CN111416333A - 一种电源防反接方法及电源防反接电路 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种电源防反接方法及电源防反接电路，可以在供电电压过低时降低导通压降。电源防反接电路，包括：供电单元、MOS管防反接单元、驱动单元及电源管理单元；供电单元与MOS管防反接单元连接，MOS管防反接单元与电源管理单元的电源输入端连接，驱动单元与MOS管防反接单元及电源管理单元的信号输出端连接；MOS管防反接单元，用于当供电单元正负极连接正确时，建立供电单元和电源管理单元的供电路径；电源管理单元，用于当MOS管防反接单元为线性导通状态时，将用于稳压的调制信号发送到驱动单元；驱动单元，用于根据调制信号生成调节电压，根据调节电压驱动MOS管防反接单元，使得MOS管防反接单元变为完全导通状态。

Description

一种电源防反接方法及电源防反接电路

技术领域

本发明涉及电源电路技术领域，特别是涉及一种电源防反接方法及电源防反接电路。

背景技术

电源的输入部分，为了防止误操作，将电池的正负极接反，对电路造成损坏，一般会对其进行防护，如采用保险丝、二极管、场效应管(MOS)等方式。

现有的二极管防反接电路方式，缺点在于：二极管导通后有0.3-1V的压降，对于单节电池供电的场合，压降过大，损耗也大。例如：采用单节碱性(1.5V)或者镍镉、镍氢电池(1.2V)供电时，通过二极管(肖特基)以后，电池电压通常会下降到0.9-1.2V，这样容易导致电源管理电路(如升压电路)的成本过高，或者无法达到最佳的性能。

现有的MOS管防反接电路方式，MOS管在理想的栅源电压Vgs电压下，是处于完全导通状态，导通电阻往往只有几mΩ到几十mΩ，这样整流电路的上的压降相比于二极管会低得多。但是，MOS管的理想的Vgs通常在-4.5V(PMOS)或者更高，MOS管的Vgs就等于电池电压，当电池电压低于2V时，MOS管将会处于线性导通状态，导通电阻会明显上升，而当Vgs小于1.2V时，MOS管的导通电阻会成指数增加，使得导通压降增大，在单节电池的使用环境中效果不理想。

发明内容

本发明的目的是提供一种电源防反接方法及电源防反接电路，可以在供电电压过低时降低导通压降。

本发明第一方面提供一种电源防反接电路，包括：

供电单元、MOS管防反接单元、驱动单元及电源管理单元；

供电单元与MOS管防反接单元连接，MOS管防反接单元与电源管理单元的电源输入端连接，驱动单元与MOS管防反接单元及电源管理单元的信号输出端连接；

MOS管防反接单元，用于当供电单元正负极连接正确时，建立供电单元和电源管理单元的供电路径；

电源管理单元，用于当MOS管防反接单元为线性导通状态时，将用于稳压的调制信号发送到驱动单元；

驱动单元，用于根据调制信号生成调节电压，根据调节电压驱动MOS管防反接单元，使得MOS管防反接单元变为完全导通状态。

进一步的，MOS管防反接单元为PMOS管，

PMOS管的漏极与供电单元的正极连接；

PMOS管的源极与电源管单元的电源输入端连接；

PMOS管的栅极与驱动单元连接；

PMOS管的栅极通过电阻与供电单元的负极连接。

进一步的，

驱动单元，用于当MOS管防反接单元为PMOS管时，根据调制信号生成调节电压，调节电压为负电压；

驱动单元，用于将调节电压施加到PMOS管的栅极，使得PMOS管变为完全导通状态。

进一步的，

调制信号为脉冲宽度调制PWM信号，

驱动单元包括：第一电容、第二电容、第一二极管、第二二极管；

第一电容的一端与电源管理单元的信号输出端连接，第一电容的另一端、第一二极管的正极及第二二极管的负极相连接；

第二电容的一端及第一二极管的负极接地GND；

MOS管防反接单元为PMOS管时，第二电容的另一端及第二二极管的正极与PMOS管的栅极连接。

进一步的，MOS管防反接单元为NMOS管，

NMOS管的漏极与供电单元的负极连接；

NMOS管的源极与电源管单元的电源输入端连接；

NMOS管的栅极与驱动单元连接；

NMOS管的栅极通过电阻与供电单元的正极连接。

进一步的，

驱动单元，用于当MOS管防反接单元为NMOS管时，根据调制信号生成调节电压，调节电压为正电压；

驱动单元，用于将调节电压施加到NMOS管的栅极，使得NMOS管变为完全导通状态。

进一步的，调制信号为脉冲宽度调制PWM信号，

驱动单元包括：第三电容、第四电容、第三二极管、第四二极管；

第三电容的一端与电源管理单元的信号输出端连接，第三电容的另一端、第三二极管的正极及第四二极管的负极相连接；

第四电容的一端及第四二极管的正极连接电压VCC；

MOS管防反接单元为NMOS管时，第四电容的另一端及第三二极管的负极与NMOS管的栅极连接。

本发明第二方面提供一种电源防反接方法，应用于电源防反接电路，电源防反接电路包括供电单元、MOS管防反接单元、驱动单元及电源管理单元，供电单元与MOS管防反接单元连接，MOS管防反接单元与电源管理单元的电源输入端连接，驱动单元与MOS管防反接单元及电源管理单元的信号输出端连接，

电源防反接方法包括：

当供电单元正负极连接正确时，MOS管防反接单元建立供电单元和电源管理单元的供电路径；

当MOS管防反接单元为线性导通状态时，电源管理单元将用于稳压的调制信号发送到驱动单元；

驱动单元根据调制信号生成调节电压，根据调节电压驱动MOS管防反接单元，使得MOS管防反接单元变为完全导通状态。

进一步的，MOS管防反接单元为PMOS管，PMOS管的漏极与供电单元的正极连接，PMOS管的源极与电源管单元的电源输入端连接，PMOS管的栅极与驱动单元连接，PMOS管的栅极通过电阻与供电单元的负极连接，

驱动单元根据调制信号生成调节电压，根据调节电压驱动MOS管防反接单元，包括：

当MOS管防反接单元为PMOS管时，驱动单元接收电源管理单元发送的调制信号；

驱动单元根据调制信号生成调节电压，调节电压为负电压；

驱动单元将调节电压施加到PMOS管的栅极，使得PMOS管变为完全导通状态。

进一步的，MOS管防反接单元为NMOS管，NMOS管的漏极与供电单元的负极连接，NMOS管的源极与电源管单元的电源输入端连接，NMOS管的栅极与驱动单元连接，NMOS管的栅极通过电阻供电单元的正极连接，

驱动单元根据调制信号生成调节电压，根据调节电压驱动MOS管防反接单元，包括：

驱动单元接收电源管理单元发送的调制信号；

驱动单元根据调制信号生成调节电压，调节电压为正电压；

驱动单元将调节电压施加到NMOS管的栅极，使得NMOS管变为完全导通状态。

由此可见，当供电单元正负极连接正确时，MOS管防反接单元建立供电单元和电源管理单元的供电路径，电源管理单元开始工作，当MOS管防反接单元为线性导通状态时，电源管理单元将用于稳压的调制信号发送到驱动单元，驱动单元根据调制信号生成调节电压，根据调节电压驱动MOS管防反接单元，使得MOS管防反接单元变为完全导通状态。与现有的二极管和MOS管防反接电路相比，由于驱动单元能够生成调节电压驱动MOS管防反接单元，让MOS管防反接单元从线性导通状态变为了完全导通状态，从而避免了电池电压过低时，MOS管防反接单元处于线性导通状态，导通电阻明显上升，导致的导通压降过大。因此，本发明的电源防反接方法及电源防反接电路可以在电池电压过低时，使得导通压降变小。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对现有技术和实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明提供的电源防反接电路的一个实施例的结构示意图；

图2为本发明提供的电源防反接电路的另一个实施例的结构示意图；

图3为本发明提供的电源防反接电路的又一个实施例的结构示意图；

图4为本发明提供的电源防反接方法的一个实施例的流程示意图。

具体实施方式

本发明的核心是提供一种电源防反接方法及电源防反接电路，可以在电池电压过低时降低导通压降。

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图1，本发明实施例提供一种电源防反接电路，包括：

供电单元101、MOS管防反接单元102、驱动单元103及电源管理单元104；

供电单元101与MOS管防反接单元102连接，MOS管防反接单元102与电源管理单元104的电源输入端连接，驱动单元103与MOS管防反接单元102及电源管理单元104的信号输出端连接；

MOS管防反接单元102，用于当供电单元101正负极连接正确时，建立供电单元101和电源管理单元104的供电路径；

电源管理单元104，用于当MOS管防反接单元102为线性导通状态时，将用于稳压的调制信号发送到驱动单元103；

驱动单元103，用于根据调制信号生成调节电压，根据调节电压驱动MOS管防反接单元102，使得MOS管防反接单元102变为完全导通状态。

本发明实施例中，当供电单元101正负极连接正确时，MOS管防反接单元102建立供电单元101和电源管理单元104的供电路径，电源管理单元104开始工作，电源管理单元104通过内部的buck电路或者boost电路为用电器件提供稳定的、合适的电压，在此过程中会产生用于稳压的调制信号(具体是PWM信号)，当MOS管防反接单元102为线性导通状态时，将用于稳压的调制信号发送到驱动单元103，驱动单元103根据调制信号生成调节电压，根据调节电压驱动MOS管防反接单元102，使得MOS管防反接单元102变为完全导通状态。与现有的二极管和MOS管防反接电路相比，由于驱动单元能够生成调节电压驱动MOS管防反接单元，让MOS管防反接单元从线性导通状态变为了完全导通状态，从而避免了电池电压过低时，MOS管防反接单元处于线性导通状态，导通电阻明显上升，导致的导通压降过大。因此，本发明的电源防反接方法及电源防反接电路可以在电池电压过低时，使得导通压降变小。

在图1所示的实施例中，MOS管防反接单元102具体可以是PMOS管或NMOS管，由于采用不同的MOS管类型，电路的连接方式不同，因此，下面分别通过实施例对MOS管防反接单元为PMOS管和NMOS管进行说明。

(一)、MOS管防反接单元为PMOS管；

请参阅图2，本发明实施例提供一种电源防反接电路，包括：

供电单元101、PMOS管201、驱动单元103及电源管理单元104；

驱动单元103包括：第一电容203、第二电容204、第一二极管205、第二二极管206；

那么根据图2所示，电源防反接电路的具体结构和连接关系为：

驱动单元103中第一电容203的一端与电源管理单元104的信号输出端连接，第一电容203的另一端、第一二极管205的正极及第二二极管206的负极相连接；

第二电容204的一端及第一二极管205的负极接地GND；

第二电容204的另一端及第二二极管206的正极与PMOS管201的栅极G连接；

PMOS管201的漏极D与供电单元101的正极连接；

PMOS管201的源极S与电源管单元104的电源输入端连接；

PMOS管201的栅极与驱动单元103连接；

PMOS管的栅极通过电阻202与供电单元101的正极连接；

其中，PMOS管201还具有寄生二极管，寄生二极管的正极与漏极D连接，寄生二极管的负极与源极S连接；

电源管理单元104通过内部的buck电路或者boost电路为用电器件提供稳定的、合适的电压，在此过程中会产生用于稳压的调制信号(具体是PWM信号)，通过驱动单元103的结构，能够将调制信号生成调节电压，调节电压为负电压，将调节电压施加到PMOS管的栅极G，使得PMOS管变为完全导通状态。

本发明实施例中，由于PMOS管201的存在，在供电单元101只有在正负极连接正确时，才能导通，因此，在供电单元101上电，并且正负极连接正确时，PMOS管201的寄生二极管和DS脚(微导通)流过，电源管理单元104开始工作，电源管理单元104中的DCDC芯片产生调制信号(PWM信号)，通过驱动单元103的结构，能够将调制信号生成调节电压，调节电压为负电压，将负电压施加到PMOS管201的栅极G，使得PMOS管201的G极电压Vg被拉低，G极与S极的相对电压为Vgs，使|Vgs|>Vbat，Vbat为电池电压。因此，即使电池电压Vbat只有1.2V或者更低，PMOS管201也能完全导通，而现有的MOS管防反接电路中|Vgs|＜Vbat，PMOS管只能处于线性导通状态，线性导通状态的情况中，导通电阻明显要大于本实施例中PMOS管201的导通电阻，因此本发明实施例中，电池电压过低时导通压降明显降低了。

(二)、MOS管防反接单元为NMOS管。

请参阅图3，本发明实施例提供一种电源防反接电路，包括：

供电单元101、NMOS管301、驱动单元103及电源管理单元104；

驱动单元103包括：第三电容303、第四电容304、第三二极管305、第四二极管306；

那么根据图3所示，电源防反接电路的具体结构和连接关系为：

第三电容303的一端与电源管理单元104的信号输出端连接，第三电容303的另一端、第三二极管305的正极及第四二极管306的负极相连接；

第四电容304的一端及第四二极管306的正极连接电压VCC；

MOS管防反接单元为NMOS管301时，第四电容304的另一端及第三二极管305的负极与NMOS管301的栅极G连接；

NMOS管301的漏极D与供电单元101的负极连接；

NMOS管301的源极S与电源管理单元104的电源输入端连接；

其中，NMOS管301还具有寄生二极管，寄生二极管的正极与源极S连接，寄生二极管的负极与漏极D连接；

NMOS管301的栅极G与驱动单元103连接；

NMOS管301的栅极G通过电阻R302与供电单元101的正极连接；

电源管理单元104通过内部的buck电路或者boost电路为用电器件提供稳定的、合适的电压，在此过程中会产生用于稳压的调制信号(具体是PWM信号)，通过驱动单元103的结构，能够将调制信号生成调节电压，调节电压为正电压，将调节电压施加到NMOS管的栅极G，使得NMOS管变为完全导通状态。

本发明实施例中，由于NMOS管301的存在，在供电单元101只有在正负极连接正确时，才能导通，因此，在供电单元101上电，并且正负极连接正确时，NMOS管301的寄生二极管和DS脚(微导通)流过，电源管理单元104开始工作，电源管理单元104中的DCDC芯片产生调制信号(PWM信号)，通过驱动单元103的结构，能够将调制信号生成调节电压，调节电压为正电压，将正电压施加到NMOS管301的栅极G，使得NMOS管从线性导通状态转为完全导通状态，电池电压过低时导通压降明显降低了。

以上实施例中描述电源防反接电路，下面对应用于电源防反接电路的电源防反接方法进行说明。

请参阅图4，本发明实施例提供一种电源防反接方法，包括：

401、当供电单元正负极连接正确时，MOS管防反接单元建立供电单元和电源管理单元的供电路径；

本实施例中，结合图1所示的实施例中的电源防反接电路，当供电单元正负极连接正确时，MOS管防反接单元建立供电单元和电源管理单元的供电路径，电源管理单元开始工作。

402、当MOS管防反接单元为线性导通状态时，电源管理单元将用于稳压的调制信号发送到驱动单元；

本实施例中，电源管理单元开始工作时，电源管理单元通过内部的buck电路或者boost电路为用电器件提供稳定的、合适的电压，在此过程中会产生用于稳压的调制信号(具体是PWM信号)，当供电单元的电池电压不足以让MOS管防反接单元完全导通状态时，MOS管防反接单元为线性导通状态，电源管理单元104将用于稳压的调制信号发送到驱动单元。

可选的，MOS管防反接单元为PMOS管时，结合图2所示的实施例，具体实施为：

当MOS管防反接单元为PMOS管时，驱动单元接收电源管理单元发送的调制信号；

驱动单元根据调制信号生成调节电压，调节电压为负电压；

驱动单元将调节电压施加到PMOS管的栅极，使得PMOS管变为完全导通状态。

可选的，MOS管防反接单元为NMOS管时，结合图3所示的实施例，具体实施为：，

驱动单元根据调制信号生成调节电压，根据调节电压驱动MOS管防反接单元，包括：

驱动单元接收电源管理单元发送的调制信号；

驱动单元根据调制信号生成调节电压，调节电压为正电压；

驱动单元将调节电压施加到NMOS管的栅极，使得NMOS管变为完全导通状态。

403、驱动单元根据调制信号生成调节电压，根据调节电压驱动MOS管防反接单元，使得MOS管防反接单元变为完全导通状态。

本实施例中，驱动单元根据调制信号生成调节电压，根据调节电压驱动MOS管防反接单元，使得MOS管防反接单元变为完全导通状态。

本发明实施例中，由于PMOS管及NMOS管的存在，在供电单元只有在正负极连接正确时，才能导通，以PMOS管为例，在供电单元上电，并且正负极连接正确时，PMOS管的寄生二极管和DS脚(微导通)流过，电源管理单元开始工作，电源管理单元中的DCDC芯片产生调制信号(PWM信号)，通过驱动单元的结构，能够将调制信号生成调节电压，调节电压为负电压，将负电压施加到PMOS管的栅极G，使得PMOS管201的G极电压Vg被拉低，G极与S极的相对电压为Vgs，使|Vgs|>Vbat，Vbat为电池电压。因此，即使电池电压Vbat只有1.2V或者更低，PMOS管201也能完全导通，而现有的MOS管防反接电路中|Vgs|＜Vbat，PMOS管只能处于线性导通状态，线性导通状态的情况中，导通电阻明显要大于本实施例中PMOS管的导通电阻，因此本发明实施例中，电池电压过低时导通压降明显降低了。

如果为NMOS管，调节电压为正电压，将正电压施加到NMOS管的栅极G，使得NMOS管从线性导通状态转为完全导通状态，电池电压过低时导通压降明显降低了。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。

还需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其他实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种电源防反接电路，其特征在于，包括：

供电单元、MOS管防反接单元、驱动单元及电源管理单元；

所述供电单元与所述MOS管防反接单元连接，所述MOS管防反接单元与所述电源管理单元的电源输入端连接，所述驱动单元与所述MOS管防反接单元及所述电源管理单元的信号输出端连接；

所述MOS管防反接单元，用于当所述供电单元正负极连接正确时，建立所述供电单元和所述电源管理单元的供电路径；

所述电源管理单元，用于当所述MOS管防反接单元为线性导通状态时，将用于稳压的调制信号发送到所述驱动单元；

所述驱动单元，用于根据所述调制信号生成调节电压，根据所述调节电压驱动所述MOS管防反接单元，使得所述MOS管防反接单元变为完全导通状态。

2.根据权利要求1所述的电源防反接电路，其特征在于，所述MOS管防反接单元为PMOS管，

所述PMOS管的漏极与所述供电单元的正极连接；

所述PMOS管的源极与所述电源管单元的电源输入端连接；

所述PMOS管的栅极与所述驱动单元连接；

所述PMOS管的栅极通过电阻与所述供电单元的负极连接。

3.根据权利要求2所述的电源防反接电路，其特征在于，

所述驱动单元，用于当所述MOS管防反接单元为PMOS管时，根据所述调制信号生成调节电压，所述调节电压为负电压；

所述驱动单元，用于将所述调节电压施加到所述PMOS管的栅极，使得所述PMOS管变为完全导通状态。

4.根据权利要求3所述的电源防反接电路，其特征在于，

所述调制信号为脉冲宽度调制PWM信号，

所述驱动单元包括：第一电容、第二电容、第一二极管、第二二极管；

所述第一电容的一端与所述电源管理单元的信号输出端连接，所述第一电容的另一端、所述第一二极管的正极及所述第二二极管的负极相连接；

所述第二电容的一端及所述第一二极管的负极接地GND；

所述MOS管防反接单元为PMOS管时，所述第二电容的另一端及所述第二二极管的正极与所述PMOS管的栅极连接。

5.根据权利要求1所述的电源防反接电路，其特征在于，所述MOS管防反接单元为NMOS管，

所述NMOS管的漏极与所述供电单元的负极连接；

所述NMOS管的源极与所述电源管单元的电源输入端连接；

所述NMOS管的栅极与所述驱动单元连接；

所述NMOS管的栅极通过电阻与所述供电单元的正极连接。

6.根据权利要求5所述的电源防反接电路，其特征在于，

所述驱动单元，用于当所述MOS管防反接单元为NMOS管时，根据所述调制信号生成调节电压，所述调节电压为正电压；

所述驱动单元，用于将所述调节电压施加到所述NMOS管的栅极，使得所述NMOS管变为完全导通状态。

7.根据权利要求6所述的电源防反接电路，其特征在于，所述调制信号为脉冲宽度调制PWM信号，

所述驱动单元包括：第三电容、第四电容、第三二极管、第四二极管；

所述第三电容的一端与所述电源管理单元的信号输出端连接，所述第三电容的另一端、所述第三二极管的正极及所述第四二极管的负极相连接；

所述第四电容的一端及所述第四二极管的正极连接电压VCC；

所述MOS管防反接单元为NMOS管时，所述第四电容的另一端及所述第三二极管的负极与所述NMOS管的栅极连接。

8.一种电源防反接方法，其特征在于，应用于电源防反接电路，所述电源防反接电路包括供电单元、MOS管防反接单元、驱动单元及电源管理单元，所述供电单元与所述MOS管防反接单元连接，所述MOS管防反接单元与所述电源管理单元的电源输入端连接，所述驱动单元与所述MOS管防反接单元及所述电源管理单元的信号输出端连接，

所述电源防反接方法包括：

当所述供电单元正负极连接正确时，所述MOS管防反接单元建立所述供电单元和所述电源管理单元的供电路径；

当所述MOS管防反接单元为线性导通状态时，所述电源管理单元将用于稳压的调制信号发送到所述驱动单元；

所述驱动单元根据所述调制信号生成调节电压，根据所述调节电压驱动所述MOS管防反接单元，使得所述MOS管防反接单元变为完全导通状态。

9.根据权利要求8所述的电源防反接方法，其特征在于，所述MOS管防反接单元为PMOS管，所述PMOS管的漏极与所述供电单元的正极连接，所述PMOS管的源极与所述电源管单元的电源输入端连接，所述PMOS管的栅极与所述驱动单元连接，所述PMOS管的栅极通过电阻与所述供电单元的负极连接，

所述驱动单元根据所述调制信号生成调节电压，根据所述调节电压驱动所述MOS管防反接单元，包括：

当所述MOS管防反接单元为PMOS管时，所述驱动单元接收所述电源管理单元发送的所述调制信号；

所述驱动单元根据所述调制信号生成调节电压，所述调节电压为负电压；

所述驱动单元将所述调节电压施加到所述PMOS管的栅极，使得所述PMOS管变为完全导通状态。

10.根据权利要求8所述的电源防反接方法，其特征在于，所述MOS管防反接单元为NMOS管，所述NMOS管的漏极与所述供电单元的负极连接，所述NMOS管的源极与所述电源管单元的电源输入端连接，所述NMOS管的栅极与所述驱动单元连接，所述NMOS管的栅极通过电阻所述供电单元的正极连接，

所述驱动单元根据所述调制信号生成调节电压，根据所述调节电压驱动所述MOS管防反接单元，包括：

所述驱动单元接收所述电源管理单元发送的所述调制信号；

所述驱动单元根据所述调制信号生成调节电压，所述调节电压为正电压；

所述驱动单元将所述调节电压施加到所述NMOS管的栅极，使得所述NMOS管变为完全导通状态。

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