CN111480223A - 用于基板边缘均匀化的方法和设备 - Google Patents

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Abstract

当基板存在时，具有用于保持该基板的顶表面的可移动的基板支撑件被与静止的盖环连同使用，以调节阴影效应以在沉积处理期间控制基板边缘均匀性。盖环通过电隔离的间隔件而保持静止，该间隔件与半导体处理腔室的处理空间中的接地屏蔽件接合。控制器响应于盖环的顶表面上的沉积材料而调节基板支撑件，以保持阴影效应和基板边缘均匀性。

Description

用于基板边缘均匀化的方法和设备
技术领域
本原理的实施方式一般涉及半导体处理。
背景技术
一些基板处理腔室利用处理配件，该处理配件包括围绕处理腔室的内部空间的接地屏蔽件。处理配件还可包括围绕基板支撑件的沉积环和置于沉积环上的盖环。盖环设置在接地屏蔽件和沉积环之间，以帮助将处理空间与腔室的其余部分密封。处理腔室可具有溅射靶，该溅射靶由RF和/或DC功率供电以将靶材料沉积在晶片上。在溅射处理中，靶材溅射引起处理配件上的沉积累积，这继而影响晶片上的沉积均匀性。
因此，本发明人提供了改进的方法和设备，以用于在盖环老化时控制基板上的边缘沉积均匀性。
发明内容
通过相对于基板的边缘保持阴影效应，方法、设备、和系统提供了对半导体处理腔室中的基板边缘均匀性的控制。
在一些实施方式中，一种控制在半导体处理腔室中的基板边缘均匀性的方法，包括以下步骤：在设置在基板支撑件上的第一基板上沉积第一材料，该基板支撑件相对于设置在靠近基板支撑件的盖环保持在第一位置，该第一位置提供盖环对第一基板的阴影角，和在基板支撑件相对于盖环而于第二位置的随后的第二基板上沉积第一材料，第二位置不同于第一位置，第二位置保持盖环对于第二基板的阴影角，而补偿在盖环的顶表面上的沉积。
在一些实施方式中，该方法可进一步包括垂直地升高基板支撑件以补偿盖环的顶表面上的沉积；确定盖环的顶表面上的沉积的厚度和响应于盖环的顶表面上的沉积的厚度而移动基板支撑件；通过秤重盖环来确定盖环的顶表面上的沉积的厚度；以千瓦小时为单位确定半导体处理腔室中所使用的溅射靶材的使用和响应于溅射靶材的使用的千瓦小时而移动基板支撑件；在处理基板之后移动基板支撑件以补偿在盖环的顶表面上的沉积；和/或基于查找表来调节基板支撑件。
在一些实施方式中，一种用于控制在半导体处理腔室中的基板边缘均匀性的设备，包括：基板支撑件，具有顶表面，该基板支撑件用于在基板存在时保持该基板；该基板支撑件是可移动的；盖环，与电绝缘间隔件接合，该电绝缘间隔件与接地屏蔽件接合，使得盖环保持静止；和控制器，该控制器通过调节基板支撑件来保持盖环在基板上的阴影效应。
在一些实施方式中，该设备可进一步包括，其中控制器通过响应于在盖环的顶表面上的材料的沉积而调节基板支撑件，来保持阴影效应；其中控制器响应于盖环的顶表面上的材料的沉积而向上调节基板支撑件；其中控制器响应于在沉积处理中使用的溅射靶材的使用的千瓦小时数来调节基板支撑件；其中控制器响应于盖环的重量的增加而调节基板支撑件；其中在基板的外周边缘上的阴影效应控制外周边缘上的沉积均匀性；和/或其中控制器在处理基板之后调节基板支撑件。
在一些实施方式中，该设备可进一步包括，其中控制器响应于盖环的顶表面上的材料的沉积而向上调节基板支撑件；其中控制器响应于在沉积处理中使用的溅射靶材的使用的千瓦小时数来调节基板支撑件；其中控制器响应于盖环的重量的增加而调节基板支撑件；其中当基板存在时，盖环提供基板的外周边缘上的阴影效应以控制外周边缘上的沉积均匀性；其中控制器调节基板支撑件以补偿在盖环的表面上的材料的沉积以在沉积期间维持盖环的阴影效应；或其中控制器在处理基板之后调节基板支撑件。
在一些实施方式中，一种用于控制在半导体处理腔室中的基板边缘均匀性的系统，包括：处理空间，处理空间于半导体处理腔室中；屏蔽件，围绕处理空间并电接地；基板支撑件，具有顶表面，该基板支撑件用于在基板存在时保持该基板；基板支撑件是可移动的；沉积环，围绕基板支撑件；盖环，与电绝缘间隔件接合，电绝缘间隔件与该屏蔽件接合，使得盖环保持静止，盖环与沉积环隔离并与屏蔽件电隔离；和控制器，响应于盖环的表面上的材料的沉积而调节基板支撑件。
在一些实施方式中，该系统还包括其中盖环在基板存在时在基板的外周边缘上形成阴影效应；其中当在盖环的顶表面上的沉积增加盖环的阴影效应时，控制器调节基板支撑件以保持阴影效应；其中沉积环在沉积期间不与盖环接合；其中电绝缘空间与屏蔽件的u形部分接合；或其中控制器响应于盖环的表面上的材料的沉积而连续地调节基板支撑件。
附图说明
通过参照至随附附图中描绘的原理的说明性实施方式，可以理解在上文简要总结并在下文更详细论述的本原理的实施方式。然而，随附附图仅描绘本原理的典型实施方式，并且因此不被认为是对范围的限制，因为本原理可以允许其他等效实施方式。
图1描绘了根据本原理的一些实施方式的适合于实行处理基板的方法的处理腔室的一部分的示意图。
图2描绘了根据本原理的一些实施方式的处理腔室中使用的处理配件的一部分的示意图。
图3A描绘了根据本原理的一些实施方式的在靶材的溅射期间在盖环上形成的第一沉积层。
图3B描绘了根据本原理的一些实施方式的在靶材的溅射期间在盖环上形成的第二沉积层。
图4A描绘了根据本原理的一些实施方式的基板支撑件的第一位置和在基板外周边缘上来自盖环的阴影效应。
图4B描绘了根据本原理的一些实施方式的基板支撑件的第二位置和在基板外周边缘上来自盖环的阴影效应。
图5是根据本原理的一些实施方式的控制基板的边缘均匀性的方法。
为了便于理解，在可能的情况下，已使用相同的附图标记来表示图中共同的相同元件。这些图不是按比例绘制的，并且为了清楚而可能被简化。一个实施方式的元件和特征可以有益地并入其他实施方式中而无需进一步叙述。
具体实施方式
用于在基板上沉积膜的一些处理使用溅射靶材来产生沉积膜。通过溅射形成的沉积层在低压下比在高压下发生得快得多。高腔室压力，例如-200mTorr或更高，使得溅射期间离子比例(ion fraction)显著增加。以更高的离子比(ion ratio)，可更有效地施加偏压以使沉积膜密实(densify)。然而，高压在沉积处理中还引起不均匀性问题，特别是在基板的边缘处。高压可能导致半导体处理腔室中使用的处理配件上的材料沉积增加。发明人已发现，由于盖环上的沉积累积，在沉积期间，高压靶材溅射直接影响基板的边缘均匀性。
发明人已开发了有利地补偿盖环上的沉积物的方法和设备，以允许在靶材溅射期间控制基板的边缘均匀性。盖环在处理期间提供基板边缘的阴影。通过保持盖环和基板边缘之间的相对位置，阴影保持一致。当沉积物在盖环的顶表面上增加时，阴影的量也增加并使得基板边缘上的沉积变薄。为了有利地保持基板边缘均匀性，在盖环保持静止的同时提升基板支撑件以补偿由于沉积引起的盖环的增加高度。盖环保持独立并且不与围绕基板支撑件的任何沉积环接触。盖环可以通过放置在处理腔室内的接地屏蔽件上的电绝缘间隔件而保持静止。由于盖环是静止的且不接触沉积环、接地屏蔽件、或基板支撑件，因此有利地减少了由移动盖环而引起的颗粒产生。
图1描绘了根据一些实施方式的基板处理系统(例如，物理气相沉积(PVD)处理系统100)的简化截面图。为了说明，PVD处理系统100包括靶材组件114。处理腔室104包含用于在其上接收基板108的基板支撑件106。基板支撑件106可以位于下接地外壳壁110内，下接地外壳壁110可以是处理腔室104的腔室壁。RF功率源(未示出)可以向靶材组件114提供RF能量。替代地或组合地，DC功率源可以类似地耦接到靶材组件114。
在图1中，基板支撑件106具有面向靶材组件114的主表面的材料接收表面，且支撑基板108，以在与靶材组件114的主表面相对的平面位置使基板被溅射涂覆。基板支撑件106可以在处理腔室104的处理空间120中支撑基板108。处理空间120被界定为在处理期间基板支撑件106上方的空间(例如，当处于处理位置时，在靶材组件114和基板支撑件106之间)。
在一些实施方式中，基板支撑件106可垂直地移动，以允许基板108通过处理腔室104的下部中的装载锁定阀(未示出)而转移到基板支撑件106上，并然后升高到沉积或处理位置。可提供连接到底部腔室壁124的波纹管(bellows)122，以保持处理腔室104的内部空间与处理腔室104外部的大气的分离，同时促进基板支撑件106的垂直移动。可以从气体源126通过质流控制器128将一种或多种气体供应至处理腔室104的下部。可设置排气口130并经由阀132耦接到泵(未示出)，以用于排空处理腔室104的内部并便于维持处理腔室104内的压力。
RF偏压功率源134可以耦接到基板支撑件106，以便在基板108上引起负DC偏压。此外，在一些实施方式中，在处理期间可在基板108上形成负DC自偏压。例如，由RF偏压功率源134提供的RF能量的频率范围可从约2MHz到大约60MHz，例如，可以使用非限制性频率诸如2MHz、13.56MHz、或60MHz。在一些实施方式中，RF功率可以在约2kW至约20kW的范围内供应。在一些实施方式中，DC功率可以在约2kW至约40kW的范围内供应。在其他应用中，基板支撑件106可以接地或保持电浮动。替代地或组合地，电容调谐器136可以耦接到基板支撑件106，以用于调整基板108上的电压，以用于可以不使用RF偏压功率的应用。
处理腔室104进一步包括处理配件屏蔽件或接地屏蔽件138，以围绕处理腔室104的处理空间120并保护其他腔室部件件免受处理的损坏和/或污染。在一些实施方式中，接地屏蔽件138可以连接到处理腔室104的上接地外壳壁116的凸缘140。类似于下接地外壳壁110，上接地外壳壁116可以在下接地外壳壁116和腔室盖(未示出)的接地组件之间提供RF返回路径的一部分。然而，其他RF返回路径也是可能的，例如经由接地屏蔽件138。
接地屏蔽件138向下延伸并且可包括大致管状的部分，该管状部分具有通常围绕处理空间120的大致恒定的直径。接地屏蔽件138沿着上接地外壳壁116和下接地外壳壁110的壁向下延伸到基板支撑件106的顶表面的下方，并向上返回直到到达基板支撑件106的顶表面(例如，形成在接地屏蔽件138的底部的U形部分)。盖环146置于该接地屏蔽件138的U形部分的底部上的间隔件190上。间隔件190由介电材料形成，以使盖环146与接地屏蔽件138电隔离。可使用另外的沉积环(未示出)来保护基板支撑件106的边缘免于围绕基板108的边缘的沉积。
靶材组件114包括在溅射期间将沉积于基板上(例如基板108)的材料的溅射靶材113。溅射靶材113的材料可包括，例如，金属、金属氧化物、金属合金等。在一些实施方式中，溅射靶材113可以是钛基、钽基、或钨基材料等。溅射靶材113可设置在背板160的基板支撑面对侧上。背板160可包括导电材料，例如铜-锌、铜-铬、或与靶材相同的材料，使得RF和DC功率源可以经由背板160耦接到溅射靶材113。或者，背板160可以是非导电的并且可包括导电元件(未示出)，例如电馈通等。背板160可以是盘形、矩形、方形、或可由PVD处理系统100容纳的任何其他形状。背板160经配置以支撑溅射靶材113，使得溅射靶材的前表面在存在时与基板108相对。溅射靶材113可以以任何合适的方式耦接到背板160。例如，在一些实施方式中，溅射靶材113可以扩散结合到背板160。
PVD处理系统100可具有RF功率源(未示出)，可包括RF产生器和匹配电路，例如，用以最小化在操作期间反射回RF产生器的反射RF能量。例如，由RF功率源提供的RF能量的频率范围可以从大约13.56MHz到大约162MHz或更高。例如，可以使用非限制性频率如13.56MHz、27.12MHz、40.68MHz、60MHz、或162MHz。
在一些实施方式中，PVD处理系统100可包括第二能量源(未示出)，以在处理期间向靶材组件114提供额外的能量。在一些实施方式中，第二能量源可以是DC功率源用以提供DC能量，例如，用以增强靶材材料的溅射速率(并因此提高基板上的沉积速率)。在一些实施方式中，第二能量源可以是类似于RF功率源的第二RF功率源，用以提供RF能量，例如，以不同于由RF功率源提供的RF能量的第一频率的第二频率。在第二能量源是DC功率源的实施方式中，第二能量源可以在适于将DC能量电耦接到靶材组件114的任何位置耦接靶材组件114。
可以提供控制器194并将其耦接到PVD处理系统100的各种部件以控制其中之操作(例如，控制基板支撑件106的垂直运动、控制提供给溅射靶材113的功率等)。控制器194包括中央处理单元(CPU)118、存储器172、和支持电路173。控制器194可以直接地，或者经由与特定处理腔室和/或支持系统部件相关联的计算机(或控制器)，来控制PVD处理系统100。控制器194可以是任何形式的通用计算机处理器中的一者，其可被使用于工业设置中以用于控制各种腔室和子处理器。控制器194的存储器(或计算机可读介质)172可以是容易获得的存储器中的一者或多者，例如随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、软盘、硬盘、光学存储介质(例如，光盘或数字视频光盘)、闪存驱动器、或任何其他形式的本地的或远程的数字存储。支持电路173耦接到CPU 118，以用于以传统方式支持处理器。这些电路包括高速缓存、电源、时钟电路、输入/输出电路和子系统等。本发明的方法可作为软件例程存储于存储器172中，该软件例程可被执行或调用以便以本文所述的方式控制PVD处理系统100的操作。软件例程也可由第二CPU(未示出)存储和/或执行，该第二CPU位于由CPU 118控制的硬件的远程。
图2示出了可在图1的PVD处理系统100中使用的处理配件200的一部分。盖环146放置在间隔件190上，间隔件190使盖环146与接地屏蔽件138电绝缘。允许盖环146电浮动。间隔件190保持盖环146静止并远离围绕基板支撑件106的沉积环202。基板支撑件106连同沉积环202和基板108可独立于保持在静止位置的盖环146而垂直地移动。盖环146在基板108的外周边缘204上提供阴影效应以使其免受由溅射靶材113产生的溅射。盖环146具有环形形状，其顶表面206具有沿径向向外方向增加的倾斜214。倾斜214可以与由基板支撑件106的基板支撑表面208产生的平面220成约10度至约20度。倾斜214具有最靠近接地屏蔽件138的上点216和最靠近基板支撑件106的下点218。盖环146具有最靠近接地屏蔽件138的向外突起210和在沉积环202上延伸的向内突起212。
图3A是在溅射靶材113在第一溅射处理期间已溅射在第一基板308a上之后的处理腔室300A的部分示意图。不仅是第一基板308a具有沉积层，而且第一溅射处理还在盖环146的顶表面206上形成第一沉积层302。第一沉积层302具有厚度t1，其有效地将倾斜214的下点218的高度增加到第一凸起的下点218a。盖环146现将在随后处理的基板的外周边缘上产生增加的阴影效应。
图3B是在溅射靶材113已溅射在第二基板308b上之后的处理腔室300B的部分示意图，该第二基板308b在第一基板308a之后被处理。盖环146上的第一沉积层302增加了盖环的阴影效应，并且在处理期间将在第二基板308b的外周边缘上引起变薄的效应。在第二溅射处理之后，不仅第二基板308b具有沉积层，而且第二溅射处理在盖环146的顶表面206上的第一沉积层302上形成第二沉积层304。与第一沉积层302结合的第二沉积层304具有厚度t2，其有效地将倾斜214的下点218的高度进一步增加到第二凸起的下点218b。盖环146现在在外周边缘204上产生增加的阴影效应，导致在后续处理中基板上的沉积材料更加变薄。每次后续的溅射处理都会在盖环上产生增加的沉积物，并进一步降低每个后续基板的沉积边缘厚度。
图4A描绘了根据一些实施方式的基板支撑件106的第一位置400A和来自基板108的外周边缘204上的盖环146的阴影效应。溅射靶材113是距基板108的顶表面408的第一距离406a。从基板108的外周边缘204画至溅射靶材113的边缘414的第一线412a具有对于和基板108的顶表面408平行的平面410的第一角度402a。从基板108的外周边缘204画至盖环146的下点218的第一阴影线418a形成到平面410的第一阴影角404a。
图4B描绘了根据一些实施方式的基板支撑件106的第二位置400B和来自基板108的外周边缘204上的盖环146的阴影效应。在图4B中，已发生沉积处理并在盖环146的顶表面上留下沉积层420，有效地增加了盖环的高度。为了补偿增加的高度并如图4A所示恢复阴影角，基于累积的盖环沉积，基板支撑件106被垂直地升高给定量。在补偿之后，溅射靶材113是距基板108的顶表面408第二距离406b。图4B的第二距离406b小于图4A中的第一距离406a。从基板108的外周边缘204画至溅射靶材113的边缘414的第二线412b具有对于与基板108的顶表面408平行的平面410的第二角度402b。图4B的第二角度402b小于图4A的第一角度402a。从基板108的外周边缘204画至盖环146的凸起的下点222的第二阴影线418b形成到平面410的第二阴影角404b。图4B的第二阴影角404b近似等于图4A的第一阴影角404a。
随着沉积层420在图4B的盖环146上增加厚度，盖环146的下点218增加高度至升高的下点，从而相对于基板108的外周边缘204产生越来越大的阴影角。随着阴影角增加，所增加的阴影效应导致在基板108的外周边缘区域上的沉积材料变薄。为了保持在基板108的外周边缘区域上的沉积的均匀性，在处理配件的寿命期间大致保持第一阴影角404a。通过在垂直方向上向上升高基板支撑件106以及基板108来保持阴影角，以补偿所增加的盖环沉积。基板支撑件106的向上移动补偿了盖环146的表面上的附加沉积材料并保持了盖环146的阴影效应。可以在沉积期间，对于每个基板或对于多个基板等，连续地实行调节基板支撑件的垂直高度。
图5是根据一些实施方式的控制边缘均匀性的方法500。在方块502中，确定由盖环提供的基板上的阴影效应的程度。基于处理腔室的几何和给定处理的处理位置，对于给定的处理腔室，阴影效应通常是已知的。如图4A和图4B所示，阴影效应可以根据阴影角给出，阴影角部分地由盖环的下点在正被处理的基板的平面上的高度和基板的外周边缘和盖环的下点之间的距离所限定。为了保持给定处理的基板的外周边缘的沉积均匀性，还应保持阴影效应。随着盖环的顶表面上的材料沉积增加，盖环的下点在基板的外周边缘上的高度增加，导致增加的阴影效应，该增加的阴影效应减少了基板边缘上的沉积。
在方块504中，确定在盖环的顶表面上的沉积累积程度。累积可以直接从盖环的顶表面测量且/或基于在处理期间使用的参数来确定。参数可包括，例如，沉积速率、沉积材料的类型、溅射靶材的年龄、操作的小时、在该处理期间使用的功率及其他。在一些实施方式中，千瓦小时被用作为盖环的沉积累积确定的一部分。例如，溅射靶材可具有约3,000kwh的寿命。假设沉积的溅射靶材率在溅射靶材的寿命上近似线性，则可对于溅射靶材的寿命确定总累积。总累积可接着被用以基于每千瓦小时的累积来补偿盖环上的沉积。
在方块506中，当实行沉积率或沉积确定时，可以基于沉积累积垂直地向上调节基板支撑件。在一些实施方式中，调节基板支撑件以连续地补偿沉积累积。在一些实施方式中，调节基板支撑件以在处理基板之后补偿沉积累积。在一些实施方式中，调节基板支撑件以在处理多个基板之后补偿沉积累积。由盖环引起的阴影效应的调节的频率也可取决于正在实行的处理的类型和处理的沉积速率。在一些实施方式中，基板支撑件可以是静止的，并且可以垂直地和/或水平地调节盖环以补偿沉积累积。由于由盖环形成的阴影角取决于基板表面上方的高度和与基板的边缘的距离，因此盖环或基板支撑件的垂直和水平移动可用于调节阴影效应。
在方块508中，在已对阴影效应进行调节之后，可以在基板上开始溅射处理。在一些实施方式中，阴影效应的调节可以在沉积处理期间完成，以实时地或接近实时地补偿盖环上的沉积。在一些实施方式中，调节的控制可以来自图1中论述的控制器194。软件可以基于包括参数的算法来使用，参数例如靶材材料的类型、靶材材料的尺寸(例如，用以确定靶材的阴影效应和/或寿命等)、操作的小时、和/或千瓦小时等。
软件可基于沉积速率、处理类型、靶材材料类型、基板数量等来确定用于调节的频率。在一些实施方式中，控制器194可以接收反馈以进一步帮助补偿阴影效应。反馈可包括，例如，直接测量盖环上的沉积累积和/或其他操作或制造参数等。直接测量可包括，但不限于，测量沉积的累积厚度和/或秤重盖环以确定已发生了多少累积。基于先前的处理和经验，也可使用查找表来确定沉积处理期间调节的程度。
尽管前文涉及本原理的实施方式，但可设想本原理的其他和进一步的实施方式而不背离其基本范围。

Claims (15)

1.一种控制在半导体处理腔室中的基板边缘均匀性的方法，包括以下步骤：
在设置在基板支撑件上的第一基板上沉积第一材料，所述基板支撑件相对于设置在靠近所述基板支撑件的盖环保持在第一位置，所述第一位置提供所述盖环对所述第一基板的阴影角；和
在所述基板支撑件相对于所述盖环而于第二位置的随后的第二基板上沉积所述第一材料，所述第二位置不同于所述第一位置，所述第二位置保持所述盖环对于所述第二基板的所述阴影角，而补偿在所述盖环的顶表面上的沉积。
2.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：
垂直地升高所述基板支撑件以补偿所述盖环的所述顶表面上的沉积。
3.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：
确定所述盖环的所述顶表面上的沉积的厚度；和
响应于所述盖环的所述顶表面上的沉积的所述厚度而移动所述基板支撑件。
4.如权利要求3所述的方法，进一步包括以下步骤：
通过秤重所述盖环来确定所述盖环的所述顶表面上的沉积的所述厚度。
5.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：
以千瓦小时为单位确定所述半导体处理腔室中所使用的溅射靶材的使用；和
响应于所述溅射靶材的使用的千瓦小时而移动所述基板支撑件。
6.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：
在处理基板之后移动所述基板支撑件以补偿在所述盖环的所述顶表面上的沉积。
7.一种用于控制在半导体处理腔室中的基板边缘均匀性的设备，包括：
基板支撑件，具有顶表面，所述基板支撑件用于在基板存在时保持所述基板；所述基板支撑件是可移动的；
盖环，与电绝缘间隔件接合，所述电绝缘间隔件与接地屏蔽件接合，使得所述盖环保持静止；和
控制器，所述控制器通过调节所述基板支撑件来保持所述盖环在所述基板上的阴影效应。
8.如权利要求7所述的设备，其中所述控制器通过响应于在所述盖环的顶表面上的材料的沉积而调节所述基板支撑件，来保持所述阴影效应。
9.如权利要求8所述的设备，其中所述控制器响应于所述盖环的所述顶表面上的材料的沉积而向上调节所述基板支撑件。
10.如权利要求7所述的设备，其中所述控制器响应于在沉积处理中使用的溅射靶材的使用的千瓦小时数来调节所述基板支撑件。
11.如权利要求7所述的设备，其中所述控制器响应于所述盖环的重量的增加而调节所述基板支撑件。
12.一种用于控制在半导体处理腔室中的基板边缘均匀性的系统，包括：
处理空间，所述处理空间于所述半导体处理腔室中；
屏蔽件，围绕所述处理空间并电接地；
基板支撑件，具有顶表面，所述基板支撑件用于在基板存在时保持所述基板；所述基板支撑件是可移动的；
沉积环，围绕所述基板支撑件；
盖环，与电绝缘间隔件接合，所述电绝缘间隔件与所述屏蔽件接合，使得所述盖环保持静止，所述盖环与所述沉积环隔离并与所述屏蔽件电隔离；和
控制器，响应于所述盖环的表面上的材料的沉积而调节所述基板支撑件。
13.如权利要求12所述的系统，其中所述盖环在所述基板存在时在所述基板的外周边缘上形成阴影效应。
14.如权利要求13所述的系统，其中当在所述盖环的顶表面上的沉积增加所述盖环的所述阴影效应时，所述控制器调节所述基板支撑件以保持所述阴影效应。
15.如权利要求12所述的系统，其中所述控制器响应于所述盖环的所述表面上的材料的所述沉积而连续地调节所述基板支撑件。
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