CN111373555A - 一种led模块及led阵列模组 - Google Patents
一种led模块及led阵列模组 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111373555A CN111373555A CN201980001635.4A CN201980001635A CN111373555A CN 111373555 A CN111373555 A CN 111373555A CN 201980001635 A CN201980001635 A CN 201980001635A CN 111373555 A CN111373555 A CN 111373555A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- led
- led module
- quantum dot
- red
- green
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims abstract description 63
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 62
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 21
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910003373 AgInS2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910004611 CdZnTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 3
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 5
- 230000001795 light effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
公开一种LED模块及阵列LED模组,其中,所述LED模块包括电路基板,以及设置在所述电路基板上的至少一个红光LED、至少一个绿光LED以及至少一个蓝光LED,所述LED模块四周均设置有挡墙,所述挡墙至少有一个区域掺杂有用于产生补偿光的量子点材料。本公开通过在挡墙的特定区域掺杂量子点材料,当距离所述区域较近的LED发射出光束时,将激发所述区域中的量子点材料产生补偿的光束,所述量子点材料产生的光束不仅可提升LED模块的发光亮度,还可降低LED模块中光的干扰现象并提升光的均匀性。
Description
技术领域
本公开涉及LED领域,尤其涉及一种LED模块及LED阵列模组。
背景技术
LED模块是指将一定数量的发光二极管按规则排列在电路基板上,再封装起来形成的产品。现有LED模块通常采用黑色吸光物质作为LED模块的边框,以增加LED模块的颜色对比度,并减少光场干扰的问题。然而,由于黑色吸光物质会降低LED模块的发光亮度,且可能造成LED模块发光不均匀的问题。
因此,现有技术还有待于改进。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足,本公开的目的在于提供一种LED模块及LED阵列模组,旨在解决现有LED模块发光亮度较低以及易发生光场干扰的问题。
本公开的技术方案如下:
一种LED模块,其中,包括电路基板,以及设置在所述电路基板上的至少一个红光LED、至少一个绿光LED以及至少一个蓝光LED,所述LED模块四周均设置有挡墙,所述挡墙至少有一个区域掺杂有用于产生补偿光的量子点材料。
所述的LED模块,其中,所述红光LED、绿光LED以及蓝光LED以任意顺序在水平或竖直方向排列,且相同颜色的LED相邻设置。
所述的LED模块,其中,所述挡墙中,与所述红光LED之间的距离小于等于第一预设距离的区域掺杂有绿光量子点材料和蓝光量子点材料。
所述的LED模块,其中,所述挡墙中,与所述绿光LED之间的距离小于等于第二预设距离的区域掺杂有红光量子点材料和蓝光量子点材料。
所述的LED模块,其中,所述挡墙中,与所述蓝光LED之间的距离小于等于第三预设距离的区域掺杂有红光量子点材料和绿光量子点材料。
所述的LED模块,其中,所述挡墙材料包括氧化钛、氧化锡以及透明树脂。
所述的LED模块,其中,所述量子点材料选自II-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的一种或多种。
所述的LED模块,其中,所述II-VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS;CdZnSeS、CdZnSeTe和CdZnSTe中的一种或多种。
所述的LED模块,其中,所述III-V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP和InAlNP中的一种或多种。
所述的LED模块,其中,所述I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2和AgInS2中的一种或多种。
所述的LED模块,其中,所述LED模块包括两个红光LED、一个绿光LED以及一个蓝光LED。
所述的LED模块,其中,所述LED模块包括两个绿光LED、一个红光LED以及一个蓝光LED。
所述的LED模块,其中,所述LED模块包括两个蓝光LED、一个红光LED以及一个绿光LED。
所述的LED模块,其中,所述LED模块包括两个红光LED、两个绿光LED以及两个蓝光LED。
一种LED阵列模组,其中,包括若干个呈矩阵排列的如本公开所述的LED模块。
有益效果:本公开通过在挡墙的特定区域掺杂量子点材料,当距离所述区域较近的LED发射出光束时,将激发所述区域中的量子点材料产生补偿的光束,所述量子点材料产生的补偿光束不仅可提升LED模块的发光亮度,还可降低LED模块中光的干扰现象并提升光的均匀性。
附图说明
图1为本公开一种LED模块的俯视角度结构示意图。
图2为本公开一种LED模块的侧面剖视图。
图3为本公开一种LED阵列模组较佳实施例的结构示意图。
具体实施方式
本公开提供一种LED模块及LED阵列模组,为使本公开的目的、技术方案及效果更加清楚、明确,以下对本公开进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本公开,并不用于限定本公开。
现有技术通常采用黑色光吸收物质制作LED模块的挡墙(边框),以此来增加LED模块颜色的对比度,并减少广场干扰的问题。然而由于黑色光吸收物质会部分吸收LED模块发出的光,从而导致降低LED模块的发光亮度,并且所述黑色光吸收物质吸收LED模块发出的部分光后,还可能造成LED模块发光不均匀的问题。
基于现有LED模块所存在的问题,本公开实施例提供一种LED模块,其中,如图1和图2所示,所述LED模块10包括电路基板20,以及设置在所述电路基板20上的至少一个红光LED21、至少一个绿光LED22以及至少一个蓝光LED23,所述LED模块10四周均设置有挡墙30,所述挡墙30至少有一个区域掺杂有用于产生补偿光的量子点材料。
在本实施例中,通过在挡墙的特定区域掺杂量子点材料,当距离所述区域较近的LED发射出光束时,基于量子局限效应,所述LED发出的光束将激发所述区域中的量子点材料产生补偿的光束,所述量子点材料产生的补偿光束不仅可提升LED模块的发光亮度,还可降低LED模块中光的干扰现象并提升光的均匀性。
在一些实施方式中,所述挡墙中未掺杂量子点材料的区域包括氧化钛、氧化锡以及透明树脂,所述挡墙未掺杂量子点的区域具有较佳的光反射率,可避免LED模块发出的光从挡墙射出,避免LED模块发光亮度下降。
在一些实施方式中,所述挡墙中量子点材料的区域选择需根据LED模块的实际发光需求来设置。在一些优选的实施方式中,可根据需求在挡墙的全部区域掺杂量子点材料,以补偿LED模块中各个LED发出的光,从而发出高亮度、高均匀度的白光。在一些优选的实施方式中,也可根据需求在挡墙的特定区域掺杂量子点,以补偿LED模块中靠近所述特定区域的LED发出的光,从而相应的提高LED模块的发光亮度以及均匀度。
在一些实施方式中,所述的LED模块中,所述红光LED、绿光LED以及蓝光LED以任意顺序在水平或竖直方向排列,且相同颜色的LED相邻设置。具体来讲,当所述LED模块中只包含1个红光LED、1个绿光LED以及1个蓝光LED时,所述1个红光LED、1个绿光LED以及1个蓝光LED可按照红、绿、蓝的顺序在水平方向依次排布在电路基板上,如图1所示,在本实施例中,所述挡墙环绕所述LED模块设置,将所述LED模块中的LED围起来形成矩形;当然,所述1个红光LED、1个绿光LED以及1个蓝光LED可按照红、蓝、绿的顺序在水平方向依次排布在电路基板上;或者,所述1个红光LED、1个绿光LED以及1个蓝光LED也可按照绿、红、蓝的顺序在水平方向依次排布在电路基板上。
在一些实施方式中,当所述LED模块包括2个红光LED、1个绿光LED以及1个蓝光LED时,则所述2个红光LED相邻设置,所述绿光LED和蓝光LED可分别排列在所述2个红光LED的两侧,或排列在所述2个红光LED的同一侧。
在一些实施方式中,当需要对红光LED发出的红光进行补偿时,则需要在所述挡墙中,与所述红光LED之间的距离小于等于第一预设距离的区域掺杂绿光量子点材料和蓝光量子点材料。在本实施例中,所述红光LED发出的红光照射到所述挡墙中掺杂有绿光量子点和蓝光量子点材料的区域中,激发所述绿光量子点材料和蓝光量子点材料产生红色补偿的蓝绿光束,提升LED模块的发光亮度以及发光均匀度。在本实施例中,所述第一预设距离可根据实际需求进行设置。
在一些实施方式中,当需要对绿光LED发出的绿光进行补偿时,则需要在所述挡墙中,与所述绿光LED之间的距离小于等于第二预设距离的区域掺杂有红光量子点材料和蓝光量子点材料。在本实施例中,所述绿光LED发出的绿光照射到所述挡墙中掺杂有红光量子点材料和蓝光量子点材料的区域中,激发所述红光量子点材料和蓝光量子点材料产生绿色补偿的红蓝光束,提升LED模块的发光亮度以及发光均匀度。在本实施例中,所述第二预设距离可根据实际需求进行设置,所述第二预设距离可等于、大于或小于所述第一预设距离。
在一些实施方式中,当需要对蓝光LED发出的蓝光进行补偿时,则需要在所述挡墙中,与所述蓝光LED之间的距离小于等于第三预设距离的区域掺杂红光量子点材料和绿光量子点材料。在本实施例中,所述蓝光LED发出的蓝光照射到所述挡墙中掺杂有红光量子点材料和绿光量子点材料的区域中,激发所述红光量子点材料和绿光量子点材料产生蓝色补偿的红绿光束,提升LED模块的发光亮度以及发光均匀度。在本实施例中,所述第三预设距离可根据实际需求进行设置,所述第三预设距离可等于、大于或小于所述第一预设距离。
在一些实施方式中,当需要对红光LED和蓝光LED发出的光同时进行补偿时,则需要在所述挡墙中与所述红光LED之间的距离小于等于第一预设距离的第一区域掺杂绿光量子点材料和蓝光量子点材料,同时需要在所述所述挡墙中与所述蓝光LED之间的距离小于等于第三预设距离的第二区域掺杂红光量子点材料和绿光量子点材料,这样所述红光LED发出的红光照射到所述第一区域中,可激发所述绿光量子点材料和蓝光量子点材料发出补偿红光的绿蓝光束,所述蓝光LED发出的蓝光照射到所述第二区域中,可激发所述红光量子点材料和绿光量子点材料发出补偿蓝光的红绿光束,从而提升LED模块的发光亮度以及发光均匀度。
在一些实施方式中,所述量子点材料选自II-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的一种或多种。具体来讲,所述红光量子点材料、绿光量子点材料以及蓝光量子点材料可独立地选自所述II-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的一种或多种,但不限于此。
在一些优选的实施方式中,所述II-VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS;CdZnSeS、CdZnSeTe和CdZnSTe中的一种或多种,但不限于此。
在一些实施方式中,所述III-V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP和InAlNP中的一种或多种,但不限于此。
在一些实施方式中,所述I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2和AgInS2中的一种或多种,但不限于此。
在一些实施方式中,为保证所述LED模块能够产生视觉效果上的白光,所述LED模块包括红绿蓝三种不同波长的LED至少各一个。优选的,为增强LED模块的白光效果,所述LED模块包括两个红光LED、一个绿光LED以及一个蓝光LED。
在一些实施方式中,为增强LED模块的白光效果,所述LED模块包括两个绿光LED、一个红光LED以及一个蓝光LED。
在一些实施方式中,为增强LED模块的白光效果,所述LED模块包括两个蓝光LED、一个红光LED以及一个绿光LED。
在一些实施方式中,为增强LED模块的白光效果,所述LED模块包括两个红光LED、两个绿光LED以及两个蓝光LED。
在一些实施方式中,还提供一种LED阵列模组,如图3所示,所述LED阵列模组包括若干个呈矩阵排列的所述LED模块10。在本实施例中,由于每个LED模块均设置有挡墙,能够有效防止LED模块之间发生光的干扰现象。
综上所述,本公开通过在挡墙的特定区域掺杂量子点材料,当距离所述区域较近的LED发射出光束时,将激发所述区域中的量子点材料产生补偿的光束,所述量子点材料产生的补偿光束不仅可提升LED模块的发光亮度,还可降低LED模块中光的干扰现象并提升光的均匀性。
应当理解的是,本公开的应用不限于上述的举例,对本领域普通技术人员来说,可以根据上述说明加以改进或变换,所有这些改进和变换都应属于本公开所附权利要求的保护范围。
Claims (15)
1.一种LED模块,其特征在于,包括电路基板,以及设置在所述电路基板上的至少一个红光LED、至少一个绿光LED以及至少一个蓝光LED,所述LED模块四周均设置有挡墙,所述挡墙至少有一个区域掺杂有用于产生补偿光的量子点材料。
2.根据权利要求1所述的LED模块,其特征在于,所述红光LED、绿光LED以及蓝光LED以任意顺序在水平或竖直方向排列,且相同颜色的LED相邻设置。
3.根据权利要求1所述的LED模块,其特征在于,所述挡墙中,与所述红光LED之间的距离小于等于第一预设距离的区域掺杂有绿光量子点材料和蓝光量子点材料。
4.根据权利要求1所述的LED模块,其特征在于,所述挡墙中,与所述绿光LED之间的距离小于等于第二预设距离的区域掺杂有红光量子点材料和蓝光量子点材料。
5.根据权利要求1所述的LED模块,其特征在于,所述挡墙中,与所述蓝光LED之间的距离小于等于第三预设距离的区域掺杂有红光量子点材料和绿光量子点材料。
6.根据权利要求1所述的LED模块,其特征在于,所述挡墙材料包括氧化钛、氧化锡以及透明树脂。
7.根据权利要求1所述的LED模块,其特征在于,所述量子点材料选自II-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的一种或多种。
8.根据权利要求7所述的LED模块,其特征在于,所述II-VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS;CdZnSeS、CdZnSeTe和CdZnSTe中的一种或多种。
9.根据权利要求7所述的LED模块,其特征在于,所述III-V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP和InAlNP中的一种或多种。
10.根据权利要求7所述的LED模块,其特征在于,所述I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2和AgInS2中的一种或多种。
11.根据权利要求1所述的LED模块,其特征在于,所述LED模块包括两个红光LED、一个绿光LED以及一个蓝光LED。
12.根据权利要求1所述的LED模块,其特征在于,所述LED模块包括两个绿光LED、一个红光LED以及一个蓝光LED。
13.根据权利要求1所述的LED模块,其特征在于,所述LED模块包括两个蓝光LED、一个红光LED以及一个绿光LED。
14.根据权利要求1所述的LED模块,其特征在于,所述LED模块包括两个红光LED、两个绿光LED以及两个蓝光LED。
15.一种LED阵列模组,其特征在于,包括若干个呈矩阵排列的如权利要求1-14任一所述的LED模块。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/CN2019/104767 WO2021042386A1 (zh) | 2019-09-06 | 2019-09-06 | 一种led模块及led阵列模组 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111373555A true CN111373555A (zh) | 2020-07-03 |
Family
ID=71212383
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201980001635.4A Pending CN111373555A (zh) | 2019-09-06 | 2019-09-06 | 一种led模块及led阵列模组 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111373555A (zh) |
WO (1) | WO2021042386A1 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112652616A (zh) * | 2020-12-21 | 2021-04-13 | 深圳扑浪创新科技有限公司 | 一种led显示装置及其制备方法和应用 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN203404682U (zh) * | 2013-08-27 | 2014-01-22 | 深圳Tcl新技术有限公司 | 背光模组和液晶显示装置 |
US20150295144A1 (en) * | 2012-11-01 | 2015-10-15 | Koninklijke Philips N.V. | Led based device with wide color gamut |
CN108051948A (zh) * | 2017-10-11 | 2018-05-18 | 深圳Tcl新技术有限公司 | 背光模组及显示装置 |
CN108666307A (zh) * | 2017-03-28 | 2018-10-16 | 江苏博睿光电有限公司 | 一种csp光源及其制备方法 |
CN109755413A (zh) * | 2019-01-16 | 2019-05-14 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种显示面板及其制备方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20110087579A (ko) * | 2010-01-26 | 2011-08-03 | 삼성엘이디 주식회사 | Led 모듈과 이를 구비하는 백라이트 유닛 |
CN101806404A (zh) * | 2010-02-12 | 2010-08-18 | 李骋翔 | 一种高效率柔性面光源 |
CN104633551A (zh) * | 2015-03-03 | 2015-05-20 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 白光led、背光模块及液晶显示装置 |
CN109638144A (zh) * | 2018-11-16 | 2019-04-16 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 发光器件及具有其的灯具 |
-
2019
- 2019-09-06 WO PCT/CN2019/104767 patent/WO2021042386A1/zh active Application Filing
- 2019-09-06 CN CN201980001635.4A patent/CN111373555A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20150295144A1 (en) * | 2012-11-01 | 2015-10-15 | Koninklijke Philips N.V. | Led based device with wide color gamut |
CN203404682U (zh) * | 2013-08-27 | 2014-01-22 | 深圳Tcl新技术有限公司 | 背光模组和液晶显示装置 |
CN108666307A (zh) * | 2017-03-28 | 2018-10-16 | 江苏博睿光电有限公司 | 一种csp光源及其制备方法 |
CN108051948A (zh) * | 2017-10-11 | 2018-05-18 | 深圳Tcl新技术有限公司 | 背光模组及显示装置 |
CN109755413A (zh) * | 2019-01-16 | 2019-05-14 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种显示面板及其制备方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112652616A (zh) * | 2020-12-21 | 2021-04-13 | 深圳扑浪创新科技有限公司 | 一种led显示装置及其制备方法和应用 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2021042386A1 (zh) | 2021-03-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104566015B (zh) | 一种量子点背光模组以及显示装置 | |
US10490709B2 (en) | Backlight apparatus | |
CN104064658B (zh) | 一种led显示屏及其3d显示装置 | |
CN102330914B (zh) | 光源模块、背光单元、显示设备以及照明设备 | |
CN206848647U (zh) | 一种用于背光模组的光转换膜、背光模组及显示设备 | |
KR20130015847A (ko) | 발광장치, 백라이트 유닛과 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
CN102280565A (zh) | 使用量子点的发光装置封装件、照明设备和显示设备 | |
KR101718066B1 (ko) | 양자점을 이용한 광원모듈, 이를 채용한 백라이트장치, 디스플레이장치, 및 조명장치 | |
CN207198363U (zh) | 一种导光板、背光模组及显示设备 | |
US10784239B2 (en) | Light emitting diode package and light emitting diode module | |
US20210391514A1 (en) | Light-emitting device and image display apparatus | |
US9720320B2 (en) | Optical sheet, method for manufacturing the same, light emitting diodes module and display using the same | |
CN111373555A (zh) | 一种led模块及led阵列模组 | |
US20240145649A1 (en) | Lighting device | |
KR20240035431A (ko) | 조명 장치 | |
KR20230149284A (ko) | 조명 장치 | |
CN105810796A (zh) | 一种量子点材料玻璃板及其制作方法 | |
CN205958891U (zh) | 背光模组和显示装置 | |
KR20200092195A (ko) | 조명 장치 | |
CN114627750B (zh) | 一种背光模组及显示装置 | |
CN213601014U (zh) | 一种显示结构 | |
CN210864275U (zh) | 一种具有量子膜结构的液晶显示屏 | |
JP2017005163A (ja) | 波長変換部材及び発光装置 | |
KR20220165001A (ko) | 음지 식물 재배용 조명 장치 | |
KR20200037515A (ko) | 조명 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
CB02 | Change of applicant information |
Address after: 402760 No.69, Wushan Road, Biquan street, Bishan District, Chongqing Applicant after: Chongqing Kangjia Photoelectric Technology Research Institute Co.,Ltd. Address before: 518057 15-24 / F, Konka R & D building, 28 Keji South 12 road, Science Park, Yuehai street, Nanshan District, Shenzhen City, Guangdong Province Applicant before: Chongqing Kangjia Photoelectric Technology Research Institute Co.,Ltd. |
|
CB02 | Change of applicant information | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20200703 |
|
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |