CN111429812B - 显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种包括电控相位延迟层、反射式偏光片、微型发光二极管面板以及反射层的显示装置。电控相位延迟层具有相对的第一侧与第二侧。反射式偏光片设置于电控相位延迟层的第一侧。微型发光二极管面板设置于电控相位延迟层的第二侧，且包括电路基板以及电性接合于电路基板的多个微型发光二极管元件。反射层设置于反射式偏光片与电路基板之间。反射层于电路基板上的垂直投影不重叠于这些微型发光二极管元件于电路基板上的垂直投影。

Description

显示装置

技术领域

本发明涉及一种显示技术，尤其涉及一种具有微型发光二极管元件的显示装置。

背景技术

近年来，在有机发光二极管(Organic light-emitting diode，OLED)显示面板的制造成本偏高及其使用寿命无法与现行的主流显示器相抗衡的情况下，微型发光二极管显示器(Micro LED Display)逐渐吸引各科技大厂的投资目光。微型发光二极管显示器具有与有机发光二极管显示技术相当的光学表现，例如高色彩饱和度、应答速度快及高对比度，且具有低耗能及材料使用寿命长的优势。

一般来说，微型发光二极管显示器的灰阶亮度与驱动电流(或电流密度)成正比。也即，在低灰阶显示时，其所需的驱动电流较高灰阶显示时的驱动电流小。然而，越小的驱动电流越不易控制，造成低灰阶亮度范围内的可控灰阶数较少。换句话说，受限于低驱动电流的可控性较差，微型发光二极管显示器在低灰阶亮度范围内的灰阶数提升有其困难度。

发明内容

本发明提供一种显示装置，其低灰阶亮度的可控性较佳。

本发明的显示装置，包括电控相位延迟层、反射式偏光片、微型发光二极管面板以及反射层。电控相位延迟层具有相对的第一侧与第二侧。反射式偏光片设置于电控相位延迟层的第一侧。微型发光二极管面板设置于电控相位延迟层的第二侧，且包括电路基板以及电性接合于电路基板的多个微型发光二极管元件。反射层设置于反射式偏光片与电路基板之间。反射层于电路基板上的垂直投影不重叠于这些微型发光二极管元件于电路基板上的垂直投影。

在本发明的实施例中，上述的显示装置的电控相位延迟层包括液晶层、第一导电层与第二导电层。第一导电层与第二导电层设置于液晶层的相对两侧。第一导电层位于液晶层与微型发光二极管面板之间。第二导电层位于反射式偏光片与液晶层之间。

在本发明的实施例中，上述的显示装置的第一导电层包括结构上彼此分离的多个导电图案，且这些导电图案分别重叠于多个微型发光二极管元件。

在本发明的实施例中，上述的显示装置的反射层设置于电路基板上，且具有多个第一开口。多个微型发光二极管元件分别设置于反射层的这些第一开口内。

在本发明的实施例中，上述的显示装置的微型发光二极管面板还包括设置在电路基板上的多个接合垫。多个微型发光二极管元件电性接合于这些接合垫，且反射层与这些接合垫为同一膜层。

在本发明的实施例中，上述的显示装置还包括吸光层，设置于电路基板上，且位于反射层与电控相位延迟层之间。吸光层具有多个第二开口，多个微型发光二极管元件分别设置于吸光层的这些第二开口内。

在本发明的实施例中，上述的显示装置的反射层设置于液晶层与微型发光二极管面板之间。反射层包括多个反射图案与多个第一开口。这些反射图案结构上彼此分离，且这些第一开口分别设置于这些反射图案。这些第一开口分别重叠于多个微型发光二极管元件。

在本发明的实施例中，上述的显示装置还包括设置于反射层与反射式偏光片之间的吸光层。吸光层于电路基板上的垂直投影位于多个微型发光二极管元件于电路基板上的垂直投影之间。

在本发明的实施例中，上述的显示装置的吸光层具有多个第二开口，且液晶层设置于吸光层的这些第二开口内。

在本发明的实施例中，上述的显示装置的每一个微型发光二极管元件的厚度介于5微米至10微米之间。

在本发明的实施例中，上述的显示装置的每一个微型发光二极管元件适于发出光束。光束的一部分在通过反射式偏光片后具有第一圆偏振，光束的另一部分在经由反射式偏光片的反射后具有第二圆偏振。第一圆偏振正交于第二圆偏振。

基于上述，在本发明的一实施例的显示装置中，反射层设置在多个微型发光二极管元件之间，且反射式偏光片设置在这些微型发光二极管元件与反射层的同一侧。通过在反射式偏光片与反射层之间设置电控相位延迟层，可避免微型发光二极管面板于低灰阶显示时的驱动电流值过小，有助于提升其低灰阶亮度的可控性。换句话说，本实施例的显示装置在低灰阶亮度范围内可具有较多的灰阶数，以实现更为细腻的灰阶表现。

附图说明

图1是本发明的第一实施例的显示装置的示意图；

图2A及图2B是图1的显示装置操作在不同显示模式下的剖视示意图；

图3A及图3B是本发明的第二实施例的显示装置操作在不同显示模式下的剖视示意图；

图4是本发明的第三实施例的显示装置的俯视示意图；

图5A及图5B是图4的显示装置操作在不同显示模式下的剖视示意图；

图6是本发明的第四实施例的显示装置操作在低亮度显示模式下的剖视示意图。

附图标记说明

10、11、12、13：显示装置；

100、100A、100B：微型发光二极管面板；

100e：出光侧；

110：电路基板；

110s、201s、202s：表面；

115、115A：接合垫；

120、120A、120A-1、120A-2：微型发光二极管元件；

121：第一电极；

122：第二电极；

123：第一型半导体层；

124：发光层；

125：第二型半导体层；

130、240：反射层；

130a、245a：第一开口；

140：平坦层；

150、150A：封装层；

200、200A、200B：电控相位延迟层；

200s1：第一侧；

200s2：第二侧；

201、202：基板；

210、210A：第一导电层；

215：导电图案；

220：第二导电层；

230：液晶层；

245：反射图案；

250、250B：吸光层；

250a、250Ba：第二开口；

300：反射式偏光片；

ES、ES1、ES2：磊晶结构；

LB、LBa、LBb、LB1、LB1a、LB1b、LB2、LB2a、LB2b：光束；

LC：液晶分子；

P1：第一圆偏振；

P2：第二圆偏振；

P3、P4：椭圆偏振。

具体实施方式

在附图中，为了清楚起见，放大了层、膜、面板、区域等的厚度。应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”或“连接到”另一元件时，其可以直接在另一元件上或与另一元件连接，或者中间元件可以也存在。相反，当元件被称为“直接在另一元件上”或“直接连接到”另一元件时，不存在中间元件。如本文所使用的，“连接”可以指物理和/或电性连接。再者，“电性连接”可为二元件间存在其它元件。

现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。

图1是本发明的第一实施例的显示装置的示意图。图2A及图2B是图1的显示装置操作在不同显示模式下的剖视示意图。请参照图1、图2A及图2B，显示装置10包括微型发光二极管面板100、反射层130、电控相位延迟层200与反射式偏光片300。电控相位延迟层200具有相对的第一侧200s1与第二侧200s2，观看者是位于第一侧200s1的方向。反射式偏光片300与微型发光二极管面板100分别设置于电控相位延迟层200的第一侧200s1与第二侧200s2。也就是说，电控相位延迟层200是设置在微型发光二极管面板100与反射式偏光片300之间，且第一侧200s1是显示面。

微型发光二极管面板100包括电路基板110与多个微型发光二极管元件120。这些微型发光二极管元件120设置于电路基板110的表面110s上，且分别电性接合于电路基板110。更具体地说，电路基板110包括设置于表面110s上的多个接合垫115，且这些微型发光二极管元件120分别与这些接合垫115电性接合。也就是说，微型发光二极管元件120是通过接合垫115而电性连接于电路基板110。在本实施例中，反射层130是设置在微型发光二极管面板100的电路基板110的表面110s上。反射层130具有多个第一开口130a，且这些微型发光二极管元件120分别设置于这些第一开口130a内。

值得注意的是，在本实施例中，反射层130与接合垫115可选择性地属于同一膜层。也即，反射层130与接合垫115的材质可相同，但本发明不以此为限。在其他实施例中，反射层与接合垫也可属于不同的膜层、不同材质。另一方面，电路基板110还可包括晶体管元件、电容、扫描线、数据线以及电源线等，且接合垫115例如是数据线的一部分或连接数据线的导电图案。也就是说，电路基板110可包括主动式的驱动电路层，但本发明不以此为限。根据其他实施例，电路基板110也可不包含晶体管元件。也即，电路基板110也可包括被动式的驱动电路层。

举例而言，微型发光二极管元件120包括磊晶结构ES、第一电极121与第二电极122。在本实施例中，第一电极121与第二电极122可分别设置在磊晶结构ES的相对两侧，且电性连接磊晶结构ES；也就是说，本实施例的微型发光二极管元件120可以是垂直式(vertical type)发光二极管。然而，本发明不限于此，根据其他实施例，发光二极管元件也可根据实际的设计需求而调整为覆晶式(flip-chip type)或水平式(lateral type)发光二极管，且此类发光二极管元件还可选择性地包括绝缘层，而位于磊晶结构的同一侧的第一电极与第二电极贯穿绝缘层以电性连接磊晶结构。

更具体地说，本实施例的微型发光二极管元件120在电路基板110的表面110s上的垂直投影具有一长度，且此长度介于3微米至60微米之间。举例来说，垂直式微型发光二极管元件的长度可介于3微米至15微米，覆晶式或水平式微型发光二极管元件的长度可介于10微米至60微米之间。另一方面，微型发光二极管元件120在电路基板110的表面110s的法线方向上具有一厚度，且此厚度介于5微米至10微米之间。

进一步而言，多个微型发光二极管元件120可定义出微型发光二极管面板100(或显示装置10)的多个像素。在本实施例中，每一个微型发光二极管元件120可定义为微型发光二极管面板100的一个像素，但本发明不以此为限。在其他实施例中，微型发光二极管面板的每一个像素所包含的微型发光二极管元件120数量也可以是两个以上。举例来说，在一实施例中，每一个像素包含三个微型发光二极管(micro light-emitting diode，MicroLED)，分别为红色微型发光二极管、蓝色微型发光二极管以及绿色微型发光二极管。

磊晶结构ES可包含第一型半导体层123、发光层124与第二型半导体层125。第一型半导体层123与第二型半导体层125分别位于发光层124的相对两侧，且分别电性连接第一电极121与第二电极122。在本实施例中，第一型半导体层123例如是P型半导体，第二型半导体层125例如是N型半导体，而发光层124可以是多重量子井(Multiple Quantum Well，MWQ)层，但不以此为限。

当微型发光二极管面板100被致能时，第一电极121可具有一高电位，而第二电极122可具有一接地电位(Ground)或低电位。通过第一电极121与第二电极122之间的电位差所产生的电流，致能对应的磊晶结构ES并发出(可见)光束，例如：光束LB。更具体地说，微型发光二极管面板100可通过电路基板110的主动元件进行控制，例如：让多个第一电极121分别具有不同的高电位，致使这些磊晶结构ES因各自的驱动电流不同而发出不同强度的光束LB，进而形成图像画面而被人眼所视觉。

在本实施例中，微型发光二极管面板100还可包括覆盖磊晶结构ES的平坦层140，且多个微型发光二极管元件120的多个第二电极122在平坦层140上延伸而彼此连接并形成一透光的共通电极(common electrode)，但本发明不以此为限。平坦层140的材质包括无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、旋涂玻璃(spin on glass，SOG)、其它合适的材料、或上述至少两种材料的堆栈层)、有机材料、或其它合适的材料、或上述的组合。在本实施例中，微型发光二极管面板100还可选择性地包括封装层150，覆盖微型发光二极管元件120的第二电极122。封装层150的材料可包括氮化硅、氧化铝、氮碳化铝、氮氧化硅、压克力树脂、六甲基二硅氧烷(hexamethyldisiloxane，HMDSO)或玻璃。

在此先说明的是，设置在微型发光二极管面板100的出光侧100e的电控相位延迟层200适于降低来自微型发光二极管元件120的光束LB强度。举例来说，当显示装置10欲操作在低灰阶显示时，电控相位延迟层200被致能以降低来自微型发光二极管元件120的光束LB强度并产生对应所述低灰阶的亮度。此时，微型发光二极管元件120的驱动电流无须对应地下降。因此，可避免微型发光二极管面板100于低灰阶显示时的驱动电流值过小，有助于提升显示装置10的低灰阶亮度的可控性。换句话说，本实施例的显示装置10在低灰阶亮度范围内可具有较多的灰阶数，以实现更为细腻的灰阶表现。

在本实施例中，电控相位延迟层200包括第一导电层210、第二导电层220以及设置于这两导电层之间的液晶层230，但不以此为限。第一导电层210设置于液晶层230与微型发光二极管面板100之间。第二导电层220设置于液晶层230与反射式偏光片300之间。液晶层230例如包括多个液晶分子LC，且第一导电层210与第二导电层220之间所形成的电场可驱使这些液晶分子LC转动，以形成对应此电场大小的光轴轴向的排列分布。应可理解的是，显示装置10还可包括基板201与基板202。第一导电层210与第二导电层220分别设置于基板201与基板202上，且反射式偏光片300可贴合于基板202远离液晶层230的表面202s上，但不以此为限。在本实施例中，第一导电层210与第二导电层220为光穿透式电极，光穿透式电极的材质包括金属氧化物，例如：铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、或其它合适的氧化物、或者是上述至少两者的堆栈层，但本发明不以此为限。

反射式偏光片300例如是线栅偏光片(wire grid polarizer，WGP)与两层四分之一波长相位延迟膜的堆栈结构，其中这两个四分之一波长相位延迟膜分别设置在线栅偏光片的相对两侧。然而，本发明不限于此，根据其他实施例，反射式偏光片300的四分之一波长相位延迟膜的数量也可以是一层，且设置在线栅偏光片与电控相位延迟层200之间。举例来说，在本实施例中，来自微型发光二极管元件120的光束LB的一部分在通过反射式偏光片300后形成具有第一圆偏振P1的光束LBa，光束LB的另一部分在经由反射式偏光片300的反射后形成具有第二圆偏振P2的光束LBb，且第一圆偏振P1正交于第二圆偏振P2，但不以此为限。

请参照图2A，当显示装置10操作在高亮度显示模式时(例如图像画面较明亮时)，电控相位延迟层200不被致能(也即，第一导电层210与第二导电层220之间并未产生电场)。此时，具有第二圆偏振P2的光束LBb在通过电控相位延迟层200后，其第二圆偏振P2转变成第一圆偏振P1。也就是说，此时的电控相位延迟层200具有二分之一波长的相位延迟量。值得注意的是，来自电控相位延迟层200的光束LBb在经由反射层130的反射后形成具有第二圆偏振P2的光束LBb。经反射层130反射后的光束LBb在通过电控相位延迟层200后，其偏振态由第二圆偏振P2转变成第一圆偏振P1，且此具有第一圆偏振P1的光束LBb可通过反射式偏光片300。也就是说，来自微型发光二极管元件120的光束LB在通过未被致能的电控相位延迟层200与反射式偏光片300后，其光强度大致上维持不变。

另一方面，当显示装置10操作在低亮度显示模式时(例如图像画面较昏暗时)，电控相位延迟层200被致能，如图2B所示。此时，具有第二圆偏振P2的光束LBb在通过电控相位延迟层200后，其第二圆偏振P2转变成椭圆偏振P3。也就是说，此时的电控相位延迟层200可具有小于四分之一波长(或者是，大于四分之一波长且小于二分之一波长)的相位延迟量，但不以此为限。值得注意的是，来自电控相位延迟层200的光束LBb在经由反射层130的反射后形成具有椭圆偏振P4的光束LBb。经反射层130反射后的光束LBb在通过电控相位延迟层200后，其偏振态由椭圆偏振P4转变成第二圆偏振P2，且此具有第二圆偏振P2的光束LBb再一次地被反射式偏光片300反射。也就是说，来自微型发光二极管元件120的光束LB在通过被致能的电控相位延迟层200与反射式偏光片300后，其光束LB的光强度会减弱。

从另一观点来说，通过电控相位延迟层200的设置，当显示装置10从高亮度显示模式切换至低亮度显示模式时，微型发光二极管面板100的驱动电流无须调降太多即可达到所需灰阶的亮度值。由于低灰阶显示时的微型发光二极管元件120的驱动电流大小仍维持在可稳定控制的范围内，显示装置10在低灰阶亮度范围内可具有较多的灰阶数，有助于实现更为细腻的灰阶表现。

进一步而言，微型发光二极管面板100与电控相位延迟层200之间还可选择性地设有黏着层(未示出)，以连接微型发光二极管面板100与电控相位延迟层200。黏着层可以是感压胶(Pressure Sensitive Adhesive，PSA)、光学透明胶(Optically Clear Adhesive，OCA)、感光型的水胶(UV胶)、或光学透明树脂(Optical Clear Resin，OCR)。在本实施例中，黏着层可整面性地重叠于微型发光二极管面板100与电控相位延迟层200。也即，微型发光二极管面板100与电控相位延迟层200可以全平面贴合(direct bond)的方式结合。需说明的是，本发明并不加以限制微型发光二极管面板100与电控相位延迟层200之间的接合方式。举例来说，电控相位延迟层200也可通过其他适合的构件，例如框架集件，来实现与微型发光二极管面板100的连接关系。

以下将列举另一些实施例以详细说明本揭示，其中相同的构件将标示相同的符号，并且省略相同技术内容的说明，省略部分请参考前述实施例，以下不再赘述。

图3A及图3B是本发明的第二实施例的显示装置操作在不同显示模式下的剖视示意图。请参照图3A及图3B，本实施例的显示装置11与图2A的显示装置10的差异在于：电控相位延迟层的第一导电层的配置不同。在本实施例中，显示装置11的电控相位延迟层200A的第一导电层210A包括结构上彼此分离的多个导电图案215，且这些导电图案215分别重叠于微型发光二极管面板100的多个微型发光二极管元件120。

更具体地说，本实施例的电控相位延迟层200A的这些导电图案215可定义出电控相位延迟层200A的多个调变区，且这些调变区于电路基板110的表面110s的法线方向上分别重叠于微型发光二极管面板100的多个微型发光二极管元件120。也就是说，本实施例的电控相位延迟层200A可个别地调整来自微型发光二极管面板100的多个像素(即多个微型发光二极管元件120)的光束(例如光束LB1与光束LB2)在通过反射式偏光片300后的光强度。

请参照图3A，举例来说，来自磊晶结构ES1的光束LB1的一部分在通过反射式偏光片300后形成具有第一圆偏振P1的光束LB1a，光束LB1的另一部分在经由反射式偏光片300的反射后形成具有第二圆偏振P2的光束LB1b。相似地，来自磊晶结构ES2的光束LB2的一部分在通过反射式偏光片300后形成具有第一圆偏振P1的光束LB2a，光束LB2的另一部分在经由反射式偏光片300的反射后形成具有第二圆偏振P2的光束LB2b。

当显示装置11操作在高亮度显示模式时(例如图像画面较明亮时)，电控相位延迟层200A不被致能(也即，第一导电层210A与第二导电层220之间并未产生电场)。此时，具有第二圆偏振P2的光束LB1b(或光束LB2b)在通过电控相位延迟层200后，其第二圆偏振P2转变成第一圆偏振P1。也就是说，此时的电控相位延迟层200具有二分之一波长的相位延迟量。值得注意的是，来自电控相位延迟层200的光束LB1b(或光束LB2b)在经由反射层130的反射后形成具有第二圆偏振P2的光束LB1b(或光束LB2b)。经反射层130反射后的光束LB1b(或光束LB2b)在通过电控相位延迟层200后，其偏振态由第二圆偏振P2转变成第一圆偏振P1，且此具有第一圆偏振P1的光束LB1b(或光束LB2b)可通过反射式偏光片300。也就是说，来自磊晶结构ES1与磊晶结构ES2的光束LB1与光束LB2在通过未被致能的电控相位延迟层200与反射式偏光片300后，其光强度大致上维持不变。

另一方面，当显示装置11的部分像素(例如具有磊晶结构ES2的微型发光二极管元件120)操作在低亮度显示模式时，电控相位延迟层200A对应于这些像素的部分(即部分调变区)被致能，如图3B所示。此时，具有第二圆偏振P2的光束LB2b在通过电控相位延迟层200A后，其第二圆偏振P2转变成椭圆偏振P3。举例来说，此时的电控相位延迟层200A被致能的部分可具有小于四分之一波长(或者是，大于四分之一波长且小于二分之一波长)的相位延迟量，但不以此为限。值得注意的是，来自电控相位延迟层200A的光束LB2b在经由反射层130的反射后形成具有椭圆偏振P4的光束LB2b。经反射层130反射后的光束LB2b在通过电控相位延迟层200A后，其偏振态由椭圆偏振P4转变成第二圆偏振P2，且此具有第二圆偏振P2的光束LB2b再一次地被反射式偏光片300反射。

也就是说，来自磊晶结构ES2的光束LB2在通过被致能的电控相位延迟层200A与反射式偏光片300后，其光强度会减弱。据此，可避免微型发光二极管元件120(例如包含磊晶结构ES2的微型发光二极管元件120)于低灰阶显示时的驱动电流值过小，有助于提升显示装置11的低灰阶亮度的可控性。换句话说，本实施例的显示装置11在低灰阶亮度范围内可具有较多的灰阶数，以实现更为细腻的灰阶表现。

需说明的是，本实施例的电控相位延迟层200A的调变区与微型发光二极管面板100的微型发光二极管元件120的对应关系为一对一，但本发明不以此为限。在其他实施例中，电控相位延迟层的调变区与微型发光二极管面板100的微型发光二极管元件120的对应关系也可以是一对多。也即，电控相位延迟层的调变区与微型发光二极管面板100的至少两个以上的微型发光二极管元件120重叠。

图4是本发明的第三实施例的显示装置的俯视示意图。图5A及图5B是图4的显示装置操作在不同显示模式下的剖视示意图。特别说明的是，为清楚呈现起见，图4仅示出出图5A的电路基板110、磊晶结构ES、反射层240以及吸光层250。

请参照图4、图5A及图5B，本实施例的显示装置12与图3A的显示装置11的差异在于：显示装置的组成以及反射层的配置方式不同。具体而言，显示装置12的反射层240设置在液晶层230与微型发光二极管面板100A之间。反射层240包括多个反射图案245以及多个第一开口245a。这些第一开口245a分别设置于这些反射图案245，且在电路基板110的表面110s的法线方向上分别重叠于微型发光二极管面板100A的多个微型发光二极管元件120。

更具体地说，反射层240于电路基板110上的垂直投影不重叠于这些微型发光二极管元件120于电路基板110上的垂直投影，且反射图案245于电路基板110上的垂直投影可围绕微型发光二极管元件120于电路基板110上的垂直投影，但本发明不以此为限。值得注意的是，本实施例的反射层240的多个反射图案245还可用以取代图2A所示的第一导电层210。也就是说，反射层240是设置于基板201的表面201s上。在本实施例中，反射层240例如是反射式电极，反射式电极的材质包括金属、合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或其他合适的材料、或是金属材料与其他导电材料的堆栈层。

请参照图5A，举例来说，来自微型发光二极管元件120的光束LB的一部分在通过反射式偏光片300后形成具有第一圆偏振P1的光束LBa，光束LB的另一部分在经由反射式偏光片300的反射后形成具有第二圆偏振P2的光束LBb。当显示装置12操作在高亮度显示模式时(例如图像画面较明亮时)，电控相位延迟层200B不被致能(也即，反射层240与第二导电层220之间并未产生电场)。此时，具有第二圆偏振P2的光束LBb在通过电控相位延迟层200B两次以及经由反射图案245的反射后，转变成具有第一圆偏振P1的光束LBb，且此光束LBb可通过反射式偏光片300。也就是说，来自微型发光二极管元件120的光束LB在通过未被致能的电控相位延迟层200B与反射式偏光片300后，其光强度大致上维持不变。

另一方面，当显示装置12的部分像素操作在低亮度显示模式时，电控相位延迟层200B对应于这些像素的部分(即部分调变区)被致能，如图5B所示。此时，具有第二圆偏振P2的光束LBb在通过电控相位延迟层200B两次以及经由反射图案245的反射后，转变成具有第二圆偏振P2的光束LBb，且此光束LBb再一次地被反射式偏光片300反射。举例来说，此时的电控相位延迟层200B被致能的部分可具有小于四分之一波长(或者是，大于四分之一波长且小于二分之一波长)的相位延迟量，但不以此为限。

更具体地说，来自微型发光二极管元件120的光束LB在通过被致能的电控相位延迟层200B与反射式偏光片300后，其光强度会减弱。据此，可避免微型发光二极管元件120于低灰阶显示时的驱动电流值过小，有助于提升显示装置12的低灰阶亮度的可控性。换句话说，本实施例的显示装置12在低灰阶亮度范围内可具有较多的灰阶数，以实现更为细腻的灰阶表现。

进一步而言，显示装置12还可包括吸光层250，设置于反射层240与反射式偏光片300之间。吸光层250于电路基板110上的垂直投影位于多个微型发光二极管元件120于电路基板110上的垂直投影之间。吸光层250具有多个第二开口250a，且电控相位延迟层200B的液晶层230设置于吸光层250的这些第二开口250a内。更具体地说，吸光层250于电路基板110上的垂直投影呈网格状(如图4所示)，但本发明不以此为限。

请参照图5B，通过吸光层250的设置，可避免经反射式偏光片300反射的光束LBb在通过电控相位延迟层200B被致能的部分后横向传递至电控相位延迟层200B不被致能的部分而形成具有第一圆偏振P1的光束LBb并通过反射式偏光片300。换句话说，吸光层250用以吸收经反射式偏光片300反射并通过电控相位延迟层200B被致能的部分的光束LBb。据此，可进一步提升显示装置12于低灰阶显示时的对比度。

图6是本发明的第四实施例的显示装置操作在低亮度显示模式下的剖视示意图。请参照图6，本实施例的显示装置13与图3B的显示装置11的差异在于：显示装置的组成以及微型发光二极管元件的种类不同。具体而言，显示装置13的微型发光二极管面板100B的微型发光二极管元件120A例如是覆晶式发光二极管，且电路基板110上用以电性接合微型发光二极管元件120A的接合垫115A数量为两个。举例来说，微型发光二极管元件120A的第一电极(未示出)与第二电极(未示出)分别电性接合于两个接合垫115A。

另一方面，显示装置13还可包括吸光层250B，设置于电路基板110上，且位于反射层130与电控相位延迟层200A之间。在本实施例中，吸光层250B可具有多个第二开口250Ba，多个微型发光二极管元件120A分别设置于吸光层250B的这些第二开口250Ba内，且封装层150A填入这些第二开口250Ba内以覆盖这些微型发光二极管元件120A。举例来说，吸光层250B于电路基板110上的垂直投影可呈现网格状(如图4的吸光层250所示)，但本发明不以此为限。

通过吸光层250B的设置，可避免经反射式偏光片300反射的光束LB2b在通过电控相位延迟层200A被致能的部分(例如电控相位延迟层200A与微型发光二极管元件120A-2重叠的部分)后横向传递至电控相位延迟层200A不被致能的部分(例如电控相位延迟层200A与微型发光二极管元件120A-1重叠的部分)而形成具有第一圆偏振P1的光束LB2b并通过反射式偏光片300。换句话说，吸光层250B适于吸收经反射式偏光片300反射并通过电控相位延迟层200A被致能的部分的光束LB2b。据此，可进一步提升显示装置13于低灰阶显示时的对比度。

综上所述，在本发明的一实施例的显示装置中，反射层设置在多个微型发光二极管元件之间，且反射式偏光片设置在这些微型发光二极管元件与反射层的同一侧。通过在反射式偏光片与反射层之间设置电控相位延迟层，可避免微型发光二极管面板于低灰阶显示时的驱动电流值过小，有助于提升其低灰阶亮度的可控性。换句话说，本实施例的显示装置在低灰阶亮度范围内可具有较多的灰阶数，以实现更为细腻的灰阶表现。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (9)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：

电控相位延迟层，具有相对的第一侧与第二侧，且包括：

液晶层；以及

第一导电层与第二导电层，设置于所述液晶层的相对两侧；

反射式偏光片，设置于所述电控相位延迟层的所述第一侧；

微型发光二极管面板，设置于所述电控相位延迟层的所述第二侧，且包括：

电路基板；以及

多个微型发光二极管元件，电性接合于所述电路基板，所述第一导电层位于所述液晶层与所述微型发光二极管面板之间，所述第二导电层位于所述反射式偏光片与所述液晶层之间；以及

反射层，设置于所述反射式偏光片与所述电路基板之间，所述反射层于所述电路基板上的垂直投影不重叠于所述多个微型发光二极管元件于所述电路基板上的垂直投影，所述第一导电层包括结构上彼此分离的多个导电图案，且所述多个导电图案分别重叠于所述多个微型发光二极管元件。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述反射层设置于所述电路基板上，且具有多个第一开口，所述多个微型发光二极管元件分别设置于所述反射层的所述多个第一开口内。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述微型发光二极管面板还包括设置在所述电路基板上的多个接合垫，所述多个微型发光二极管元件电性接合于所述多个接合垫，且所述反射层与所述多个接合垫为同一膜层。

4.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，还包括：

吸光层，设置于所述电路基板上，且位于所述反射层与所述电控相位延迟层之间，所述吸光层具有多个第二开口，所述多个微型发光二极管元件分别设置于所述吸光层的所述多个第二开口内。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述反射层设置于所述液晶层与所述微型发光二极管面板之间，所述反射层包括：

多个反射图案，结构上彼此分离；以及

多个第一开口，分别设置于所述多个反射图案，所述多个第一开口分别重叠于所述多个微型发光二极管元件。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，还包括：

吸光层，设置于所述反射层与所述反射式偏光片之间，所述吸光层于所述电路基板上的垂直投影位于所述多个微型发光二极管元件于所述电路基板上的垂直投影之间。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述吸光层具有多个第二开口，且所述液晶层设置于所述吸光层的所述多个第二开口内。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，每一所述微型发光二极管元件的厚度介于5微米至10微米之间。

9.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，每一所述微型发光二极管元件适于发出光束，所述光束的一部分在通过所述反射式偏光片后具有第一圆偏振，所述光束的另一部分在经由所述反射式偏光片的反射后具有第二圆偏振，所述第一圆偏振正交于所述第二圆偏振。

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