CN111458106B - 一种多晶硅膜层的均匀性检测装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及显示器件检测领域，特别涉及一种多晶硅膜层的均匀性检测装置，用于检测待测显示面板上的多晶硅膜层的均匀性，上述多晶硅膜层的均匀性检测装置包括：用于自待测显示面板的多晶硅膜层一侧向待测显示面板发射垂直检测光的发射模块，多晶硅膜层在接收到发射模块发射的检测光后内部形成电场；与多晶硅膜层信号连接以检测所述多晶硅膜层中电场的电压的分析模块。上述检测装置能够对待测面板的多晶硅膜层的均匀性进行检测，从而能够防止显示面板出现显示不良的情况。
Description
技术领域
本发明涉及显示器件检测领域，特别涉及一种多晶硅膜层的均匀性检测装置。
背景技术
TFT是由多晶硅膜层、绝缘层和金属层经过蚀刻后形成，因此TFT的基本性质由三层材料共同决定，多晶硅膜层的均匀性是影响TFT电流驱动能力的均匀性的一个重要因素，目前主要是通过测量TFT的电学特性来确定TFT在整个玻璃基板上的均匀性，但无法检测多晶硅膜层的均匀性，从而无法精确找出影响TFT均匀性的关键因素，只能根据测试者的经验判断影响TFT均匀性的因素是多晶硅膜层不良抑或是绝缘层不良。
发明内容
本发明提供一种多晶硅膜层的均匀性检测装置，上述检测装置能够对待测面板的多晶硅膜层的均匀性进行检测，从而能够防止显示面板出现显示不良的情况。
为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：
本发明提供了一种多晶硅膜层的均匀性检测装置，用于检测待测显示面板上的多晶硅膜层的均匀性，包括：
用于自所述待测显示面板的多晶硅膜层一侧向所述待测显示面板发射垂直检测光的发射模块，所述多晶硅膜层在接收到所述发射模块发射的检测光后内部形成电场；
与所述多晶硅膜层信号连接以检测所述多晶硅膜层中电场的电压的分析模块。
上述多晶硅膜层的均匀性检测装置包括发射模块和分析模块，在对待测显示面板上的多晶硅膜层进行均匀性检测的过程中，首先通过发射模块向待测显示面板的多晶硅膜层一侧向多晶硅膜层发射垂直的检测光，多晶硅膜层接收到检测光后内部由于极化作用产生一个垂直于检测光入射方向的极化电场，然后通过将分析模块与多晶硅膜层信号连接从而处理并显示多晶硅膜层中的电压信号，并对待测显示面板的多晶硅膜层进行多处检测后进行多点比较，当多点检测结果相同或相差不大时，表明待测显示面板的多晶硅膜层的均匀性良好。上述多晶硅膜层的均匀性检测装置可以对多晶硅膜层内部不同点进行均匀性检测，从而达到对待测显示面板的多晶硅膜层进行质量监控。
优选地，所述发射模块包括发射脉冲光的脉冲激光器，所述脉冲激光器与所述分析模块信号连接。
优选地，所述分析模块为示波器或锁相放大器。
优选地，所述发射模块包括直流激光器。
优选地，所述发射模块包括发射线偏振光的直流激光器。
优选地，所述发射模块包括发射非线偏振光的直流激光器和用于将所述非线偏振光转换为线偏振光的偏光片。
优选地，所述分析模块为示波器；或者，所述分析模块包括锁相放大器和斩波器，所述斩波器包括斩波扇和与所述斩波扇信号连接的频率控制装置，所述斩波扇设置于所述直流激光器的出光侧与所述多晶硅膜层之间、所述频率控制装置与所述锁相放大器信号连接；或者，所述分析模块包括示波器和斩波器，所述斩波器包括斩波扇和与所述斩波扇信号连接的频率控制装置，所述斩波扇设置于所述直流激光器的出光侧与所述多晶硅膜层之间。
优选地，所述分析模块通过连接组件与所述多晶硅膜层信号连接。
优选地，所述连接组件包括导线和用于与所述多晶硅膜层连接的电极。
附图说明
图1为本发明提供的第一种多晶硅膜层的均匀性检测装置的结构示意图；
图2为本发明提供的第二种多晶硅膜层的均匀性检测装置的结构示意图；
图3为本发明提供的第三种多晶硅膜层的均匀性检测装置的结构示意图；
图4为本发明提供的第四种多晶硅膜层的均匀性检测装置的结构示意图；
图5为本发明提供的第五种多晶硅膜层的均匀性检测装置的结构示意图。
图标：
1-检测光；2-多晶硅膜层；3-缓冲层；4-玻璃基板；5-示波器；6-正相电极；7-负相电极；8-导线；9-脉冲激光器；10-直流激光器；11-斩波器；111-斩波扇；112-频率控制装置；12-锁相放大器。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参考图1、图2、图3、图4和图5，本发明提供一种多晶硅膜层的均匀性检测装置，用于检测待测显示面板上的多晶硅膜层2的均匀性，包括：
用于自所述待测显示面板的多晶硅膜层2一侧向所述待测显示面板发射垂直检测光1的发射模块，所述多晶硅膜层2在接收到所述发射模块发射的检测光1后内部形成电场；
与所述多晶硅膜层2信号连接以检测所述多晶硅膜层2中电场的电压的分析模块。
上述多晶硅膜层的均匀性检测装置包括发射模块和分析模块，在对待测显示面板上的多晶硅膜层2进行均匀性检测的过程中，首先通过发射模块向待测显示面板的多晶硅膜层一侧向多晶硅膜层2发射垂直的检测光1，多晶硅膜层2接收到检测光1后内部由于极化作用产生一个垂直于检测光1入射方向的极化电场，然后通过将分析模块与多晶硅膜层信号连接从而处理并显示多晶硅膜层2中的电压信号，并对待测显示面板的多晶硅膜层2进行多处检测后进行多点比较，当多点检测结果相同或相差不大时，表明待测显示面板的多晶硅膜层2的均匀性良好。上述多晶硅膜层的均匀性检测装置可以对多晶硅膜层2内部不同点进行均匀性检测，从而达到对待测显示面板的多晶硅膜层2进行质量监控。
上述多晶硅膜层的均匀性检测装置应用的原理是光整流效应，虽然，所述待测面板包括多晶硅膜层、包含SiOx、SiNx的缓冲层3、玻璃基板4等多种介质，但在所述待测面板中仅多晶硅膜层具有光整流效应，因此，该检测不会被其他介质干扰且可以对多晶硅膜层内某一点进行检测。
具体地，如图1和图2所示，发射模块包括发射脉冲光的脉冲激光器9，脉冲激光器9与分析模块信号连接。
当发射模块包括脉冲激光器时，分析模块为示波器或锁相放大器。
在一种实施方式中，如图2所示，多晶硅膜层的均匀性检测装置的发射模块采用发射脉冲光的脉冲激光器9，由示波器5作为分析模块对多晶硅膜层2中的电压进行分析检测，在检测过程中，脉冲激光器9由待测显示面板的多晶硅膜层2一侧向多晶硅膜层2垂直发射脉冲光，示波器根据由多晶硅膜层中获取的电压显示出波形，通过示波器将多晶硅膜层中不同检测点的波形进行分析比对，以检测多晶硅膜层2的均匀性；另一种实施方式中，如图1所示，多晶硅膜层的均匀性检测装置的发射模块采用发射脉冲光的脉冲激光器9，由锁相放大器12作为分析模块对多晶硅膜层2中的电压进行分析检测，在检测过程中，脉冲激光器9由待测显示面板的多晶硅膜层2一侧向多晶硅膜层2垂直发射脉冲光，并将脉冲激光器9的脉冲频率输出到锁相放大器12中作为参考信号，锁相放大器12根据参考信号将由多晶硅膜层中获取的电压进行检波并显示出波形，通过锁相放大器12将多晶硅膜层中不同检测点的波形进行分析比对，以检测多晶硅膜层2的均匀性。
在检测过程中可以采用一个发射模块即采用一个脉冲激光器9对待测显示面板的多晶硅膜层2进行多次检测，从而在获得多个点的检测结果后进行比对，或者，在检测过程中可以采用多个发射模块即采用多个脉冲激光器9同时对待测显示面板的多晶硅膜层2进行多点检测，并对多个检测结果进行比对。
具体地，发射模块包括直流激光器10。具体地，如图3、图4和图5所示，发射模块包括发射线偏振光的直流激光器10；或者；发射模块包括发射非线偏振光的直流激光器10和用于将非线偏振光转换为线偏振光的偏光片。
当发射模块采用发射偏振光的直流激光器10时，可以选用发射非线偏振光的直流激光器10，此时，发射模块还包括设置于直流激光器10与多晶硅膜层2之间的偏光片，偏光片将直流激光器10发射的非线偏振光转换为线偏振光后再垂直射向待检测显示面板的多晶硅膜层2。
具体地，如图3、图4和图5所示，当发射模块包括直流激光器10时，分析模块为示波器；或者，分析模块包括锁相放大器和斩波器11，斩波器包括斩波扇111和与斩波扇信号连接的频率控制装置112，斩波扇111设置于所述直流激光器10的出光侧与所述多晶硅膜层2之间、频率控制装置112与锁相放大器12信号连接；或者，分析模块包括示波器5和斩波器11，斩波器11包括斩波扇111和与斩波扇111信号连接的频率控制装置112，斩波扇111设置于直流激光器10的出光侧与多晶硅膜层之间。
在一种实施方式中，如图5所示，多晶硅膜层的均匀性检测装置的发射模块采用发射线偏振光的直流激光器10、由示波器作为分析模块对多晶硅膜层2中的电压进行分析检测，在检测过程中，直流激光器10由待测显示面板的多晶硅膜层2一侧向多晶硅膜层2垂直发射检测光，示波器5根据由多晶硅膜层中获取的电压显示出波形，通过示波器5将多晶硅膜层中不同检测点的波形进行分析比对，以检测多晶硅膜层2的均匀性；另一种实施方式中，如图3所示，多晶硅膜层的均匀性检测装置的发射模块采用发射线偏振光的直流激光器10，由锁相放大器12和斩波器11作为分析模块对多晶硅膜层2中的电压进行分析检测，在检测过程中，直流激光器10由待测显示面板的多晶硅膜层2一侧向多晶硅膜层2垂直发射检测光，斩波器中的斩波扇将直流激光器发射的线偏振光处理为脉冲光后垂直发射到多晶硅膜层，并由斩波器中的频率控制装置将斩波频率输出到锁相放大器中作为参考信号，锁相放大器根据参考信号将由多晶硅膜层中获取的电压进行检波并显示出波形，通过锁相放大器将多晶硅膜层中不同检测点的波形进行分析比对，以检测多晶硅膜层2的均匀性；另一种实施方式中，如图4所示，多晶硅膜层的均匀性检测装置的发射模块采用发射线偏振光的直流激光器10，由示波器和斩波器作为分析模块对多晶硅膜层2中的电压进行分析检测，在检测过程中，直流激光器10由待测显示面板的多晶硅膜层2一侧向多晶硅膜层2垂直发射检测光，斩波器中的斩波扇将直流激光器发射的线偏振光处理为脉冲光后垂直发射到多晶硅膜层，示波器根据参考信号将由多晶硅膜层中获取的电压进行检波并显示出波形，通过锁相放大器将多晶硅膜层中不同检测点的波形进行分析比对，以检测多晶硅膜层2的均匀性。
在一种实施方式中，多晶硅膜层的均匀性检测装置的发射模块包括发射非线偏振光的直流激光器10和用于将非线偏振光转换为线偏振光的偏光片，由示波器作为分析模块对多晶硅膜层2中的电压进行分析检测，在检测过程中，直流激光器10由待测显示面板的多晶硅膜层2一侧向多晶硅膜层2垂直发射非线偏振光，并由偏光片将非线偏振光处理为线偏振光后垂直发射到多晶硅膜层，示波器根据由多晶硅膜层中获取的电压显示出波形，通过示波器将多晶硅膜层中不同检测点的波形进行分析比对，以检测多晶硅膜层2的均匀性；另一种实施方式中，多晶硅膜层的均匀性检测装置的发射模块包括发射非线偏振光的直流激光器10和用于将非线偏振光转换为线偏振光的偏光片，由锁相放大器和斩波器作为分析模块对多晶硅膜层2中的电压进行分析检测，在检测过程中，直流激光器10由待测显示面板的多晶硅膜层2一侧向多晶硅膜层2垂直发射非线偏振光，并由偏光片将非线偏振光处理为线偏振光，再由斩波器将线偏振光处理为脉冲光后垂直发射到多晶硅膜层，并由斩波器中的频率控制装置将斩波频率输出到锁相放大器中作为参考信号，锁相放大器根据参考信号将由多晶硅膜层中获取的电压进行检波并显示出波形，通过锁相放大器将多晶硅膜层中不同检测点的波形进行分析比对，以检测多晶硅膜层2的均匀性；在另一种实施方式中，多晶硅膜层的均匀性检测装置的发射模块包括发射非线偏振光的直流激光器10和用于将非线偏振光转换为线偏振光的偏光片，由示波器和斩波器作为分析模块对多晶硅膜层2中的电压进行分析检测，在检测过程中，直流激光器10由待测显示面板的多晶硅膜层2一侧向多晶硅膜层2垂直发射非线偏振光，并由偏光片将非线偏振光处理为线偏振光，再由斩波器将线偏振光处理为脉冲光后垂直发射到多晶硅膜层，示波器根据由多晶硅膜层中获取的电压显示出波形，通过示波器将多晶硅膜层中不同检测点的波形进行分析比对，以检测多晶硅膜层2的均匀性。
具体地，分析模块通过连接组件与多晶硅膜层2信号连接。
当发射模块包括脉冲激光器时，分析模块为示波器或锁相放大器，当分析模块为示波器时，如图2所示，示波器通过连接组件与多晶硅膜层2信号连接；当分析模块为锁相放大器时，如图1所示，锁相放大器通过连接组件与多晶硅膜层2信号连接，并通过导线与脉冲激光器信号连接。
当发射模块包括直流激光器时，分析模块为示波器；或者，分析模块包括锁相放大器和斩波器；或者，分析模块包括示波器和斩波器；当分析模块仅包括示波器时，如图5所示，示波器通过连接组件与多晶硅膜层2信号连接；当分析模块包括锁相放大器和斩波器时，如图3所示，锁相放大器通过连接组件与多晶硅膜层2信号连接，并通过导线8与斩波器中的频率控制装置信号连接；当分析模块包括示波器和斩波器时，如图4所示，示波器通过连接组件与多晶硅膜层2信号连接，斩波器通过导线仅与电源连接。
具体地，连接组件包括导线8和用于与多晶硅膜层连接的电极，电极包括位于多晶硅膜层一端的正相电极6和位于多晶硅膜层另一端的负相电极7。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (9)
1.一种多晶硅膜层的均匀性检测装置，用于检测待测显示面板上的多晶硅膜层的均匀性，其特征在于，包括：
用于自所述待测显示面板的多晶硅膜层一侧向所述待测显示面板发射垂直检测光的发射模块，所述多晶硅膜层在接收到所述发射模块发射的检测光后内部形成电场，其中，所述检测光为脉冲激光；
与所述多晶硅膜层信号连接以检测所述多晶硅膜层中电场的电压的分析模块。
2.根据权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述发射模块包括发射脉冲光的脉冲激光器，所述脉冲激光器与所述分析模块信号连接。
3.根据权利要求2所述的检测装置，其特征在于，所述分析模块为示波器或锁相放大器。
4.根据权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述发射模块包括直流激光器。
5.根据权利要求4所述的检测装置，其特征在于，所述发射模块包括发射线偏振光的直流激光器。
6.根据权利要求4所述的检测装置，其特征在于，所述发射模块包括发射非线偏振光的直流激光器和用于将所述非线偏振光转换为线偏振光的偏光片。
7.根据权利要求4所述的检测装置，其特征在于，所述分析模块为示波器；或者，所述分析模块包括锁相放大器和斩波器，所述斩波器包括斩波扇和与所述斩波扇信号连接的频率控制装置，所述斩波扇设置于所述直流激光器的出光侧与所述多晶硅膜层之间、所述频率控制装置与所述锁相放大器信号连接；或者，所述分析模块包括示波器和斩波器，所述斩波器包括斩波扇和与所述斩波扇信号连接的频率控制装置，所述斩波扇设置于所述直流激光器的出光侧与所述多晶硅膜层之间。
8.根据权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述分析模块通过连接组件与所述多晶硅膜层信号连接。
9.根据权利要求8所述的检测装置，其特征在于，所述连接组件包括导线和用于与所述多晶硅膜层连接的电极。
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