转速为2500-3500转/分钟，旋涂的时间为1-2分钟，接着在氮气氛围中在150-200℃下热处理20-30分钟；在所述步骤（8）中，所述第三银纳米线悬浮液中银纳米线的浓度为5-15mg/ml，旋涂的转速为3500-5500转/分钟，旋涂的时间为1-2分钟，接着在氮气氛围中在180-210℃下热处理10-25分钟。
2.根据权利要求1所述的半导体管芯的封装构件的制备方法，其特征在于：在所述步骤（2）中，通过湿法刻蚀、干法刻蚀或切割工艺使得所述半导体管芯四周的侧面为倾斜侧表面，所述半导体管芯的所述倾斜侧表面与所述半导体管芯的所述下表面之间的夹角为30-45度。
3.根据权利要求1所述的半导体管芯的封装构件的制备方法，其特征在于：在所述步骤（3）中，所述第一聚乙烯醇水溶液中的聚乙烯醇的浓度为20-30mg/ml，旋涂的转速为2000-3500转/分钟，旋涂的时间为60-100秒，接着在90-110℃下热处理10-20分钟的条件下进行所述热处理，所述第一聚乙烯醇层的厚度为30-50纳米。
4.根据权利要求1所述的半导体管芯的封装构件的制备方法，其特征在于：在所述步骤（5）中，所述第二聚乙烯醇水溶液中的聚乙烯醇的浓度为5-10mg/ml，旋涂的转速为4500-5500转/分钟，旋涂的时间为80-120秒，接着在100-120℃下热处理15-30分钟的条件下进行所述热处理，所述第二聚乙烯醇层的厚度为10-15纳米。
5.根据权利要求1所述的半导体管芯的封装构件的制备方法，其特征在于：在所述步骤（7）中，所述第三聚乙烯醇水溶液中的聚乙烯醇的浓度为2-5mg/ml，旋涂的转速为5000-6000转/分钟，旋涂的时间为60-120秒，接着在100-110℃下热处理10-20分钟的条件下进行所述热处理，所述第三聚乙烯醇层的厚度为3-9纳米。
6.一种半导体管芯的封装构件，其特征在于，采用权利要求1-5任一项所述的方法形成的。
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