CN111464159A - 一种射频开关控制电路和方法 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供了一种射频开关控制电路和方法，所述射频开关控制电路包括：至少一个MOS管；所述至少一个MOS管中每个MOS管的栅极选择性地连接第一节点或第二节点，在所述至少一个MOS管中每个MOS管的栅极连接第一节点的情况下，所述至少一个MOS管中每个MOS管的源极连接第三节点；在所述至少一个MOS管中每个MOS管的栅极连接第二节点的情况下，所述至少一个MOS管中每个MOS管的源极连接第四节点；其中，所述第一节点、所述第二节点、所述第三节点和所述第四节点的电压值均大于或等于0V。如此，无需增加负压供电电路，不仅降低了整体电路的设计复杂度和制作成本，还有利于解决负压供电电路带来的纹波问题。

Description

一种射频开关控制电路和方法

技术领域

本发明涉及无线通信技术，尤其涉及一种射频开关控制电路和方法。

背景技术

金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor,MOS管)是一种电压控制元件，其中，MOS管分为PMOS管和NMOS管。由于MOS管的导通电阻很小，所以在射频开关电路中使用比较广泛，在开关电路中应用，MOS管是一个能够受电压信号控制的开关。在射频前端系统中，通过控制MOS管的开与关来实现射频开关的功能。

相关技术中，以NMOS管为例，为了使射频开关处于截止状态，通常给射频开关中NMOS管的栅极提供负压偏置，并将NMOS管的源极和漏极电压设置为0V，为了使射频开关处于闭合状态，通常给射频开关中NMOS管的栅极提供正电压，并将NMOS管的源极和漏极电压设置为0V。可见，基于此控制原理的射频开关控制电路必须使用一个产生负压供电的电路，才能使射频开关处于截止状态。然而，产生负压供电的电路通常较为复杂，会增加射频开关电路的设计复杂度和制作成本；同时，产生负压供电的电路会引入较大的电源纹波，可能导致射频前端系统的性能下降。

发明内容

本发明实施例提供一种射频开关控制电路和方法，在基本不改变原有的射频开关电路拓扑的基础上，无需增加复杂的负压供电电路，不仅降低整体电路的设计复杂度和制作成本，而且有利于解决负压供电电路可能带来的纹波问题。

为达到上述目的，本发明实施例的技术方案是这样实现的：

本发明实施例提供一种射频开关控制电路，所述射频开关控制电路包括：至少一个MOS管；

所述至少一个MOS管中每个MOS管的栅极选择性地连接第一节点或第二节点，在所述至少一个MOS管中每个MOS管的栅极连接第一节点的情况下，所述至少一个MOS管中每个MOS管的源极连接第三节点；在所述至少一个MOS管中每个MOS管的栅极连接第二节点的情况下，所述至少一个MOS管中每个MOS管的源极连接第四节点；

其中，所述第一节点、所述第二节点、所述第三节点和所述第四节点的电压值均大于或等于0V，所述第一节点的电压和第三节点的电压满足所述MOS管的导通条件，所述第二节点的电压和第四节点的电压不满足所述MOS管的导通条件。

可选地，所述至少一个MOS管中MOS管的个数N为1时，所述至少一个MOS管的漏极和/或源极连接电容；

所述至少一个MOS管中MOS管的个数N大于1时，所述至少一个MOS管包括依次连接的第1个MOS管至第N个MOS管，所述1个MOS管的漏极和/或所述第N个MOS管的源极连接电容。

可选地，所述至少一个MOS管中每个MOS管为NMOS管，所述第一节点减去所述第三节点的电压差大于或等于开启电压；所述第二节点减去所述第四节点的电压差小于所述开启电压。

可选地，所述第二节点减去所述第四节点的电压差小于负电压门限。

可选地，MOS管的衬底电压小于开启电压。

可选地，所述至少一个MOS管中每个MOS管为PMOS管，所述第一节点减去所述第三节点的电压差小于或等于开启电压；所述第二节点减去所述第四节点的电压差大于所述开启电压。

可选地，所述第二节点减去所述第四节点的电压差大于正电压门限。

可选地，MOS管的衬底电压大于等于开启电压的绝对值。

本发明实施例还提供一种射频开关控制方法，应用于射频开关控制电路中，所述射频开关电路包括：至少一个MOS管；所述至少一个MOS管中每个MOS管的栅极选择性地连接第一节点或第二节点；

所述方法包括：在所述至少一个MOS管中每个MOS管的栅极连接第一节点的情况下，控制所述至少一个MOS管中每个MOS管的源极连接第三节点；在所述至少一个MOS管中每个MOS管的栅极连接第二节点的情况下，控制所述至少一个MOS管中每个MOS管的源极连接第四节点；

其中，所述第一节点、所述第二节点、所述第三节点和所述第四节点的电压值均大于或等于0V，所述第一节点的电压和第三节点的电压满足所述MOS管的导通条件，所述第二节点的电压和第四节点的电压不满足所述MOS管的导通条件；

可选地，所述至少一个MOS管中MOS管的个数N为1时，所述至少一个MOS管的漏极和/或源极连接电容；

所述至少一个MOS管中MOS管的个数N大于1时，所述至少一个MOS管包括依次连接的第1个MOS管至第N个MOS管，所述1个MOS管的漏极和/或所述第N个MOS管的源极连接电容。

可选地，所述至少一个MOS管中每个MOS管为NMOS管，所述第一节点减去所述第三节点的电压差大于或等于开启电压；所述第二节点减去所述第四节点的电压差小于所述开启电压。

可选地，所述第二节点减去所述第四节点的电压差小于负电压门限。

可选地，MOS管的衬底电压小于开启电压。

可选地，所述至少一个MOS管中每个MOS管为PMOS管，所述第一节点减去所述第三节点的电压差小于或等于开启电压；所述第二节点减去所述第四节点的电压差大于所述开启电压。

可选地，所述第二节点减去所述第四节点的电压差大于正电压门限。

可选地，MOS管的衬底电压大于等于开启电压的绝对值。

本发明实施例提供了一种射频开关控制电路和方法，所述射频开关控制电路包括：至少一个MOS管；所述至少一个MOS管中每个MOS管的栅极选择性地连接第一节点或第二节点，在所述至少一个MOS管中每个MOS管的栅极连接第一节点的情况下，所述至少一个MOS管中每个MOS管的源极连接第三节点；在所述至少一个MOS管中每个MOS管的栅极连接第二节点的情况下，所述至少一个MOS管中每个MOS管的源极连接第四节点；其中，所述第一节点、所述第二节点、所述第三节点和所述第四节点的电压值均大于或等于0V。如此，无需增加负压供电电路，不仅降低了整体电路的设计复杂度和制作成本，还有利于解决负压供电电路带来的纹波问题。

附图说明

图1为相关技术中射频开关控制电路的一个结构示意图；

图2为本发明实施例的射频开关控制电路中MOS管节点连接的示意图；

图3为本发明实施例的射频开关控制电路的一个结构示意图；

图4为本发明实施例的射频开关控制方法的流程示意图。

具体实施方式

以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

射频开关是用于控制射频信号传输路径及信号大小的控制器件之一，在无线通信、电子对抗、雷达系统及电子测量仪器等许多领域有广泛用途。

在射频开关电路中，通常需要使用MOS管开关电路对信号进行导通与关断的控制。MOS管开关电路是一种利用MOS管栅极控制MOS管源极和漏极通断的原理而构造的电路。由于MOS管分为NMOS管与PMOS管，所以MOS管开关电路也主要分为两种：PMOS管开关电路和NMOS管开关电路。

PMOS管开关电路中，当栅极和源极间的电压Vgs小于一定的值(即开启电压)就会导通，适合用于源极接入直流电源VCC时的情况(高端驱动)。这里，Vgs是栅极相对于源极的电压，而非相对于地的电压。但是因为PMOS管导通内阻比较大，所以只适用低功率电路的情况，而大功率电路通常使用NMOS管。

NMOS管开关电路中，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压大于参数手册中导通门限就可以了，漏极D接电源，源极S接地。这里，所以当NMOS作为高端驱动时，当漏极D与源极S导通时，漏极D与源极S电势相等，那么栅极G的电压必须高于源极S与漏极D间电压，漏极D与源极S才能继续导通。

需要说明的是，本发明实施例提供的射频开关控制电路中采用的MOS管可以为PMOS管，也可以为NMOS管，具体根据实际应用进行确定，本发明实施例不作限制。

图1为相关技术中射频开关控制电路的一个结构示意图，如图1所示，相关技术中射频开关控制电路的具体实现结构可以包括：N个MOS管和4N个电阻，N为大于或等于1的整数，N个MOS管分别为MOS管Q₁，Q₂…，Q_N，4N个电阻分为四组电阻，每组包括N个电阻，第一组电阻为N个电阻R₁₁，R₂₁…，R_N1，第二组电阻为N个电阻R₁₂，R₂₂…，R_N2，第三组电阻为N个电阻R₁₃，R₂₃…，R_N3以及第四组电阻为R₁₄，R₂₄…，R_N4。

具体地说，在i取1至N时，第i个MOS管Q_i的源极与漏极之间连接有电阻R_i1，MOS管Q_i的衬底连接电阻R_i2的一端，MOS管Q_i的栅极连接电阻R_i3的一端，MOS管Q_i的源极通过电阻R_i4接地，并且，当i取2至N时，第i-1个MOS管Q_i-1的源极与第i个MOS管Q_i的漏极连接，这里，N为大于或等于1的整数；电阻R₁₃至R_N3的另一端均连接整个射频开关控制电路的G点，电阻R₁₂至R_N2的另一端均连接整个射频开关控制电路的B点。

示例性地，图1中射频开关控制电路由N个NMOS管组成，根据NMOS管的开关特性，相关技术中射频开关控制电路中一般在需要射频开关导通时将NMOS管源极S、漏极D和B点接地，其中，NMOS管源极S、漏极D和B点的电压值均为0V，在G点外加超过导通门限的正电压，例如2.5V；在需要射频开关断开时，将源极S与漏极D依然接地，源极S与漏极D的电压值均为0V，在G点和B点外加负电压，例如-2.5V；其中，相关技术中NMOS开关电压控制方案如表1所示。

开关状态	G点电压	B点电压	S点电压	D点电压
					On	2.5V	0V	0V	0V
Off	-2.5V	-2.5V	0V	0V

表1

示例性地，图1中射频开关控制电路由N个PMOS管组成，根据PMOS管的开关特性，相关技术中射频开关控制电路中一般在需要射频开关导通时将PMOS管G点外加负电压，例如-2.5V；B点外加正电压，例如2.5V；源极S和漏极D接地，其中，PMOS管源极S和漏极D的电压值均为0V，在需要射频开关断开时则源极S与漏极D极的电压值均为0V，在G点和B点外加正电压，例如2.5V；其中，相关技术中PMOS开关电压控制方案如表2所示。

开关状态	G点电压	B点电压	S点电压	D点电压
					On	0V	2.5V	2.5V	2.5V
Off	2.5V	2.5V	0V	0V

表2

如表1和表2所示，2.5V可以由直流供电电源提供，也可以由外部的直流供电电路提供，-2.5V由负压供电电路提供，而0V可以通过直接接地获得，也可以通过其它方式获得，并且，NMOS管与PMOS管开关在闭合与截止状态之间对应的G点电压、B点电压、S点电压以及D点电压的切换都是由数字逻辑电路控制实现的。

然而，基于NMOS管PMOS管与控制原理的射频开关控制电路必须使用一个产生负压供电的电路。由于产生负压供电的电路通常较为复杂，不仅会增加射频开关电路的设计复杂度和制作成本；同时，产生负压供电的电路还会引入较大的电源纹波，可能导致射频前端系统的性能下降。

针对以上技术的缺陷，本发明实施例提供了一种射频开关控制电路和方法。

图2为本发明实施例的射频开关控制电路中MOS管节点连接的示意图，如图2所示，该射频开关控制电路包括：至少一个MOS管M；

至少一个MOS管中每个MOS管M的栅极G选择性地连接第一节点101或第二节点102，在至少一个MOS管中每个MOS管的栅极G连接第一节点101的情况下，至少一个MOS管中每个MOS管的源极S连接第三节点103；在至少一个MOS管中每个MOS管的栅极G连接第二节点102的情况下，至少一个MOS管中每个MOS管的源极S连接第四节点104；

其中，第一节点101、第二节点102、第三节点103和第四节点104的电压值均大于或等于0V，第一节点101的电压和第三节点103的电压满足MOS管的导通条件，第二节点102的电压和第四节点104的电压不满足MOS管的导通条件。

本发明实施例中，当MOS管的栅极G连接第一节点，MOS管的源极S对应连接第三节点时，如果，该MOS管的栅极G到源极S的电压差满足MOS管的导通条件时，MOS管处于导通状态。

当MOS管的栅极G连接第二节点，MOS管的源极S对应连接第四节点时，如果，该MOS管的栅极G到源极S的电压差不满足MOS管的导通条件时，MOS管处于截止状态。

这里，MOS管的栅极G与第一节点、第二节点的连接可以通过开关来实现，示例性地，这里的开关可以是单刀双掷开关，如图2所示，使用该开关能够控制MOS管的栅极G是与第一节点进行连接，还是与第二节点进行连接；同样地，MOS管的源极S与第三节点、第四节点的连接也可以使用该开关进行控制切换。

需要说明的是，设置开关的作用是为了实现MOS管栅极与源极不同节点间的切换连接，但是关于开关的选取根据实际情况进行确定，本发明实施例不作限制。

这里，由于射频开关控制电路中第一节点、第二节点、第三节点和第四节点的电压值均大于或等于0V，因而，不论MOS管处于导通状态还是截止状态，MOS管的栅极与源极均不会产生负电压。可见，该射频开关控制电路不需负压供电电路为MOS管提供负压偏置，不仅可以降低整体电路的设计复杂度和制作成本，还有利于解决负压供电电路带来的纹波问题。

另外，本发明实施例提供的射频开关控制电路基本不改变原有的开关电路拓扑，方案实施简单，基本无需额外增加元器件。

示例性地，至少一个MOS管中MOS管的个数N为1时，至少一个MOS管的漏极和/或源极连接电容；至少一个MOS管中MOS管的个数N大于1时，至少一个MOS管包括依次连接的第1个MOS管至第N个MOS管，1个MOS管的漏极和/或第N个MOS管的源极连接电容。

本发明实施例中，当MOS管的个数N为大于或等于2的整数，并且在i取2至N时，第i-1个MOS管的源极与第i个MOS管的漏极连接，使得第1个MOS管至第N个MOS管依次连接。

本发明实施例中，由于电容具有隔直的特性，这里，为了防止MOS管的栅极受到外部直流供电电路的干扰，因此第1个MOS管的漏极和/或第N个MOS管的源极各连接一个电容保证MOS管的栅极(或者MOS管的漏极)与外部的直流供电电路隔离；其中，关于电容的选取根据实际应用场景进行确定，本发明实施例不作限制。

示例性地，至少一个MOS管中每个MOS管为NMOS管，第一节点减去第三节点的电压差大于或等于开启电压；第二节点减去第四节点的电压差小于开启电压。进一步地，第二节点减去第四节点的电压差小于负电压门限。

在射频开关控制电路中包括的MOS管均为NMOS管的情况下，第一节点减去第三节点的电压差为NMOS管中栅极到源极的电压差Vgs，当该电压差Vgs大于或等于开启电压时，NMOS管开关处于导通状态。第二节点减去第四节点的电压差为NMOS管中栅极到源极的电压差Vgs，当该电压差Vgs小于开启电压时，NMOS管开关处于截止状态。

这里，开启电压表示NMOS管的导通门限，负电压门限是预设的负电压值，负电压门限可以根据实际需求进行设置；由于NMOS管的开启电压为正电压值，因而，在第二节点减去第四节点的电压差小于负电压门限的情况下，第二节点减去第四节点的电压差不满足导通条件。

由于不同类型的NMOS管的导通门限之间存在差异，并且根据实际电路的需要，其对应的导通门限也会存在差异，因而，对于NMOS管的导通门限根据实际情况进行设置，本发明实施例不作限制。

示例性地，当NMOS管的导通门限为0.7V时，假设NMOS管的栅极电压为2.5V，NMOS管的源极电压为0V，此时，由于NMOS管中栅极到源极的电压差Vgs为2.5V，其大于导通门限0.7V，因而，NMOS管开关处于导通状态。

通常情况下，为了保证射频开关控制电路具有良好的性能，NMOS管开关处于导通状态时，NMOS管中栅极到源极的电压差Vgs大于导通门限，同时小于MOS管的击穿电压。

示例性地，当NMOS管的导通门限为0.7V时，假设NMOS管的栅极电压为0V，NMOS管的源极电压为2.5V，此时，由于NMOS管中栅极到源极的电压差Vgs为-2.5V，其小于导通门限0.7V，因而，NMOS管开关处于截止状态。

本发明实施例中，MOS管的衬底电压小于开启电压。

示例性地，当NMOS管的开启电压为0.7V时，MOS管的衬底电压可以为0V、0.1V以及0.5V等；具体数值可以根据实际情况进行设置，本发明实施例不作限制。

示例性地，至少一个MOS管中每个MOS管为PMOS管，第一节点减去第三节点的电压差小于或等于开启电压；第二节点减去第四节点的电压差大于开启电压。进一步地，第二节点减去第四节点的电压差大于正电压门限。

在射频开关控制电路中包括的MOS管均为PMOS管的情况下，第一节点减去第三节点的电压差为PMOS管中栅极到源极的电压差Vgs，当该电压差Vgs小于或等于开启电压时，PMOS管开关处于导通状态。第二节点减去第四节点的电压差为PMOS管中栅极到源极的电压差Vgs，当该电压差Vgs大于开启电压时，PMOS管开关处于截止状态。

这里，开启电压表示PMOS管的导通门限，正电压门限是预设的正电压值，正电压门限可以根据实际需求进行设置；由于PMOS管的开启电压为负电压值，因而，在第二节点减去第四节点的电压差大于正电压门限的情况下，第二节点减去第四节点的电压差不满足导通条件。

示例性地，当PMOS管的导通门限为-2.5V时，假设PMOS管的栅极电压为-2.5V，PMOS管的源极电压为0V，此时，由于NMOS管中栅极到源极的电压差Vgs为-2.5V，其等于导通门限-2.5V V，因而，PMOS管开关处于导通状态。

示例性地，当PMOS管的导通门限为-2.5V时，假设PMOS管的栅极电压为2.5V，PMOS管的源极电压为0V，此时，由于PMOS管中栅极到源极的电压差Vgs为2.5V，其大于导通门限-2.5V，因而，PMOS管开关处于截止状态。

本发明实施例中，MOS管的衬底电压大于等于开启电压的绝对值。

示例性地，当PMOS管的开启电压为-0.7V时，MOS管的衬底电压可以为2V、2.3V，以及3V等；具体数值可以根据实际情况进行设置，本发明实施例不作限制。

可以看出，本发明实施例提供一种射频开关控制电路，能够在基本不改变原有的射频开关电路拓扑的基础上，无需增加复杂的负压供电电路，不仅降低整体电路的设计复杂度和制作成本，而且有利于解决负压供电电路可能带来的纹波问题。

为了能够更加体现本发明的目的，在本发明上述实施例的基础上，进行进一步的举例说明。

图3为本发明实施例的射频开关控制电路的一个结构示意图，如图3所示，本发明实施例中射频开关控制电路的具体实现结构可以包括：N个MOS管、4N个电阻以及两个电容，N为大于或等于1的整数，N个MOS管分别为MOS管Q₁，Q₂…，Q_N，4N个电阻分为四组电阻，每组包括N个电阻，第一组电阻为N个电阻R₁₁，R₂₁…，R_N1，第二组电阻为N个电阻R₁₂，R₂₂…，R_N2，第三组电阻为N个电阻R₁₃，R₂₃…，R_N3以及第四组电阻为R₁₄，R₂₄…，R_N4，电阻分别为C₁和C₂。

具体地说，第一个MOS管Q₁的漏极连接电容C₁，第N个MOS管Q_N的源极连接电容C₂，在i取1至N时，第i个MOS管Q_i的源极与漏极之间连接有电阻R_i1，MOS管Q_i的衬底连接电阻R_i2的一端，MOS管Q_i的栅极连接电阻R_i3的一端，MOS管Q_i的源极通过电阻R_i4接入直流电源V_sd，并且，当i取2至N时，第i-1个MOS管Q_i-1的源极与第i个MOS管Q_i的漏极连接，这里，N为大于或等于1的整数；电阻R₁₃至R_N3的另一端均连接整个射频开关控制电路的G点，电阻R₁₂至R_N2的另一端均连接整个射频开关控制电路的B点。

这里，射频开关控制电路中MOS管与电阻的个数N由实际应用场景确定，本发明实施例不作限制。

示例性地，当图3中射频开关控制电路由N个NMOS管组成时，根据NMOS管的开关特性，本发明实施例中射频开关控制电路一般在需要射频开关导通时将NMOS管源极S、漏极D和B点接地，其中，NMOS管源极S、漏极D和B点的电压值均为0V，在G点外加超过导通门限的正电压，例如2.5V；在需要射频开关断开时则源极S与漏极D极外加正电压，例如2.5V；而G点和B点对应的电压值均为0V。其中，本发明实施例中NMOS开关电压控制方案如表3所示。

开关状态	G点电压	B点电压	S点电压	D点电压
					On	2.5V	0V	0V	0V
Off	0V	0V	2.5V	2.5V

表3

示例性地，当图2中射频开关控制电路由N个PMOS管组成时，根据PMOS管的开关特性，本发明实施例中射频开关控制电路一般在需要射频开关导通时将PMOS管G点外加负电压，例如-2.5V；B点外加正电压，例如2.5V；源极S和漏极D接地，即，PMOS管源极S和漏极D的电压值均为0V，在需要射频开关断开时则源极S与漏极D极依然接地，PMOS管源极S和漏极D的电压值均为0V，在G点和B点外加正电压，例如2.5V；其中，本发明实施例中PMOS开关电压控制方案如表4所示。

开关状态	G点电压	B点电压	S点电压	D点电压
					On	0V	2.5V	2.5V	2.5V
Off	2.5V	2.5V	0V	0V

表4

如表3和表4所示，2.5V可以为直流供电电源提供，也可以为外部的直流供电电路提供，并且，NMOS与PMOS开关在闭合与截止状态之间对应的G点电压、B点电压、S点电压以及D点电压的切换都是由数字逻辑电路控制实现的。

本发明实施例还提供一种射频开关控制方法，应用于射频开关控制电路中，射频开关电路包括：至少一个MOS管；至少一个MOS管中每个MOS管的栅极选择性地连接第一节点或第二节点；图4为本发明实施例的射频开关控制方法的流程示意图，如图4所示，该流程可以包括：

步骤400：在至少一个MOS管中每个MOS管的栅极连接第一节点的情况下，控制至少一个MOS管中每个MOS管的源极连接第三节点；在至少一个MOS管中每个MOS管的栅极连接第二节点的情况下，控制至少一个MOS管中每个MOS管的源极连接第四节点；

其中，第一节点、第二节点、第三节点和第四节点的电压值均大于或等于0V，第一节点的电压和第三节点的电压满足MOS管的导通条件，第二节点的电压和第四节点的电压不满足MOS管的导通条件。

需要说明的是，上述射频开关控制方法中包括的MOS管可以是NMOS管，也可以是PMOS管；由于实际应用中由于PMOS管的导通电阻比NMOS管大，因此射频开关电路中NMOS管相比于PMOS管而言更加常用。

需要说明的是，本发明实施例中提出的射频开关控制电路的电路结构图不仅限于上述图3所记载的电路结构，还适用于其它射频开关控制电路的电路结构，本发明实施例不作限制。

以上，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种射频开关控制电路，其特征在于，所述射频开关控制电路包括：至少一个金属氧化物半导体场效应晶体管MOS管；

所述至少一个MOS管中每个MOS管的栅极选择性地连接第一节点或第二节点，在所述至少一个MOS管中每个MOS管的栅极连接第一节点的情况下，所述至少一个MOS管中每个MOS管的源极连接第三节点；在所述至少一个MOS管中每个MOS管的栅极连接第二节点的情况下，所述至少一个MOS管中每个MOS管的源极连接第四节点；

其中，所述第一节点、所述第二节点、所述第三节点和所述第四节点的电压值均大于或等于0V，所述第一节点的电压和第三节点的电压满足所述MOS管的导通条件，所述第二节点的电压和第四节点的电压不满足所述MOS管的导通条件。

2.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述至少一个MOS管中MOS管的个数N为1时，所述至少一个MOS管的漏极和/或源极连接电容；

所述至少一个MOS管中MOS管的个数N大于1时，所述至少一个MOS管包括依次连接的第1个MOS管至第N个MOS管，所述1个MOS管的漏极和/或所述第N个MOS管的源极连接电容。

3.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述至少一个MOS管中每个MOS管为NMOS管，所述第一节点减去所述第三节点的电压差大于或等于开启电压；所述第二节点减去所述第四节点的电压差小于所述开启电压。

4.根据权利要求3所述的控制电路，其特征在于，所述第二节点减去所述第四节点的电压差小于负电压门限。

5.根据权利要求3所述的控制电路，其特征在于，MOS管的衬底电压小于开启电压。

6.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述至少一个MOS管中每个MOS管为PMOS管，所述第一节点减去所述第三节点的电压差小于或等于开启电压；所述第二节点减去所述第四节点的电压差大于所述开启电压。

7.根据权利要求6所述的控制电路，其特征在于，所述第二节点减去所述第四节点的电压差大于正电压门限。

8.根据权利要求6所述的控制电路，其特征在于，MOS管的衬底电压大于等于开启电压的绝对值。

9.一种射频开关控制方法，其特征在于，应用于射频开关控制电路中，所述射频开关电路包括：至少一个金属氧化物半导体场效应晶体管MOS管；所述至少一个MOS管中每个MOS管的栅极选择性地连接第一节点或第二节点；

所述方法包括：在所述至少一个MOS管中每个MOS管的栅极连接第一节点的情况下，控制所述至少一个MOS管中每个MOS管的源极连接第三节点；在所述至少一个MOS管中每个MOS管的栅极连接第二节点的情况下，控制所述至少一个MOS管中每个MOS管的源极连接第四节点；

其中，所述第一节点、所述第二节点、所述第三节点和所述第四节点的电压值均大于或等于0V，所述第一节点的电压和第三节点的电压满足所述MOS管的导通条件，所述第二节点的电压和第四节点的电压不满足所述MOS管的导通条件。

10.根据权利要求9所述的控制方法，其特征在于，所述至少一个MOS管中MOS管的个数N为1时，所述至少一个MOS管的漏极和/或源极连接电容；

所述至少一个MOS管中MOS管的个数N大于1时，所述至少一个MOS管包括依次连接的第1个MOS管至第N个MOS管，所述1个MOS管的漏极和/或所述第N个MOS管的源极连接电容。

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