CN111463309B - 显示面板 - Google Patents

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Abstract

本申请提供一种光电探测器及其制备方法、显示面板，以通过压电效应使光电探测器的探测性能可在一定范围内调节。所述光电探测器包括沿厚度方向依次层叠设置的背电极层、吸收层、缓冲层、复合膜、透明电极层和顶电极；其中，复合膜包括混合均匀的PVDF和ZnO，PVDF与ZnO的摩尔比为1:1～2:1。所述制备方法用于制备所述光电探测器。所述显示面板包括上述的光电探测器、以及沿厚度方向依次叠设于基底上的像素控制电路层、平坦层和发光结构层；光电探测器位于平坦层的开口内，且位于像素控制电路层上，光电探测器的背电极层与像素控制电路层的源极电连接。

Description

显示面板
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板。
背景技术
CIGS(铜铟镓硒)作为一种直接带隙半导体，其通过调节Ga成分比例可以形成1.04-1.37eV的禁带宽度，同时其可见光吸收系数极高，吸引了众多科学家的兴趣，同时在太阳能电池领域取得了巨大的成功。
研究人员因此也开始将CIGS薄膜应用于光电探测器，但如何进一步提高器件的性能，是本领域有待解决的一个难题。
发明内容
本申请提供一种光电探测器及其制备方法、显示面板，通过压电效应使光电探测器的探测性能可在一定范围内调节。
根据本申请实施例的第一方面，提供一种光电探测器。所述光电探测器包括沿厚度方向依次层叠设置的背电极层、吸收层、缓冲层、复合膜、透明电极层和顶电极；
其中，所述复合膜包括混合均匀的PVDF和ZnO，所述PVDF与所述ZnO的摩尔比为1:1～2:1。
可选的，所述ZnO在所述复合膜中的质量占比为0.08％～0.16％。
可选的，所述复合膜中的PVDF的粒径为1μm～10μm，所述ZnO的粒径为50-500nm。
可选的，所述复合膜的厚度为40nm～70nm。
可选的，所述背电极层的材料为Mo(钼)，所述背电极层的厚度为700nm～900nm；和/或，
所述吸收层的材料为CIGS(铜铟镓硒)，所述吸收层的厚度为2μm～4μm；和/或，
所述缓冲层的材料为CdS(硫化镉)，所述缓冲层的厚度为30nm～60nm；和/或，
所述透明电极层的材料为Al掺杂的ZnO，所述透明电极层的厚度为300nm～600nm；
所述顶电极包括层叠设置的第一金属层、第二金属层以及第三金属层，所述第一金属层和所述第三金属层的材料为Ni，所述第二金属层的材料为Al，所述顶电极的厚度为40nm～60nm。
可选的，所述光电探测器还包括衬底，所述衬底位于所述背电极层远离所述吸收层的一侧，所述衬底的材料为柔性材料。
根据本申请实施例的第二方面，提供一种光电探测器的制备方法。所述制备方法用于制作如上所述的光电探测器，所述制备方法包括以下步骤：
提供一衬底，在所述衬底上依次形成所述背电极层、所述吸收层、所述缓冲层；
在所述缓冲层上形成所述复合膜，包括：
制备复合膜溶液，所述复合膜溶液包括PVDF、ZnO和溶剂，所述PVDF与所述ZnO的摩尔比为1:1～2:1；
将所述复合膜溶液涂覆于所述缓冲层上；及
对所述复合膜溶液进行固化形成所述复合膜；
在所述复合膜上依次形成所述透明电极层和所述顶电极。
可选的，所述复合膜溶液的溶剂为DMF(二甲基甲酰胺)，所述ZnO在所述DMF溶剂中的质量体积比为0.21～0.24mg/ml。
可选的，在所述制备复合膜溶液中，包括：
将PVDF、ZnO溶于DMF溶剂形成所述复合膜溶液，连续搅拌所述复合膜溶液并将所述复合膜溶液加热至55℃～65℃，以使所述复合膜溶液中的PVDF和ZnO混合均匀。
可选的，在对所述复合膜溶液进行固化形成所述复合膜中，包括：
在55℃～65℃下蒸发所述复合膜溶液5min～10min，以形成所述复合膜。
根据本申请实施例的第三方面，提供一种显示面板。所述显示面板包括如上所述的光电探测器、以及沿厚度方向依次叠设于基底上的像素控制电路层、平坦层和发光结构层；所述显示面板具有显示区域，所述显示区域包括像素区和邻接于所述像素区的触控探测区；所述基底、所述像素控制电路层以及所述平坦层均位于所述像素区和所述触控探测区，所述发光结构层位于所述像素区，所述光电探测器位于所述触控探测区；
所述平坦层设有开口，所述光电探测器位于所述平坦层的开口内，且位于所述像素控制电路层上，所述光电探测器的背电极层与所述像素控制电路层的源极电连接。
可选的，所述显示面板还包括保护层，所述保护层覆盖所述光电探测器的侧壁设置，且位于所述光电探测器与所述平坦层之间。
可选的，所述保护层的膜层厚度为100nm～200nm，所述保护层的材料为氮氧化硅。
可选的，所述显示面板还包括阻挡柱，所述阻挡柱位于所述光电探测器与所述发光结构层之间，用于阻挡所述发光结构层发出的光线进入所述光电探测器。
本申请的技术原理是通过压电效应使光电探测器的探测性能可在一定范围内调节。
PVDF全名为Poly(vinylidene fluoride)中文名聚偏氟乙烯，是一种聚合物压电材料。分子式为(-CF2-CH2-)，PVDF存在五种晶型，分别为α、β、γ、δ和ε相，β相含量高，共聚物会有比较优良的压电性能。
1880年，法国人P.居里和J.居里兄弟发现，石英晶体受到压力时，某些表面上会产生电荷，其电荷量与压力成正比，把这种现象称为压电效应。具有压电效应的物体称为压电材料，即可以将压强，振动等应变，应力迅速转变成电信号，或者将电信号转变为振动信号或形变的晶体材料。PVDF家族压电材料的宏观压电性表现为正压电效应和逆压电效应。其正压电效应是指某些电介质晶体在受到外力挤压后会产生形变，这时在电介质的表面上会出现正负两种电荷，从而在晶体内部产生极化。通常所说的压电效应都是指正压电效应。压电式传感器大多是利用正压电效应制成的。反之，当在电介质晶体上加一电场时，晶体内部不仅会产生极化，还会在结构上发生应变产生应力，这种通过外加电场发生应变、产生应力的现象叫做逆压电效应。
在自然条件下的晶体的某些分子正负电荷中心不重合，形成一个固有的偶极矩，在垂直极轴的两个端面上就会造成大小相等、符号相反的面束缚电荷，称为自极化，如在图1(a)，在压电材料上施加外力可以产生电荷如在图1(b)。
因此，在复合膜受到外力时可以在膜层的上下两端形成正负电荷，相当于对膜层内施加了电场，该电场对光生载流子产生作用，其作用根据电场方向不同而定，分为促进和抑制。
本申请的光电探测器用PVDF-ZnO复合膜代替了传统的本征ZnO层，使探测器具有压电性。在复合膜中的PVDF的禁带宽度约5-6ev，ZnO禁带宽度约3.3-4.0ev，这样，可以通过PVDF和ZnO不同的比例在更大的范围内调节PVDF-ZnO复合膜的禁带宽度，以在更大范围内调节光响应率和检测能力。
本申请的光电探测器，在衬底上依次构建材料为Mo的背电极层，材料为CIGS的吸收层、材料为CdS的缓冲层，通过在材料为CdS的缓冲层上再生长一层材料包括PVDF和ZnO的复合膜，形成PVDF-ZnO/CdS异质结，最后在复合膜上生长透明电极层。最后制备得到了一种波段可调节的光电探测器。
本申请的光电探测器具有CIGS/CdS异质结和PVDF-ZnO/CdS异质结的结构，CIGS/CdS异质结主要产生光生载流子，PVDF-ZnO复合膜产生压电效应，促进或抑制了载流子在PVDF-ZnO/CdS界面的分离和传输，这对于制作一种宽波段的性能优异的光电探测器具有十分重要的现实意义。
本申请的光电探测器具有以下优点：
(1)复合膜的材料是一种可调节的压电材料，通过压电效应使光电探测器的探测性能可在一定范围内调节；同时可以通过调节PVDF和ZnO的比例来调节禁带宽度，调节载流子在PVDF-ZnO/CdS界面的运输，进而调节光电探测器的性能。
(2)在外力作用下光电探测器的响应度会发生变化，从而可以应用在很多领域，主要用在结构检测、仿生、医学测量、触觉测量、智能可穿戴设备等多个方面。
本申请的光电探测器的制备方法是将制作好的含有PVDF和ZnO混合液旋涂在缓冲层上，然后通过蒸发溶剂即可得直接到PVDF-ZnO复合膜，制作工艺简单。
本申请的显示面板，通过利用光电探测器在外力作用下(手指触摸及按压)响应度会发生变化(电信号会更加强烈)，通过光电探测器与像素控制电路层结合可以轻松实现信号输出，结合显示可以实现精准的触觉互动，这样应用于产品(如互动游戏类产品)上，可以增加用户的触觉互动，使可玩性大大提升。
附图说明
图1(a)是晶体在自然条件下的自极化的示意图。
图1(b)是在压电材料上施加外力产生电荷的示意图。
图2是本申请一示例性实施例的光电探测器的局部截面结构示意图。
图3是本申请一示例性实施例的光电探测器在应力下的响应度-应变图。
图4是本申请一示例性实施例的显示面板的局部截面结构示意图。
附图标记说明
显示面板 1
光电探测器 10
衬底 11
背电极层 12
吸收层 13
缓冲层 14
复合膜 15
透明电极层 16
顶电极 17
侧壁 18
基底 20
像素控制电路层 30
有源层 31
栅绝缘层 32
栅极 33
层间绝缘层 34
源极 35
漏极 36
平坦层 40
开口 41
发光结构层 50
阳极 51
发光层 52
保护层 61
阻挡柱 62
像素界定层 70
薄膜封装层 80
缓冲膜层 90
显示区域 A
像素区 a1
触控探测区 a2
厚度方向 T
具体实施方式
这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置的例子。
在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。除非另作定义，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本申请所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请说明书以及权利要求书中使用的“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而且可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“多个”包括两个，相当于至少两个。在本申请说明书和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
请结合图2以理解，本实施例还提供一种光电探测器10。光电探测器10包括沿厚度方向T依次层叠设置的背电极层12、吸收层13、缓冲层14、复合膜15、透明电极层16和顶电极17，其中，复合膜15包括混合均匀的PVDF和ZnO，PVDF与ZnO的摩尔比为1:1～2:1。也就是说，复合膜15的材料至少包括混合均匀的PVDF和ZnO，PVDF与ZnO的摩尔比为1:1～2:1。这样，通过设置复合膜15的材料为一种可调节的压电材料，通过压电效应使光电探测器10的探测性能可在一定范围内调节；同时可以通过调节PVDF和ZnO的比例来调节禁带宽度，调节载流子在PVDF-ZnO/CdS界面的运输，进而调节光电探测器10的性能。
较佳的，ZnO在复合膜15中的质量占比为0.08％～0.16％，以保证复合膜15的材料在包含除PVDF和ZnO外的物质成分的情况下(如复合膜15的材料还可以包括添加剂)，仍能够很好地实现压电效应以及光电效应。
在本实施例中，复合膜15中的PVDF的粒径为1μm～10μm，ZnO的粒径为50-500nm。复合膜15的厚度为40nm～70nm。
可选的，背电极层12的材料为Mo(钼)，背电极层12的厚度为1μm～3μm。
吸收层13的材料为CIGS(铜铟镓硒)，吸收层13的厚度为2μm～4μm。
缓冲层14的材料为CdS(硫化镉)，缓冲层14的厚度为30nm～60nm。
所述透明电极层16的材料为Al掺杂的ZnO，所述的顶电极17的厚度为300nm～600nm。通过磁控溅射沉积(Sputter)形成Al掺杂的ZnO，其中，H2与Ar气的比例为2.5/20sccm。
顶电极17包括层叠设置的第一金属层、第二金属层以及第三金属层，第一金属层和第三金属层的材料为Ni，第二金属层的材料为Al，顶电极17的厚度为40nm～60nm。其中，靠近透明电极层16的第一金属层具有很好的固定性，可以很好的固定顶电极17，而设置远离透明电极层16的第三金属层为了防止铝电极被空气氧化。
本实施例的光电探测器10还包括衬底11，衬底11位于背电极层12远离吸收层13的一侧，衬底11的材料为柔性材料。通过设置衬底11的材料为柔性材料，可以应用在可弯折产品上。
本实施例的光电探测器10在应力下的表现如图3所示，其中负应变代表压应力，正应变代表拉应力，从图中可以发现在对光电探测器10进行压缩和拉伸均能形成明显的探测能力和响应度的改变。
基于同一发明构思，本实施例还提供一种光电探测器的制备方法，用于制备上述光电探测器10，请复参阅图2。光电探测器10的制备方法包括以下步骤：
步骤100：提供一衬底11，在衬底11上依次形成背电极层12、吸收层13、缓冲层14；
步骤200：在缓冲层14上形成复合膜15，包括：
步骤210：制备复合膜15溶液，复合膜15溶液包括PVDF、ZnO和溶剂，PVDF与ZnO的摩尔比为1:1～2:1；
步骤220：将复合膜15溶液涂覆于缓冲层14上；
步骤230：对复合膜15溶液进行固化形成复合膜15；
步骤300：在复合膜15上依次形成透明电极层16和顶电极17。
在步骤100中，包括：
步骤110：清洗衬底11。具体地，依次用乙醇、去离子水超声清洗衬底11，然后将其烘干备用。
步骤120：在衬底11上形成背电极层12。背电极层12的材料为Mo(钼)。具体的，通过蒸镀形成背电极层12，磁控溅射制备背电极层12，氩气流量为15-25sccm，在溅射功率800-900W的条件下溅射10次，背电极层12的厚度约为700nm～900nm。
步骤130：在背电极上形成吸收层13。采用三步共蒸发法制备吸收层13，吸收层13的材料为CIGS(铜铟镓硒)。在制备工过程中通入硫化氢(H2S)，具体工艺如下：将之前制备的形成有背电极的衬底11放入本底真空条件5.5×10-5Pa-1.5×10-4Pa腔体内，第一阶段，在PI衬底11电池上同时蒸镀In、Ga和Se三种元素，In、Ga和Se三种元素的蒸发源温度分别为：800-830℃、920-980℃和245-315℃，此时衬底11的温度为250℃-300℃，沉积时间为20-35min,第二阶段，在条件为1.0×10-2Pa-2.0×10-2Pa真空下，在前一步形成膜层上同时蒸镀Cu和Se三种元素，Cu和Se两种元素的蒸发源温度分别为：1100-1300℃和245-315℃，此时衬底11的温度为350℃-450℃，沉积时间为15-30min第三阶段，在条件为2.0×10-2Pa-3.0×10-2Pa真空下，在前两步形成的膜层上同时蒸镀In、Ga和Se三种元素，In、Ga和Se三种元素的蒸发源温度分别为：680-730℃、830-880℃和245-315℃，此时衬底11的温度为350℃-450℃，沉积时间10-30min。
步骤140：在吸收层13上形成高质量的缓冲层14。缓冲层14的材料为CdS(硫化镉)。采用化学水浴法生长缓冲层14，具体方法如下：将0.179g的硫酸镉溶于55ml去离子水中，5.530g的硫脲溶于140ml的去离子水中，同时准备好50ml的浓氨水(25-30％)以及装有400ml去离子水的大烧杯。但不限于此，硫酸镉水溶液的浓度可以为2.5～4g/l，硫脲水溶液的浓度可以为35～4g/l，保持浓氨水：硫酸镉水溶液：硫脲水溶液的体积比为50:55:140。
用去离子水冲洗已形成膜层结构，随后放在大烧杯中，将上述浓氨水与硫酸镉水溶液混合并倒入大烧杯，然后加入硫脲溶液。将大烧杯迅速放入水浴锅中，水浴锅的温度在整个试验过程中恒温加热保持71℃，排除气泡，然后盖上玻璃盖片。调整磁力搅拌器，匀速搅拌8min，生长结束后迅速取出样品，用大量去离子水冲洗，然后用高纯氮气吹干样品，最后将样品放在180℃的烘箱中退火3min，取出样品准备进入下一步镀膜。缓冲层14的厚度为30nm～60nm，较佳地，缓冲层14的厚度55nm。
在步骤210中，复合膜15溶液的溶剂为DMF(二甲基甲酰胺)，ZnO在DMF溶剂中的质量体积比为0.21-0.24mg/ml。在制备复合膜15溶液中，包括：
将PVDF、ZnO溶于DMF溶剂形成复合膜15溶液。通常是50-100gPVDF和0.08gZnO溶解在350ml DMF溶剂中。溶液中PVDF:ZnO的摩尔比为1：1～2:1。
连续搅拌复合膜15溶液并将复合膜15溶液加热至55℃～65℃，以使复合膜15溶液中的PVDF和ZnO混合均匀。
在步骤230中，即在对复合膜15溶液进行固化形成复合膜15中，包括：在55℃～65℃下蒸发复合膜15溶液5min～10min，以形成复合膜15。复合膜15中的PVDF的粒径为1μm～10μm，ZnO的粒径为50-500nm。复合膜15的厚度为40nm～70nm，较佳地，复合膜15的厚度50nm。
在步骤300中，包括：
步骤310：在复合膜15上形成透明电极层16。透明电极层16的材料为AZO，AZO是Al掺杂的ZnO透明导电玻璃的简称。通过溅射透形成明导电层。溅射透明电极层16时，将衬底11温度加热至90℃，氩气流量为20sccm，氢气流量为2.5sccm，在溅射功率750W的条件下溅射12次形成透明电极层16。透明电极层16的厚度为300nm～600nm，较佳地，透明电极层16厚度为200nm。
步骤320：在透明电极层16上形成顶电极17。顶电极17包括层叠设置的第一金属层、第二金属层以及第三金属层，所述第一金属层和所述第三金属层的材料为Ni，所述第二金属层的材料为Al。
采用电子束热蒸发法分别蒸镀所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层。其中，靠近透明电极层16的所述第一金属层具有很好的固定性，可以很好的固定顶电极17，而设置远离透明电极层16的所述第三金属层为了防止铝电极被空气氧化。
在其他实施例中，光电探测器10的制备方法还可以包括步骤400：剥离衬底11，以制作不带有衬底的光电探测器10。
本实施例的光电探测器10的制备方法是将制作好的含有PVDF和ZnO混合液旋涂在缓冲层14上，然后通过蒸发溶剂即可得直接到PVDF-ZnO复合膜15，制作工艺简单。
如图4所示，本实施例还提供一种显示面板1。显示面板1包括如上所述的光电探测器10、以及沿厚度方向T依次叠设于基底20上的像素控制电路层30、平坦层40和发光结构层50。
具体地，发光结构层50包括沿厚度方向T依次层叠的阳极51、发光层52、阴极。像素控制电路层30包括有源层31、栅绝缘层32、栅极33、层间绝缘层34以及源极35、漏极36，漏极36和源极35均与有源层31电连接。像素控制电路层30的漏极36与发光结构层50的阳极51电连接。
显示面板1具有显示区域A，显示区域A包括像素区a1和邻接于像素区a1的触控探测区a2。基底20、像素控制电路层30以及平坦层40均位于像素区a1和触控探测区a2，发光结构层50位于像素区a1，光电探测器10位于触控探测区a2。
平坦层40设有开口41，光电探测器10位于平坦层40的开口41内，且位于像素控制电路层30上，光电探测器10的背电极层12与像素控制电路层30的源极35电连接。
在本实施例中，显示面板1还包括保护层61，保护层61覆盖光电探测器10的侧壁18设置，且位于光电探测器10与平坦层40之间。保护层61的膜层厚度为100nm～200nm，保护层61的材料为氮氧化硅。通过设置保护层以保护光电探测器10，隔绝平坦层40对光电探测器10中的层结构的影响。由于平坦层40的材料一般为有机物，会对光电探测器10中的诸如PDVF、CIGS材料都会有极大的影响，因此，通过设置保护层以隔绝平坦层40对光电探测器10中的层结构的影响，从而起到保护光电探测器10的作用。
在发光结构层50的阳极51上，以及露出的平坦层40上还设有像素界定层70。像素界定层70位于像素区a1和触控探测区a2。
显示面板1还包括阻挡柱62，阻挡柱62位于光电探测器10与发光结构层50之间，用于阻挡发光结构层50中的发光层52发出的光线进入光电探测器10。具体地，阻挡柱62位于像素界定层70上，且位于光电探测器10与发光结构层50之间。
在阴极、阻挡柱62以及露出的像素界定层70还覆设有薄膜封装层80。薄膜封装层80位于像素区a1和触控探测区a2。薄膜封装层80为无机膜层或者有机膜层；或者，薄膜封装层80为无机膜层和有机膜层层叠设置的复合膜15层。通过设置薄膜封装层80，能够有效防止水氧对薄膜封装层80下方的层结构的侵蚀。无机膜层的材料可以是SiO或SiN，有机膜层的材料可以是树脂。
基底20和像素控制电路层30之间还设有缓冲膜层90。缓冲膜层90可以起到调节应力，中和电荷等作用。
需要说明的是，由于光电探测器10的各膜层结构需要在一个平面上进行制作，因此在单独制作时，需要通过衬底11作为衬板进行制备；而当光电探测器10在显示面板1中时，由于已经有下方的像素控制电路层30，可以直接在像素控制电路层30进行制备，从而不需要再设置衬底11。
本申请的显示面板1，通过利用光电探测器10在外力作用下(手指触摸及按压)响应度会发生变化(电信号会更加强烈)，通过光电探测器10与像素控制电路层30结合可以轻松实现信号输出，结合显示可以实现精准的触觉互动，这样应用于产品(如互动游戏类产品)上，可以增加用户的触觉互动，使可玩性大大提升。
以上仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请保护的范围之内。

Claims (9)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括光电探测器、以及沿厚度方向依次叠设于基底上的像素控制电路层、平坦层和发光结构层；所述显示面板具有显示区域，所述显示区域包括像素区和邻接于所述像素区的触控探测区；所述基底、所述像素控制电路层以及所述平坦层均位于所述像素区和所述触控探测区，所述发光结构层位于所述像素区，所述光电探测器位于所述触控探测区；
所述平坦层设有开口，所述光电探测器位于所述平坦层的开口内，且位于所述像素控制电路层上，所述光电探测器的背电极层与所述像素控制电路层的源极电连接；
所述光电探测器包括沿厚度方向依次层叠设置的背电极层、吸收层、缓冲层、复合膜、透明电极层和顶电极；其中，所述复合膜包括混合均匀的PVDF和ZnO，所述PVDF与所述ZnO的摩尔比为1:1～2:1。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括保护层，所述保护层覆盖所述光电探测器的侧壁设置，且位于所述光电探测器与所述平坦层之间。
3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述保护层的膜层厚度为100nm～200nm，所述保护层的材料为氮氧化硅。
4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括阻挡柱，所述阻挡柱位于所述光电探测器与所述发光结构层之间，用于阻挡所述发光结构层发出的光线进入所述光电探测器。
5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述ZnO在所述复合膜中的质量占比为0.08％～0.16％。
6.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述复合膜中的PVDF的粒径为1μm～10μm，所述ZnO的粒径为50-500nm。
7.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述复合膜的厚度为40nm～70nm。
8.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述背电极层的材料为Mo，所述背电极层的厚度为700nm～900nm；和/或，
所述吸收层的材料为CIGS，所述吸收层的厚度为2μm～4μm；和/或，
所述缓冲层的材料为CdS，所述缓冲层的厚度为30nm～60nm；和/或，
所述透明电极层的材料为Al掺杂的ZnO，所述透明电极层的厚度为300nm～600nm；
所述顶电极包括层叠设置的第一金属层、第二金属层以及第三金属层，所述第一金属层和所述第三金属层的材料为Ni，所述第二金属层的材料为Al，所述顶电极的厚度为40nm～60nm。
9.如权利要求1及权利要求5-8中任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述光电探测器还包括衬底，所述衬底位于所述背电极层远离所述吸收层的一侧，所述衬底的材料为柔性材料。
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