CN111431510B - 一种脉冲信号产生电路及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种脉冲信号产生电路及电子设备，其中，所述脉冲信号产生电路利用氮化镓基晶体管作为第一开关模块和第二开关模块，结合频率和脉宽可调的第一控制信号和第二控制信号实现所述脉冲信号产生电路的重复频率和脉宽的精确控制，并且由于所述氮化镓基晶体管的高速开关和更低的导通损耗的特点，使得所述脉冲信号产生电路的脉冲输出频率和脉宽精度得到大大的提高，确保脉冲信号产生电路最终可以实现的脉冲输出频率达到100MHz甚至更高，脉冲的宽度可以实现从1ns到宽脉冲的精确可调。

Description

一种脉冲信号产生电路及电子设备
技术领域
本申请涉及电路设计技术领域，更具体地说，涉及一种脉冲信号产生电路及电子设备。
背景技术
脉冲信号是一种离散信号，形状多种多样，与普通模拟信号(如正弦波)相比，波形之间在Y轴不连续(波形与波形之间有明显的间隔)但具有一定的周期性是它的特点。最常见的脉冲波是如图1所示的矩形波(也就是方波)。
脉冲信号产生电路(或称脉冲电源)是用于产生脉冲信号的电路，其主要的参数指标包括脉冲信号的脉冲输出频率和脉宽精度等。
随着光通讯技术，量子通讯技术，激光技术，紧密加工技术等快速发展，传统的脉冲电源技术，在脉冲输出频率以及脉宽精度等方面不能满足上述产业的发展需求，因此急需一种具有高脉冲输出频率和高脉宽精度特点的脉冲信号产生电路。
发明内容
为解决上述技术问题，本申请提供了一种脉冲信号产生电路及电子设备，以实现提高脉冲信号产生电路的脉冲输出频率和脉宽精度的目的。
为实现上述技术目的，本申请实施例提供了如下技术方案：
一种脉冲信号产生电路，包括：电源模块、第一开关模块和第二开关模块；其中，
所述电源模块用于提供第一预设电压，所述电源模块的正极与所述第一开关模块的输入端连接，所述电源模块的负极与所述第二开关模块的输入端连接；
所述第一开关模块的控制端用于接收第一控制信号，所述第一开关模块的输出端与所述第二开关模块的输出端连接，作为所述脉冲信号产生电路的输出端；
所述第二开关模块的控制端用于接收第二控制信号；
所述第一开关模块和第二开关模块均包括至少一个氮化镓基晶体管；
所述第一控制信号和所述第二控制信号均包括多个连续的第一周期，所述第一周期包括在时序上连续的第一时序段、第二时序段和第三时序段；
在所述第一时序段，所述第一控制信号用于控制所述第一开关模块导通，所述第二控制信号用于控制所述第二开关模块关断，以将所述脉冲信号产生电路的输出端电压拉升为所述第一预设电压；
在所述第二时序段，所述第一控制信号用于控制所述第一开关模块关断，所述第二控制信号用于控制所述第二开关模块导通，以将所述脉冲信号产生电路的输出端电压下拉为第二预设电压，所述第二预设电压小于所述第一预设电压；
在所述第三时序段，所述第一控制信号用于控制所述第一开关模块关断，所述第二控制信号用于控制所述第二开关模块关断，以将所述脉冲信号产生电路的输出端电压保持为所述第二预设电压。
可选的，所述第一开关模块包括：第一晶体管、第一电阻和第二电阻；其中，
所述第一晶体管的控制端与所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端均连接，所述第一电阻的另一端用于接收所述第一控制信号，所述第二电阻的另一端与所述第一晶体管的第二端连接；
所述第一晶体管的第一端与所述电源模块的正极连接，且所述第一晶体管为氮化镓基晶体管。
可选的，所述第一开关模块还包括：第一二极管和第一滤波单元；其中，
所述第一二极管的正极与所述第二电阻和所述第一晶体管的第二端均连接，所述第一二极管的负极与所述第二开关模块的输出端连接；
所述第一滤波单元与所述第一晶体管并联。
可选的，所述第二开关模块包括：第二晶体管、第三电阻和第四电阻；其中，
所述第二晶体管的控制端与所述第三电阻的一端和所述第四电阻的一端均连接，所述第三电阻的另一端用于接收所述第二控制信号，所述第四电阻的另一端与所述第二晶体管的第一端连接；
所述第二晶体管的第二端与所述电源模块的负极连接，且所述第二晶体管为氮化镓基晶体管。
可选的，所述第二开关模块还包括：第二二极管和第二滤波单元；其中，
所述第二二极管的负极与所述第二晶体管的第二端连接，所述第二晶体管的正极与所述第一开关模块的输出端连接；
所述第二滤波单元与所述第二晶体管并联。
可选的，所述氮化镓基晶体管为N型氮化镓基增强型场效应晶体管。
可选的，所述第一控制信号在所述第一时序段为高电平；
所述第一控制信号在所述第二时序段和第三时序段均为低电平。
可选的，所述第二控制信号在所述第一时序段和第三时序段均为低电平；
所述第二控制信号在所述第二时序段为高电平。
可选的，所述电源模块包括：
预设电源和与所述预设电源并联的第一电容。
一种电子设备，包括如上述任一项所述的脉冲信号产生电路。
从上述技术方案可以看出，本申请实施例提供了一种脉冲信号产生电路及电子设备，其中，所述脉冲信号产生电路利用氮化镓基晶体管作为第一开关模块和第二开关模块，结合频率和脉宽可调的第一控制信号和第二控制信号实现所述脉冲信号产生电路的重复频率和脉宽的精确控制，并且由于所述氮化镓基晶体管的高速开关和更低的导通损耗的特点，使得所述脉冲信号产生电路的脉冲输出频率和脉宽精度得到大大的提高，确保脉冲信号产生电路最终可以实现的脉冲输出频率达到100MHz甚至更高，脉冲的宽度可以实现从1ns到宽脉冲的精确可调。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为脉冲信号的示意图；
图2为本申请的一个实施例提供的一种脉冲信号产生电路的结构示意图；
图3为本申请的一个实施例提供的一种第一控制信号、第二控制信号和最终输出的脉冲信号的时序示意图；
图4为本申请的另一个实施例提供的一种脉冲信号产生电路的结构示意图；
图5为本申请的又一个实施例提供的一种脉冲信号产生电路的结构示意图；
图6为本申请的再一个实施例提供的一种脉冲信号产生电路的结构示意图；
图7为本申请的一个可选实施例提供的一种脉冲信号产生电路的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请实施例提供了一种脉冲信号产生电路，如图2所示，包括：电源模块100、第一开关模块200和第二开关模块300；其中，
所述电源模块100用于提供第一预设电压，所述电源模块100的正极与所述第一开关模块200的输入端连接，所述电源模块100的负极与所述第二开关模块300的输入端连接；
所述第一开关模块200的控制端用于接收第一控制信号，所述第一开关模块200的输出端与所述第二开关模块300的输出端连接，作为所述脉冲信号产生电路的输出端；
所述第二开关模块300的控制端用于接收第二控制信号；
所述第一开关模块200和第二开关模块300均包括至少一个氮化镓基晶体管；
所述第一控制信号和所述第二控制信号均包括多个连续的第一周期，所述第一周期包括在时序上连续的第一时序段、第二时序段和第三时序段；
在所述第一时序段，所述第一控制信号用于控制所述第一开关模块200导通，所述第二控制信号用于控制所述第二开关模块300关断，以将所述脉冲信号产生电路的输出端电压拉升为所述第一预设电压；
在所述第二时序段，所述第一控制信号用于控制所述第一开关模块200关断，所述第二控制信号用于控制所述第二开关模块300导通，以将所述脉冲信号产生电路的输出端电压下拉为第二预设电压，所述第二预设电压小于所述第一预设电压；
在所述第三时序段，所述第一控制信号用于控制所述第一开关模块200关断，所述第二控制信号用于控制所述第二开关模块300关断，以将所述脉冲信号产生电路的输出端电压保持为所述第二预设电压。
在本实施例中，在所述第一时序段时，所述第一控制信号和所述第二控制信号相互配合，使得第一开关模块200导通，第二开关模块300关断，将所述脉冲信号产生电路的输出端与电源模块100的正极之间的通路导通，将所述脉冲信号产生电路的输出端的电压上拉为所述第一预设电压，所述第一预设电压与所述电源模块100的输出电压相同。
在第一时序段中，所述第一时序段的持续时间与最终所需的脉冲信号的高电平持续时间正相关，通常情况下，由于所述脉冲信号产生电路的输出端的电压拉升过程需要一段时间，因此所述第一时序段的持续时间大于最终所需的脉冲信号的高电平持续时间。
在第二时序段中，所述第一控制信号控制所述第一开关模块200关断，所述脉冲信号产生电路的输出端的电压开始下降，同时所述第二控制信号控制所述第二开关模块300导通，使得所述脉冲信号产生电路的输出端与电源模块100的负极或者固定电位端直接导通，从而加速所述脉冲信号产生电路的输出端的电压的下降，产生最终所需的脉冲信号的下降沿。
最后在所述第三时序段中，所述第一控制信号和第二控制信号分别控制所述第一开关模块200和第二开关模块300关断，从而使得最终输出的信号保持为低电平状态，第三时序段的持续时间与最终所需的脉冲信号的低电平持续时间正相关。
图2中，Vout表示所述脉冲信号产生电路的输出端。
参考图3，图3示出了一种可行的第一控制信号、第二控制信号和最终输出的脉冲信号的时序关系示意图。
所述第一控制信号、第二控制信号和所述第三控制信号均可以由高速可编程器件产生，以实现更精确的控制。
图2中，T1表示第一时序段、T2表示第二时序段、T3表示第三时序段，INA表示第一控制信号，INB表示第二控制信号，Vout表示所述脉冲信号产生电路的输出端输出的脉冲信号，Tdelay表示第一控制信号和最终形成的脉冲信号的延迟。
在本实施例中，所述脉冲信号产生电路利用氮化镓基晶体管作为第一开关模块200和第二开关模块300，结合频率和脉宽可调的第一控制信号和第二控制信号实现所述脉冲信号产生电路的重复频率和脉宽的精确控制，并且由于所述氮化镓基晶体管的高速开关和更低的导通损耗的特点，使得所述脉冲信号产生电路的脉冲输出频率和脉宽精度得到大大的提高，确保脉冲信号产生电路最终可以实现的脉冲输出频率达到100MHz甚至更高，脉冲的宽度(通常来讲，脉冲的宽度是指脉冲的一个高电平的持续时间)可以实现从1ns到宽脉冲的精确可调。
下面对本申请实施例提供的脉冲信号产生电路的各个模块的具体可行结构进行说明。
在本申请的一个实施例中，参考图4，所述第一开关模块200包括：第一晶体管Q1、第一电阻R1和第二电阻R2；其中，
所述第一晶体管Q1的控制端与所述第一电阻R1的一端和所述第二电阻R2的一端均连接，所述第一电阻R1的另一端用于接收所述第一控制信号，所述第二电阻R2的另一端与所述第一晶体管Q1的第二端连接；
所述第一晶体管Q1的第一端与所述电源模块100的正极连接，且所述第一晶体管Q1为氮化镓基晶体管。
所述第二开关模块300包括：第二晶体管Q2、第三电阻R3和第四电阻R4；其中，
所述第二晶体管Q2的控制端与所述第三电阻R3的一端和所述第四电阻R4的一端均连接，所述第三电阻R3的另一端用于接收所述第二控制信号，所述第四电阻R4的另一端与所述第二晶体管Q2的第一端连接；
所述第二晶体管Q2的第二端与所述电源模块100的负极连接，且所述第二晶体管Q2为氮化镓基晶体管。
在图4中，所述第一电阻R1和第二电阻R2用于将所述第一晶体管Q1偏置在所需的工作状态，所述第三电阻R3和第四电阻R4用于将所述第二晶体管Q2偏置在所需的工作状态。
所述第一晶体管Q1和第二晶体管Q2均为氮化镓基晶体管，氮化镓基晶体管的高速开关和更低的导通损耗的特点，使得所述第一开关模块200和第二开关模块300的开关频率可以更高，有助于提高最终获得的脉冲信号的脉冲输出频率。
当所述第一晶体管Q1和第二晶体管Q2均为氮化镓基场效应晶体管时，所述第一晶体管Q1和第二晶体管Q2的控制端均指栅极，所述第一晶体管Q1和第二晶体管Q2的第一端和第二端分别指源极和漏极。
可选的，参考图5，所述第一开关模块200还包括：第一二极管和第一滤波单元；其中，
所述第一二极管的正极与所述第二电阻R2和所述第一晶体管Q1的第二端均连接，所述第一二极管的负极与所述第二开关模块300的输出端连接；
所述第一滤波单元与所述第一晶体管Q1并联。
所述第二开关模块300还包括：第二二极管和第二滤波单元；其中，
所述第二二极管的负极与所述第二晶体管Q2的第二端连接，所述第二晶体管Q2的正极与所述第一开关模块200的输出端连接；
所述第二滤波单元与所述第二晶体管Q2并联。
所述第一二极管和第二二极管用于防止电流反向和电压箝位，具体地，所述第一二极管用于避免电流从脉冲信号产生电路的输出端倒灌回第一开关模块200，所述第二二极管用于避免电流从第二开关模块300向脉冲信号产生电路的输出端倒灌。
所述第一滤波单元和第二滤波单元均用于滤除电源模块100或外界可能输入的杂散信号，提高第一开关模块200和第二开关模块300的工作稳定性。
可选的，参考图6，所述第一滤波单元包括：串接的第五电阻R5和第二电容C2；
所述第一滤波单元的一端接于所述第一晶体管Q1的第一端，另一端接于所述第一晶体管Q1的第二端。
所述第二滤波单元包括：串接的第六电阻R6和第三电容C3；
所述第二滤波单元的一端接于所述第二晶体管Q2的第一端，另一端接于所述第二晶体管Q2的第二端。
在本申请的另一个实施例中，提供了一种第一控制信号和第二控制信号的可行时序，仍然参考图3，当所述氮化镓基晶体管为N型氮化镓基增强型场效应晶体管，即所述第一晶体管Q1和第二晶体管Q2均为N型氮化镓基增强型场效应晶体管时，所述第一控制信号在所述第一时序段为高电平；
所述第一控制信号在所述第二时序段和第三时序段均为低电平。
所述第二控制信号在所述第一时序段和第三时序段均为低电平；
所述第二控制信号在所述第二时序段为高电平。
当然地，在本申请的其他实施例中，所述氮化镓基晶体管还可以为P型氮化镓基增强型场效应晶体管，即所述第一晶体管Q1和第二晶体管Q2均为P型氮化镓基增强型场效应晶体管，此时，所述第一控制信号在所述第一时序段为低电平；
所述第一控制信号在所述第二时序段和第三时序段均为高电平。
所述第二控制信号在所述第一时序段和第三时序段均为高电平；
所述第二控制信号在所述第二时序段为低电平。
本申请对所述氮化镓基晶体管的具体种类和所述第一控制信号以及第二控制信号的具体时序并不做限定，具体视实际情况而定。
另外，所述高电平是指相较于某一基准电位而言电位较高的电平，所述低电平是指相较于某一基准电位而言电位较低的电平，例如当基准电位为地电位时，所述高电平是指高于地电位某一电位值的正电平，所述低电平是指低于低电平某一电位值的负电平。
可选的，参考图7，所述电源模块100包括：
预设电源U1和与所述预设电源U1并联的第一电容C1。
所述预设电源U1为提供预设电压的高压电源，所述第一电容C1用于滤除所述预设电源U1中的交流部分，避免交流部分对第一开关模块200和第二开关模块300可能造成的不良影响。
另外，图4-7中还示出了一端与第一开关模块200的输出端、第二开关模块300的输出端均连接，另一端与电源模块100的负极连接的第七电阻R7。
相应的，本申请实施例还提供了一种电子设备，包括如上述任一项所述的脉冲信号产生电路。
综上所述，本申请实施例提供了一种脉冲信号产生电路及电子设备，其中，所述脉冲信号产生电路利用氮化镓基晶体管作为第一开关模块200和第二开关模块300，结合频率和脉宽可调的第一控制信号和第二控制信号实现所述脉冲信号产生电路的重复频率和脉宽的精确控制，并且由于所述氮化镓基晶体管的高速开关和更低的导通损耗的特点，使得所述脉冲信号产生电路的脉冲输出频率和脉宽精度得到大大的提高，确保脉冲信号产生电路最终可以实现的脉冲输出频率达到100MHz甚至更高，脉冲的宽度可以实现从1ns到宽脉冲的精确可调。
本说明书中各实施例中记载的特征可以相互替换或者组合，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种脉冲信号产生电路，其特征在于，包括：电源模块、第一开关模块和第二开关模块；其中，
所述电源模块用于提供第一预设电压，所述电源模块的正极与所述第一开关模块的输入端连接，所述电源模块的负极与所述第二开关模块的输入端连接；
所述第一开关模块的控制端用于接收第一控制信号，所述第一开关模块的输出端与所述第二开关模块的输出端连接，作为所述脉冲信号产生电路的输出端；
所述第二开关模块的控制端用于接收第二控制信号；
所述第一开关模块和第二开关模块均包括至少一个氮化镓基晶体管；
所述第一控制信号和所述第二控制信号均包括多个连续的第一周期，所述第一周期包括在时序上连续的第一时序段、第二时序段和第三时序段；
在所述第一时序段，所述第一控制信号用于控制所述第一开关模块导通，所述第二控制信号用于控制所述第二开关模块关断，以将所述脉冲信号产生电路的输出端电压拉升为所述第一预设电压；
在所述第二时序段，所述第一控制信号用于控制所述第一开关模块关断，所述第二控制信号用于控制所述第二开关模块导通，以将所述脉冲信号产生电路的输出端电压下拉为第二预设电压，所述第二预设电压小于所述第一预设电压；
在所述第三时序段，所述第一控制信号用于控制所述第一开关模块关断，所述第二控制信号用于控制所述第二开关模块关断，以将所述脉冲信号产生电路的输出端电压保持为所述第二预设电压。
2.根据权利要求1所述的脉冲信号产生电路，其特征在于，所述第一开关模块包括：第一晶体管、第一电阻和第二电阻；其中，
所述第一晶体管的控制端与所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端均连接，所述第一电阻的另一端用于接收所述第一控制信号，所述第二电阻的另一端与所述第一晶体管的第二端连接；
所述第一晶体管的第一端与所述电源模块的正极连接，且所述第一晶体管为氮化镓基晶体管。
3.根据权利要求2所述的脉冲信号产生电路，其特征在于，所述第一开关模块还包括：第一二极管和第一滤波单元；其中，
所述第一二极管的正极与所述第二电阻和所述第一晶体管的第二端均连接，所述第一二极管的负极与所述第二开关模块的输出端连接；
所述第一滤波单元与所述第一晶体管并联。
4.根据权利要求1所述的脉冲信号产生电路，其特征在于，所述第二开关模块包括：第二晶体管、第三电阻和第四电阻；其中，
所述第二晶体管的控制端与所述第三电阻的一端和所述第四电阻的一端均连接，所述第三电阻的另一端用于接收所述第二控制信号，所述第四电阻的另一端与所述第二晶体管的第一端连接；
所述第二晶体管的第二端与所述电源模块的负极连接，且所述第二晶体管为氮化镓基晶体管。
5.根据权利要求4所述的脉冲信号产生电路，其特征在于，所述第二开关模块还包括：第二二极管和第二滤波单元；其中，
所述第二二极管的负极与所述第二晶体管的第二端连接，所述第二晶体管的正极与所述第一开关模块的输出端连接；
所述第二滤波单元与所述第二晶体管并联。
6.根据权利要求1所述的脉冲信号产生电路，其特征在于，所述氮化镓基晶体管为N型氮化镓基增强型场效应晶体管。
7.根据权利要求6所述的脉冲信号产生电路，其特征在于，所述第一控制信号在所述第一时序段为高电平；
所述第一控制信号在所述第二时序段和第三时序段均为低电平。
8.根据权利要求6所述的脉冲信号产生电路，其特征在于，所述第二控制信号在所述第一时序段和第三时序段均为低电平；
所述第二控制信号在所述第二时序段为高电平。
9.根据权利要求1所述的脉冲信号产生电路，其特征在于，所述电源模块包括：
预设电源和与所述预设电源并联的第一电容。
10.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的脉冲信号产生电路。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN202444406U (zh) * 2012-02-23 2012-09-19 崔聪林 一种匹配电路和使用该匹配电路的大功率脉冲电源
CN104135253A (zh) * 2014-07-09 2014-11-05 中国科学院半导体研究所 一种窄脉宽高重复频率脉冲电流源的电路结构
CN107527594A (zh) * 2017-09-22 2017-12-29 昆山龙腾光电有限公司 一种脉冲信号调整电路及液晶显示屏的背光驱动电路
CN207070035U (zh) * 2017-06-09 2018-03-02 北京华通芯电科技有限公司 氮化镓高电子迁移率晶体管的漏极调制电路
CN208608971U (zh) * 2018-08-31 2019-03-15 成都天箭科技股份有限公司 一种氮化镓微波集成电路脉冲调制电路

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6197661B2 (ja) * 2014-01-21 2017-09-20 富士通株式会社 電源装置
JP6908849B2 (ja) * 2017-10-25 2021-07-28 富士通株式会社 同期整流回路及びスイッチング電源装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN202444406U (zh) * 2012-02-23 2012-09-19 崔聪林 一种匹配电路和使用该匹配电路的大功率脉冲电源
CN104135253A (zh) * 2014-07-09 2014-11-05 中国科学院半导体研究所 一种窄脉宽高重复频率脉冲电流源的电路结构
CN207070035U (zh) * 2017-06-09 2018-03-02 北京华通芯电科技有限公司 氮化镓高电子迁移率晶体管的漏极调制电路
CN107527594A (zh) * 2017-09-22 2017-12-29 昆山龙腾光电有限公司 一种脉冲信号调整电路及液晶显示屏的背光驱动电路
CN208608971U (zh) * 2018-08-31 2019-03-15 成都天箭科技股份有限公司 一种氮化镓微波集成电路脉冲调制电路

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
张恒浩 ; 付鹏 ; 梁伟 ; .一种用于微波系统的输入电压控制电路.微电子学.2017,(第03期),全文. *
王树奇 ; 吉才 ; 刘树林 ; .GaN组合开关电路及其驱动技术研究.西安科技大学学报.2016,(第06期),全文. *

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