CN111407632A - 一种用于治疗高血压的系统 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种用于治疗高血压的系统，通过调控模块M、电子开关模块J、第一电源模块K、第二电源模块A、内磁共振供电控制模块A1、内磁共振超低压电位调控模块B和内磁共振超低压电位发生模块C的配合工作，内磁共振供电控制模块A1控制内磁共振的供电，内磁共振超低压电位调控模块B调控内磁共振超低压电位，内磁共振超低压电位发生模块C产生内磁共振超低压电位，第一电源模块K给整个内磁共振超低压电位调控及显示提供合适电压，电子开关模块J可以对第一电源模块K中的电压进行控制，本发明提供的用于治疗高血压的系统能够输出生物电子形成‑5V～‑150V的超低压电位，操作安全，可长期居家使用，有助于高血压患者的康复向愈。

Description

一种用于治疗高血压的系统
技术领域
本发明涉及医疗领域，尤其涉及一种用于治疗高血压的系统。
背景技术
我国逐渐注入老龄化社会阶段，在此阶段日益突出的问题即是高龄化人群的健康及安全问题，例如进入老龄化的阶段中，老人易发高血压、心脏病等，针对该问题，一方面，需要建立老年医疗健康保险制度，逐步实现健康老龄化。另一方面，要注意面向社会、家庭和老年人进行健康教育，包括保健常识，护理知识，紧急状况下的应急措施，提高人群对老年身心特点的认识和一般保健及护理知识的掌握。由此可见，面对老龄化问题的日益突出，如何对老人出现的高血压病症进行有效的治疗，成为年轻一代人极为关注的问题。
传统的工频高电位治疗仪是将220V(110V)交流市电，升压至1000V～10000V的高电压(位)交变电场治疗仪，不能康复治愈高血压。
由于现在高血压西医药只能控制治疗高血压，患者必须终身长期每日服用降压西药，而不能治愈，需要高科技治疗仪参与解决目前高血压治疗领域这一瓶颈，但高电位治疗仪不能满足这一需求，且缺点极多：
1、高电位治疗仪采用的是220V交流市电50Hz(60Hz)的工频电作为治疗因子，对人体健康有很大的副作用，不能长期使用。
2、高电位治疗仪的电压升到1000V～10000V的高电压，产生有害电磁波，对人体有较高潜在危险性，更不能用于康复治疗高血压患者居家长期使用。
3、操作使用高电位治疗仪时存在高压触电危险。
发明内容
为了解决现有技术的不足，本发明提供了一种用于治疗高血压的系统。
本发明提供了一种用于治疗高血压的系统，包括：用于内磁共振超低压电位调控及控制显示的调控模块M，用于倒计时和内磁共振超低压电位调控的显示模块L，用于控制调控模块M的电子开关模块J，还包括第一电源模块K、第二电源模块A、内磁共振供电控制模块A1、内磁共振超低压电位调控模块B和内磁共振超低压电位发生模块C，其中：
所述调控模块M均与所述显示模块L、所述第一电源模块K、所述电子开关模块J连接；
所述内磁共振供电控制模块A1与所述内磁共振超低压电位调控模块B连接；
所述内磁共振超低压电位调控模块B与所述内磁共振超低压电位发生模块C连接；
所述第二电源模块A为所述调控模块M、所述显示模块L、所述电子开关模块J、所述第一电源模块K、所述内磁共振供电控制模块A1、所述内磁共振超低压电位调控模块B和所述内磁共振超低压电位发生模块C提供所需的电压。
可选择的，所述第二电源模块A包括保险丝、可调电阻、开关电源、第二十二二极管、第一电感器和电源，其中：
所述保险丝的一端、所述可调电阻的一端均与所述开关电源的一引脚连接，所述保险丝的另一端、所述第二十二二极管的负极均与所述第一电感器的一端连接，所述第一电感器的另一端与所述电源连接；
所述开关电源的二引脚、所述开关电源的三引脚、所述可调电阻的另一端、所述第二十二二极管的正极均接地。
可选择的，所述用于内磁共振超低压电位调控及控制显示的调控模块M包括：第一开关、第二开关、第三开关、第四开关、第五开关、第六开关、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第十二电阻、第十三电阻、第十四电阻、第十五电阻、第十六电阻、第十七电阻、单片机STCI2C5410AD、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、晶体振荡器、第一二极管、其中：
所述第一开关、所述第二开关、所述第三开关、所述第四开关、所述第五开关、所述第六开关均接地；
所述第一电阻的第一端与所述电源连接，所述第一电阻的第二端均与所述单片机STCI2C5410AD的P2.3引脚、所述第六开关连接；所述第二电阻的第一端与所述电源连接，所述第二电阻的第二端均与所述单片机STCI2C5410AD的P3.0引脚、所述第五开关连接；
所述第三电阻的第一端与所述电源连接，所述第三电阻的第二端均与所述单片机STCI2C5410AD的P3.1引脚、所述第四开关连接；
所述第四电阻的第一端与所述电源连接，所述第四电阻的第二端均与所述单片机STCI2C5410AD的P3.2引脚、所述第三开关连接；
所述第五电阻的第一端与所述电源连接，所述第五电阻的第二端均与所述单片机STCI2C5410AD的P3.3引脚、所述第二开关连接；
所述第六电阻的第一端与所述电源连接，所述第六电阻)的第二端均与所述单片机STCI2C5410AD的P3.4引脚、所述第一开关连接；
所述第七电阻的第一端与所述电源连接，所述第七电阻的第二端与所述单片机STCI2C5410AD的P2.2引脚连接；
所述第八电阻的第一端与所述电源连接，所述第八电阻的第二端与所述单片机STCI2C5410AD的P3.7引脚连接；所述第九电阻、所述第十电阻、所述第十一电阻、所述第十二电阻、所述第十三电阻、所述第十四电阻、所述第十五电阻的第一端均与所述显示模块L连接；
所述第九电阻、所述第十电阻、所述第十一电阻、所述第十二电阻、所述第十三电阻、所述第十四电阻、所述第十五电阻的第二端分别与所述单片机STCI2C5410AD的P1.6引脚、P1.5引脚、P1.4引脚、P1.3引脚、P1.2引脚、P1.1引脚、P1.0引脚连接；
所述第十六电阻的第一端与单片机STCI2C5410AD的P2.4引脚连接，所述第十六电阻的第二端与显示模块L连接；
所述第十七电阻的第一端与所述单片机STCI2C5410AD的RSE引脚连接，所述第十七电阻的第二端接地；
所述第一电容的一端与所述电源连接，所述第一电容的另一端接地，所述单片机STCI2C5410AD的VCC引脚与所述所述电源连接；
所述第二电容的一端接地，所述第二电容的另一端与所述单片机STCI2C5410AD的XATAL2引脚连接；所述第三电容的一端接地，所述第三电容的另一端与所述单片机STCI2C5410AD的XATAL1引脚连接；
所述第四电容的一端与所述电源连接，所述第四电容的另一端与所述单片机STCI2C5410AD的RSE引脚连接；
所述晶体振荡器的两端分别与所述单片机STCI2C5410AD的XATAL1引脚和XATAL2引脚连接；
所述第一二极管的正极与所述第十七电阻的第二端连接，所述第一二极管的负极与所述单片机STCI2C5410AD的RSE引脚连接；
所述单片机STCI2C5410AD的GND引脚接地；所述单片机STCI2C5410AD的P2.1引脚、P2.0引脚、P2.7引脚、P2.6引脚均与所述显示模块L连接；
所述单片机STCI2C5410AD的P2.5引脚与所述电子开关模块J连接；所述单片机STCI2C5410ADP2.2引脚、P3.7引脚与所述第一电源模块K连接；所述单片机STCI2C5410AD的P3.5引脚、P1.7引脚悬空。
可选择的，所述用于倒计时和内磁共振超低压电位调控的显示模块L包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、第十九电阻、第二十电阻、第二十一电阻、第二十二电阻、第二十三电阻、第二十四电阻、第二十五电阻、第一LED、第二LED、第三LED、第四LED、第五电容和第六电容，其中：
所述第一三极管的发射极与所述电源连接，所述第一三极管的集电极与所述第一LED的VCC连接，所述第一三极管的基极与所述第十八电阻的第一端连接；
所述第五电容的一端与所述电源连接，所述第五电容的另一端接地；
所述第二三极管的发射极与所述电源连接，所述第二三极管的集电极与所述第二LED的VCC连接，所述第二三极管的基极与所述第十九电阻的第一端连接；
所述第二十电阻的第一端与所述电源连接，所述第二十电阻的第二端、所述第十八电阻的第二端均与所述单片机STCI2C5410AD的P2.7引脚连接；
所述第二十一电阻的第一端与所述电源连接，所述第二十一电阻的第二端、所述第十九电阻的第二端均与所述单片机STCI2C5410AD的P2.6引脚连接；
所述第一LED的G、F、A、B、E、D、C端分别与所述第九电阻、所述第十电阻、所述第十五电阻、所述第十四电阻、所述第十一电阻、所述第十二电阻、所述第十三电阻的第二端连接；
所述第二LED的G、F、A、B、E、D、C端分别与所述第九电阻、所述第十电阻、所述第十五电阻、所述第十四电阻、所述第十一电阻、所述第十二电阻、所述第十三电阻的第二端连接；
所述第一LED的DP端悬空，所述第二LED的DP端与所述第十六电阻的第二端连接；
所述第三三极管的发射极与所述电源连接，所述第三三极管的集电极与所述第三LED的VCC连接，所述第三三极管的基极与所述第二十二电阻的第一端连接；
所述第六电容的一端与所述电源连接，所述第六电容的另一端接地；
所述第四三极管的发射极与所述电源连接，所述第四三极管的集电极与所述第四LED的VCC连接，所述第四三极管的基极与所述第二十三电阻的第一端连接；
所述第二十四电阻的第一端与所述电源连接，所述第二十四电阻的第二端、所述第二十二电阻的第二端均与所述单片机STCI2C5410AD的P2.0引脚连接；
所述第二十五电阻的第一端与所述电源连接，所述第二十五电阻的第二端、所述第二十三电阻的第二端均与所述单片机STCI2C5410AD的P2.1引脚连接；
所述第三LED的G、F、A、B、E、D、C端分别与所述第九电阻、所述第十电阻、所述第十五电阻、所述第十四电阻、所述第十一电阻、所述第十二电阻、所述第十三电阻的第二端连接；
所述第四LED的G、F、A、B、E、D、C端分别与所述第九电阻、所述第十电阻、所述第十五电阻、所述第十四电阻、所述第十一电阻、所述第十二电阻、所述第十三电阻的第二端连接；
所述第三LED的DP端、所述第四LED的DP端均悬空。
可选择的，所述电子开关模块J包括第二十六电阻、第二十七电阻、二十八电阻、第二十九电阻、第三十电阻、第三十一电阻、第三十二电阻、第一反相放大器、第二反相放大器、第三反相放大器、第四反相放大器、第十一电容、第十二电容、第十三电容、第十四电容、第十五电容、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第七开关和第五三极管，其中：
所述第二十六电阻的第一端与所述所述单片机STCI2C5410AD的P2.5引脚连接，所述第二十六电阻的第二端与所述第一反相放大器的输入端连接，所述第一反相放大器的输出端与所述第二二极管的负极连接，所述第二二极管的正极、所述第二十八电阻的第一端均与所述第三反相放大器的输出端连接，所述二十八电阻的第二端与所述第十一电容的一端连接，所述第十一电容的另一端接地；
所述第二十七电阻的第一端接地，所述第二十七电阻的第二端与所述第二反相放大器的输入端连接，所述第二反相放大器的输出端与所述第三反相放大器的输入端连接，所述第三反相放大器的输出端与所述第四反相放大器的输入端连接，所述第四反相放大器的输出端与所述第三十一电阻的第一端连接，所述第三十一电阻的第二端与所述第五三极管的基极连接，所述第五三极管的集电极接正六伏电源，所述第五三极管的发射极与所述电源连接，所述第三十二电阻的第一端与所述电源连接，所述第三十二电阻的第二端与所述第四二极管的正极连接，所述第四二极管的负极接地；
所述第十三电容的一端与所述第二十六电阻的第二端连接，所述第十三电容的另一端接地；
所述第二十七电阻的第一端接地，所述第二十七电阻的第二端与所述第二反相放大器的输入端连接；
所述第十二电容的一端接地，所述第十二电容的另一端与所述第二十九电阻的第一端连接，所述第七开关的两端分别与所述第二十九电阻的第一端、所述二十八电阻的第二端连接；
所述所述第二十九电阻的第二端均与所述第二反相放大器的输出端、所述第三二极管的负极连接，所述第三二极管的正极均与所述第三十电阻的第一端、所述第十四电容的一端连接，所述第三十电阻的第二端接地，所述第十四电容的另一端接正六伏电源，所述第十五电容的一端接接正六伏电源，所述第十五电容的另一端接地。
可选择的，所述第一电源模块K包括单排针、第一芯片、第七电容、第八电容、第九电容、第十电容、第三十三电阻、第三十四电阻、第六三极管、第五二极管、第六二极管和第六三极管，其中：
所述第七电容的一端、所述第八电容的一端、所述单排针的一引脚均与所述第一芯片的输入端连接，所述第九电容的一端、所述第十电容的一端、所述第一芯片的输出端均与正六伏电源连接，所述第七电容的另一端、所述第八电容的另一端、所述第九电容的另一端、所述第十电容的另一端、所述第一芯片的接地端均接地；
所述单排针的二引脚与所述单片机STCI2C5410AD的P2.2引脚连接；所述单排针的三引脚与所述单片机STCI2C5410AD的P3.7引脚连接；
所述单排针的四引脚与所述第三十四电阻的第一端连接，所述第三十四电阻的第二端与第六三极管的基极连接，所述第六三极管的集电极与所述第三十三电阻的第一端连接，所述第三十三电阻的第二端与所述电源连接，所述第五二极管的正极、所述第六二极管的正极均与所述第六三极管的发射极连接，所述第五二极管的正极、所述第六二极管的负极均接地；
所述单排针的五引脚接地。
可选择的，所述内磁共振供电控制模块A1包括单排针、第十六电容、第十七电容、第二十电容、第二十一电容、第三十八电阻、第五十八电阻、第七三极管、第八三极管、第九三极管和第七二极管，其中：
所述第十六电容的一端、所述第十七电容的一端、所述第五十八电阻的第一端、所述第三十八电阻的第一端均与所述单排针的一引脚连接，所述第十六电容的另一端、所述第十七电容的另一端均接地，所述第五十八电阻的第二端与所述第八三极管的发射极连接，所述第八三极管的基极与所述第七三极管的集电极连接，所述第七二极管的负极、所述第九三极管的基极均与所述第八三极管的集电极连接；
所述第七三极管的基极、所述第二十电容的一端均与所述单排针的二引脚连接，所述第七三极管的发射极、所述第二十电容的另一端、所述第七二极管的正极、所述第二十一电容的一端均接地，所述第二十一电容的另一端、所述第九三极管的发射极均与所述电源连接，所述第九三极管的集电极与所述第三十八电阻的第二端连接；
所述单排针的四引脚接地，所述单排针的一引脚、三引脚、五引脚均与内磁共振超低压电位调控模块B连接。
可选择的，所述内磁共振超低压电位调控模块B包括芯片BIT3715、第三十五电阻、第三十六电阻、第三十七电阻、第三十九电阻、第四十电阻、第四十一电阻、第四十二电阻、第四十三电阻、第四十四电阻、第四十五电阻、第四十六电阻、第四十七电阻、第四十八电阻、第四十九电阻、第五十电阻、第五十一电阻、第五十二电阻、第五十三电阻、第五十四电阻、第五十五电阻、第五十六电阻、第十八电容、第十九电容、第二十二电容、第二十三电容、第二十八电容、第二十九电容、第三十电容、第三十一电容、第三十五电容\第三十六电容、第三十七电容、第三十八电容、第三十九电容、第四十电容、第八二极管、第九二极管、第十二极管、第十一二极管、第二十二极管、第二十一二极管、第二十三二极管、第二十四二极管、第十三极管和第十一三极管，其中：
所述第三十五电阻的第一端与所述单排针的三引脚连接，所述第三十五电阻的第二端与所述第三十七电阻的第一端连接，所述第三十六电阻的第一端与所述电源连接，所述第十八电容的一端、所述第三十七电阻的第一端、所述芯片BIT3715的十三引脚均与所述第三十六电阻的第二端连接，所述第十八电容的另一端、所述第三十七电阻的第二端、所述第十九电容的一端均接地，所述第十九电容的另一端与所述芯片BIT3715的十二引脚连接；
所述第五十电阻的第一端与所述芯片BIT3715的十一引脚连接，所述第五十电阻的第二端、所述芯片BIT3715的一引脚、所述第三十五电容的一端均与所述第五十一电阻的第一端连接，所述第三十五电容的另一端与所述芯片BIT3715的二引脚连接，所述第五十一电阻的第二端、所述第四十八电阻的第一端均与所述第五十二电阻的第一端连接，所述第五十二电阻的第二端接地，所述第四十八电阻的第二端、所述第四十七电阻的第一端均与所述第四十九电阻的第一端连接，所述第四十九电阻的第二端接地；
所述第五十三电阻的第一端、所述第三十六电容的一端、所述第三十七电容的一端、所述第三十八电容的一端分别与所述芯片BIT3715的三引脚、四引脚、五引脚、六引脚连接，所述第五十三电阻的第二端、所述第三十六电容的另一端、所述第三十七电容的另一端、所述第三十八电容的另一端均接地，所述第三十九电阻的第一端与所述芯片BIT3715的六引脚连接，所述第三十九电阻的第二端与所述电源连接；
所述第二十二电容的一端与所述芯片BIT3715的九引脚连接，所述第二十二电容的另一端、所述第四十电阻的第一端、所述第十三极管的基极均与所述第八二极管的正极连接，所述第四十电阻的第二端、所述第八二极管的负极均与所述单排针的一引脚连接，所述第十三极管的集电极与所述第二十三电容的一端连接，所述第二十三电容的另一端接地，所述第十三极管的发射极与所述第十一三极管的集电极连接，所述第十一三极管的基极、所述第九二极管的正极均与所述第四十一电阻的第一端连接，所述第四十一电阻的第二端、所述第九二极管的负极均与所述芯片BIT3715的八引脚连接，所述第十一三极管的发射极接地；
所述第十三极管的发射极、所述第十一三极管的集电极均与所述内磁共振超低压电位发生模块C连接；
所述第三十九电容的一端、所述第五十五电阻的第一端、所述第二十三二极管的负极均与所述芯片BIT3715的十五引脚连接，所述第三十九电容的另一端、所述第五十五电阻的第二端、所述第四十电容的一端均接地，所述第二十三二极管的正极、所述第二十四二极管的正极均与所述第五十四电阻的第一端连接，所述第五十四电阻的第二端与所述电源连接，所述第四十电容的另一端、所述第五十六电阻的第一端均与所述第二十四二极管的负极连接，所述第五十六电阻的第二端、所述第二十一二极管的负极均与所述第四十七电阻的第二端连接；
所述第二十二极管的负极、所述第三十一电容的一端均与所述第二十一二极管的正极连接，所述第二十二极管的正极接地，所述第三十一电容的另一端、所述第二十九电容的一端均与所述第四十三电阻的第一端连接，所述第四十二电阻的第一端、所述第四十三电阻的第一端、所述第二十八电容的一端均接地，所述第二十八电容的另一端、所述第四十二电阻的第二端、所述四十三电阻的第二端均与所述单排针的五引脚连接；
所述第三十电容的一端、所述第十二极管的负极、所述第二十九电容的另一端均与所述第十一二极管的正极连接，所述第三十电容的另一端、所述第十二极管的正极均接地，所述第十一二极管的负极与所述第四十四电阻的第一端连接，所述第四十四电阻的第二端接地；
所述芯片BIT3715的十引脚与所述第十四电源连接，所述芯片BIT3715的七引脚、十四引脚、十六引脚均接地。
可选择的，所述内磁共振超低压电位发生模块C包括变压器、第二十四电容、第二十五电容、第二十六电容、第二十七电容、第十二二极管、第十三二极管、第十四二极管、第十五二极管、第十六二极管、第十七二极管、第十八二极管、第十九二极管、第二电感器第五十九电阻，其中：
所述第十三极管的发射极、所述第十一三极管的集电极均与所述变压器的初级线圈连接，所述第二十四电容的一端、所述第二十五电容的一端、所述第二十六电容的一端、所述第二十七电容的一端均与变压器的初级线圈连接，所述第二十四电容的另一端、所述第二十五电容的另一端、所述第二十六电容的另一端、所述第二十七电容的另一端均接地；
所述第十九二极管的正极、所述第十二二极管的正极、所述第十六二极管的正极、所述第十五二极管的正极均与所述变压器的次级线圈连接，所述第十九二极管的负极、所述第十二二极管的负极、所述第十六二极管的负极、所述第十五二极管的负极分别与所述第十八二极管的正极、所述第十三二极管的正极、所述第十七二极管的正极、所述第十四二极管的正极连接，所述第十八二极管的负极、所述第十三二极管的负极、所述第十七二极管的负极、所述第十四二极管的负极均接地；
所述变压器的次级线圈接出。
由以上技术方案可知，本发明提供了一种用于治疗高血压的系统，包括：用于内磁共振超低压电位调控及控制显示的调控模块M，用于倒计时和内磁共振超低压电位调控的显示模块L，用于控制调控模块M的电子开关模块J，所述调控模块M均与所述显示模块L、所述第一电源模块K、所述电子开关模块J连接；所述内磁共振供电控制模块A1与所述内磁共振超低压电位调控模块B连接；所述内磁共振超低压电位调控模块B与所述内磁共振超低压电位发生模块C连接；所述第二电源模块A为所述调控模块M、所述显示模块L、所述电子开关模块J、所述第一电源模块K、所述内磁共振供电控制模块A1、所述内磁共振超低压电位调控模块B和所述内磁共振超低压电位发生模块C提供所需的电压。通过调控模块M、电子开关模块J、第一电源模块K、第二电源模块A、内磁共振供电控制模块A1、内磁共振超低压电位调控模块B和内磁共振超低压电位发生模块C的配合工作，内磁共振供电控制模块A1控制内磁共振的供电，内磁共振超低压电位调控模块B调控内磁共振超低压电位，内磁共振超低压电位发生模块C产生内磁共振超低压电位，第一电源模块K给整个内磁共振超低压电位调控及显示提供合适电压，电子开关模块J可以对第一电源模块K中的电压进行控制，本发明提供的用于治疗高血压的系统能够输出生物电子形成-10V～-90V的低压直流负电场，操作安全，可长期居家使用，有助于高血压患者的康复。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明提供的一种用于治疗高血压的系统的第一结构示意图；
图2为本发明提供的一种用于治疗高血压的系统的第二结构示意图；
图3为本发明提供的一种用于治疗高血压的系统的第二电源模块A的结构示意图；
图4为本发明提供的一种用于治疗高血压的系统的调控模块M的结构示意图；
图5为本发明提供的一种用于治疗高血压的系统的显示模块L的结构示意图；
图6为本发明提供的一种用于治疗高血压的系统的显示模块L的部分结构示意图之二；
图7为本发明提供的一种用于治疗高血压的系统的显示模块L的部分结构示意图之二；
图8为本发明提供的一种用于治疗高血压的系统的显示模块L与调控模块M的部分连接图之一；
图9为本发明提供的一种用于治疗高血压的系统的显示模块L与调控模块M的部分连接图之二；
图10为本发明提供的一种用于治疗高血压的系统的电子开关模块J的结构示意图；
图11为本发明提供的一种用于治疗高血压的系统的第一电源模块K的结构示意图；
图12为本发明提供的一种用于治疗高血压的系统的内磁共振供电控制模块A1的结构示意图；
图13为本发明提供的一种用于治疗高血压的系统的内磁共振超低压电位调控模块B的结构示意图；
图14为本发明提供的一种用于治疗高血压的系统的内磁共振超低压电位调控模块B的部分结构示意图之一；
图15为本发明提供的一种用于治疗高血压的系统的内磁共振超低压电位调控模块B的部分结构示意图之二；
图16为本发明提供的一种用于治疗高血压的系统的内磁共振超低压电位发生模块C的结构示意图；
图17为本发明提供的一种用于治疗高血压的装置的结构示意图；
图18为不同疗程阶段不同治疗次数下收缩压的变化曲线。
具体实施方式
下面结合本发明中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于再次描述的其他方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
参见图1至图16，本发明提供了一种用于治疗高血压的系统，包括用于内磁共振超低压电位调控及控制显示的调控模块M，用于倒计时和内磁共振超低压电位调控的显示模块L，用于控制调控模块M的电子开关模块J，还包括第一电源模块K、第二电源模块A、内磁共振供电控制模块A1、内磁共振超低压电位调控模块B和内磁共振超低压电位发生模块C，其中：
所述调控模块M均与所述显示模块L、所述第一电源模块K、所述电子开关模块J连接；
所述内磁共振供电控制模块A1与所述内磁共振超低压电位调控模块B连接；
所述内磁共振超低压电位调控模块B与所述内磁共振超低压电位发生模块C连接；
所述第二电源模块A为所述调控模块M、所述显示模块L、所述电子开关模块J、所述第一电源模块K、所述内磁共振供电控制模块A1、所述内磁共振超低压电位调控模块B和所述内磁共振超低压电位发生模块C提供所需的电压。
可选择的，所述第二电源模块A包括保险丝F、可调电阻VR、开关电源J3、第二十二二极管D22、第一电感器L1和电源VCC12，其中：
所述保险丝F的一端、所述可调电阻VR的一端均与所述开关电源J3的一引脚连接，所述保险丝F的另一端、所述第二十二二极管D22的负极均与所述第一电感器L1的一端连接，所述第一电感器L1的另一端与所述电源VCC12连接；
所述开关电源J3的二引脚、所述开关电源J3的三引脚、所述可调电阻VR的另一端、所述第二十二二极管D22的正极均接地。
上述第二电源模块A为所述调控模块M、所述显示模块L、所述电子开关模块J、所述第一电源模块K、所述内磁共振供电控制模块A1、所述内磁共振超低压电位调控模块B和所述内磁共振超低压电位发生模块C提供所需的电压。
可选择的，所述用于内磁共振超低压电位调控及控制显示的调控模块M包括：第一开关K1、第二开关K2、第三开关K3、第四开关K4、第五开关K5、第六开关K6、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9、第十电阻R10、第十一电阻R11、第十二电阻R12、第十三电阻R13、第十四电阻R14、第十五电阻R15、第十六电阻R16、第十七电阻R17、单片机STCI2C5410AD、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、晶体振荡器JT2、第一二极管D1、其中：
上述单片机STCI2C5410AD包括二十八个引脚，分别为VCC引脚、P2.2引脚、P2.3引脚、P3.0引脚、P3.1引脚、P3.2引脚、P3.3引脚、P3.4引脚、P3.7引脚、P1.7引脚、P1.6引脚、P1.5引脚、P1.4引脚、P1.3引脚、P1.2引脚、P1.1引脚、P1.0引脚、P3.5引脚、P2.4引脚、P2.1引脚、P2.0引脚、P2.7引脚、P2.6引脚、P2.5引脚、RSE引脚、XATAL1引脚、XATAL2引脚、GND引脚。
第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6的电阻值均为2KΩ，第七电阻R7、第八电阻R8、第十七电阻R17的阻值为1KΩ，第九电阻R9、第十电阻R10、第十一电阻R11、第十二电阻R12、第十三电阻R13、第十四电阻R14、第十五电阻R15、第十六电阻R16的阻值均为200Ω。
所述第一开关K1、所述第二开关K2、所述第三开关K3、所述第四开关K4、所述第五开关K5、所述第六开关K6均接地；
所述第一电阻R1的第一端与所述电源VCC12连接，所述第一电阻R1的第二端均与所述单片机STCI2C5410AD的P2.3引脚、所述第六开关K6连接；所述第二电阻R2的第一端与所述电源VCC12连接，所述第二电阻R2的第二端均与所述单片机STCI2C5410AD的P3.0引脚、所述第五开关K5连接；
所述第三电阻R3的第一端与所述电源VCC12连接，所述第三电阻R3的第二端均与所述单片机STCI2C5410AD的P3.1引脚、所述第四开关K4连接；
所述第四电阻R4的第一端与所述电源VCC12连接，所述第四电阻R4的第二端均与所述单片机STCI2C5410AD的P3.2引脚、所述第三开关K3连接；
所述第五电阻R5的第一端与所述电源VCC12连接，所述第五电阻R5的第二端均与所述单片机STCI2C5410AD的P3.3引脚、所述第二开关K2连接；
所述第六电阻R6的第一端与所述电源VCC12连接，所述第六电阻R6的第二端均与所述单片机STCI2C5410AD的P3.4引脚、所述第一开关K1连接；
所述第七电阻R7的第一端与所述电源VCC12连接，所述第七电阻R7的第二端与所述单片机STCI2C5410AD的P2.2引脚连接；
所述第八电阻R8的第一端与所述电源VCC12连接，所述第八电阻R8的第二端与所述单片机STCI2C5410AD的P3.7引脚连接；所述第九电阻R9、所述第十电阻R10、所述第十一电阻R11、所述第十二电阻R12、所述第十三电阻R13、所述第十四电阻R14、所述第十五电阻R15的第一端均与所述显示模块L连接；
所述第九电阻R9、所述第十电阻R10、所述第十一电阻R11、所述第十二电阻R12、所述第十三电阻R13、所述第十四电阻R14、所述第十五电阻R15的第二端分别与所述单片机STCI2C5410AD的P1.6引脚、P1.5引脚、P1.4引脚、P1.3引脚、P1.2引脚、P1.1引脚、P1.0引脚连接；
所述第十六电阻R16的第一端与单片机STCI2C5410AD的P2.4引脚连接，所述第十六电阻R16的第二端与显示模块L连接；
所述第十七电阻R17的第一端与所述单片机STCI2C5410AD的RSE引脚连接，所述第十七电阻R17的第二端接地；
所述第一电容C1的一端与所述电源VCC12连接，所述第一电容C1的另一端接地，所述单片机STCI2C5410AD的VCC引脚与所述所述电源VCC12连接；
所述第二电容C2的一端接地，所述第二电容C2的另一端与所述单片机STCI2C5410AD的XATAL2引脚连接；所述第三电容C3的一端接地，所述第三电容C3的另一端与所述单片机STCI2C5410AD的XATAL1引脚连接；
所述第四电容C4的一端与所述电源VCC12连接，所述第四电容C4的另一端与所述单片机STCI2C5410AD的RSE引脚连接；
所述晶体振荡器JT2的两端分别与所述单片机STCI2C5410AD的XATAL1引脚和XATAL2引脚连接；
所述第一二极管D1的正极与所述第十七电阻R17的第二端连接，所述第一二极管D1的负极与所述单片机STCI2C5410AD的RSE引脚连接；
所述单片机STCI2C5410AD的GND引脚接地；所述单片机STCI2C5410AD的P2.1引脚、P2.0引脚、P2.7引脚、P2.6引脚均与所述显示模块L连接；
所述单片机STCI2C5410AD的P2.5引脚与所述电子开关模块J连接；所述单片机STCI2C5410ADP2.2引脚、P3.7引脚与所述第一电源模块K连接，单片机STCI2C5410AD通过程序控制单排针J2的二引脚个三引脚进而控制内磁共振超低压电位；所述单片机STCI2C5410AD的P3.5引脚、P1.7引脚悬空。
所述单片机STCI2C5410AD的XATAL1引脚和XATAL2引脚与所述晶体振荡器JT2、所述第二电容C2、所述第三电容C3形成晶振电路，晶体振荡器JT2与单片机STCI2C5410AD的XATAL1引脚和XATAL2引脚构成的振荡电路中会产生偕波(也就是不希望存在的其他频率的波)，这个波对电路的影响不大，但会降低电路的时钟振荡器的稳定性，为了电路的稳定性起见，在晶体振荡器JT2的两引脚处接入两个10pf-50pf的电容接地来削减偕波对电路的稳定性的影响，所述第二电容C2、所述第三电容C3均为20pf的电容。
可选择的，所述用于倒计时和内磁共振超低压电位调控的显示模块L包括第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4、第十九电阻R19、第二十电阻R20、第二十一电阻R21、第二十二电阻R22、第二十三电阻R23、第二十四电阻R24、第二十五电阻R25、第一LED、第二LED、第三LED、第四LED、第五电容C5和第六电容C6，其中：
上述第一LED、第二LED、第三LED、第四LED均包括A端、B端、C端、D端、E端、F端、G端、VCC端和DP端，所述第一LED、第二LED用于显示时间，所述第三LED、第四LED用于显示档位，由单片机STCI2C5410AD进行动态扫描，通过控制第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4实现倒计时和内磁共振超低压电位调控显示在第一LED、第二LED、第三LED、第四LED上。
所述第一三极管Q1的发射极与所述电源VCC12连接，所述第一三极管Q1的集电极与所述第一LED的VCC连接，所述第一三极管Q1的基极与所述第十八电阻R18的第一端连接；
所述第五电容C5的一端与所述电源VCC12连接，所述第五电容C5的另一端接地；
所述第二三极管Q2的发射极与所述电源VCC12连接，所述第二三极管Q2的集电极与所述第二LED的VCC连接，所述第二三极管Q2的基极与所述第十九电阻R19的第一端连接；
所述第二十电阻R20的第一端与所述电源VCC12连接，所述第二十电阻R20的第二端、所述第十八电阻R18的第二端均与所述单片机STCI2C5410AD的P2.7引脚连接；
所述第二十一电阻R21的第一端与所述电源VCC12连接，所述第二十一电阻R21的第二端、所述第十九电阻R19的第二端均与所述单片机STCI2C5410AD的P2.6引脚连接；
所述第一LED的G、F、A、B、E、D、C端分别与所述第九电阻R9、所述第十电阻R10、所述第十五电阻R15、所述第十四电阻R14、所述第十一电阻R11、所述第十二电阻R12、所述第十三电阻R13的第二端连接；
所述第二LED的G、F、A、B、E、D、C端分别与所述第九电阻R9、所述第十电阻R10、所述第十五电阻R15、所述第十四电阻R14、所述第十一电阻R11、所述第十二电阻R12、所述第十三电阻R13的第二端连接；
所述第一LED的DP端悬空，所述第二LED的DP端与所述第十六电阻R16的第二端连接；
所述第三三极管Q3的发射极与所述电源VCC12连接，所述第三三极管Q3的集电极与所述第三LED的VCC连接，所述第三三极管Q3的基极与所述第二十二电阻R22的第一端连接；
所述第六电容C6的一端与所述电源VCC12连接，所述第六电容C6的另一端接地；
所述第四三极管Q4的发射极与所述电源VCC12连接，所述第四三极管Q4的集电极与所述第四LED的VCC连接，所述第四三极管Q4的基极与所述第二十三电阻R23的第一端连接；
所述第二十四电阻R24的第一端与所述电源VCC12连接，所述第二十四电阻R24的第二端、所述第二十二电阻R22的第二端均与所述单片机STCI2C5410AD的P2.0引脚连接；
所述第二十五电阻R25的第一端与所述电源VCC12连接，所述第二十五电阻R25的第二端、所述第二十三电阻R23的第二端均与所述单片机STCI2C5410AD的P2.1引脚连接；
所述第三LED的G、F、A、B、E、D、C端分别与所述第九电阻R9、所述第十电阻R10、所述第十五电阻R15、所述第十四电阻R14、所述第十一电阻R11、所述第十二电阻R12、所述第十三电阻R13的第二端连接；
所述第四LED的G、F、A、B、E、D、C端分别与所述第九电阻R9、所述第十电阻R10、所述第十五电阻R15、所述第十四电阻R14、所述第十一电阻R11、所述第十二电阻R12、所述第十三电阻R13的第二端连接；
所述第三LED的DP端、所述第四LED的DP端均悬空。
可选择的，所述电子开关模块J包括第二十六电阻R26、第二十七电阻R27、二十八电阻R28、第二十九电阻R29、第三十电阻R30、第三十一电阻R31、第三十二电阻R32、第一反相放大器U2F、第二反相放大器U2B、第三反相放大器U2C、第四反相放大器U2D、第十一电容C11、第十二电容C12、第十三电容C13、第十四电容C14、第十五电容C15、第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4、第七开关K7和第五三极管Q5，其中：
所述第二十六电阻R26的第一端与所述所述单片机STCI2C5410AD的P2.5引脚连接，所述第二十六电阻R26的第二端与所述第一反相放大器U2F的输入端连接，所述第一反相放大器U2F的输出端与所述第二二极管D2的负极连接，所述第二二极管D2的正极、所述第二十八电阻R28的第一端均与所述第三反相放大器U2C的输出端连接，所述二十八电阻R28的第二端与所述第十一电容C11的一端连接，所述第十一电容C11的另一端接地；
所述第二十七电阻R27的第一端接地，所述第二十七电阻R27的第二端与所述第二反相放大器U2B的输入端连接，所述第二反相放大器U2B的输出端与所述第三反相放大器U2C的输入端连接，所述第三反相放大器U2C的输出端与所述第四反相放大器U2D的输入端连接，所述第四反相放大器U2D的输出端与所述第三十一电阻R31的第一端连接，所述第三十一电阻R31的第二端与所述第五三极管Q5的基极连接，所述第五三极管Q5的集电极接正六伏电源，所述第五三极管Q5的发射极与所述电源VCC12连接，所述第三十二电阻R32的第一端与所述电源VCC12连接，所述第三十二电阻R32的第二端与所述第四二极管D4的正极连接，所述第四二极管D4的负极接地，所述第四二极管D4为发光二极管；
所述第十三电容C13的一端与所述第二十六电阻R26的第二端连接，所述第十三电容C13的另一端接地；
所述第二十七电阻R27的第一端接地，所述第二十七电阻R27的第二端与所述第二反相放大器U2B的输入端连接；
所述第十二电容C12的一端接地，所述第十二电容C12的另一端与所述第二十九电阻R29的第一端连接，所述第七开关K7的两端分别与所述第二十九电阻R29的第一端、所述二十八电阻R28的第二端连接；
所述所述第二十九电阻R29的第二端均与所述第二反相放大器U2B的输出端、所述第三二极管D3的负极连接，所述第三二极管D3的正极均与所述第三十电阻R30的第一端、所述第十四电容C14的一端连接，所述第三十电阻R30的第二端接地，所述第十四电容C14的另一端接正六伏电源，所述第十五电容C15的一端接接正六伏电源，所述第十五电容C15的另一端接地。
所述电子开关模块J可以控制显示模块L，从而把第一电源模块K中的电压进行控制。
可选择的，所述第一电源模块K包括单排针J2、第一芯片U1、第七电容C7、第八电容C8、第九电容C9、第十电容C10、第三十三电阻R33、第三十四电阻R34、第六三极管Q6、第五二极管D5、第六二极管D6和第六三极管Q6，其中：
上述单排针J2包括五个引脚，上述第一芯片U1包括输入端、输出端和接地端。
所述第七电容C7的一端、所述第八电容C8的一端、所述单排针J2的一引脚均与所述第一芯片U1的输入端连接，所述第九电容C9的一端、所述第十电容C10的一端、所述第一芯片U1的输出端均与正六伏电源连接，所述第七电容C7的另一端、所述第八电容C8的另一端、所述第九电容C9的另一端、所述第十电容C10的另一端、所述第一芯片U1的接地端均接地；
所述单排针J2的二引脚与所述单片机STCI2C5410AD的P2.2引脚连接；所述单排针J2的三引脚与所述单片机STCI2C5410AD的P3.7引脚连接；
所述单排针J2的四引脚与所述第三十四电阻R34的第一端连接，所述第三十四电阻R34的第二端与第六三极管Q6的基极连接，所述第六三极管Q6的集电极与所述第三十三电阻R33的第一端连接，所述第三十三电阻R33的第二端与所述电源VCC12连接，所述第五二极管D5的正极、所述第六二极管D6的正极均与所述第六三极管Q6的发射极连接，所述第五二极管D5的正极、所述第六二极管D6的负极均接地；
所述单排针J2的五引脚接地,上述第五二极管D5、第六二极管D6为发光二极管。
所述单排针J2的一引脚引入第二电源模块A所提供的电压到所述第一芯片U1中，从而给整个内磁共振超低压电位调控及显示提供合适的电压。
可选择的，所述内磁共振供电控制模块A1包括单排针J1、第十六电容C16、第十七电容C17、第二十电容C20、第二十一电容C21、第三十八电阻R38、第五十八电阻R58、第七三极管Q7、第八三极管Q8、第九三极管Q9和第七二极管D7，其中：
上述A1包括单排针J1为HEADER5，包括五个引脚，所述第七二极管D7为稳压二极管。
所述第十六电容C16的一端、所述第十七电容C17的一端、所述第五十八电阻R58的第一端、所述第三十八电阻R38的第一端均与所述单排针J1的一引脚连接，所述第十六电容C16的另一端、所述第十七电容C17的另一端均接地，所述第五十八电阻R58的第二端与所述第八三极管Q8的发射极连接，所述第八三极管Q8的基极与所述第七三极管Q7的集电极连接，所述第七二极管D7的负极、所述第九三极管Q9的基极均与所述第八三极管Q8的集电极连接；
所述第七三极管Q7的基极、所述第二十电容C20的一端均与所述单排针J1的二引脚连接，所述第七三极管Q7的发射极、所述第二十电容C20的另一端、所述第七二极管D7的正极、所述第二十一电容C21的一端均接地，所述第二十一电容C21的另一端、所述第九三极管Q9的发射极均与所述电源VCC12连接，所述第九三极管Q9的集电极与所述第三十八电阻R38的第二端连接；
所述单排针J1的四引脚接地，所述单排针J1的一引脚、三引脚、五引脚均与内磁共振超低压电位调控模块B连接。
所述第二电源模块A提供的电压组成内磁共振供电控制电路，即为所述内磁共振供电控制模块A1，所述单排针J1的二引脚控制第七三极管Q7、第八三极管Q8、第九三极管Q9的通断来控制内磁共振的供电。
可选择的，所述内磁共振超低压电位调控模块B包括芯片BIT3715U4、第三十五电阻R35、第三十六电阻R36、第三十七电阻R37、第三十九电阻R39、第四十电阻R40、第四十一电阻R41、第四十二电阻R42、第四十三电阻R43、第四十四电阻R44、第四十五电阻R45、第四十六电阻R46、第四十七电阻R47、第四十八电阻R48、第四十九电阻R49、第五十电阻R50、第五十一电阻R51、第五十二电阻R52、第五十三电阻R53、第五十四电阻R54、第五十五电阻R55、第五十六电阻R56、第十八电容C18、第十九电容C19、第二十二电容C22、第二十三电容C23、第二十八电容C28、第二十九电容C29、第三十电容C30、第三十一电容C31、第三十六电容C36、第三十七电容C37、第三十八电容C38、第三十九电容C39、第四十电容C40、第八二极管D8、第九二极管D9、第十二极管D10、第十一二极管D11、第二十二极管D20、第二十一二极管D21、第二十三二极管D23、第二十四二极管D24、第十三极管Q10和第十一三极管Q11，其中：
所述芯片BIT3715U4包括十六个引脚。
所述第三十五电阻R35的第一端与所述单排针J1的三引脚连接，所述第三十五电阻R35的第二端与所述第三十七电阻R37的第一端连接，所述第三十六电阻R36的第一端与所述电源VCC12连接，所述第十八电容C18的一端、所述第三十七电阻R37的第一端、所述芯片BIT3715U4的十三引脚均与所述第三十六电阻R36的第二端连接，所述第十八电容C18的另一端、所述第三十七电阻R37的第二端、所述第十九电容C19的一端均接地，所述第十九电容C19的另一端与所述芯片BIT3715U4的十二引脚连接；
所述第五十电阻R50的第一端与所述芯片BIT3715U4的十一引脚连接，所述第五十电阻R50的第二端、所述芯片BIT3715U4的一引脚、所述第三十五电容C35的一端均与所述第五十一电阻R51的第一端连接，所述第三十五电容C35的另一端与所述芯片BIT3715U4的二引脚连接，所述第五十一电阻R51的第二端、所述第四十八电阻R48的第一端均与所述第五十二电阻R52的第一端连接，所述第五十二电阻R52的第二端接地，所述第四十八电阻R48的第二端、所述第四十七电阻R47的第一端均与所述第四十九电阻R49的第一端连接，所述第四十九电阻R49的第二端接地；
所述第五十三电阻R53的第一端、所述第三十六电容C36的一端、所述第三十七电容C37的一端、所述第三十八电容C38的一端分别与所述芯片BIT3715U4的三引脚、四引脚、五引脚、六引脚连接，所述第五十三电阻R53的第二端、所述第三十六电容C36的另一端、所述第三十七电容C37的另一端、所述第三十八电容C38的另一端均接地，所述第三十九电阻R39的第一端与所述芯片BIT3715U4的六引脚连接，所述第三十九电阻R39的第二端与所述电源VCC12连接；
所述第二十二电容C22的一端与所述芯片BIT3715U4的九引脚连接，所述第二十二电容C22的另一端、所述第四十电阻R40的第一端、所述第十三极管Q10的基极均与所述第八二极管D8的正极连接，所述第四十电阻R40的第二端、所述第八二极管D8的负极均与所述单排针J1的一引脚连接，所述第十三极管Q10的集电极与所述第二十三电容C23的一端连接，所述第二十三电容C23的另一端接地，所述第十三极管Q10的发射极与所述第十一三极管Q11的集电极连接，所述第十一三极管Q11的基极、所述第九二极管D9的正极均与所述第四十一电阻R41的第一端连接，所述第四十一电阻R41的第二端、所述第九二极管D9的负极均与所述芯片BIT3715U4的八引脚连接，所述第十一三极管Q11的发射极接地；
所述第十三极管Q10的发射极、所述第十一三极管Q11的集电极均与所述内磁共振超低压电位发生模块C连接；
所述第三十九电容C39的一端、所述第五十五电阻R55的第一端、所述第二十三二极管D23的负极均与所述芯片BIT3715U4的十五引脚连接，所述第三十九电容C39的另一端、所述第五十五电阻R55的第二端、所述第四十电容C40的一端均接地，所述第二十三二极管D23的正极、所述第二十四二极管D24的正极均与所述第五十四电阻R54的第一端连接，所述第五十四电阻R54的第二端与所述电源VCC12连接，所述第四十电容C40的另一端、所述第五十六电阻R56的第一端均与所述第二十四二极管D24的负极连接，所述第五十六电阻R56的第二端、所述第二十一二极管D21的负极均与所述第四十七电阻R47的第二端连接；
所述第二十二极管D20的负极、所述第三十一电容C31的一端均与所述第二十一二极管D21的正极连接，所述第二十二极管D20的正极接地，所述第三十一电容C31的另一端、所述第二十九电容C29的一端均与所述第四十三电阻R43的第一端连接，所述第四十二电阻R42的第一端、所述第四十三电阻R43的第一端、所述第二十八电容C28的一端均接地，所述第二十八电容C28的另一端、所述第四十二电阻R42的第二端、所述四十三电阻R43的第二端均与所述单排针J1的五引脚连接；
所述第三十电容C30的一端、所述第十二极管D10的负极、所述第二十九电容C29的另一端均与所述第十一二极管D11的正极连接，所述第三十电容C30的另一端、所述第十二极管D10的正极均接地，所述第十一二极管D11的负极与所述第四十四电阻R44的第一端连接，所述第四十四电阻R44的第二端接地；
所述芯片BIT3715U4的十引脚与所述第十四电源连接，所述芯片BIT3715U4的七引脚、十四引脚、十六引脚均接地。
通过内磁共振供电控制模块A1给芯片BIT3715U4供电后，芯片BIT3715U4的外围电路第五十三电阻R53、第三十六电容C36至第三十八电容C38组成RC电路，同时单排针J1的3脚输入不同占空比的PWM，从而使芯片BIT3715U4的八引脚和九引脚输出50KHz—90KHz不同占空比的连续脉冲控制第十三极管Q10和第十一三极管Q11的通断。
可选择的，所述内磁共振超低压电位发生模块C包括变压器T1、第二十四电容C24、第二十五电容C25、第二十六电容C26、第二十七电容C27、第十二二极管D12、第十三二极管D13、第十四二极管D14、第十五二极管D15、第十六二极管D16、第十七二极管D17、第十八二极管D18、第十九二极管D19、第二电感器L2第五十九电阻R59，其中：
所述第十三极管Q10的发射极、所述第十一三极管Q11的集电极均与所述变压器T1的初级线圈连接，所述第二十四电容C24的一端、所述第二十五电容C25的一端、所述第二十六电容C26的一端、所述第二十七电容C27的一端均与变压器T1的初级线圈连接，所述第二十四电容C24的另一端、所述第二十五电容C25的另一端、所述第二十六电容C26的另一端、所述第二十七电容C27的另一端均接地；
所述第十九二极管D19的正极、所述第十二二极管D12的正极、所述第十六二极管D16的正极、所述第十五二极管D15的正极均与所述变压器T1的次级线圈连接，所述第十九二极管D19的负极、所述第十二二极管D12的负极、所述第十六二极管D16的负极、所述第十五二极管D15的负极分别与所述第十八二极管D18的正极、所述第十三二极管D13的正极、所述第十七二极管D17的正极、所述第十四二极管D14的正极连接，所述第十八二极管D18的负极、所述第十三二极管D13的负极、所述第十七二极管D17的负极、所述第十四二极管D14的负极均接地；
所述变压器T1的次级线圈接出，所述变压器T1的次级线圈接出与负载连接。
由内磁共振超低压电位调控模块B的第十三极管Q10和第十一三极管Q11的开关特性来驱动变压器T1，变压器T1次级经第十二电容D12第十九电容D19的周围形成电场。
由以上技术方案可知，本发明提供了一种用于治疗高血压的系统，包括：用于内磁共振超低压电位调控及控制显示的调控模块M，用于倒计时和内磁共振超低压电位调控的显示模块L，用于控制调控模块M的电子开关模块J，所述调控模块M均与所述显示模块L、所述第一电源模块K、所述电子开关模块J连接；所述内磁共振供电控制模块A1与所述内磁共振超低压电位调控模块B连接；所述内磁共振超低压电位调控模块B与所述内磁共振超低压电位发生模块C连接；所述第二电源模块A为所述调控模块M、所述显示模块L、所述电子开关模块J、所述第一电源模块K、所述内磁共振供电控制模块A1、所述内磁共振超低压电位调控模块B和所述内磁共振超低压电位发生模块C提供所需的电压。通过调控模块M、电子开关模块J、第一电源模块K、第二电源模块A、内磁共振供电控制模块A1、内磁共振超低压电位调控模块B和内磁共振超低压电位发生模块C的配合工作，内磁共振供电控制模块A1控制内磁共振的供电，内磁共振超低压电位调控模块B调控内磁共振超低压电位，内磁共振超低压电位发生模块C产生内磁共振超低压电位，第一电源模块K给整个内磁共振超低压电位调控及显示提供合适电压，电子开关模块J可以对第一电源模块K中的电压进行控制，本发明提供的用于治疗高血压的系统能够输出生物电子形成-10V～-90V的低压直流负电场，操作安全，可长期居家使用，有助于高血压患者的康复。
参见图17，一种用于治疗高血压的装置，上述用于治疗高血压的系统用于所述用于治疗高血压的装置，包括主机，上述用于治疗高血压的系统设置于所述主机内，所述主机产生并输出生物负电子，所述主机与生物电子穴位靶向照射器连接，所述生物电子穴位靶向照射器即为穴位作用电路，上述穴位作用电路在专利CN201420269022.3中已描述有，穴位作用电路接收内磁共振超低压电位发生模块C产生的负电位，穴位作用电路通过高血压相关经穴，穴位作用电路给红细胞补充负电荷，然后修复红细胞膜电位到正常值-10mV,恢复红细胞间同级电荷斥力，改善血粘度，在细胞层面康复痊愈高血压。同时，生物电子针灸器连接主机的接地端，用中医手法技巧刺激高血压相关经络穴位，加强引流生物负电子作用于高血压病症相碰器官衰弱细胞(如衰弱红细胞)，修复细胞，恢复其正常功能，在细胞层面从病根上加强高血压康复痊愈效果。
根据本发明提供的用于治疗高血压的系统，医院减药降压临床案例数据分析表如下：
Figure BDA0001936698050000201
表1
Figure BDA0001936698050000202
表2
表1为减药后降压疗程数据分析表，表2为减量降压西药数据表，可以看出无效率为0％，表1和表2摘引自三甲权威医院重庆医科大学附属第二医院《临床报告》。
根据本发明提供的用于治疗高血压的装置，消融动脉斑块，减少动脉血管内中膜厚度的效果案例如表3所示：
Figure BDA0001936698050000211
表3
参见图18，为西药控制治疗中的高血压(病理指标≧140mmHg)六十例样本，采用BET(生物负电子，英文Bio Eliec Trocs，简写BET)中医新疗法，康复向愈治疗仅四天，高血压指标(病理指标≧140mmHg)康复归转到正常血压指标(136mmHg)。减量降压西药后，降压无效率0％，实现了不增加药量也收到血压正常的显著效果。
本装置的治疗机理：生物电子靶向穴位照射器形成-10至-160v形成低压直流负电场力，作用于高血压病康复相关经络穴位。如肾俞穴、百会穴、四神聪穴、风府穴、风池穴、太阳穴、阿是穴等经穴，同时，使用生物电子针灸器，创新运用中医针灸、推拿、按摩和刮痧的推、刮、按、揉等技术手法，对患者任脉、督脉及头、颈、胸腹、背经络进行生物电针灸梳理刺激，利用正负电荷相吸原理，给因缺少负电荷，同级电荷斥力减弱，而聚集叠连，形成血瘀血垢或斑块，堵塞血管，产生高血压病及并发心脑血管病的红细胞补充负电荷，修复红细胞膜电位到正常值-10mV，恢复红细胞间同级电荷斥力，改善血粘稠度，清畅血液，祛瘀活血，消融斑块，在细胞层面从病根上彻底康复治愈高血压及其并发症心脑血管疾病。
高血压向愈BET(生物负电子，英文Bio Eliec Trocs，简写BET)中医特色康复治疗设备，突破目前国内外电疗设备行业仿生电治疗因子的传统技术，原创发明电子电路及装置，产生输出独特的治疗因子“生物负电子”，与体外靶向照射器协同构成与人体细胞膜电位同为低压直流负电位的治疗电位。利用正负电荷相吸原理和BET负电子对高血压相关的中医经络穴位的电针灸刺激新技术新方法，直接给高血压患者血液中那些因负电荷不足，正电荷过多，同级负电荷斥力衰弱或消失，而聚集叠连，形成血瘀血垢，阻塞血管的红细胞补充负电荷，精准修复衰弱红细胞膜电位到正常值(-10mV)，恢复红细胞间同级负电荷斥力，改善血粘度，清除血瘀血垢，畅通血液，在细胞层面从病根上促进高血压心脑血管病康复向愈。
由以上技术方案可知，通过本发明用于治疗高血压的装置靶向照射器和生物电子针灸器同时进行高血压相关经络穴刺激，给红细胞补充负电荷，修复膜电位恢复衰弱红细胞同级电荷斥力，改善血粘度，清畅血液，在细胞层面从病根上彻底康复痊愈高血压心脑血管疾病。
以上仅是本发明的具体实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种用于治疗高血压的系统，其特征在于，所述用于治疗高血压的系统包括用于内磁共振超低压电位调控及控制显示的调控模块M，用于倒计时和内磁共振超低压电位调控的显示模块L，用于控制调控模块M的电子开关模块J，还包括第一电源模块K、第二电源模块A、内磁共振供电控制模块A1、内磁共振超低压电位调控模块B和内磁共振超低压电位发生模块C，其中：
所述调控模块M均与所述显示模块L、所述第一电源模块K、所述电子开关模块J连接；
所述内磁共振供电控制模块A1与所述内磁共振超低压电位调控模块B连接；
所述内磁共振超低压电位调控模块B与所述内磁共振超低压电位发生模块C连接；
所述第二电源模块A为所述调控模块M、所述显示模块L、所述电子开关模块J、所述第一电源模块K、所述内磁共振供电控制模块A1、所述内磁共振超低压电位调控模块B和所述内磁共振超低压电位发生模块C提供所需的电压。
2.如权利要求1所述的用于治疗高血压的系统，其特征在于，所述第二电源模块A包括保险丝(F)、可调电阻(VR)、开关电源(J3)、第二十二二极管(D22)、第一电感器(L1)和电源(VCC12)，其中：
所述保险丝(F)的一端、所述可调电阻(VR)的一端均与所述开关电源(J3)的一引脚连接，所述保险丝(F)的另一端、所述第二十二二极管(D22)的负极均与所述第一电感器(L1)的一端连接，所述第一电感器(L1)的另一端与所述电源(VCC12)连接；
所述开关电源(J3)的二引脚、所述开关电源(J3)的三引脚、所述可调电阻(VR)的另一端、所述第二十二二极管(D22)的正极均接地。
3.如权利要求2所述的用于治疗高血压的系统，其特征在于，所述用于内磁共振超低压电位调控及控制显示的调控模块M包括：第一开关(K1)、第二开关(K2)、第三开关(K3)、第四开关(K4)、第五开关(K5)、第六开关(K6)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第六电阻(R6)、第七电阻(R7)、第八电阻(R8)、第九电阻(R9)、第十电阻(R10)、第十一电阻(R11)、第十二电阻(R12)、第十三电阻(R13)、第十四电阻(R14)、第十五电阻(R15)、第十六电阻(R16)、第十七电阻(R17)、单片机STCI2C5410AD、第一电容(C1)、第二电容(C2)、第三电容(C3)、第四电容(C4)、晶体振荡器(JT2)、第一二极管(D1)、其中：
所述第一开关(K1)、所述第二开关(K2)、所述第三开关(K3)、所述第四开关(K4)、所述第五开关(K5)、所述第六开关(K6)均接地；
所述第一电阻(R1)的第一端与所述电源(VCC12)连接，所述第一电阻(R1)的第二端均与所述单片机STCI2C5410AD的P2.3引脚、所述第六开关(K6)连接；所述第二电阻(R2)的第一端与所述电源(VCC12)连接，所述第二电阻(R2)的第二端均与所述单片机STCI2C5410AD的P3.0引脚、所述第五开关(K5)连接；
所述第三电阻(R3)的第一端与所述电源(VCC12)连接，所述第三电阻(R3)的第二端均与所述单片机STCI2C5410AD的P3.1引脚、所述第四开关(K4)连接；
所述第四电阻(R4)的第一端与所述电源(VCC12)连接，所述第四电阻(R4)的第二端均与所述单片机STCI2C5410AD的P3.2引脚、所述第三开关(K3)连接；
所述第五电阻(R5)的第一端与所述电源(VCC12)连接，所述第五电阻(R5)的第二端均与所述单片机STCI2C5410AD的P3.3引脚、所述第二开关(K2)连接；
所述第六电阻(R6)的第一端与所述电源(VCC12)连接，所述第六电阻(R6))的第二端均与所述单片机STCI2C5410AD的P3.4引脚、所述第一开关(K1)连接；
所述第七电阻(R7)的第一端与所述电源(VCC12)连接，所述第七电阻(R7)的第二端与所述单片机STCI2C5410AD的P2.2引脚连接；
所述第八电阻(R8)的第一端与所述电源(VCC12)连接，所述第八电阻(R8)的第二端与所述单片机STCI2C5410AD的P3.7引脚连接；所述第九电阻(R9)、所述第十电阻(R10)、所述第十一电阻(R11)、所述第十二电阻(R12)、所述第十三电阻(R13)、所述第十四电阻(R14)、所述第十五电阻(R15)的第一端均与所述显示模块L连接；
所述第九电阻(R9)、所述第十电阻(R10)、所述第十一电阻(R11)、所述第十二电阻(R12)、所述第十三电阻(R13)、所述第十四电阻(R14)、所述第十五电阻(R15)的第二端分别与所述单片机STCI2C5410AD的P1.6引脚、P1.5引脚、P1.4引脚、P1.3引脚、P1.2引脚、P1.1引脚、P1.0引脚连接；
所述第十六电阻(R16)的第一端与单片机STCI2C5410AD的P2.4引脚连接，所述第十六电阻(R16)的第二端与显示模块L连接；
所述第十七电阻(R17)的第一端与所述单片机STCI2C5410AD的RSE引脚连接，所述第十七电阻(R17)的第二端接地；
所述第一电容(C1)的一端与所述电源(VCC12)连接，所述第一电容(C1)的另一端接地，所述单片机STCI2C5410AD的VCC引脚与所述所述电源(VCC12)连接；
所述第二电容(C2)的一端接地，所述第二电容(C2)的另一端与所述单片机STCI2C5410AD的XATAL2引脚连接；所述第三电容(C3)的一端接地，所述第三电容(C3)的另一端与所述单片机STCI2C5410AD的XATAL1引脚连接；
所述第四电容(C4)的一端与所述电源(VCC12)连接，所述第四电容(C4)的另一端与所述单片机STCI2C5410AD的RSE引脚连接；
所述晶体振荡器(JT2)的两端分别与所述单片机STCI2C5410AD的XATAL1引脚和XATAL2引脚连接；
所述第一二极管(D1)的正极与所述第十七电阻(R17)的第二端连接，所述第一二极管(D1)的负极与所述单片机STCI2C5410AD的RSE引脚连接；
所述单片机STCI2C5410AD的GND引脚接地；所述单片机STCI2C5410AD的P2.1引脚、P2.0引脚、P2.7引脚、P2.6引脚均与所述显示模块L连接；
所述单片机STCI2C5410AD的P2.5引脚与所述电子开关模块J连接；所述单片机STCI2C5410ADP2.2引脚、P3.7引脚与所述第一电源模块K连接；所述单片机STCI2C5410AD的P3.5引脚、P1.7引脚悬空。
4.如权利要去3所述的用于治疗高血压的系统，其特征在于，所述用于倒计时和内磁共振超低压电位调控的显示模块L包括第一三极管(Q1)、第二三极管(Q2)、第三三极管(Q3)、第四三极管(Q4)、第十九电阻(R19)、第二十电阻(R20)、第二十一电阻(R21)、第二十二电阻(R22)、第二十三电阻(R23)、第二十四电阻(R24)、第二十五电阻(R25)、第一LED、第二LED、第三LED、第四LED、第五电容(C5)和第六电容(C6)，其中：
所述第一三极管(Q1)的发射极与所述电源(VCC12)连接，所述第一三极管(Q1)的集电极与所述第一LED的VCC连接，所述第一三极管(Q1)的基极与所述第十八电阻(R18)的第一端连接；
所述第五电容(C5)的一端与所述电源(VCC12)连接，所述第五电容(C5)的另一端接地；
所述第二三极管(Q2)的发射极与所述电源(VCC12)连接，所述第二三极管(Q2)的集电极与所述第二LED的VCC连接，所述第二三极管(Q2)的基极与所述第十九电阻(R19)的第一端连接；
所述第二十电阻(R20)的第一端与所述电源(VCC12)连接，所述第二十电阻(R20)的第二端、所述第十八电阻(R18)的第二端均与所述单片机STCI2C5410AD的P2.7引脚连接；
所述第二十一电阻(R21)的第一端与所述电源(VCC12)连接，所述第二十一电阻(R21)的第二端、所述第十九电阻(R19)的第二端均与所述单片机STCI2C5410AD的P2.6引脚连接；
所述第一LED的G、F、A、B、E、D、C端分别与所述第九电阻(R9)、所述第十电阻(R10)、所述第十五电阻(R15)、所述第十四电阻(R14)、所述第十一电阻(R11)、所述第十二电阻(R12)、所述第十三电阻(R13)的第二端连接；
所述第二LED的G、F、A、B、E、D、C端分别与所述第九电阻(R9)、所述第十电阻(R10)、所述第十五电阻(R15)、所述第十四电阻(R14)、所述第十一电阻(R11)、所述第十二电阻(R12)、所述第十三电阻(R13)的第二端连接；
所述第一LED的DP端悬空，所述第二LED的DP端与所述第十六电阻(R16)的第二端连接；
所述第三三极管(Q3)的发射极与所述电源(VCC12)连接，所述第三三极管(Q3)的集电极与所述第三LED的VCC连接，所述第三三极管(Q3)的基极与所述第二十二电阻(R22)的第一端连接；
所述第六电容(C6)的一端与所述电源(VCC12)连接，所述第六电容(C6)的另一端接地；
所述第四三极管(Q4)的发射极与所述电源(VCC12)连接，所述第四三极管(Q4)的集电极与所述第四LED的VCC连接，所述第四三极管(Q4)的基极与所述第二十三电阻(R23)的第一端连接；
所述第二十四电阻(R24)的第一端与所述电源(VCC12)连接，所述第二十四电阻(R24)的第二端、所述第二十二电阻(R22)的第二端均与所述单片机STCI2C5410AD的P2.0引脚连接；
所述第二十五电阻(R25)的第一端与所述电源(VCC12)连接，所述第二十五电阻(R25)的第二端、所述第二十三电阻(R23)的第二端均与所述单片机STCI2C5410AD的P2.1引脚连接；
所述第三LED的G、F、A、B、E、D、C端分别与所述第九电阻(R9)、所述第十电阻(R10)、所述第十五电阻(R15)、所述第十四电阻(R14)、所述第十一电阻(R11)、所述第十二电阻(R12)、所述第十三电阻(R13)的第二端连接；
所述第四LED的G、F、A、B、E、D、C端分别与所述第九电阻(R9)、所述第十电阻(R10)、所述第十五电阻(R15)、所述第十四电阻(R14)、所述第十一电阻(R11)、所述第十二电阻(R12)、所述第十三电阻(R13)的第二端连接；
所述第三LED的DP端、所述第四LED的DP端均悬空。
5.如权利要求4所述的用于治疗高血压的系统，其特征在于，所述电子开关模块J包括第二十六电阻(R26)、第二十七电阻(R27)、二十八电阻(R28)、第二十九电阻(R29)、第三十电阻(R30)、第三十一电阻(R31)、第三十二电阻(R32)、第一反相放大器(U2F)、第二反相放大器(U2B)、第三反相放大器(U2C)、第四反相放大器(U2D)、第十一电容(C11)、第十二电容(C12)、第十三电容(C13)、第十四电容(C14)、第十五电容(C15)、第二二极管(D2)、第三二极管(D3)、第四二极管(D4)、第七开关(K7)和第五三极管(Q5)，其中：
所述第二十六电阻(R26)的第一端与所述所述单片机STCI2C5410AD的P2.5引脚连接，所述第二十六电阻(R26)的第二端与所述第一反相放大器(U2F)的输入端连接，所述第一反相放大器(U2F)的输出端与所述第二二极管(D2)的负极连接，所述第二二极管(D2)的正极、所述第二十八电阻(R28)的第一端均与所述第三反相放大器(U2C)的输出端连接，所述二十八电阻(R28)的第二端与所述第十一电容(C11)的一端连接，所述第十一电容(C11)的另一端接地；
所述第二十七电阻(R27)的第一端接地，所述第二十七电阻(R27)的第二端与所述第二反相放大器(U2B)的输入端连接，所述第二反相放大器(U2B)的输出端与所述第三反相放大器(U2C)的输入端连接，所述第三反相放大器(U2C)的输出端与所述第四反相放大器(U2D)的输入端连接，所述第四反相放大器(U2D)的输出端与所述第三十一电阻(R31)的第一端连接，所述第三十一电阻(R31)的第二端与所述第五三极管(Q5)的基极连接，所述第五三极管(Q5)的集电极接正六伏电源，所述第五三极管(Q5)的发射极与所述电源(VCC12)连接，所述第三十二电阻(R32)的第一端与所述电源(VCC12)连接，所述第三十二电阻(R32)的第二端与所述第四二极管(D4)的正极连接，所述第四二极管(D4)的负极接地；
所述第十三电容(C13)的一端与所述第二十六电阻(R26)的第二端连接，所述第十三电容(C13)的另一端接地；
所述第二十七电阻(R27)的第一端接地，所述第二十七电阻(R27)的第二端与所述第二反相放大器(U2B)的输入端连接；
所述第十二电容(C12)的一端接地，所述第十二电容(C12)的另一端与所述第二十九电阻(R29)的第一端连接，所述第七开关(K7)的两端分别与所述第二十九电阻(R29)的第一端、所述二十八电阻(R28)的第二端连接；
所述所述第二十九电阻(R29)的第二端均与所述第二反相放大器(U2B)的输出端、所述第三二极管(D3)的负极连接，所述第三二极管(D3)的正极均与所述第三十电阻(R30)的第一端、所述第十四电容(C14)的一端连接，所述第三十电阻(R30)的第二端接地，所述第十四电容(C14)的另一端接正六伏电源，所述第十五电容(C15)的一端接接正六伏电源，所述第十五电容(C15)的另一端接地。
6.如权利要求5所述的用于治疗高血压的系统，其特征在于，所述第一电源模块K包括单排针(J2)、第一芯片(U1)、第七电容(C7)、第八电容(C8)、第九电容(C9)、第十电容(C10)、第三十三电阻(R33)、第三十四电阻(R34)、第六三极管(Q6)、第五二极管(D5)、第六二极管(D6)和第六三极管(Q6)，其中：
所述第七电容(C7)的一端、所述第八电容(C8)的一端、所述单排针(J2)的一引脚均与所述第一芯片(U1)的输入端连接，所述第九电容(C9)的一端、所述第十电容(C10)的一端、所述第一芯片(U1)的输出端均与正六伏电源连接，所述第七电容(C7)的另一端、所述第八电容(C8)的另一端、所述第九电容(C9)的另一端、所述第十电容(C10)的另一端、所述第一芯片(U1)的接地端均接地；
所述单排针(J2)的二引脚与所述单片机STCI2C5410AD的P2.2引脚连接；所述单排针(J2)的三引脚与所述单片机STCI2C5410AD的P3.7引脚连接；
所述单排针(J2)的四引脚与所述第三十四电阻(R34)的第一端连接，所述第三十四电阻(R34)的第二端与第六三极管(Q6)的基极连接，所述第六三极管(Q6)的集电极与所述第三十三电阻(R33)的第一端连接，所述第三十三电阻(R33)的第二端与所述电源(VCC12)连接，所述第五二极管(D5)的正极、所述第六二极管(D6)的正极均与所述第六三极管(Q6)的发射极连接，所述第五二极管(D5)的正极、所述第六二极管(D6)的负极均接地；
所述单排针(J2)的五引脚接地。
7.如权利要求6所述的用于治疗高血压的系统，其特征在于，所述内磁共振供电控制模块A1包括单排针(J1)、第十六电容(C16)、第十七电容(C17)、第二十电容(C20)、第二十一电容(C21)、第三十八电阻(R38)、第五十八电阻(R58)、第七三极管(Q7)、第八三极管(Q8)、第九三极管(Q9)和第七二极管(D7)，其中：
所述第十六电容(C16)的一端、所述第十七电容(C17)的一端、所述第五十八电阻(R58)的第一端、所述第三十八电阻(R38)的第一端均与所述单排针(J1)的一引脚连接，所述第十六电容(C16)的另一端、所述第十七电容(C17)的另一端均接地，所述第五十八电阻(R58)的第二端与所述第八三极管(Q8)的发射极连接，所述第八三极管(Q8)的基极与所述第七三极管(Q7)的集电极连接，所述第七二极管(D7)的负极、所述第九三极管(Q9)的基极均与所述第八三极管(Q8)的集电极连接；
所述第七三极管(Q7)的基极、所述第二十电容(C20)的一端均与所述单排针(J1)的二引脚连接，所述第七三极管(Q7)的发射极、所述第二十电容(C20)的另一端、所述第七二极管(D7)的正极、所述第二十一电容(C21)的一端均接地，所述第二十一电容(C21)的另一端、所述第九三极管(Q9)的发射极均与所述电源(VCC12)连接，所述第九三极管(Q9)的集电极与所述第三十八电阻(R38)的第二端连接；
所述单排针(J1)的四引脚接地，所述单排针(J1)的一引脚、三引脚、五引脚均与内磁共振超低压电位调控模块B连接。
8.如权利要求7所述的用于治疗高血压的系统，其特征在于，所述内磁共振超低压电位调控模块B包括芯片BIT3715(U4)、第三十五电阻(R35)、第三十六电阻(R36)、第三十七电阻(R37)、第三十九电阻(R39)、第四十电阻(R40)、第四十一电阻(R41)、第四十二电阻(R42)、第四十三电阻(R43)、第四十四电阻(R44)、第四十五电阻(R45)、第四十六电阻(R46)、第四十七电阻(R47)、第四十八电阻(R48)、第四十九电阻(R49)、第五十电阻(R50)、第五十一电阻(R51)、第五十二电阻(R52)、第五十三电阻(R53)、第五十四电阻(R54)、第五十五电阻(R55)、第五十六电阻(R56)、第十八电容(C18)、第十九电容(C19)、第二十二电容(C22)、第二十三电容(C23)、第二十八电容(C28)、第二十九电容(C29)、第三十电容(C30)、第三十一电容(C31)、第三十六电容(C36)、第三十七电容(C37)、第三十八电容(C38)、第三十九电容(C39)、第四十电容(C40)、第八二极管(D8)、第九二极管(D9)、第十二极管(D10)、第十一二极管(D11)、第二十二极管(D20)、第二十一二极管(D21)、第二十三二极管(D23)、第二十四二极管(D24)、第十三极管(Q10)和第十一三极管(Q11)，其中：
所述第三十五电阻(R35)的第一端与所述单排针(J1)的三引脚连接，所述第三十五电阻(R35)的第二端与所述第三十七电阻(R37)的第一端连接，所述第三十六电阻(R36)的第一端与所述电源(VCC12)连接，所述第十八电容(C18)的一端、所述第三十七电阻(R37)的第一端、所述芯片BIT3715(U4)的十三引脚均与所述第三十六电阻(R36)的第二端连接，所述第十八电容(C18)的另一端、所述第三十七电阻(R37)的第二端、所述第十九电容(C19)的一端均接地，所述第十九电容(C19)的另一端与所述芯片BIT3715(U4)的十二引脚连接；
所述第五十电阻(R50)的第一端与所述芯片BIT3715(U4)的十一引脚连接，所述第五十电阻(R50)的第二端、所述芯片BIT3715(U4)的一引脚、所述第三十五电容(C35)的一端均与所述第五十一电阻(R51)的第一端连接，所述第三十五电容(C35)的另一端与所述芯片BIT3715(U4)的二引脚连接，所述第五十一电阻(R51)的第二端、所述第四十八电阻(R48)的第一端均与所述第五十二电阻(R52)的第一端连接，所述第五十二电阻(R52)的第二端接地，所述第四十八电阻(R48)的第二端、所述第四十七电阻(R47)的第一端均与所述第四十九电阻(R49)的第一端连接，所述第四十九电阻(R49)的第二端接地；
所述第五十三电阻(R53)的第一端、所述第三十六电容(C36)的一端、所述第三十七电容(C37)的一端、所述第三十八电容(C38)的一端分别与所述芯片BIT3715(U4)的三引脚、四引脚、五引脚、六引脚连接，所述第五十三电阻(R53)的第二端、所述第三十六电容(C36)的另一端、所述第三十七电容(C37)的另一端、所述第三十八电容(C38)的另一端均接地，所述第三十九电阻(R39)的第一端与所述芯片BIT3715(U4)的六引脚连接，所述第三十九电阻(R39)的第二端与所述电源(VCC12)连接；
所述第二十二电容(C22)的一端与所述芯片BIT3715(U4)的九引脚连接，所述第二十二电容(C22)的另一端、所述第四十电阻(R40)的第一端、所述第十三极管(Q10)的基极均与所述第八二极管(D8)的正极连接，所述第四十电阻(R40)的第二端、所述第八二极管(D8)的负极均与所述单排针(J1)的一引脚连接，所述第十三极管(Q10)的集电极与所述第二十三电容(C23)的一端连接，所述第二十三电容(C23)的另一端接地，所述第十三极管(Q10)的发射极与所述第十一三极管(Q11)的集电极连接，所述第十一三极管(Q11)的基极、所述第九二极管(D9)的正极均与所述第四十一电阻(R41)的第一端连接，所述第四十一电阻(R41)的第二端、所述第九二极管(D9)的负极均与所述芯片BIT3715(U4)的八引脚连接，所述第十一三极管(Q11)的发射极接地；
所述第十三极管(Q10)的发射极、所述第十一三极管(Q11)的集电极均与所述内磁共振超低压电位发生模块C连接；
所述第三十九电容(C39)的一端、所述第五十五电阻(R55)的第一端、所述第二十三二极管(D23)的负极均与所述芯片BIT3715(U4)的十五引脚连接，所述第三十九电容(C39)的另一端、所述第五十五电阻(R55)的第二端、所述第四十电容(C40)的一端均接地，所述第二十三二极管(D23)的正极、所述第二十四二极管(D24)的正极均与所述第五十四电阻(R54)的第一端连接，所述第五十四电阻(R54)的第二端与所述电源(VCC12)连接，所述第四十电容(C40)的另一端、所述第五十六电阻(R56)的第一端均与所述第二十四二极管(D24)的负极连接，所述第五十六电阻(R56)的第二端、所述第二十一二极管(D21)的负极均与所述第四十七电阻(R47)的第二端连接；
所述第二十二极管(D20)的负极、所述第三十一电容(C31)的一端均与所述第二十一二极管(D21)的正极连接，所述第二十二极管(D20)的正极接地，所述第三十一电容(C31)的另一端、所述第二十九电容(C29)的一端均与所述第四十三电阻(R43)的第一端连接，所述第四十二电阻(R42)的第一端、所述第四十三电阻(R43)的第一端、所述第二十八电容(C28)的一端均接地，所述第二十八电容(C28)的另一端、所述第四十二电阻(R42)的第二端、所述四十三电阻(R43)的第二端均与所述单排针(J1)的五引脚连接；
所述第三十电容(C30)的一端、所述第十二极管(D10)的负极、所述第二十九电容(C29)的另一端均与所述第十一二极管(D11)的正极连接，所述第三十电容(C30)的另一端、所述第十二极管(D10)的正极均接地，所述第十一二极管(D11)的负极与所述第四十四电阻(R44)的第一端连接，所述第四十四电阻(R44)的第二端接地；
所述芯片BIT3715(U4)的十引脚与所述第十四电源连接，所述芯片BIT3715(U4)的七引脚、十四引脚、十六引脚均接地。
9.如权利要求8所述的用于治疗高血压的系统，其特征在于，所述内磁共振超低压电位发生模块C包括变压器(T1)、第二十四电容(C24)、第二十五电容(C25)、第二十六电容(C26)、第二十七电容(C27)、第十二二极管(D12)、第十三二极管(D13)、第十四二极管(D14)、第十五二极管(D15)、第十六二极管(D16)、第十七二极管(D17)、第十八二极管(D18)、第十九二极管(D19)、第二电感器(L2)第五十九电阻(R59)，其中：
所述第十三极管(Q10)的发射极、所述第十一三极管(Q11)的集电极均与所述变压器(T1)的初级线圈连接，所述第二十四电容(C24)的一端、所述第二十五电容(C25)的一端、所述第二十六电容(C26)的一端、所述第二十七电容(C27)的一端均与变压器(T1)的初级线圈连接，所述第二十四电容(C24)的另一端、所述第二十五电容(C25)的另一端、所述第二十六电容(C26)的另一端、所述第二十七电容(C27)的另一端均接地；
所述第十九二极管(D19)的正极、所述第十二二极管(D12)的正极、所述第十六二极管(D16)的正极、所述第十五二极管(D15)的正极均与所述变压器(T1)的次级线圈连接，所述第十九二极管(D19)的负极、所述第十二二极管(D12)的负极、所述第十六二极管(D16)的负极、所述第十五二极管(D15)的负极分别与所述第十八二极管(D18)的正极、所述第十三二极管(D13)的正极、所述第十七二极管(D17)的正极、所述第十四二极管(D14)的正极连接，所述第十八二极管(D18)的负极、所述第十三二极管(D13)的负极、所述第十七二极管(D17)的负极、所述第十四二极管(D14)的负极均接地；
所述变压器(T1)的次级线圈接出。
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Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1054541A (zh) * 1991-04-29 1991-09-18 王程远 一种高血压治疗装置
JPH11169466A (ja) * 1997-12-11 1999-06-29 Akiya Ozawa 電位治療器
US20070156179A1 (en) * 2003-03-06 2007-07-05 S E Karashurov Multi-channel and multi dimensional system and method
EP2002862A1 (en) * 2007-06-13 2008-12-17 Chong-Phil Jeong Alpha-wave inducer
CN101496931A (zh) * 2008-12-04 2009-08-05 重庆新大地电子有限公司 低电位负电离子保健理疗方法及系统
US20100145399A1 (en) * 2008-09-29 2010-06-10 Pooja Johari Multifunction devices and methods of using the multifunction devices
CN102100940A (zh) * 2009-12-18 2011-06-22 重庆新大地电子有限公司 生物负电失眠康复治疗仪设备系统
CN102100945A (zh) * 2009-12-18 2011-06-22 重庆新大地电子有限公司 生物负电子保健治疗仪设备系统
CN201988061U (zh) * 2011-01-28 2011-09-28 董子民 应激治疗仪
US20130310909A1 (en) * 2005-11-10 2013-11-21 ElectroCore, LLC Systems and methods for vagal nerve stimulation
CN203303505U (zh) * 2013-05-23 2013-11-27 深圳市上士堂生物科技有限公司 一种遗精治疗仪的控制电路
US20140039238A1 (en) * 2012-07-31 2014-02-06 Pacesetter, Inc. Systems and methods for controlling neurostimulation of acupuncture sites using an implantable cardiac rhythm management device
CN103977500A (zh) * 2014-05-25 2014-08-13 重庆新大地电子有限公司 低压负电位理疗电极装置
WO2015135142A1 (zh) * 2014-03-11 2015-09-17 深圳市无碍互动科技开发有限公司 智能音乐振动棒系统
CN106215316A (zh) * 2016-07-28 2016-12-14 中国人民解放军第150中心医院 一种中频治疗信号发生仪
CN108744281A (zh) * 2018-08-15 2018-11-06 佛山市杉山大唐医疗科技有限公司 一种防治高血压的设备

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1054541A (zh) * 1991-04-29 1991-09-18 王程远 一种高血压治疗装置
JPH11169466A (ja) * 1997-12-11 1999-06-29 Akiya Ozawa 電位治療器
US20070156179A1 (en) * 2003-03-06 2007-07-05 S E Karashurov Multi-channel and multi dimensional system and method
US20130310909A1 (en) * 2005-11-10 2013-11-21 ElectroCore, LLC Systems and methods for vagal nerve stimulation
EP2002862A1 (en) * 2007-06-13 2008-12-17 Chong-Phil Jeong Alpha-wave inducer
US20100145399A1 (en) * 2008-09-29 2010-06-10 Pooja Johari Multifunction devices and methods of using the multifunction devices
CN101496931A (zh) * 2008-12-04 2009-08-05 重庆新大地电子有限公司 低电位负电离子保健理疗方法及系统
CN102100940A (zh) * 2009-12-18 2011-06-22 重庆新大地电子有限公司 生物负电失眠康复治疗仪设备系统
CN102100945A (zh) * 2009-12-18 2011-06-22 重庆新大地电子有限公司 生物负电子保健治疗仪设备系统
CN201988061U (zh) * 2011-01-28 2011-09-28 董子民 应激治疗仪
US20140039238A1 (en) * 2012-07-31 2014-02-06 Pacesetter, Inc. Systems and methods for controlling neurostimulation of acupuncture sites using an implantable cardiac rhythm management device
CN203303505U (zh) * 2013-05-23 2013-11-27 深圳市上士堂生物科技有限公司 一种遗精治疗仪的控制电路
WO2015135142A1 (zh) * 2014-03-11 2015-09-17 深圳市无碍互动科技开发有限公司 智能音乐振动棒系统
CN103977500A (zh) * 2014-05-25 2014-08-13 重庆新大地电子有限公司 低压负电位理疗电极装置
CN106215316A (zh) * 2016-07-28 2016-12-14 中国人民解放军第150中心医院 一种中频治疗信号发生仪
CN108744281A (zh) * 2018-08-15 2018-11-06 佛山市杉山大唐医疗科技有限公司 一种防治高血压的设备

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
邹定武: "负电离子与高血压的预防、康复", 《中国保健营养》 *

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