CN111478690A - 一种高可靠性电子开关电路及控制方法 - Google Patents

一种高可靠性电子开关电路及控制方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开的一种高可靠性电子开关电路及控制方法，包括NMOS功率电路、驱动电路、光隔离电路，所述NMOS功率电路包括NMOS管Q1～Q4，NMOS管Q1～Q4分别与驱动电路连接，驱动电路分别与光隔离电路连接，采用了NMOS大功率管两串两并的电路形式，具有热冗余功能，电路工作的可靠性极大提高；充分应用NMOS功率管导通内阻小的特点，适用于各种大电流应用场合；本发明采用了独立的NMOS管驱动电路和光隔离电路，具有安全性高的优点；本发明具有可靠性高。安全性好，开关导通电阻小，功耗低，发热量小的优点。

Description

一种高可靠性电子开关电路及控制方法
技术领域
本发明涉及一种高可靠性电子开关电路及控制方法。
背景技术
随着现代电子产品中锂电池使用越来越广泛，电池输出功率越来越大，对锂电池放电开关的可靠性要求也越来越高。继电器触点通断方式已经远远不能满足锂电池巨大的输出功率和可靠性的要求，而常规的电子开关电路受电子产品失效率的制约无法满足有高可靠性要求的锂电池放电开关的要求，例如公开号为CN104506132A所述的一种高效率低损耗的光伏电池板输出功率优化器的硬件电路，该申请在本质上用的是电子开关或者机械开关对电池高效控制方式，重点各种开关的合理控制以达到让电池高效工作的目的。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提供了一种高可靠性电子开关电路及控制方法。
本发明通过以下技术方案得以实现。
本发明提供的一种高可靠性电子开关电路及控制方法，包括NMOS功率电路、驱动电路2、驱动电路3、驱动电路7、驱动电路8，光隔离电路1、光隔离电路4、光隔离电路6、光隔离电路9，所述NMOS功率电路包括NMOS管Q1～Q4，NMOS管Q1～Q4分别与驱动电路2、驱动电路3、驱动电路7、驱动电路8连接，驱动电路2、驱动电路3、驱动电路7、驱动电路8分别与光隔离电路1、光隔离电路4、光隔离电路6、光隔离电路9连接。
所述NMOS管Q1的漏极与NMOS管Q2的源极连接，NMOS管Q3的漏极与NMOS管Q4的源极连接，NMOS管Q1的源极与NMOS管Q3的源极连接，NMOS管Q2的漏极与NMOS管Q4的漏极连接。
所述驱动电路包括驱动器N1、电阻RN1、电阻R1、电阻R2、电容C1、电容C2、二极管D1，驱动器N1采用AD公司的LTC系列MOS管专用驱动器，本发明采用的型号为LTC7001，所述电阻RN1的1端与驱动器N1的引脚4连接，电阻RN1的另一端与驱动器N1的引脚1连接。所述二极管D1的阳极与驱动器N1的引脚1连接，二极管D1的阴极与驱动器N1的引脚9连接，电容C1的一端与驱动器N1的引脚9连接，电容C1另一端与驱动器N1的引|脚8连接，电阻R1一端与驱动器N1的弓|脚7连接，电阻R1另一端与NMOS管Q1的栅极、电容C2的一端、驱动器N1的引脚6分别连接，电容C2一端与驱动器N1引脚6连接，电容C2另一端与电阻R2一端连接，电阻R2另一端与地连接；
所述驱动电路包括驱动器N2、电阻RN2、电阻R3、电阻R4、电容C3、电容C4、二极管D2，电阻RN2的1端与驱动器N2的引脚4连接，电阻RN2的另一端与驱动器N2的引脚1连接，二极管D2的阳极与驱动器N2的引脚1连接，二极管D2的阴极与驱动器N2的引脚9连接，电容C3的一端与驱动器N2的引脚9连接，电容C3另一端与驱动器N2的引脚8连接，电阻R3一端与驱动器N2的引脚7连接，电阻R3另一端与NMOS管Q2的栅极、电容C4的一端、驱动器N2的引脚6分别连接，电容C4一端与驱动器N2引脚6连接，电容C4另一端与电阻R4连接，电阻R4另一端与地连接；
所述驱动电路包括驱动器N3、电阻RN3、电阻R5、电阻R6、电容C5、电容C6、二极管D3，电阻RN3的1端与驱动器N3的引脚4连接，电阻RN3的另一端与驱动器N3的引脚1连接，二极管D3的阳极与驱动器N3的引脚1连接，二极管D3的阴极与驱动器N3的引脚9连接，电容C5的一端与驱动器N3的引脚9连接，电容C5另一端与驱动器N3的引脚8连接，电阻R5一端与驱动器N3的引脚7连接，电阻R5另一端与NMOS管Q3的栅极、电容C6的一端、驱动器N3的引脚6分别连接，电容C6一端与驱动器N3引脚6连接，电容C6另一端与电阻R6连接，电阻R6另一端与地连接；
所述驱动电路包括驱动器N4、电阻RN4、电阻R7、电阻R8、电容C7、电容C8、二极管D4，电阻RN4的1端与驱动器N4的引脚4连接，电阻RN4的另一端与驱动器N4的引脚1连接，二极管D4的阳极与驱动器N4的引脚1连接，二极管D4的阴极与驱动器N4的引脚9连接，电容C7的一端与驱动器N4的引脚9连接，电容C7另一端与驱动器N4的引脚8连接，电阻R7一端与驱动器N4的引脚7连接，电阻R7另一端与NMOS管Q4的栅极、电容C8的一端、驱动器N4的引脚6分别连接，电容C8一端与驱动器N4引脚6连接，电容C8另一端与电阻R8连接，电阻R8另一端与地连接。
所述光隔离电路、光隔离电路、光隔离电路分别是光隔离器U1～U4，，且光隔离器U1～U4的输出端分别与驱动电路、驱动电路、驱动电路、驱动电路连接，光隔离器U1输出端与驱动器N1的引脚4，引脚3连接，光隔离器U2输出端与驱动器N2的引脚4，引脚3连接，光隔离器U3输出端与驱动器N3的引脚4，引脚3连接，光隔离器U4输出端与驱动器N4的引脚4，引脚3连接。
一种高可靠性电子开关电路及控制方法，所述控制方法包括以下步骤：
A1、当控制指令Q1_ON/OFF、Q2_ON/OFF、Q3_ON/OFF、Q4_ON/OFF是高电平时：
S1、控制指令Q1_ON/OFF、Q2_ON/OFF、Q3_ON/OFF、Q4_ON/OFF分别从光隔离电路、光隔离电路、光隔离电路、光隔离电路输入端输入，光隔离电路、光隔离电路、光隔离电路、光隔离电路输出高电平控制信号；
S2、高电平控制信号分别输入驱动电路、驱动电路、驱动电路、驱动电路输入端，驱动电路、驱动电路、驱动电路、驱动电路中的驱动器N1～N4接收高电平控制信号，驱动器N1～N4分别输出高电平驱动信号；
S3、高电平驱动信号通过软启动电路分别传递至NMOS功率电路中的NMOS管Q1～Q4的栅极，软启动电路控制栅极电压线性上升，当栅极电压达到NMOS管栅极导通门限电压时，NMOS管Q1～Q4逐渐导通，电子开关电路输入端BAT_IN电压传输到电子开关电路输出端BAT_OUT，电子开关电路输出端BAT_OUT端的电压随软启动电路控制电压逐步上升到达最大值；
A2、当控制指令Q1_ON/OFF、Q2_ON/OFF、Q3_ON/OFF、Q4_ON/OFF是高电平时：
S4、控制指令Q1_ON/OFF、Q2_ON/OFF、Q3_ON/OFF、Q4_ON/OFF分别从光隔离电路、光隔离电路、光隔离电路、光隔离电路输入端输入，光隔离电路、光隔离电路、光隔离电路、光隔离电路输出低电平控制信号；
S5、低电平控制信号分别输入驱动电路、驱动电路、驱动电路、驱动电路输入端，驱动电路、驱动电路、驱动电路、驱动电路中的驱动器N1～N4接收高电平控制信号，驱动器N1～N4分别分别输出低电平驱动信号；
S6、低电平驱动信号无法驱动软启动电路，软启动电路不工作，输出低电平控制电压瞬时加到NMOS管Q1～Q4栅极，NMOS管Q1～Q4瞬时由导通转换成截止状态；
S7、开关断开，NMOS管Q1～Q4对应的的电子开关电路输出端BAT_OUT无电压输出。
所述控制指令Q1_ON/OFF、Q2_ON/OFF、Q3_ON/OFF、Q4_ON/OFF的时序逻辑保持同步。
所述驱动电路采用了自举升压电路1～4、软启动电路1～4，所述自举升压电路分为四部分；
自举升压电路1包括二极管D1、电容C1，自举升压电路2包括二极管D2、电容C3，自举升压电路3包括二极管D3、电容C5，自举升压电路4包括二极管D4、电容C7；
软启动电路1包括电阻R1、电阻R2、电容C2，启动软电路2包括电阻R3、电阻R4、电容C4，软启动电路3包括电阻R5、电阻R6、电容C6，软启动电路4包括电阻R7、电阻R8、电容C8。
所述NMOS管Q1～Q4参数满足工作电流大于300A，峰值电流大于600A，工作电压大于24V。
所述驱动器参数满足驱动电流大于20mA；自举电容C～C满足参数：耐压大于25V,容量选用大于1uF；二极管D～D满足参数：额定工作电压大于25V，响应时间小于10us，额定工作电流大于500mA。
本发明的有益效果在于：采用了NMOS大功率管两串两并的电路形式，具有热冗余功能，电路工作的可靠性极大提高；充分应用NMOS功率管导通内阻小的特点，适用于各种大电流应用场合；本发明采用了独立的NMOS管驱动电路和光隔离电路，具有安全性高的优点；本发明具有可靠性高。安全性好，开关导通电阻小，功耗低，发热量小的优点。
附图说明
图1是本发明的电路原理简图；
图2是本发明的具体电路原理图。
具体实施方式
下面进一步描述本发明的技术方案，但要求保护的范围并不局限于所述。
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述。
一种高可靠性电子开关电路及控制方法，电子开关电路包括NMOS功率电路5、驱动电路2、驱动电路3、驱动电路7、驱动电路8，光隔离电路1、光隔离电路4、光隔离电路6、光隔离电路9，所述NMOS功率电路5包括NMOS管Q1～Q4，NMOS管Q1～Q4分别与驱动电路2、驱动电路3、驱动电路7、驱动电路8连接，驱动电路2、驱动电路3、驱动电路7、驱动电路8分别与光隔离电路1、光隔离电路4、光隔离电路6、光隔离电路9连接。
NMOS管Q1的漏极与NMOS管Q2的源极连接，NMOS管Q3的漏极与NMOS管Q4的源极连接，NMOS管Q1的源极与NMOS管Q3的源极连接，NMOS管Q2的漏极与NMOS管Q4的漏极连接。
驱动电路2包括驱动器N1、电阻RN1、电阻R1、电阻R2、电容C1、电容C2、二极管D1，驱动器N1采用AD公司的LTC系列MOS管专用驱动器，本发明采用的型号为LTC7001，电阻RN1的1端与驱动器N1的引脚4连接，电阻RN1的另一端与驱动器N1的引脚1连接，二极管D1的阳极与驱动器N1的引脚1连接，二极管D1的阴极与驱动器N1的引脚9连接，电容C1的一端与驱动器N1的引脚9连接，电容C1另一端与驱动器N1的引|脚8连接，电阻R1一端与驱动器N1的弓|脚7连接，电阻R1另一端与NMOS管Q1的栅极、电容C2的一端、驱动器N1的引脚6分别连接，电容C2一端与驱动器N1引脚6连接，电容C2另一端与电阻R2一端连接，电阻R2另一端与地连接；
驱动电路3包括驱动器N2、电阻RN2、电阻R3、电阻R4、电容C3、电容C4、二极管D2，电阻RN2的1端与驱动器N2的引脚4连接，电阻RN2的另一端与驱动器N2的引脚1连接，二极管D2的阳极与驱动器N2的引脚1连接，二极管D2的阴极与驱动器N2的引脚9连接，电容C3的一端与驱动器N2的引脚9连接，电容C3另一端与驱动器N2的引脚8连接，电阻R3一端与驱动器N2的引脚7连接，电阻R3另一端与NMOS管Q2的栅极、电容C4的一端、驱动器N2的引脚6分别连接，电容C4一端与驱动器N2引脚6连接，电容C4另一端与电阻R4连接，电阻R4另一端与地连接；
驱动电路7包括驱动器N3、电阻RN3、电阻R5、电阻R6、电容C5、电容C6、二极管D3，电阻RN3的1端与驱动器N3的引脚4连接，电阻RN3的另一端与驱动器N3的引脚1连接，二极管D3的阳极与驱动器N3的引脚1连接，二极管D3的阴极与驱动器N3的引脚9连接，电容C5的一端与驱动器N3的引脚9连接，电容C5另一端与驱动器N3的引脚8连接，电阻R5一端与驱动器N3的引脚7连接，电阻R5另一端与NMOS管Q3的栅极、电容C6的一端、驱动器N3的引脚6分别连接，电容C6一端与驱动器N3引脚6连接，电容C6另一端与电阻R6连接，电阻R6另一端与地连接；
驱动电路8包括驱动器N4、电阻RN4、电阻R7、电阻R8、电容C7、电容C8、二极管D4，电阻RN4的1端与驱动器N4的引脚4连接，电阻RN4的另一端与驱动器N4的引脚1连接，二极管D4的阳极与驱动器N4的引脚1连接，二极管D4的阴极与驱动器N4的引脚9连接，电容C7的一端与驱动器N4的引脚9连接，电容C7另一端与驱动器N4的引脚8连接，电阻R7一端与驱动器N4的引脚7连接，电阻R7另一端与NMOS管Q4的栅极、电容C8的一端、驱动器N4的引脚6分别连接，电容C8一端与驱动器N4引脚6连接，电容C8另一端与电阻R8连接，电阻R8另一端与地连接。
光隔离电路4、光隔离电路6、光隔离电路9分别是光耦U1～U4，，且光耦U1～U4的输出端分别与驱动电路2、驱动电路3、驱动电路7、驱动电路8连接。
一种高可靠性电子开关电路及控制方法，控制方法包括以下步骤：
A1、当控制指令Q1_ON/OFF、Q2_ON/OFF、Q3_ON/OFF、Q4_ON/OFF是高电平时：
S1、控制指令Q1_ON/OFF、Q2_ON/OFF、Q3_ON/OFF、Q4_ON/OFF分别从光隔离电路1、光隔离电路4、光隔离电路6、光隔离电路9输入端输入，光隔离电路1、光隔离电路4、光隔离电路6、光隔离电路9输出高电平控制信号；
S2、高电平控制信号分别输入驱动电路2、驱动电路3、驱动电路7、驱动电路8输入端，驱动电路2、驱动电路3、驱动电路7、驱动电路8中的驱动器N1～N4接收高电平控制信号，驱动器N1～N4分别分别输出高电平驱动信号；
S3、高电平驱动信号通过软启动电路分别传递至NMOS功率电路5中的NMOS管Q1～Q4的栅极，软启动电路控制栅极电压线性上升，当栅极电压达到NMOS管栅极导通门限电压时，NMOS管Q1～Q4逐渐导通，电子开关电路输入端BAT_IN电压传输到电子开关电路输出端BAT_OUT，电子开关电路输出端BAT_OUT的电压随软启动电路控制电压逐步上升到达最大值；可以避免开关导通速度过快产生过大的冲击电流，尤其是在接容性负载时，软启动对开关和电源的保护作用更加明显。
A2、当控制指令Q1_ON/OFF、Q2_ON/OFF、Q3_ON/OFF、Q4_ON/OFF是高电平时：
S4、控制指令Q1_ON/OFF、Q2_ON/OFF、Q3_ON/OFF、Q4_ON/OFF分别从光隔离电路1、光隔离电路4、光隔离电路6、光隔离电路9输入端输入，光隔离电路1、光隔离电路4、光隔离电路6、光隔离电路9输出低电平控制信号；
S5、低电平控制信号分别输入驱动电路2、驱动电路3、驱动电路7、驱动电路8输入端，驱动电路2、驱动电路3、驱动电路7、驱动电路8中的驱动器N1～N4接收高电平控制信号，驱动器N1～N4分别分别输出低电平驱动信号；
S6、低电平驱动信号无法驱动软启动电路，软启动电路不工作，输出低电平控制电压瞬时加到NMOS管Q1～Q4栅极，NMOS管Q1～Q4瞬时由导通转换成截止状态；
S7、开关断开，NMOS管Q1～Q4相应的电子开关电路输出端BAT_OUT无电压输出。
所述控制指令Q1_ON/OFF、Q2_ON/OFF、Q3_ON/OFF、Q4_ON/OFF的时序逻辑保持同步。
驱动电路采用了自举升压电路1～4、软启动电路1～4，所述自举升压电路分为四部分；
自举升压电路1包括二极管D1、电容C1，自举升压电路2包括二极管D2、电容C3，自举升压电路3包括二极管D3、电容C5，自举升压电路4包括二极管D4、电容C7；
软启动电路1包括电阻R1、电阻R2、电容C2，启动软电路2包括电阻R3、电阻R4、电容C4，软启动电路3包括电阻R5、电阻R6、电容C6，软启动电路4包括电阻R7、电阻R8、电容C8；
NMOS驱动器电路采用了自举升压电路，在电路高电平输出期间，保证NMOS栅极电压高于漏极。
NMOS驱动器电路采用了软启动输出电路，控制NMOS功率管在闭合时缓慢导通，在断开时瞬时关闭。
NMOS驱动器电路采用了控制信号输入光隔离电路1、4、6、9，实现控制电路与功率输出电路物理隔离。
NMOS管Q1～Q4参数满足工作电流大于300A，峰值电流大于600A，工作电压大于24V。
所述驱动器参数满足驱动电流大于20mA；自举电容C～C满足参数：耐压大于25V,容量选用大于1uF；二极管D～D满足参数：额定工作电压大于25V，响应时间小于10us，额定工作电流大于500mA。
光耦选用参数如下：控制端额定电流大于2mA,输入输出端额定耐压大于DC500V。

Claims (9)

1.一种高可靠性电子开关电路及控制方法，其特征在于：包括NMOS功率电路(5)、驱动电路(2)、驱动电路(3)、驱动电路(7)、驱动电路(8)，光隔离电路(1)、光隔离电路(4)、光隔离电路(6)、光隔离电路(9)，所述NMOS功率电路(5)包括NMOS管Q1～Q4，NMOS管Q1～Q4分别与驱动电路(2)、驱动电路(3)、驱动电路(7)、驱动电路(8)连接，驱动电路(2)、驱动电路(3)、驱动电路(7)、驱动电路(8)分别与光隔离电路(1)、光隔离电路(4)、光隔离电路(6)、光隔离电路(9)连接。
2.如权利要求1所述的一种高可靠性电子开关电路及控制方法，其特征在于：所述NMOS管Q1的漏极与NMOS管Q2的源极连接，NMOS管Q3的漏极与NMOS管Q4的源极连接，NMOS管Q1的源极与NMOS管Q3的源极连接，NMOS管Q2的漏极与NMOS管Q4的漏极连接。
3.如权利要求1所述的一种高可靠性电子开关电路及控制方法，其特征在于：所述驱动电路(2)包括驱动器N1、电阻RN1、电阻R1、电阻R2、电容C1、电容C2、二极管D1，电阻RN1的1端与驱动器N1的引脚4连接，电阻RN1的另一端与驱动器N1的引脚1连接，二极管D1的阳极与驱动器N1的引脚1连接，二极管D1的阴极与驱动器N1的引脚9连接，电容C1的一端与驱动器N1的引脚9连接，电容C1另一端与驱动器N1的引|脚8连接，电阻R1一端与驱动器N1的弓|脚7连接，电阻R1另一端与NMOS管Q1的栅极、电容C2的一端、驱动器N1的引脚6分别连接，电容C2一端与驱动器N1引脚6连接，电容C2另一端与电阻R2一端连接，电阻R2另一端与地连接；
所述驱动电路(3)包括驱动器N2、电阻RN2、电阻R3、电阻R4、电容C3、电容C4、二极管D2，电阻RN2的1端与驱动器N2的引脚4连接，电阻RN2的另一端与驱动器N2的引脚1连接，二极管D2的阳极与驱动器N2的引脚1连接，二极管D2的阴极与驱动器N2的引脚9连接，电容C3的一端与驱动器N2的引脚9连接，电容C3另一端与驱动器N2的引脚8连接，电阻R3一端与驱动器N2的引脚7连接，电阻R3另一端与NMOS管Q2的栅极、电容C4的一端、驱动器N2的引脚6分别连接，电容C4一端与驱动器N2引脚6连接，电容C4另一端与电阻R4连接，电阻R4另一端与地连接；
所述驱动电路(7)包括驱动器N3、电阻RN3、电阻R5、电阻R6、电容C5、电容C6、二极管D3，电阻RN3的1端与驱动器N3的引脚4连接，电阻RN3的另一端与驱动器N3的引脚1连接，二极管D3的阳极与驱动器N3的引脚1连接，二极管D3的阴极与驱动器N3的引脚9连接，电容C5的一端与驱动器N3的引脚9连接，电容C5另一端与驱动器N3的引脚8连接，电阻R5一端与驱动器N3的引脚7连接，电阻R5另一端与NMOS管Q3的栅极、电容C6的一端、驱动器N3的引脚6分别连接，电容C6一端与驱动器N3引脚6连接，电容C6另一端与电阻R6连接，电阻R6另一端与地连接；
所述驱动电路(8)包括驱动器N4、电阻RN4、电阻R7、电阻R8、电容C7、电容C8、二极管D4，电阻RN4的1端与驱动器N4的引脚4连接，电阻RN4的另一端与驱动器N4的引脚1连接，二极管D4的阳极与驱动器N4的引脚1连接，二极管D4的阴极与驱动器N4的引脚9连接，电容C7的一端与驱动器N4的引脚9连接，电容C7另一端与驱动器N4的引脚8连接，电阻R7一端与驱动器N4的引脚7连接，电阻R7另一端与NMOS管Q4的栅极、电容C8的一端、驱动器N4的引脚6分别连接，电容C8一端与驱动器N4引脚6连接，电容C8另一端与电阻R8连接，电阻R8另一端与地连接。
4.如权利要求1所述的一种高可靠性电子开关电路及控制方法，其特征在于：所述光隔离电路(4)、光隔离电路(6)、光隔离电路(9)分别是光隔离器U1～U4，，且光隔离器U1～U4的输出端分别与驱动电路(2)、驱动电路(3)、驱动电路(7)、驱动电路(8)连接，光隔离器U1输出端与驱动器N1的引脚4，引脚3连接，光隔离器U2输出端与驱动器N2的引脚4，引脚3连接，光隔离器U3输出端与驱动器N3的引脚4，引脚3连接，光隔离器U4输出端与驱动器N4的引脚4，引脚3连接。
5.一种高可靠性电子开关电路及控制方法，其特征在于：所述控制方法包括以下步骤：
A1、当控制指令Q1_ON/OFF、Q2_ON/OFF、Q3_ON/OFF、Q4_ON/OFF是高电平时：
S1、控制指令Q1_ON/OFF、Q2_ON/OFF、Q3_ON/OFF、Q4_ON/OFF分别从光隔离电路(1)、光隔离电路(4)、光隔离电路(6)、光隔离电路(9)输入端输入，光隔离电路(1)、光隔离电路(4)、光隔离电路(6)、光隔离电路(9)输出高电平控制信号；
S2、高电平控制信号分别输入驱动电路(2)、驱动电路(3)、驱动电路(7)、驱动电路(8)输入端，驱动电路(2)、驱动电路(3)、驱动电路(7)、驱动电路(8)中的驱动器N1～N4接收高电平控制信号，驱动器N1～N4分别输出高电平驱动信号；
S3、高电平驱动信号通过软启动电路分别传递至NMOS功率电路(5)中的NMOS管Q1～Q4的栅极，软启动电路控制栅极电压线性上升，当栅极电压达到NMOS管栅极导通门限电压时，NMOS管Q1～Q4逐渐导通，电子开关电路输入端BAT_IN电压传输到电子开关电路输出端BAT_OUT，电子开关电路输出端BAT_OUT端的电压随软启动电路控制电压逐步上升到达最大值；
A2、当控制指令Q1_ON/OFF、Q2_ON/OFF、Q3_ON/OFF、Q4_ON/OFF是高电平时：
S4、控制指令Q1_ON/OFF、Q2_ON/OFF、Q3_ON/OFF、Q4_ON/OFF分别从光隔离电路(1)、光隔离电路(4)、光隔离电路(6)、光隔离电路(9)输入端输入，光隔离电路(1)、光隔离电路(4)、光隔离电路(6)、光隔离电路(9)输出低电平控制信号；
S5、低电平控制信号分别输入驱动电路(2)、驱动电路(3)、驱动电路(7)、驱动电路(8)输入端，驱动电路(2)、驱动电路(3)、驱动电路(7)、驱动电路(8)中的驱动器N1～N4接收高电平控制信号，驱动器N1～N4分别分别输出低电平驱动信号；
S6、低电平驱动信号无法驱动软启动电路，软启动电路不工作，输出低电平控制电压瞬时加到NMOS管Q1～Q4栅极，NMOS管Q1～Q4瞬时由导通转换成截止状态；
S7、开关断开，NMOS管Q1～Q4对应的的电子开关电路输出端BAT_OUT无电压输出。
6.如权利要求5所述的一种高可靠性电子开关电路及控制方法，其特征在于：所述控制指令Q1_ON/OFF、Q2_ON/OFF、Q3_ON/OFF、Q4_ON/OFF的时序逻辑保持同步。
7.如权利要求1所述的一种高可靠性电子开关电路及控制方法，其特征在于：所述驱动电路(2)采用了自举升压电路(1)～(4)、软启动电路(1)～(4)，所述自举升压电路分为四部分；
自举升压电路(1)包括二极管D1、电容C1，自举升压电路(2)包括二极管D2、电容C3，自举升压电路(3)包括二极管D3、电容C5，自举升压电路(4)包括二极管D4、电容C7；
软启动电路(1)包括电阻R1、电阻R2、电容C2，启动软电路(2)包括电阻R3、电阻R4、电容C4，软启动电路(3)包括电阻R5、电阻R6、电容C6，软启动电路(4)包括电阻R7、电阻R8、电容C8。
8.如权利要求1所述的一种高可靠性电子开关电路及控制方法，其特征在于：所述NMOS管Q1～Q4参数满足工作电流大于300A，峰值电流大于600A，工作电压大于24V。
9.如权利要求3所述的一种高可靠性电子开关电路及控制方法，其特征在于：所述驱动器参数满足驱动电流大于20mA；自举电容C～C满足参数：耐压大于25V,容量选用大于1uF；二极管D～D满足参数：额定工作电压大于25V，响应时间小于10us，额定工作电流大于500mA。
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