CN213601014U - 一种显示结构 - Google Patents

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孙智江
王书昶
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Haidike Nantong Photoelectric Technology Co Ltd
Haidike Suzhou Photoelectric Technology Co Ltd
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Haidike Suzhou Photoelectric Technology Co Ltd
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Abstract

本实用新型涉及一种显示结构,其特征在于:包括一基板;一设置在基板上的RGB芯片组,所述RGB芯片组包括一红光芯片、一绿光芯片和一第一蓝光芯片;一设置在基板上的白光光源,所述白光光源包括第二蓝光芯片,以及一覆盖在第二蓝光芯片表面的绿色荧光粉层,且第二蓝光芯片的峰值波长小于第一蓝光芯片的峰值波长;一吸光黑胶层,所述吸光黑胶层至少设置在第一蓝光芯片与白光光源之间的基板上表面上。本实用新型优点是:可以不用设置物理隔离,就可以实现RGB芯片组中第一蓝光芯片工作时,对相邻白光光源的荧光粉不产生激发。本技术方案还具有更高的色域显示范围。

Description

一种显示结构
技术领域
本实用新型涉及一种显示结构,特别涉及一种LED显示结构。
背景技术
当前,液晶显示背光模组可分为侧入式和直下式两种。直下式背光源工艺简单,不需要导光板,LED阵列置于背光模组底部,从LED发出的光经过底面和侧面反射,再通过表面的扩散板和光学模组均匀射出。直下式背光源的厚度主要由背板底部和混光距离决定,混光距离是LED到散射板的距离,通常混光距离越大,背光模组出光的均匀性也就越好。而采用侧入式背光的技术方案,其动态显示范围HDR只有2000:1。
一般mini背光采用小空气间隙甚至零空气间隙的直下式背光方案,可以实现HDR达到10000:1。而采用量子点膜其色域可以达到85%。在高清、高动态范围HDR的Mini-LED和micro-LED直接显示的领域内,高端应用需要采用优于传统的RGB技术方案,比如加入RGB和W(白光)的方案,以达到高的峰值亮度,高动态范围,高的饱和度的目的。为了达到以上显示目的,目前主要有2种技术方案:
双RGB方案。其中的一组RGB起到合成白光的作用。这是目前业内通用的技术方案,但是该方案采用两组RGB芯片,带来成本较高,同时RGB温度相应不一致,严重影响显示效果。
采用RGB+W(白光),采用白光芯片代替一组RGB的技术方案。然而,相邻的蓝光芯片会激发白光的荧光粉。为了解决以上的问题,在非mini-和micro-(尺度小于0.4mm)的情况下,技术上通常将RGB和W白光芯片之间采用隔离墙隔开,避免相邻的蓝光芯片会激发白光荧光粉的问题。然而,在mini-和micro-背光模组中,由于光源尺寸较小,光学距离较短,很难制作隔离墙,把蓝光和绿光与白光的荧光粉形成物理隔离。以上技术问题也是业界亟需解决的问题。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种能够避免相邻的蓝光、绿光芯片会激发白光荧光粉的显示结构。
为解决上述技术问题,本实用新型的技术方案为:一种显示结构,其创新点在于:包括
一基板;
一RGB芯片组,所述RGB芯片组包括一红光芯片、一绿光芯片和一第一蓝光芯片,所述红光芯片、绿光芯片和第一蓝光芯片设置在基板上表面;
一白光光源,所述白光光源包括一设置在基板上表面的第二蓝光芯片,以及一至少覆盖在第二蓝光芯片顶面的绿色荧光粉层,所述第一蓝光芯片的峰值波长大于465nm,第二蓝光芯片的峰值波长在415~445nm之间,且第一蓝光芯片的峰值波长不小于第二蓝光芯片的峰值波长30nm;
一吸光黑胶层,所述吸光黑胶层至少设置在第一蓝光芯片与白光光源之间的基板上表面上。
优选的,所述绿色荧光粉层满足以下条件:
(1)发射光谱:发射峰值波长在510~590nm之间;
(2)激发光谱:激发波长≥465nm时,其激发效率是最大峰值激发波长的激发效率的33%以下;激发波长在415~445nm时,其激发效率是最大峰值激发波长的激发效率的80%以上。
优选的,所述红光芯片、绿光芯片、第一蓝光芯片和白光光源呈矩形阵列分布。
优选的,所述第一蓝光芯片和白光光源分别设置在矩形阵列的对角线位置。
本实用新型的优点在于:
白光光源采用短波长415-440nm的第二蓝光芯片来激发绿色荧光粉层内的短波长绿色荧光粉,激发效率可以达到80%以上,而RGB芯片组中的第一蓝光芯片一般是峰值波长大于465nm的蓝光,其对于短波长绿色荧光粉的激发效率小于30%。
即在白光需要激发时,第二蓝光芯片对短波长绿色荧光粉具有80%及以上的激发效率,而在白光不需要激发时,相邻的第一蓝光芯片发光时,对于短波长绿色荧光粉的激发效率可以降低到30%以下。而由于绿光芯片的绿光能量与绿色荧光粉层中荧光粉的能量接近,基本上无法形成激发,激发效率极低,解决了常规方案中相邻的蓝光、绿光芯片会激发白光荧光粉的问题。
此外,由于白光光源和RGB芯片组的第一蓝光芯片之间有一段距离,同时,吸光黑色胶层对第一蓝光芯片发出的蓝光强度具有一定的衰减。因此,本实用新型技术方案,可以不用设置物理隔离,就可以实现RGB芯片组中第一蓝光芯片工作时,对相邻白光光源的荧光粉不产生激发。本技术方案还具有更高的色域显示范围。
附图说明
图1为本实用新型显示结构俯视图。
图2为本实用新型显示结构另一实施方式的俯视图。
具体实施方式
如图1所示,本实用新型的显示结构,包括基板1、RGB芯片组、白光光源、吸光黑胶层。
基板1的上表面设置有RGB芯片组、白光光源,其中:
RGB芯片组包括一红光芯片2、一绿光芯片3和一第一蓝光芯片4,红光芯片2、绿光芯片3和第一蓝光芯片4设置在基板1上表面。
白光光源包括一设置在基板1上表面的第二蓝光芯片5,以及一至少覆盖在第二蓝光芯片5顶面的绿色荧光粉层6,且第二蓝光芯片5的峰值波长小于第一蓝光芯片4的峰值波长;本实施例中,绿色荧光粉层6的峰值波长优选在500~560nm的短波长绿色荧光粉,绿色荧光粉层6覆盖在第二蓝光芯片5的顶面与侧面形成白光CSP芯片。
为了控制从第一蓝光芯片4发出的蓝光进入绿色荧光粉层6的光强,至少在第一蓝光芯片与白光光源之间的基板上表面上设置一吸光黑胶层7,该吸光黑胶层7的材质为本领域公知技术,这里不再赘述。
为了尽可能的提高第二蓝光芯片来激发绿色荧光粉层的激发效率,同时降低第一蓝光芯片发光时对绿色荧光粉层的影响,本实施例中,第一蓝光芯片的峰值波长大于465nm,第二蓝光芯片的峰值波长在415~445nm之间,且优选第一蓝光芯片的峰值波长不小于第二蓝光芯片的峰值波长30nm。
本实用新型中绿色荧光粉层满足以下条件:
(1)发射光谱:发射峰值波长在510~590nm之间;
(2)激发光谱:激发波长≥465nm时,其激发效率是最大峰值激发波长的激发效率的33%以下;激发波长在415~445nm时,其激发效率是最大峰值激发波长的激发效率的80%以上。
作为本实用新型更详细的实施方式,绿色荧光粉层内的荧光粉为铝酸盐类,本实施例中采用的是有研稀土新材料股份有限公司的FS-500A 荧光粉。
作为本实用新型更详细的实施方式,如图2所示,红光芯片2、绿光芯片3、第一蓝光芯片4和白光光源呈矩形阵列分布,且第一蓝光芯片4和白光光源分别设置在矩形阵列的对角线位置,这样既能够降低封装体的整体体积,同时,尽量减少第一蓝光芯片对于绿色荧光粉层的影响。
工作原理:
RGB芯片组工作时,第一蓝光芯片中射向绿色荧光粉层的部分蓝光在两者之间吸光黑色胶层的作用下被衰减,衰减后的部分蓝光在到达绿色荧光粉层时,光强已经被降低,同时,由于其大于465nm的波长对于绿色荧光粉层内的荧光粉激发效率本身就低于30%,使得该部分蓝光对于绿色荧光粉层的几乎不产生激发。
而白光光源工作时,第二蓝光芯片的蓝光对绿色荧光粉层中的荧光粉具有80%及以上的激发效率,结合RBG芯片组来满足高峰值亮度与高动态范围高饱和度的要求。

Claims (4)

1.一种显示结构,其特征在于:包括
一基板;
一RGB芯片组,所述RGB芯片组包括一红光芯片、一绿光芯片和一第一蓝光芯片,所述红光芯片、绿光芯片和第一蓝光芯片设置在基板上表面;
一白光光源,所述白光光源包括一设置在基板上表面的第二蓝光芯片,以及一至少覆盖在第二蓝光芯片顶面的绿色荧光粉层,所述第一蓝光芯片的峰值波长大于465nm,第二蓝光芯片的峰值波长在415~445nm之间,且第一蓝光芯片的峰值波长不小于第二蓝光芯片的峰值波长30nm;
一吸光黑胶层,所述吸光黑胶层至少设置在第一蓝光芯片与白光光源之间的基板上表面上。
2.根据权利要求1所述的显示结构,其特征在于:所述绿色荧光粉层满足以下条件:
(1)发射光谱:发射峰值波长在510~590nm之间;
(2)激发光谱:激发波长≥465nm时,其激发效率是最大峰值激发波长的激发效率的33%以下;激发波长在415~445nm时,其激发效率是最大峰值激发波长的激发效率的80%以上。
3.根据权利要求1所述的显示结构,其特征在于:所述红光芯片、绿光芯片、第一蓝光芯片和白光光源呈矩形阵列分布。
4.根据权利要求3所述的显示结构,其特征在于:所述第一蓝光芯片和白光光源分别设置在矩形阵列的对角线位置。
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