CN111430432A - 柔性显示面板 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种柔性显示面板。该柔性显示面板包括:弯折区、以及位于弯折区两侧的平面显示区,所述柔性显示面板包括层叠设置的柔性衬底、阵列基板、发光功能层以及封装层,其中,在弯折区内,所述封装层在弯折方向上,形成有应力释放结构。在弯折时,通过在封装层的弯折方向设置应力释放结构,为柔性显示面板提供了应力释放空间,从而起到减小弯折时产生的应力,增加柔性显示面板弯折次数的效果。

Description

柔性显示面板
技术领域
本申请涉及显示领域,具体涉及一种显示模组及其显示装置。
背景技术
OLED等自发光器件具有自发光,视角广,寿命长,节能环保等特点,目前OLED显示器与照明行业发展迅速,已成为重要的显示设计。其中薄膜封装是一种优选的应用于类似OLED等自发光器件的封装方式。通过在OLED基板表面沉积各功能层薄膜达到阻隔水氧的目的,无须使用其他盖板,易于实现柔性显示。目前柔性显示面板使用薄膜封装作为主要封装手段。薄膜封装主要通过使用无机层与有机层的堆叠达到封装效果。但柔性显示面板在折叠时容易产生应力,从而破坏OLED发光器件的封装条件。
因此,现有技术存在柔性显示技术中,柔性显示面板弯折时,产生应力过大,破坏柔性面板封装的问题。
发明内容
本申请实施例提供一种柔性显示面板,可以有效缓解现有技术存在柔性显示面板弯折时,产生应力过大,破坏柔性面板封装的问题。
为解决以上问题,本申请提供的技术方案如下:
本申请提供一种柔性显示面板,包括弯折区、以及位于弯折区两侧的第一平面显示区和第二平面显示区,其特征在于,所述柔性显示面板包括:
柔性衬底;
阵列基板,形成在所述柔性衬底一侧;
发光功能层,形成在所述阵列基板远离所述柔性衬底一侧;
封装层,形成在发光功能层远离所述柔性衬底一侧;
其中,在弯折区内,所述封装层在弯折方向设置有应力释放结构,用于释放所述柔性显示面板弯折时产生的应力。
在一些实施例中,所述封装层包括层叠设置的第一无机层、有机层和第二无机层,所述第一有无机层和第二无机层上形设置有所述应力释放结构。
在一些实施例中,所述封装层包括层叠设置的第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层和第三无机层,所述第一无机层、第二无机层和第三无机层上设置有所述应力释放构件。
在一些实施例中,所述应力释放结构为凹槽结构。
在一些实施例中,所述凹槽结构的深度在100到200纳米之间。
在一些实施例中,所述应力释放结构为凸起结构。
在一些实施例中,所述凸起结构的高度在300纳米到2000纳米之间。
在一些实施例中,所述应力释放结构的排列方式为等距设置。
在一些实施例中,所述应力释放结构之间的距离为1到10微米。
在一些实施例中,所述无机层的材料为氮化钛、氮化铝、氮化硅、碳化硅、二氧化钛中的一种或几种。
本申请公开了一种柔性显示面板。该柔性显示面板包括:弯折区、以及位于弯折区两侧的平面显示区,所述柔性显示面板包括层叠设置的柔性衬底、阵列基板、发光功能层以及封装层,其中,在弯折区内,所述封装层在弯折方向上,形成有应力释放结构。在弯折时,通过在封装层的弯折方向设置应力释放结构,为柔性显示面板提供了应力释放空间,从而起到减小弯折时产生的应力,增加柔性显示面板弯折次数的效果。
附图说明
下面结合附图,通过对本申请的具体实施方式详细描述,将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请实施例提供的柔性面板的平面展开示意图。
图2为本申请实施例提供的柔性面板的折叠状态的示意图。
图3为本申请实施例提供的柔性显示面板沿A-A’方向的第一种剖面示意图。
图4为本申请实施例提供的柔性显示面板沿A-A’方向的第二种剖面示意图。
图5为本申请实施例提供的柔性显示面板制作的流程图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本申请。此外,本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
具体的,请参阅图1至图5,本申请实施例提供一种显示面板,包括弯折区、以及位于弯折区两侧的第一平面显示区和第二平面显示区,其特征在于,所述柔性显示面板包括:柔性衬底;阵列基板,形成在所述柔性衬底一侧;发光功能层,形成在所述阵列基板远离所述柔性衬底一侧;封装层,形成在发光功能层远离所述柔性衬底一侧;其中,在弯折区内,所述封装层在弯折方向设置有应力释放结构,用于释放所述柔性显示面板弯折时产生的应力。
图1为显示面板的平面结构示意图,如图1所示,显示面板包括弯折区A3以及位于弯折区两侧的第一平面显示区A1和第二平面显示区A2。在弯折区内,所述显示面板包括连接第一显示区的第一弯曲段B1、连接第二显示区的第二弯曲段B2以及位于第一弯曲段和第二弯曲段之间的第三弯曲段B3。图2为显示面板弯折时的侧面示意图,由于显示面板在弯折区A3弯折时,容易产生应力使得显示面板发生封装层发生断裂的问题。因此现有柔性显示面板需要继续改进。
图3为本申请实施例中的柔性显示面板在A-A’方向的一种解剖示意图。A-A’为所述柔性显示面板的弯折方向。所述柔性显示面板包括依次形成的柔性衬底100、阵列基板200、发光功能层300、封装层400,其中,在弯折区内,所述封装层再弯折方向设置有应力释放结构500,用于释放所述柔性显示面板弯折时产生的应力
柔性基底100的材质可以为聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚芳酯、聚碳酸酯、聚醚砜或聚醚酰亚胺。阵列基板200包括多个薄膜晶体管,如开关晶体管与驱动晶体管。所述薄膜晶体管包括源极和漏极。发光功能层300包括阴极、阳极、空穴传输层和发光功能层,所述驱动晶体管的漏极与阳极的像素电极相连,便于注入空穴。发光功能层的阴极由公共电极充当。阵列基板200和发光功能层的工作过程如下:开关晶体管的栅极与栅线电连接,开关晶体管的源极与数据线连接,当栅线的扫描信号有效时,开关晶体管打开并将数据线中的电信号提供给驱动晶体管,使得驱动晶体管开启,并将电源电压信号中的电信号提供给发光功能层300中的阳极;阳极与阴极之间形成电势差,阳极的空穴与阴极的电子在发光层中复合发光,从而实现显示功能。阵列基板200和发光功能层300也可以采用现有的阵列式像素发光单元,本发明对此并不加以限制。
在一些实施例中,封装层400封装层包括层叠设置的第一无机层410、有机层420和第二无机层430,所述第一有无机层410和第二无机层430上形设置有所述应力释放结构500。
如图4所示,在一些实施例中,所述应力释放结构500为凹槽结构,所述凹槽结构的深度在100到200纳米之间。
如图5所示,在一些实施例中,所述应力释放构件500为凸起结构,所述凸起结构的高度在300纳米到2000纳米之间。
在一些实施例中,所述凸起结构的高度不同,第三弯曲段B3的凸起部112大于第一弯曲段B1和第二弯曲段B2的凸起部112高度。第一弯曲段B1和第二弯曲段B2凸起部112的高度在50纳米到200纳米之间,第三弯曲段B3的凸起部112高度在200纳米到500纳米之间。
在一些实施例中,所述凸起结构500的横截面积为矩形、椭圆形、三角形中的一种或几种。
在一些实施例中,所述应力释放构件500在第一弯曲段B1、第二弯曲段B2和第三弯曲段B3的分布密度不同。所述第三弯曲段B3的凸起的分布密度大于所述第一弯曲段B1的凸起的分布密度和所述第二弯曲段B2的凸起的分布密度。B3段含有更多的凸起部112能够更好的释放应力。同时更高的凸起也能更好的释放应力,因此在一些实施例中第三弯曲段B3的凸起部112大于第一弯曲段B1和第二弯曲段B2的凸起部112高度。
在一些实施例中,所述应力释放构件包括凹槽结构和图起结构,所述凹槽结构和凸起结构相互掺杂,所述凸起结构与所述凹槽结构的个数比为5比1相对于平面结构,通过对无机层设置凹凸不平的起伏,能缓冲不同卷曲程度的OLED柔性显示面板产生的应力,同时为阵列基板200和发光功能层300提供了拉伸或压缩应变的容置空间,这样就不会引起各层之间的应力传递。
在一些实施例中,先形成柔性衬底100,然后对该柔性衬底进行刻蚀形成凸起部和凹陷部,然后在柔性衬底100上阵列基板,所述阵列基板包括薄膜晶体管包括:半导体有源层,其中半导体有源层中包括通过掺杂N型杂质离子或P型杂质离子而形成的源极区域和漏极区域,以及位于源极区域和漏极区域之间的不掺杂质的沟道区域;位于半导体有源层之上的栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源极和漏极,源极和漏极分别通过层间绝缘层和栅极绝缘层中的接触孔电连接半导体有源层中的源极区域和漏极区域。在所述阵列基板在所述柔性衬底上制备阵列基板,首先沉积一层金属薄膜,所述金属薄膜经刻蚀后形成有栅级线,然后通过等离子增强化学气相在栅极上沉积绝缘层,再在绝缘层上制备有源层形成沟道。在所述沟道上制备源极和漏极,源极和漏极制备完成后,在源漏极上沉积保护层,所述保护层上设置有通孔,用于源极和漏极与发光功能层中的阴极和阳极相连。发光功能层包括:充当阳极的像素电极、像素定义层、有机发光层和充当阴极的公共电极;其中,像素电极与漏极电连接。漏极与像素电极之间还具有钝化层。发光功能层的像素也可以采用现有的阵列式像素发光单元的制作方法,本发明对此并不加以限制。最后在发光功能层300上沉积封装层400,所述封装层400可以包括无机层、有机层、无机层的三层结构。两层无机层可以采用物理气相沉积、化学气相沉积法形成,中间有机层可以采用有机蒸镀法形成。
在一些实施例中,封装层包括层叠设置的第一无机层410、第一有机层420、第二无机层430、第二有机层440和第三无机层450,所述第一无机层410、第二无机层430和第三无机层450上设置有所述应力释放构件。
如图4所示,在一些实施例中,所述应力释放结构500为凹槽结构,所述凹槽结构的深度在100到200纳米之间。
如图5所示,在一些实施例中,所述应力释放构件500为凸起结构,所述凸起结构的高度在300纳米到2000纳米之间。
在一些实施例中,所述凸起部的高度不同,第三弯曲段B3的凸起部112大于第一弯曲段B1和第二弯曲段B2的凸起部112高度。第一弯曲段B1和第二弯曲段B2凸起部112的高度在50纳米到200纳米之间,第三弯曲段B3的凸起部112高度在200纳米到500纳米之间。
在一些实施例中,所述凸起结构500的横截面积为矩形、椭圆形、三角形中的一种或几种。
在一些实施例中,所述应力释放构件500在第一弯曲段B1、第二弯曲段B2和第三弯曲段B3的分布密度不同。所述第三弯曲段B3的凸起的分布密度大于所述第一弯曲段B1的凸起的分布密度和所述第二弯曲段B2的凸起的分布密度。B3段含有更多的凸起部112能够更好的释放应力。同时更高的凸起也能更好的释放应力,因此在一些实施例中第三弯曲段B3的凸起部112大于第一弯曲段B1和第二弯曲段B2的凸起部112高度。
相对于平面结构,通过对无机层设置凹凸不平的起伏,能缓冲不同卷曲程度的OLED柔性显示面板产生的应力,同时为阵列基板200和发光功能层300提供了拉伸或压缩应变的容置空间,这样就不会引起各层之间的应力传递。
在一些实施例中,先形成柔性衬底100,然后对该柔性衬底进行刻蚀形成凸起部和凹陷部,然后在柔性衬底100上阵列基板,所述阵列基板包括薄膜晶体管包括:半导体有源层,其中半导体有源层中包括通过掺杂N型杂质离子或P型杂质离子而形成的源极区域和漏极区域,以及位于源极区域和漏极区域之间的不掺杂质的沟道区域;位于半导体有源层之上的栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源极和漏极,源极和漏极分别通过层间绝缘层和栅极绝缘层中的接触孔电连接半导体有源层中的源极区域和漏极区域。在所述阵列基板在所述柔性衬底上制备阵列基板,首先沉积一层金属薄膜,所述金属薄膜经刻蚀后形成有栅级线,然后通过等离子增强化学气相在栅极上沉积绝缘层,再在绝缘层上制备有源层形成沟道。在所述沟道上制备源极和漏极,源极和漏极制备完成后,在源漏极上沉积保护层,所述保护层上设置有通孔,用于源极和漏极与发光功能层中的阴极和阳极相连。发光功能层包括:充当阳极的像素电极、像素定义层、有机发光层和充当阴极的公共电极;其中,像素电极与漏极电连接。漏极与像素电极之间还具有钝化层。发光功能层的像素也可以采用现有的阵列式像素发光单元的制作方法,本发明对此并不加以限制。最后在发光功能层300上沉积封装层400,所述封装层400可以包括无机层、有机层、无机层的三层结构。两层无机层可以采用物理气相沉积、化学气相沉积法形成,中间有机层可以采用有机蒸镀法形成。
图5为本申请实施例中的显示面板的制作流程图,制作柔性显示面板的流程如下:
步骤S1:提供柔性衬底,所述柔性衬底上形成有阵列基板。
步骤S2:在所述阵列基板上,制备发光功能层。
步骤S3:在发光功能层上沉积第一无机层,在弯折区内,所述无机层刻蚀形成应力释放结构。
步骤S4:在所述无机层上沉积有机层。
步骤S5:在所述有机层上沉积第二无机层。
在步骤S1中,提供一柔性衬底,所述柔性衬底材料为柔性基底100的材质可以为聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚芳酯、聚碳酸酯、聚醚砜或聚醚酰亚胺。
在步骤S2中,在制备好的阵列基板上沉积发光功能层,所述发光功能层采用化学气相法,发光功能层300包括充当阳极的像素电极、像素定义层、有机发光层和充当阴极的公共电极;其中,像素电极与漏极电连接。漏极与像素电极之间还具有钝化层。发光功能层300也可以采用现有的阵列式像素发光单元的制作方法,本发明对此并不限制。
在步骤S3中,在沉积好的发光功能层上沉积第一无机层。所述第一无机层可以采用物理气相沉积、化学气相沉积法形成。然后制备第一光罩,通过所述第一光罩对所述无机层进行刻蚀,在所述第一无机层上形成有应力释放构件,所述应力释放构件包括凸起结构和凹槽结构。
在步骤S4中,在第一无机层上沉积有机层,有机层可以采用有机蒸镀法形成,所述有机层再第一无机层上形成平坦化结构。
在步骤S5中,在无机层上沉积第二无机层,所述沉积第二无机层的步骤为重复步骤S3。
在一些实施例中,所述柔性显示面板的封装层包括层叠设置的第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层和第三无机层,所述第一无机层、第二无机层和第三无机层上设置有所述应力释放构件。所述第一无机层、第二无机层和第三无机层的制备方法重复步骤S3,所述沉积第一有机层和第二有机层的方法重复步骤S4。
本申请公开了一种柔性显示面板。该柔性显示面板包括:弯折区、以及位于弯折区两侧的平面显示区,所述柔性显示面板包括层叠设置的柔性衬底、阵列基板、发光功能层以及封装层,其中,在弯折区内,所述封装层在弯折方向上,形成有应力释放结构。在弯折时,通过在封装层的弯折方向设置应力释放结构,为柔性显示面板提供了应力释放空间,从而起到减小弯折时产生的应力,增加柔性显示面板弯折次数的效果。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种电子装置进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种柔性显示面板,包括弯折区、以及位于弯折区两侧的第一平面显示区和第二平面显示区,其特征在于,所述柔性显示面板包括:
柔性衬底;
阵列基板,形成在所述柔性衬底一侧;
发光功能层,形成在所述阵列基板远离所述柔性衬底一侧;
封装层,形成在发光功能层远离所述柔性衬底一侧;
其中,在弯折区内,所述封装层在弯折方向设置有应力释放结构,用于释放所述柔性显示面板弯折时产生的应力。
2.如权利要求1所述的柔性显示面板,其特征在于,所述封装层包括层叠设置的第一无机层、有机层和第二无机层,所述第一有无机层和第二无机层上形设置有所述应力释放结构。
3.如权利要求2所述的柔性显示面板,其特征在于,所述封装层包括层叠设置的第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层和第三无机层,所述第一无机层、第二无机层和第三无机层上设置有所述应力释放构件。
4.如权利要求2所述的柔性显示面板,其特征在于,所述应力释放结构为凹槽结构。
5.如权利要求4所述的柔性显示面板,其特征在于,所述凹槽结构的深度在100到200纳米之间。
6.如权利要求1所述的柔性显示面板,其特征在于,所述应力释放结构为凸起结构。
7.如权利要求6所述的柔性显示面板,其特征在于,所述凸起结构的高度在300纳米到2000纳米之间。
8.如权利要求1所述的柔性显示面板,其特征在于,所述应力释放结构的排列方式为等距设置。
9.如权利要求8所述的柔性显示面板,其特征在于,所述应力释放结构之间的距离为1到10微米。
10.如权利要求1所述的柔性显示面板,其特征在于,所述无机层的材料为氮化钛、氮化铝、氮化硅、碳化硅、二氧化钛中的一种或几种。
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