CN111378957A - 一种cvd钻石手机钢化膜及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及手机钢化膜技术领域，且公开了一种CVD钻石手机钢化膜，包括硅胶膜、CVD碳化硅膜和CVD钻石膜，所述硅胶膜、CVD碳化硅膜和CVD钻石膜从上往下依次分布设置；所述硅胶膜，其按质量分数包括硅橡胶胶体12‑20份，架桥剂17‑23份，铂金水0.5‑1.2份，交联剂3‑7份，负离子粉末2‑5份。该改性PTFE油封材料制备工艺，能够解决目前普通玻璃材质的钢化膜硬度不佳，容易发生碎裂，从而导致手机屏幕刮花，而且对眼睛没有护眼效果的问题。

Description

一种CVD钻石手机钢化膜及其制备方法
技术领域
本发明涉及手机钢化膜技术领域，具体为一种CVD钻石手机钢化膜及其制备方法。
背景技术
随着人们生活水平的提高，越来越多的人持有手机用于通信和娱乐。由于手机的屏幕昂贵且容易受到损坏，因此为了保护手机屏幕，现在一般用钢化膜贴附于手机屏幕，并且可以通过钢化膜控制手机屏幕从而与手机进行交互。这样，当手机不小心从一定的高度落至地面或其他平面时，钢化膜能够替代手机屏幕承受这些冲击力，从而避免手机屏幕破裂。目前手机钢化膜仍然存在以下技术缺陷：
普通玻璃材质的钢化膜硬度不佳，容易发生碎裂，从而导致手机屏幕刮花，而且对眼睛没有护眼效果。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足，本发明提供了一种CVD钻石手机钢化膜及其制备方法，具备极佳硬度，而且具有护眼效果的优点，解决了目前普通玻璃材质的钢化膜硬度不佳，容易发生碎裂，从而导致手机屏幕刮花，而且对眼睛没有护眼效果的问题。
(二)技术方案
为实现对具备极佳硬度，而且具有护眼效果的目的，本发明提供如下技术方案：一种CVD钻石手机钢化膜，包括硅胶膜、CVD碳化硅膜和CVD钻石膜，所述硅胶膜、CVD碳化硅膜和CVD钻石膜从上往下依次分布设置；
所述硅胶膜，其按质量分数包括硅橡胶胶体12-20份，架桥剂17-23份，铂金水0.5-1.2份，交联剂3-7份，负离子粉末2-5份。
优选的，所述硅胶膜，其按质量分数包括硅橡胶胶体14-18份，架桥剂19-21份，铂金水0.8-1.1份，交联剂4-5.5份，负离子粉末2.7-4.5份。
优选的，所述硅胶膜，其按质量分数包括硅橡胶胶体16-17份，架桥剂19.5-20.3份，铂金水0.95-1份，交联剂4.8-5.2份，负离子粉末3-4份。
优选的，所述硅胶膜上设有三个定位孔和四个贴膜槽，三个所述定位孔分别分布在硅胶膜的拐角处，四个所述贴膜槽呈矩阵分布在硅胶膜的四个拐角处。
优选的，所述贴膜槽内设有真空吸附孔。
一种CVD钻石手机钢化膜制备方法，包括以下步骤：
S1：CVD碳化硅膜使用CVD化学气相沉积炉，在800摄氏度高温、甲烷、硅烷气体环境下生长的碳化硅薄膜，CVD工序之后用激光切割机切割成通用尺寸，再用研磨机将上下表面抛光至平均厚度0.1mm，表面粗糙度Ra<1um；
S2：CVD碳化硅薄膜放置CVD沉积炉中，在甲烷、氢气环境中沉积生长钻石，形成CVD钻石膜，CVD工序完成后，进行边缘再切割、表面抛光，形成复合膜，表面粗糙度Ra<1um；
S3：在复合膜的碳化硅一侧铺胶一层厚度15um厚度的硅胶膜，最终进行适宜市场需求尺寸的切割，和边缘倒角。
优选的，所述S1步骤中，通用尺寸的规格为175mm*100mm，所述S2步骤中，形成复合膜的尺寸的规格为170mm*95mm，厚度0.2mm。
(三)有益效果
与现有技术相比，本发明提供了一种CVD钻石手机钢化膜及其制备方法，具备以下有益效果：
该CVD钻石手机钢化膜及其制备方法，通过设置硅胶膜、CVD碳化硅膜和CVD钻石膜，CVD碳化硅层用于支持生长完整的CVD钻石膜，并且有防蓝光的护眼作用，同时CVD钻石膜硬度极佳，最大限度防止屏幕刮花，使得屏幕在具有防刮花的同时还具有防蓝光护眼的作用，并且使用CVD沉积炉中在CVD碳化硅薄膜上沉积生长钻石，还降低了生产成本。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
一种CVD钻石手机钢化膜，包括硅胶膜、CVD碳化硅膜和CVD钻石膜，所述硅胶膜、CVD碳化硅膜和CVD钻石膜从上往下依次分布设置；
所述硅胶膜，其按质量分数包括硅橡胶胶体13份，架桥剂21份，铂金水1份，交联剂3.5份，负离子粉末2份。
所述硅胶膜上设有三个定位孔和四个贴膜槽，三个所述定位孔分别分布在硅胶膜的拐角处，四个所述贴膜槽呈矩阵分布在硅胶膜的四个拐角处。
所述贴膜槽内设有真空吸附孔。
一种CVD钻石手机钢化膜制备方法，包括以下步骤：
S1：CVD碳化硅膜使用CVD化学气相沉积炉，在800摄氏度高温、甲烷、硅烷气体环境下生长的碳化硅薄膜，CVD工序之后用激光切割机切割成通用尺寸，再用研磨机将上下表面抛光至平均厚度0.1mm，表面粗糙度Ra<1um；
S2：CVD碳化硅薄膜放置CVD沉积炉中，在甲烷、氢气环境中沉积生长钻石，形成CVD钻石膜，CVD工序完成后，进行边缘再切割、表面抛光，形成复合膜，表面粗糙度Ra<1um；
S3：在复合膜的碳化硅一侧铺胶一层厚度15um厚度的硅胶膜，最终进行适宜市场需求尺寸的切割，和边缘倒角。
优选的，所述S1步骤中，通用尺寸的规格为175mm*100mm，所述S2步骤中，形成复合膜的尺寸的规格为170mm*95mm，厚度0.2mm。
实施例2
一种CVD钻石手机钢化膜，包括硅胶膜、CVD碳化硅膜和CVD钻石膜，所述硅胶膜、CVD碳化硅膜和CVD钻石膜从上往下依次分布设置；
优选的，所述硅胶膜，其按质量分数包括硅橡胶胶体15份，架桥剂21份，铂金水0.8份，交联剂5份，负离子粉末3.5份。
优选的，所述硅胶膜上设有三个定位孔和四个贴膜槽，三个所述定位孔分别分布在硅胶膜的拐角处，四个所述贴膜槽呈矩阵分布在硅胶膜的四个拐角处。
优选的，所述贴膜槽内设有真空吸附孔。
一种CVD钻石手机钢化膜制备方法，包括以下步骤：
S1：CVD碳化硅膜使用CVD化学气相沉积炉，在800摄氏度高温、甲烷、硅烷气体环境下生长的碳化硅薄膜，CVD工序之后用激光切割机切割成通用尺寸，再用研磨机将上下表面抛光至平均厚度0.1mm，表面粗糙度Ra<1um；
S2：CVD碳化硅薄膜放置CVD沉积炉中，在甲烷、氢气环境中沉积生长钻石，形成CVD钻石膜，CVD工序完成后，进行边缘再切割、表面抛光，形成复合膜，表面粗糙度Ra<1um；
S3：在复合膜的碳化硅一侧铺胶一层厚度15um厚度的硅胶膜，最终进行适宜市场需求尺寸的切割，和边缘倒角。
优选的，所述S1步骤中，通用尺寸的规格为175mm*100mm，所述S2步骤中，形成复合膜的尺寸的规格为170mm*95mm，厚度0.2mm。
实施例3
一种CVD钻石手机钢化膜，包括硅胶膜、CVD碳化硅膜和CVD钻石膜，所述硅胶膜、CVD碳化硅膜和CVD钻石膜从上往下依次分布设置；
所述硅胶膜，其按质量分数包括硅橡胶胶体16.8份，架桥剂20份，铂金水0.98份，交联剂5份，负离子粉末3.5份。
所述硅胶膜上设有三个定位孔和四个贴膜槽，三个所述定位孔分别分布在硅胶膜的拐角处，四个所述贴膜槽呈矩阵分布在硅胶膜的四个拐角处。
所述贴膜槽内设有真空吸附孔。
一种CVD钻石手机钢化膜制备方法，包括以下步骤：
S1：CVD碳化硅膜使用CVD化学气相沉积炉，在800摄氏度高温、甲烷、硅烷气体环境下生长的碳化硅薄膜，CVD工序之后用激光切割机切割成通用尺寸，再用研磨机将上下表面抛光至平均厚度0.1mm，表面粗糙度Ra<1um；
S2：CVD碳化硅薄膜放置CVD沉积炉中，在甲烷、氢气环境中沉积生长钻石，形成CVD钻石膜，CVD工序完成后，进行边缘再切割、表面抛光，形成复合膜，表面粗糙度Ra<1um；
S3：在复合膜的碳化硅一侧铺胶一层厚度15um厚度的硅胶膜，最终进行适宜市场需求尺寸的切割，和边缘倒角。
优选的，所述S1步骤中，通用尺寸的规格为175mm*100mm，所述S2步骤中，形成复合膜的尺寸的规格为170mm*95mm，厚度0.2mm。
该CVD钻石手机钢化膜及其制备方法，CVD碳化硅层用于支持生长完整的CVD钻石膜，并且有防蓝光的护眼作用，同时CVD钻石膜硬度极佳，最大限度防止屏幕刮花，使得屏幕在具有防刮花的同时还具有防蓝光护眼的作用，并且使用CVD沉积炉中在CVD碳化硅薄膜上沉积生长钻石，还降低了生产成本。
需要说明的是，术语“包括”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (7)

1.一种CVD钻石手机钢化膜，包括硅胶膜、CVD碳化硅膜和CVD钻石膜，其特征在于：所述硅胶膜、CVD碳化硅膜和CVD钻石膜从上往下依次分布设置；
所述硅胶膜，其按质量分数包括硅橡胶胶体12-20份，架桥剂17-23份，铂金水0.5-1.2份，交联剂3-7份，负离子粉末2-5份。
2.根据权利要求1所述的一种CVD钻石手机钢化膜，其特征在于：所述硅胶膜，其按质量分数包括硅橡胶胶体14-18份，架桥剂19-21份，铂金水0.8-1.1份，交联剂4-5.5份，负离子粉末2.7-4.5份。
3.根据权利要求1所述的一种CVD钻石手机钢化膜，其特征在于：所述硅胶膜，其按质量分数包括硅橡胶胶体16-17份，架桥剂19.5-20.3份，铂金水0.95-1份，交联剂4.8-5.2份，负离子粉末3-4份。
4.根据权利要求1所述的一种CVD钻石手机钢化膜，其特征在于：所述硅胶膜上设有三个定位孔和四个贴膜槽，三个所述定位孔分别分布在硅胶膜的拐角处，四个所述贴膜槽呈矩阵分布在硅胶膜的四个拐角处。
5.根据权利要求4所述的一种CVD钻石手机钢化膜，其特征在于：所述贴膜槽内设有真空吸附孔。
6.一种CVD钻石手机钢化膜制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1：CVD碳化硅膜使用CVD化学气相沉积炉，在800摄氏度高温、甲烷、硅烷气体环境下生长的碳化硅薄膜，CVD工序之后用激光切割机切割成通用尺寸，再用研磨机将上下表面抛光至平均厚度0.1mm，表面粗糙度Ra<1um；
S2：CVD碳化硅薄膜放置CVD沉积炉中，在甲烷、氢气环境中沉积生长钻石，形成CVD钻石膜，CVD工序完成后，进行边缘再切割、表面抛光，形成复合膜，表面粗糙度Ra<1um；
S3：在复合膜的碳化硅一侧铺胶一层厚度15um厚度的硅胶膜，最终进行适宜市场需求尺寸的切割，和边缘倒角。
7.根据权利要求6所述的一种CVD钻石手机钢化膜制备方法，其特征在于：所述S1步骤中，通用尺寸的规格为175mm*100mm，所述S2步骤中，形成复合膜的尺寸的规格为170mm*95mm，厚度0.2mm。
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