CN111464158B - Mos管脉冲驱动电路 - Google Patents

Mos管脉冲驱动电路 Download PDF

Info

Publication number
CN111464158B
CN111464158B CN202010239754.8A CN202010239754A CN111464158B CN 111464158 B CN111464158 B CN 111464158B CN 202010239754 A CN202010239754 A CN 202010239754A CN 111464158 B CN111464158 B CN 111464158B
Authority
CN
China
Prior art keywords
triode
circuit
diode
resistor
driving
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010239754.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111464158A (zh
Inventor
林引
刘亚辉
任高建
郭江涛
邵严
黄友胜
张金豪
王飞
戴剑波
赵光绪
贺奎
田军
胡英杰
孙中光
胡亮
周代勇
胡宇
张加易
徐闯
郑芳菲
刘世森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CCTEG Chongqing Research Institute Co Ltd
Original Assignee
CCTEG Chongqing Research Institute Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CCTEG Chongqing Research Institute Co Ltd filed Critical CCTEG Chongqing Research Institute Co Ltd
Priority to CN202010239754.8A priority Critical patent/CN111464158B/zh
Publication of CN111464158A publication Critical patent/CN111464158A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111464158B publication Critical patent/CN111464158B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/04—Modifications for accelerating switching
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B70/00—Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
    • Y02B70/10—Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

本发明提供的一种MOS管脉冲驱动电路，包括输入电路和驱动及关断电路；所述输入电路，其输入端输入PWM控制信号，其电源端与电源VCC连接，用于向驱动及关断电路输出PWM控制信号，并在PWM控制信号为低电平时向驱动及关断电路提供负压信号；所述驱动及关断电路，其输入端与输入电路的输出端连接，其输出端与被驱动MOS管的栅极连接，用于接收PWM控制信号，在PWM控制信号为高电平时驱动MOS管导通，在PWM控制信号为低电平时控制被驱动MOS管快速关断，通过本发明，能够有效提高MOS管在导通关断的过程中的响应速度，并且提高驱动效率，并且在MOS管多级串联的结构中能够有效保障各被驱动的MOS管的一致性。

Description

MOS管脉冲驱动电路
技术领域
本发明涉及一种驱动电路，尤其涉及一种MOS管脉冲驱动电路。
背景技术
MOS管广泛应用于现代的电子通信行业中，对于MOS管的驱动控制一般采用脉冲控制，现有的MOS管的脉冲驱动中，存在如下问题：现有的MOS管由于自身的原因，比如栅极电容的存在等，从而使得MOS管在驱动的过程中速度低、效率差，从而使得MOS应用在电源等场合下对负载造成影响，而且在对于MOS管存在多级串联结构时，上述的缺点外，还导致各个MOS管之间的一致性差，从而对于被MOS管控制的电路造成严重影响。
因此，为了解决上述技术问题，继续提出一种新的MOS管驱动电路。
发明内容
有鉴于此，本发明提供的一种MOS管驱动电路，能够有效提高MOS管在导通关断的过程中的响应速度，并且提高驱动效率，并且在MOS管多级串联的结构中能够有效保障各被驱动的MOS管的一致性。
本发明提供的一种MOS管脉冲驱动电路，包括输入电路和驱动及关断电路；
所述输入电路，其输入端输入PWM控制信号，其电源端与电源VCC连接，用于向驱动及关断电路输出PWM控制信号；
所述驱动及关断电路，其输入端与输入电路的输出端连接，其输出端与被驱动MOS管的栅极连接，用于接收PWM控制信号，在PWM控制信号为高电平时驱动MOS管导通，在PWM控制信号为低电平时控制被驱动MOS管快速关断。
进一步，所述输入电路包括三极管Q1以及三极管Q2；
所述三极管Q1的集电极作为输入电路的电源端与电源VCC连接，三极管Q1的发射极与三极管Q2的发射极连接，三极管Q2的集电极接地，所述三极管Q1和三极管Q2的基极连接且其公共连接点作为输入电路的输入端，所述三极管Q2的发射极与三极管Q1的发射极之间的公共连接点作为输入电路的输出端，其中，三极管Q2为P型三极管。
进一步，所述输入电路还包括二极管D1和瞬态抑制二极管TVS1；
二极管D1的正极连接于三极管Q1的发射极，二极管D1的负极连接于三极管Q1的集电极，瞬态抑制二极管TVS1的负极连接于三极管Q1的发射极，瞬态抑制二极管TVS1的正极接地。
进一步，所述驱动及关断电路包括电容C1、二极管D3、二极管D4、电容C2、电阻R3、电阻R4以及三极管Q4；
所述电容C1的一端作为驱动及关断电路的输入端，电容C1的另一端与二极管D3的正极连接，二极管D3的负极与电阻R3的一端连接，电阻R3的另一端与三极管Q4的发射极连接，三极管Q4的发射极与电阻R3的公共连接点作为驱动及关断电路的输出端，电容C2的一端连接于二极管D3的正极，电容C2的另一端通过电阻R4与三极管Q4的基极连接，三极管Q4的集电极接地，二极管D4的正极连接于电容C2和电阻R4之间的公共连接点，二极管D4的负极与二极管D3的负极连接，其中，三极管Q4为P型三极管。
进一步，所述驱动及关断电路还包括电阻R2、电阻R5、电容C3以及三极管Q3；
电阻R2与电容C3并联，电容C3的一端连接于二极管D3的正极，电容C3的另一端与三极管Q3的基极连接，三极管Q3的集电极接地，三极管Q3的发射极通过电阻R5与三极管Q4的基极连接。
进一步，所述驱动及关断电路包括电阻R1和二极管D2；
所述电阻R1的一端接地，电阻R1的另一端与二极管D2的正极连接，二极管D1的负极连接于电容C1与二极管D3之间的公共连接点。
本发明的有益效果：通过本发明，能够有效提高MOS管在导通关断的过程中的响应速度，并且提高驱动效率，并且在MOS管多级串联的结构中能够有效保障各被驱动的MOS管的一致性。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明作进一步描述：
图1为本发明的结构框图。
图2为本发明存在多级MOS管时的结构框图。
图3为本发明的电路原理图。
具体实施方式
以下结合说明书附图对本发明做出进一步详细说明：
本发明提供的一种MOS管脉冲驱动电路，包括输入电路和驱动及关断电路；
所述输入电路，其输入端输入PWM控制信号，其电源端与电源VCC连接，用于向驱动及关断电路输出PWM控制信号；
所述驱动及关断电路，其输入端与输入电路的输出端连接，其输出端与被驱动MOS管的栅极连接，用于接收PWM控制信号，在PWM控制信号为高电平时驱动MOS管导通，在PWM控制信号为低电平时控制被驱动MOS管快速关断，通过本发明，能够有效提高MOS管在导通关断的过程中的响应速度，并且提高驱动效率，并且在MOS管多级串联的结构中能够有效保障各被驱动的MOS管的一致性，其中，当存在多级串联的MOS管时，采用同一个输入电路，驱动及关断电路为多个分别与被驱动的MOS管一一对应，如图2所示。
本实施例中，所述输入电路包括三极管Q1以及三极管Q2；
所述三极管Q1的集电极作为输入电路的电源端与电源VCC连接，三极管Q1的发射极与三极管Q2的发射极连接，三极管Q2的集电极接地，所述三极管Q1和三极管Q2的基极连接且其公共连接点作为输入电路的输入端，所述三极管Q2的发射极与三极管Q1的发射极之间的公共连接点作为输入电路的输出端，其中，三极管Q2为P型三极管，通过上述结构，能够有效的对PWM信号进行扩流，从而降低MOS管的栅极电容的影响，提高响应速度以及驱动效率。
本实施例中，所述输入电路还包括二极管D1和瞬态抑制二极管TVS1；
二极管D1的正极连接于三极管Q1的发射极，二极管D1的负极连接于三极管Q1的集电极，瞬态抑制二极管TVS1的负极连接于三极管Q1的发射极，瞬态抑制二极管TVS1的正极接地，通过该电路结构，能够有效的对三极管Q1的发射极和三极管Q2的发射极之间的公共连接点的电压幅值，从而对后续电路起到良好的保护作用。
本实施例中，所述驱动及关断电路包括电容C1、二极管D3、二极管D4、电容C2、电阻R3、电阻R4以及三极管Q4；
所述电容C1的一端作为驱动及关断电路的输入端，电容C1的另一端与二极管D3的正极连接，二极管D3的负极与电阻R3的一端连接，电阻R3的另一端与三极管Q4的发射极连接，三极管Q4的发射极与电阻R3的公共连接点作为驱动及关断电路的输出端，电容C2的一端连接于二极管D3的正极，电容C2的另一端通过电阻R4与三极管Q4的基极连接，三极管Q4的集电极接地，二极管D4的正极连接于电容C2和电阻R4之间的公共连接点，二极管D4的负极与二极管D3的负极连接，其中，三极管Q4为P型三极管，通过上述结构，二极管D4用于阻断MOS管S1的栅源电流对三极管Q4的线性关断；通过输入电路扩流限幅后的PWM信号为正向信号时，经过二极管D3、电阻R3加载到被驱动MOS管S1的栅极，使得MOS管S1快速导通，而此时，由于三极管Q4的特性，三极管Q4的发射极和基极电压相等而截止，当PWM信号为负向信号时，由于二极管D3的作用，因此，电阻R3处于断路状态，而由于电容的电压不能瞬变的特性，在电容C1的左端，即三极管Q1和三极管Q2之间的公共连接点处为0电平，电容C1和电容C2的的右端被短暂地置为负电压，因此，三极管Q4的基极电压被拉低，从而使得三极管Q4导通，从而加速MOS管S1的截止，因此，通过输入电路扩流和驱动及关断电路的加速作用，从而能够有效地提高被驱动MOS管的相应速度以及驱动效率，因此，当多级MOS管形成串联结构时才能保证各个被驱动的MOS管具有良好的响应同步性。
本实施例中，所述驱动及关断电路还包括电阻R2、电阻R5、电容C3以及三极管Q3；
电阻R2与电容C3并联，电容C3的一端连接于二极管D3的正极，电容C3的另一端与三极管Q3的基极连接，三极管Q3的集电极接地，三极管Q3的发射极通过电阻R5与三极管Q4的基极连接，其中，当三极管Q4导通后，由于电容C2不能够长时间维持三极管Q4导通，因此，通过上述结构，一方面，电容C3和电阻R2的并联结构以及三极管Q3能够加速三极管Q4的导通，另一方面，上述电路可以维持三极管Q4的导通时间，从而确保被驱动MOS管在PWM处于负向时可靠关断。
本实施例中，所述驱动及关断电路包括电阻R1和二极管D2；
所述电阻R1的一端接地，电阻R1的另一端与二极管D2的正极连接，二极管D1的负极连接于电容C1与二极管D3之间的公共连接点，通过上述结构，能够为电容C1的电量的释放提供一个回路，该回路形成依次为电容C1的左端、三极管Q2的、电阻R1、二极管D2、电容C1的右端。
最后说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的宗旨和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。

Claims (5)

1.一种MOS管脉冲驱动电路，其特征在于：包括输入电路和驱动及关断电路；
所述输入电路，其输入端输入PWM控制信号，其电源端与电源VCC连接，用于向驱动及关断电路输出PWM控制信号；
所述驱动及关断电路，其输入端与输入电路的输出端连接，其输出端与被驱动MOS管的栅极连接，用于接收PWM控制信号，在PWM控制信号为高电平时驱动MOS管导通，在PWM控制信号为低电平时控制被驱动MOS管快速关断；
所述驱动及关断电路包括电容C1、二极管D3、二极管D4、电容C2、电阻R3、电阻R4以及三极管Q4；
所述电容C1的一端作为驱动及关断电路的输入端，电容C1的另一端与二极管D3的正极连接，二极管D3的负极与电阻R3的一端连接，电阻R3的另一端与三极管Q4的发射极连接，三极管Q4的发射极与电阻R3的公共连接点作为驱动及关断电路的输出端，电容C2的一端连接于二极管D3的正极，电容C2的另一端通过电阻R4与三极管Q4的基极连接，三极管Q4的集电极接地，二极管D4的正极连接于电容C2和电阻R4之间的公共连接点，二极管D4的负极与二极管D3的负极连接，其中，三极管Q4为P型三极管。
2.根据权利要求1所述MOS管脉冲驱动电路，其特征在于：所述输入电路包括三极管Q1以及三极管Q2；
所述三极管Q1的集电极作为输入电路的电源端与电源VCC连接，三极管Q1的发射极与三极管Q2的发射极连接，三极管Q2的集电极接地，所述三极管Q1和三极管Q2的基极连接且其公共连接点作为输入电路的输入端，所述三极管Q2的发射极与三极管Q1的发射极之间的公共连接点作为输入电路的输出端，其中，三极管Q2为P型三极管。
3.根据权利要求2所述MOS管脉冲驱动电路，其特征在于：所述输入电路还包括二极管D1和瞬态抑制二极管TVS1；
二极管D1的正极连接于三极管Q1的发射极，二极管D1的负极连接于三极管Q1的集电极，瞬态抑制二极管TVS1的负极连接于三极管Q1的发射极，瞬态抑制二极管TVS1的正极接地。
4.根据权利要求1所述MOS管脉冲驱动电路，其特征在于：所述驱动及关断电路还包括电阻R2、电阻R5、电容C3以及三极管Q3；
电阻R2与电容C3并联，电容C3的一端连接于二极管D3的正极，电容C3的另一端与三极管Q3的基极连接，三极管Q3的集电极接地，三极管Q3的发射极通过电阻R5与三极管Q4的基极连接。
5.根据权利要求1所述MOS管脉冲驱动电路，其特征在于：所述驱动及关断电路包括电阻R1和二极管D2；
所述电阻R1的一端接地，电阻R1的另一端与二极管D2的正极连接，二极管D2的负极连接于电容C1与二极管D3之间的公共连接点。
CN202010239754.8A 2020-03-30 2020-03-30 Mos管脉冲驱动电路 Active CN111464158B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010239754.8A CN111464158B (zh) 2020-03-30 2020-03-30 Mos管脉冲驱动电路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010239754.8A CN111464158B (zh) 2020-03-30 2020-03-30 Mos管脉冲驱动电路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111464158A CN111464158A (zh) 2020-07-28
CN111464158B true CN111464158B (zh) 2023-07-18

Family

ID=71683416

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010239754.8A Active CN111464158B (zh) 2020-03-30 2020-03-30 Mos管脉冲驱动电路

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111464158B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112600542B (zh) * 2020-12-22 2024-09-13 汉威科技集团股份有限公司 一种基于分立器件的动态安全开关方法及装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201590755U (zh) * 2009-12-17 2010-09-22 东南大学 栅极浮置及电平转换的功率mos管栅极驱动电路
CN101959351A (zh) * 2010-10-15 2011-01-26 上海小糸车灯有限公司 一种p-mos管驱动电路及其驱动方法
CN103944549A (zh) * 2014-04-03 2014-07-23 南京航空航天大学 一种高可靠性mosfet驱动电路
CN104682674A (zh) * 2013-11-28 2015-06-03 西安国龙竹业科技有限公司 一种增加pwm脉冲驱动能力的电路
CN110868049A (zh) * 2019-11-26 2020-03-06 北京工业大学 一种带硬件保护的n-mos和p-mos永磁同步电机驱动电路

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201479006U (zh) * 2009-07-13 2010-05-19 厦门敏讯信息技术股份有限公司 一种扩展输出电流驱动电路
CN101753000A (zh) * 2009-12-17 2010-06-23 东南大学 栅极浮置及电平转换的功率mos管栅极驱动电路及方法
CN101895281B (zh) * 2010-07-28 2012-12-26 佛山市顺德区瑞德电子实业有限公司 一种开关电源的新型mos管驱动电路
CN102122881B (zh) * 2011-02-21 2013-02-13 北京科诺伟业科技有限公司 一种应用于风力发电的大功率igbt驱动保护电路
CN203933357U (zh) * 2014-05-17 2014-11-05 徐云鹏 一种用于快速检测设备的mos管驱动电路
CN104038072A (zh) * 2014-07-01 2014-09-10 浙江海得新能源有限公司 一种高压输入辅助电源电路
CN104113967A (zh) * 2014-07-09 2014-10-22 黄河科技学院 一种led驱动装置
CN104242404A (zh) * 2014-09-29 2014-12-24 苏州克兰兹电子科技有限公司 一种mosfet驱动电路
CN104836559B (zh) * 2015-05-04 2018-01-23 国家电网公司 一种igbt驱动门极上升、下降沿电压可调控制电路
CN105281578B (zh) * 2015-11-18 2018-06-29 广州金升阳科技有限公司 同步整流控制装置及开关电源
CN109149913A (zh) * 2017-06-15 2019-01-04 上海铼钠克数控科技股份有限公司 Mos管驱动电路
CN207995054U (zh) * 2018-01-22 2018-10-19 许继电源有限公司 一种碳化硅mos管驱动保护电路
CN109004813A (zh) * 2018-07-27 2018-12-14 深圳英飞源技术有限公司 一种抑制驱动电压尖峰的mos管驱动电路
CN108649938B (zh) * 2018-07-27 2024-08-30 深圳英飞源技术有限公司 一种抑制负向驱动电压尖峰的mos管驱动电路

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201590755U (zh) * 2009-12-17 2010-09-22 东南大学 栅极浮置及电平转换的功率mos管栅极驱动电路
CN101959351A (zh) * 2010-10-15 2011-01-26 上海小糸车灯有限公司 一种p-mos管驱动电路及其驱动方法
CN104682674A (zh) * 2013-11-28 2015-06-03 西安国龙竹业科技有限公司 一种增加pwm脉冲驱动能力的电路
CN103944549A (zh) * 2014-04-03 2014-07-23 南京航空航天大学 一种高可靠性mosfet驱动电路
CN110868049A (zh) * 2019-11-26 2020-03-06 北京工业大学 一种带硬件保护的n-mos和p-mos永磁同步电机驱动电路

Also Published As

Publication number Publication date
CN111464158A (zh) 2020-07-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103199677B (zh) 单路隔离型mosfet驱动电路
CN101753000A (zh) 栅极浮置及电平转换的功率mos管栅极驱动电路及方法
CN203406774U (zh) 一种大功率mosfet负压驱动电路
CN104269997B (zh) 一种死区可调的变压器隔离互补驱动电路
CN216564923U (zh) 一种功率器件驱动电路
CN101895281A (zh) 一种开关电源的新型mos管驱动电路
CN111464158B (zh) Mos管脉冲驱动电路
CN203933357U (zh) 一种用于快速检测设备的mos管驱动电路
CN102868284B (zh) 一种igbt驱动电路
CN213585726U (zh) 一种基于mos管的驱动器
CN210724728U (zh) 可快速关断的mos管驱动电路
CN117498847A (zh) 一种智能pfc模块
CN216216816U (zh) 一种碳化硅mosfet驱动电路
CN101741268B (zh) 交流/直流开关电源的脉宽调制控制电路
CN216774743U (zh) 一种igbt驱动电路
CN212231330U (zh) 一种同步整流mosfet驱动控制电路
CN210327368U (zh) 一种用于mosfet驱动的驱动电路
CN113437726A (zh) 一种防反接的自恢复过流保护电路
CN112422089A (zh) 一种大功率igbt驱动控制电路及方法
CN210578247U (zh) 一种保护电路及装置
CN110071491B (zh) 负载拖尾电流消除电路
CN109495092B (zh) 功率开关管驱动电路及驱动方法
CN111600462A (zh) 一种同步整流mosfet驱动控制电路
CN217282896U (zh) 半导体开关电路及半导体开关器件
CN203027119U (zh) 驱动变压器隔离自适应驱动电路

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant