CN111403439A - 显示基板及显示面板 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种显示基板及显示面板。该显示基板包括发光结构层和半透半反膜层；所述发光结构层包括沿厚度方向依次层叠的第一电极、发光层、第二电极和量子点层，所述量子点层包括至少一种量子点膜；所述半透半反膜层设置于所述量子点层远离所述第二电极的一侧，所述半透半反膜层用于过滤所述发光层通过所述量子点层后波长小于400nm的光线。该显示面板包括上述显示基板。本申请通过设置半透半反膜层，以在避免有害蓝光对人眼造成损害的基础上同时减薄显示面板的整体厚度。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及显示面板。
背景技术
当前，在显示技术领域，宽色域(Wide Color Gamut,WCG)、高动态范围(HighDynamic Range,HDR)带来的画质提升已成为TV级别应用产品的开发驱动核心因素。目前，TV应用的主要显示技术有OLED/LCD/以及色彩下转换显示(如采用量子点/窄带系荧光粉等下转换材料)等。近来通过量子点膜层色彩转换的显示被视为有力的宽色域TV挑战者而倍受显示面板厂商的重视。
其中，该类显示原理是通过在蓝色发光层的发出短于400nm波长的光线来激发不同颜色量子点膜层发光而实现显示不同颜色的像素。而由于量子点膜层对蓝光的吸收效率较低，会有相当一部分蓝光透过量子点膜层，不仅影响显示效果，而且还会对人眼造成损害。为了降低蓝光对人眼造成损害，通常需要制备较厚的量子点膜层(如10μm)以提高蓝光吸收，但该方法增加了显示单元膜厚，较难实现柔性显示。
因此，如何在降低有害蓝光对人眼造成损害的基础上同时减薄显示面板的整体厚度是本领域有待解决的一个难题。
发明内容
本申请提供一种显示基板及显示面板，以在避免有害蓝光对人眼造成损害的基础上同时减薄显示面板的整体厚度。
根据本申请实施例的第一方面，提供一种显示基板，所述显示基板包括发光结构层和半透半反膜层；
所述发光结构层包括沿厚度方向依次层叠的第一电极、发光层、第二电极和量子点层，所述量子点层包括至少一种量子点膜；
所述半透半反膜层设置于所述量子点层远离所述第二电极的一侧，所述半透半反膜层用于过滤所述发光层通过所述量子点层后波长小于400nm的光线。
可选的，所述半透半反膜层的材料为金属，所述半透半反膜层的厚度为5nm～50nm。
可选的，所述半透半反膜层的材料为氧化物，所述半透半反膜层的厚度为50nm～100nm。
可选的，所述半透半反膜层的材料为树脂材料，所述半透半反膜层的厚度为500nm～2000nm。
可选的，所述显示基板还包括薄膜封装层，所述薄膜封装层覆设于所述半透半反膜层中远离所述发光结构层的一侧。
可选的，所述薄膜封装层为无机膜层或者有机膜层；或者，所述薄膜封装层为无机膜层和有机膜层层叠设置的复合膜层。
可选的，所述薄膜封装层的厚度为50nm～10000nm。
可选的，所述显示基板还包括基板和位于基板上的像素控制电路层；
所述发光结构层、所述半透半反膜层、所述薄膜封装层依次叠设于所述像素控制电路层中远离所述基板的一侧。
根据本申请实施例的第二方面，提供一种显示面板。所述显示面板包括如上所述的显示基板。
上述实施例的显示基板及显示面板，通过在发光结构层上方增加半透半反膜层，达到了过滤发光层出射光中波长小于400nm的光线的技术效果，从而避免了蓝光对人眼造成损害及色域差的技术问题；同时，达到了降低显示基板整体厚度的技术效果，从而解决了该类显示面板不耐弯折的技术问题，而实现柔性显示的技术效果。
附图说明
图1是本申请一示例性实施例的显示基板的局部截面结构示意图。
图2(a)-图2(f)是本申请的实施例1的显示基板的制备方法的工艺流程图。
图3是本申请一示例性实施例的显示基板的蓝色像素的局部膜层结构示意图。
图4是本申请一示例性实施例的显示基板的蓝色像素发光光谱图。
图5是本申请一示例性实施例的显示基板的绿色像素的局部膜层结构示意图。
图6是本申请一示例性实施例的显示基板的绿色像素发光光谱图。
图7是本申请一示例性实施例的显示基板的红色像素的局部膜层结构示意图。
图8是本申请一示例性实施例的显示基板的红色像素发光光谱图。
附图标记说明
显示基板1
基板10
像素控制电路层20
有源层21
栅绝缘层22
栅极23
层间绝缘层24
源极25
漏极26
发光结构层30
阳极31
发光层32
空穴注入层321
空穴传输层322
电子阻挡层323
蓝光发光层324
空穴阻挡层325
电子传输层326
阴极33
量子点层34
蓝色像素量子点膜341
绿色像素量子点膜342
红色像素量子点膜343
像素界定层35
无机封装膜层36
反射层37
半透半反膜层40
薄膜封装层50
厚度方向T
出光方向O
具体实施方式
这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置的例子。
在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。除非另作定义，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本申请所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请说明书以及权利要求书中使用的“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而且可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“多个”包括两个，相当于至少两个。在本申请说明书和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
请结合图1以理解，本实施案例提供一种显示基板1，该显示基板1应用于显示面板。
显示基板1包括沿厚度方向T依次层叠设置于基板10上的像素控制电路层20、发光结构层30、半透半反膜层40和薄膜封装层50。
发光结构层30包括沿厚度方向T依次层叠的第一电极、发光层32、第二电极和量子点层34，量子点层34包括至少一种量子点膜。在本实施例中，量子点层34包括三种不同颜色像素的量子点膜，分别为蓝色像素量子点膜341、绿色像素量子点膜342和红色像素量子点膜343。发光层32发出的光为蓝光。发光层32发出的光经由蓝色像素量子点膜341而形成蓝色像素；发光层32发出的光经由绿色像素量子点膜342而形成绿色像素；发光层32发出的光经由红色像素量子点膜343而形成红色像素。
所述第一电极为阳极31，所述第二电极为阴极(图中未标示)。阳极31上还设有像素界定层35。所述第二电极与量子点层34之间还设有无机封装膜层36，且无机封装膜层36覆设于所述第二电极以及像素界定层35上。
半透半反膜层40设置于量子点层34远离所述第二电极的一侧，半透半反膜层40用于过滤发光层32通过量子点层34后波长小于400nm的光线。
通常，波长小于400nm的光线对人眼会造成损害，而发光结构层30中的量子点层34需要发光层32发出短于400nm波长的光线来激发量子点材料发光。这样，通过在发光结构层30上方增加半透半反膜层40，半透半反膜层40能够形成一光学微腔，入射的光线会在该光学微腔中来回震荡，从而让一定范围内的波长的光实现光学增强，而不在该范围内的波长的光会逐渐消失，从而起到对入射的光线的光谱进行修饰的功能，而达到过滤发光层32的出射光中波长小于400nm的光线的技术效果，从而避免了有害的蓝光对人眼造成损害及色域差的技术问题；同时，达到了降低显示基板1整体厚度的技术效果，从而解决了该类显示面板不耐弯折的技术问题，而实现柔性显示的技术效果。
半透半反膜层40的材料为金属，如Al、Ag或MgAg合金；半透半反膜层40的厚度为5nm～50nm。
半透半反膜层40的材料为氧化物，如铟锌氧化物或铟锡氧化物；半透半反膜层40的厚度为50nm～100nm。
半透半反膜层40的材料为树脂材料，如亚克力或聚酰亚胺；半透半反膜层40的厚度为500nm～2000nm。
薄膜封装层50覆设于半透半反膜层40中远离发光结构层30的一侧。薄膜封装层50为无机膜层或者有机膜层；或者，薄膜封装层50为无机膜层和有机膜层层叠设置的复合膜层。通过设置薄膜封装层50，能够有效防止水氧对量子点层34以及下方的层结构的侵蚀，并且也可以起到过滤对人眼有害的短波长蓝光，减少短波长蓝光对人眼的危害。无机膜层的材料可以是SiO或SiN，有机膜层的材料可以是树脂。
薄膜封装层50的厚度为50nm～10000nm。
像素控制电路层20包括有源层21、栅绝缘层22、栅极23、层间绝缘层24以及源极25、漏极26，漏极26和源极25均与有源层21电连接。像素控制电路层20的漏极26与发光结构层30的阳极31电连接。
根据本申请实施例的第二方面，提供一种显示面板。所述显示面板包括如上所述的显示基板1。
本实施例中显示基板1的制备方法，如图2(a)-图2(f)所示。所述制备方法包括以下步骤：
步骤100：如图2(a)所示，在基板10上形成像素控制电路层20，像素控制电路层20包括有源层21、栅绝缘层22、栅极23、层间绝缘层24以及源极25、漏极26，漏极26和源极25均与有源层21电连接。采用成膜、曝光、显影、刻蚀等方式制备像素控制电路层20的各膜层结构。成膜的工艺可以采用CVC(化学气相沉积)、Sputter(真空物理溅射)等工艺。
步骤210：在像素控制电路层20上依次形成阳极31、像素界定层35、发光层32、阴极和无机封装膜层36，具体地，如图2(b)所示，在像素控制电路层20上依次形成阳极31、像素界定层35，如图2(c)所示，形成发光层32、阴极和无机封装膜层36。其中，可以采用OpenMask(开口掩膜版)制备发光层32。
步骤220：如图2(d)所示，在无机封装膜层36上形成量子点层34，具体地，依次制备蓝色像素量子点膜341、绿色像素量子点膜342和红色像素量子点膜343。
步骤300：如图2(e)所示，在量子点层34上、以及露出的无机封装膜层36形成半透半反膜层40。
步骤400：如图2(f)所示，在半透半反膜层40形成薄膜封装层50。
在本实施例中，为了实现过滤蓝光，且能实现RGB(红色、绿色和蓝色)全彩显示，需要对半透半反膜层40进行较为精准的控制，经过膜层光学模拟，在图3、图5、图7所示的膜层结构和厚度可以较好的应用于显示，所对应的发光光谱如图4、图6、图8所示。
如图3所示，为蓝色像素的局部膜层结构示意图，蓝色像素沿厚度方向T由下至上包括反射层37、阳极31、发光层32、阴极33、无机封装膜层36、蓝色像素量子点膜341、半透半反膜层40和薄膜封装层50。
其中，阳极31的下方的反射层37，以将发光层32的光线反射至出光方向O，增加出光方向O的亮度。反射层37的材料为金属，如Ag，反射层37的厚度在此不做限定。阳极31的材料为铟锡氧化物，阳极31的厚度为8nm；阴极33的材料为铟锌氧化物，阴极33的厚度为120nm。
发光层32由阳极31至阴极33，沿厚度方向T依次包括空穴注入层321、空穴传输层322、电子阻挡层323、蓝光发光层324、空穴阻挡层325和电子传输层326。其中，空穴注入层321的厚度为5nm；空穴传输层322的厚度为60nm；电子阻挡层323的厚度为5nm；蓝光发光层324的厚度为20nm；空穴阻挡层325的厚度为5nm；电子传输层326的厚度为55nm。
无机封装膜层36的厚度为100nm。
蓝色像素量子点膜341的厚度为900nm。
半透半反膜层40的材料为MgAg合金，厚度为8nm。
上述蓝色像素的膜层结构的发光光谱图如图4所示。
如图5所示，为绿色像素的局部膜层结构示意图，绿色像素沿厚度方向T由下至上包括反射层37、阳极31、发光层32、阴极33、无机封装膜层36、绿色像素量子点膜342、半透半反膜层40和薄膜封装层50。各膜层的厚度及材料如上所述。绿色像素量子点膜342的厚度为900nm。
上述绿色像素的膜层结构的发光光谱图如图6所示。
如图7所示，为红色像素的局部膜层结构示意图，红色像素沿厚度方向T由下至上包括反射层37、阳极31、发光层32、阴极33、无机封装膜层36、红色像素量子点膜343、半透半反膜层40和薄膜封装层50。各膜层的厚度及材料如上所述。红色像素量子点膜343的厚度为900nm。
上述红色像素的膜层结构的发光光谱图如图8所示。
如上所述，发光层32作为激发光源，所发出光的波长要通常需要短于400nm，由于半透半反膜层40所形成的微腔作用，能够使发光层32所发出的短波长(小于400nm的波长)有害蓝光被束缚于微腔内而无法发出，仅量子点膜层的激发光可以发出，由图4、图6、图8可以看出，量子点膜层可以发出蓝光(波长460nm)，绿光(波长530nm)，红光(波长620nm)。在图4、图6、图8中，由于光是横电磁波，S、P分别为横电波和横磁波，发光光谱中Cs+和Cp+分别代表光的这两个分量(即Cs+为横电波，Cp+为横磁波)，C+为光波。
需要说明的是，为了避免发光层32所发出的光直接出射，通常需要红色像素、绿色像素和蓝色像素的膜厚相同，以确保微腔效应，当然也可针对红色像素、绿色像素和蓝色像素进行不同微腔设计。
在上述的膜层光学模拟实验中，半透半反膜层40的材料为MgAg合金，厚度为8nm，但不限于此，半透半反膜层40也可以采用别的厚度和其他材料，需要根据微腔效果对半透半反膜层40的厚度进行调整。同样，其他膜层的材料及厚度也可根据实际器件发光效果进行微调。
以上所述仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请保护的范围之内。
Claims (9)
1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括发光结构层和半透半反膜层；
所述发光结构层包括沿厚度方向依次层叠的第一电极、发光层、第二电极和量子点层，所述量子点层包括至少一种量子点膜；
所述半透半反膜层设置于所述量子点层远离所述第二电极的一侧，所述半透半反膜层用于过滤所述发光层通过所述量子点层后波长小于400nm的光线。
2.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述半透半反膜层的材料为金属，所述半透半反膜层的厚度为5nm～50nm。
3.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述半透半反膜层的材料为氧化物，所述半透半反膜层的厚度为50nm～100nm。
4.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述半透半反膜层的材料为树脂材料，所述半透半反膜层的厚度为500nm～2000nm。
5.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括薄膜封装层，所述薄膜封装层覆设于所述半透半反膜层中远离所述发光结构层的一侧。
6.如权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述薄膜封装层为无机膜层或者有机膜层；或者，所述薄膜封装层为无机膜层和有机膜层层叠设置的复合膜层。
7.如权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述薄膜封装层的厚度为50nm～10000nm。
8.如权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括基板和位于基板上的像素控制电路层；
所述发光结构层、所述半透半反膜层、所述薄膜封装层依次叠设于所述像素控制电路层中远离所述基板的一侧。
9.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求1-8中任意一项所述的显示基板。
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| CN (1) | CN111403439A (zh) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103730584A (zh) * | 2013-12-27 | 2014-04-16 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN105097878A (zh) * | 2015-07-17 | 2015-11-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光显示面板及制备方法、显示装置 |
| CN105118849A (zh) * | 2015-09-22 | 2015-12-02 | 上海和辉光电有限公司 | 一种触控式有机发光显示面板 |
| US20180088404A1 (en) * | 2016-09-28 | 2018-03-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Color filter and display device including the same |
| KR20180101302A (ko) * | 2018-08-31 | 2018-09-12 | 한국생산기술연구원 | 유기발광 디스플레이 소자 및 그 제조방법 |
| CN108922906A (zh) * | 2018-07-20 | 2018-11-30 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示器 |
| CN109273619A (zh) * | 2018-08-27 | 2019-01-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光显示面板、压印模板及制作方法 |
| CN110120404A (zh) * | 2019-04-18 | 2019-08-13 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 双面白光有机发光二极管显示装置及其制造方法 |
-
2020
- 2020-03-20 CN CN202010200624.3A patent/CN111403439A/zh active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103730584A (zh) * | 2013-12-27 | 2014-04-16 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN105097878A (zh) * | 2015-07-17 | 2015-11-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光显示面板及制备方法、显示装置 |
| CN105118849A (zh) * | 2015-09-22 | 2015-12-02 | 上海和辉光电有限公司 | 一种触控式有机发光显示面板 |
| US20180088404A1 (en) * | 2016-09-28 | 2018-03-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Color filter and display device including the same |
| CN108922906A (zh) * | 2018-07-20 | 2018-11-30 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示器 |
| CN109273619A (zh) * | 2018-08-27 | 2019-01-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光显示面板、压印模板及制作方法 |
| KR20180101302A (ko) * | 2018-08-31 | 2018-09-12 | 한국생산기술연구원 | 유기발광 디스플레이 소자 및 그 제조방법 |
| CN110120404A (zh) * | 2019-04-18 | 2019-08-13 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 双面白光有机发光二极管显示装置及其制造方法 |
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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Application publication date: 20200710 |
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| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |