CN111359994B - 清洗装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种清洗装置，用于对基板表面的有机物质进行清洗，该清洗装置包括照射部，所述照射部用于向所述基板表面发射紫外光；供给部，所述供给部用于在所述清洗装置中臭氧浓度低于预设浓度范围时，向所述基板表面发送臭氧，所述供给部还用于在所述清洗装置中臭氧浓度高于预设浓度范围时，向所述基板表面发送惰性气体。该方案通过设置供给部，在臭氧浓度低于预设浓度范围时，向基板表面发送臭氧，在臭氧浓度高于预设浓度范围时，向基板发送惰性气体，通过控制臭氧浓度来控制对基板的清洁力度，提高了基板的良品率。

Description

清洗装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种清洗装置。
背景技术
紫外光清洗技术可以去除黏附在材料表面上的有机物质，使材料表面达到“原子清洁度”。因此，在显示面板制程中，对基板进行镀膜或光阻涂布之前，可以采用UV(Ultraviolet，紫外光)光对基板表面进行照射，使粘附在基板表面的有机物的分子链断裂，在活性氧环境下分解成二氧化碳CO2和水气蒸H2O，以去除基板上的有机物。
然而，如果在基板上涂布较厚的铜时，在对铜层表面进行清洁时，需要控制清洁度，避免铜过度氧化。
故，有必要提供一种可以控制基板清洁度的清洗装置，以提高基板的良品率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种清洗装置，可以提高清洗的基板的良品率。
本发明实施例提供了一种清洗装置，用于对基板表面的有机物质进行清洗，其包括
照射部，所述照射部用于向所述基板表面发射紫外光；
供给部，所述供给部用于在所述清洗装置中臭氧浓度低于预设浓度范围时，向所述基板表面发送臭氧，所述供给部还用于在所述清洗装置中臭氧浓度高于预设浓度范围时，向所述基板表面发送惰性气体。
在一实施例中，所述供给部包括：第一供给部和第二供给部，所述第一供给部和所述第二供给部设于所述清洗装置的两侧；
所述第一供给部包括第一腔体、第一输入端、第一输出端以及第二输入端，其中，所述第一输入端设置在所述第一腔体远离所述第二供给部的一侧，所述第一输出端和所述第二输入端设置在所述第一腔体靠近所述第二供给部的一侧，所述第一输入端和所述第一输出端相对设置；
所述第二供给部包括第二腔体、第三输入端、第二输出端以及第四输入端，其中，所述第三输入端设置在所述第二腔体远离所述第一供给部的一侧，所述第二输出端和所述第四输入端设置在所述第二腔体靠近所述第一供给部的一侧，所述第三输入端和所述第二输出端相对设置。
在一实施例中，所述第一输出端和所述第二输出端的高度不相同。
在一实施例中，所述供给部还包括：
第一导流部，所述第一导流部设置在所述第一腔体内，所述第一导流部设置在所述第一输出端和所述第二输入端之间；
第二导流部，所述第二导流部设置在所述第二腔体内，所述第二导流部设置在所述第二输出端和所述第四输入端之间。
在一实施例中，所述第一导流部和所述第二导流部均为风机。
在一实施例中，所述供给部还包括：
管道，所述管道用于传输所述臭氧或者所述惰性气体；
控制部，所述控制部设置在所述管道上，所述控制部用于控制所述管道中所述臭氧或者所述惰性气体的流量。
在一实施例中，所述供给部还包括：
过滤器，所述过滤器用于过滤所述清洗装置对所述基板进行清洗操作后产生的废气。
在一实施例中，所述过滤器的组成材料包括活性炭、合成沸石和/或有机聚合物。
在一实施例中，所述清洗装置还包括：
保护板，所述保护板设置在所述照射部靠近所述基板的一侧，所述保护板和所述照射部间隔设置。
在一实施例中，所述清洗装置还包括：
冷却部，所述冷却部用于向所述照射部和所述保护板之间发送冷却气体。
本发明实施例的清洗装置，通过设置供给部，在臭氧浓度低于预设浓度范围时，向基板表面发送臭氧，在臭氧浓度高于预设浓度范围时，向基板发送惰性气体，通过控制臭氧浓度来控制对基板的清洁力度，提高了基板的良品率。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本发明实施例提供的清洗装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
本发明实施例提供了一种清洗装置。请参照图1，图1为本发明实施例提供的清洗装置的结构示意图。该清洗装置1用于对基板2表面的有机物质进行清洗。
如图1所示，清洗装置1包括照射部11和供给部12。照射部11用于向基板2表面发射预设波长的紫外光，比如172纳米、185纳米或者254纳米的光。基板2表面的有机物质在该预设波长的紫外光的照射下，分子链断裂，并在活性氧环境下分解成CO2和H2O。这样可以去除基板2表面的有机物质。
供给部12用于在清洗装置1中臭氧浓度低于预设浓度范围时，向基板2表面发送臭氧。其中，预设浓度范围根据基板2需要的清洁度进行设置，如果清洁度要求较高时，可以提高预设浓度范围，如果清洁度要求较低时，可以降低预设浓度范围，在此不对预设浓度范围进行具体限定。
其中，臭氧用于提供活性氧环境。当臭氧浓度低于预设浓度范围时，有机物质不能被充分分解。此时，供给部12向基板2表面发送臭氧，提高臭氧浓度，提高有机物质的分解率。
当臭氧浓度低于预设浓度范围时，有机物质被过度分解。当对有机物质附着在基板2的铜层、PFA(Perfluoroalkoxy，可熔性聚四氟乙烯)塑料等结构上时，如果有机物质分解过度，将造成铜被氧化，PFA塑料剥落。此时，供给部12还用于向基板2表面发送惰性气体。其中，惰性气体不仅不会与有机物质、铜或者PFA塑料，还可以降低臭氧的浓度，降低有机物质的分解率。该惰性气体可以为氦气He、氖气Ne、氩气Ar和/或氮气N2等。
在一实施例中，如图1所示，供给部12包括第一供给部121和第二供给部122。其中，第一供给部121和第二供给部122分设于清洗装置1的两侧。当使用清洗装置1对基板2进行清洗时，基板2设置在清洗装置1的下方，第一供给部121和第二供给部发22分设于基板2的两侧，从基板2的两侧发送臭氧或惰性气体，调节基板2的清洁度。
第一供给部121包括第一腔体1211、第一输入端1212、第一输出端1213以及第二输入端1214。其中，第一输入端1212设置在第一腔体1211远离第二供给部122的一侧，第一输出端1213和第二输入端1214设置在第一腔体1211靠近第二供给部122的一侧，第一输入端1212和第一输出端1213相对设置。
第二供给部122包括第二腔体1221、第三输入端1222、第二输出端1223以及第四输入端1224，其中，第三输入端1222设置在第二腔体1221远离第一供给部121的一侧，第二输出端1223和第四输入端1224设置在第二腔体1221靠近第一供给部121的一侧，第三输入端1222和第二输出端1223相对设置。
在一实施例中，第一输出端1213和第二输出端1223的高度不相同。可以有利于形成气体循环，提高气体的利用率。其中，第一输出端1213的高度可以高于第二输出端1223的高度，也可以低于第二输出端1223的高度。
进一步的，第二输入端1214的高度与第二输出端1223的高度相同，第一输出端1213的高度和第四输入端1224的高度相同，这样从第一输出端1213输出的气体可以通过第四输入端1224进入第二腔体1221中，从第二输出端1223输出的气体也可以通过第二输入端1214进入第一腔体1211中，从而可以形成一个完整的循环。
在一实施例中，供给部12还包括：第一导流部123和第二导流部124。第一导流部123设置在第一腔体1211内，第一导流部123设置在第一输出端1213和第二输入端1214之间。第二导流部124设置在第二腔体1221内，第二导流部124设置在第二输出端1223和第四输入端1224之间。其中，第一导流部123和第二导流部124均可以为风机。
在一实施例中，第一输入端1212的高度高于第二输入端1214的高度，第三输入端1222的高度低于第四输入端1224的高度，
在一实施例中，供给部12还包括：管道和控制部。管道用于传输臭氧或者惰性气体。控制部设置在管道上，控制部用于控制管道中臭氧或者惰性气体的流量。其中，控制部可以为阀门。
在一实施例中，由于有机物质分解后生成CO2和H2O等废气。因此，供给部12还包括过滤器。过滤器用于过滤清洗装置1对基板2进行清洗操作后产生的上述废气。其中，过滤器可以设置在第一腔体1211和第二腔体1221内。
其中，过滤器的组成材料包括活性炭、合成沸石和/或有机聚合物。上述材料可以吸收CO2和H2O等废气，且不会和臭氧发生发应。其中，有机聚合物表面具有微孔，可以增加反应表面，提高对废气的吸收率。
在一实施例中，清洗装置1还包括保护板125，保护板125设置在照射部11靠近基板2的一侧，保护板125和照射部11间隔设置。其中，保护板125可以采用石英玻璃制成。
在一实施例中，随着照射部11工作时间的增加，其温度变高，过高的温度会造成其内部结构损害。为了降低照射部11的温度，在清洗装置1中还可以设置冷却部。该冷却部用于向照射部11和保护板125之间发送冷却气体，以降低照射部11的温度。其中，冷却气体可以为He、Ne、Ar和/或N2等惰性气体。
在一实施例中，还可以通过对照射部11的功率、照射高度进行控制，进一步提高基板2清洁的精确度。具体的，如果需要提高对基板2的清洁度，可以提高照射部11的功率，和/或降低照射部11的照射高度，基板2表面的有机物质在较多、较强的UV光照射下，分解更多、更快。如果需要降低对基板2的清洁度，可以降低照射部11的功率，和/或提高照射部11的照射高度，基板2表面的有机物质在较少、较弱的UV光照射下，分解量变少、变慢。
同理的，当清洗装置2包括多个照射部11时，还可以控制用于照射的照射部11的数量，来提高基板2清洁的精确度。具体的，如果需要提高对基板2的清洁度，可以增加用于照射的照射部11的数量，基板2表面的有机物质在较多的UV光照射下，分解更多。如果需要降低对基板2的清洁度，可以减少用于照射的照射部11的数量，基板2表面的有机物质在较少的UV光照射下，分解量变少。
在一实施例中，该清洗装置1还可以设置一调节部，通过调节基板2传输的速度来提高基板2清洁的精确度。具体的，如果需要提高对基板2的清洁度，可以通过调节部放慢基板2传输的速度，通过增加照射部11对基板2照射的时长，使基板2表面较多的有机物质被分解。如果需要降低对基板2的清洁度，可以通过调节部加快基板2传输的速度，通过减少照射部11对基板2照射的时长，使基板2表面较少的有机物质被分解。进一步的，该调节部还可以通过调节基板2的传输方向，来确定供给部12中气体传送方向与基板2的传输方向是否相同。优选的，调节部可以使供给部12中气体传送方向与基板2传输方向相反，可以使基板2表面的气体分布更均匀。
本发明实施例提供的清洗装置，通过设置供给部，在臭氧浓度低于预设浓度范围时，向基板表面发送臭氧，在臭氧浓度高于预设浓度范围时，向基板发送惰性气体，通过控制臭氧浓度来控制对基板的清洁力度，提高了基板的良品率。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种清洗装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (9)

1.一种清洗装置，用于对基板表面的有机物质进行清洗，其特征在于，包括
照射部，所述照射部用于向所述基板表面发射紫外光；
供给部，所述供给部用于在所述清洗装置中臭氧浓度低于预设浓度范围时，向所述基板表面发送臭氧，所述供给部还用于在所述清洗装置中臭氧浓度高于预设浓度范围时，向所述基板表面发送惰性气体；
所述供给部包括：第一供给部和第二供给部，所述第一供给部和所述第二供给部设于所述清洗装置的两侧；
所述第一供给部包括第一腔体、第一输入端、第一输出端以及第二输入端，其中，所述第一输入端设置在所述第一腔体远离所述第二供给部的一侧，所述第一输出端和所述第二输入端设置在所述第一腔体靠近所述第二供给部的一侧，所述第一输入端和所述第一输出端相对设置；
所述第二供给部包括第二腔体、第三输入端、第二输出端以及第四输入端，其中，所述第三输入端设置在所述第二腔体远离所述第一供给部的一侧，所述第二输出端和所述第四输入端设置在所述第二腔体靠近所述第一供给部的一侧，所述第三输入端和所述第二输出端相对设置。
2.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述第一输出端和所述第二输出端的高度不相同。
3.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述供给部还包括：
第一导流部，所述第一导流部设置在所述第一腔体内，所述第一导流部设置在所述第一输出端和所述第二输入端之间；
第二导流部，所述第二导流部设置在所述第二腔体内，所述第二导流部设置在所述第二输出端和所述第四输入端之间。
4.根据权利要求3所述的清洗装置，其特征在于，所述第一导流部和所述第二导流部均为风机。
5.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述供给部还包括：
管道，所述管道用于传输所述臭氧或者所述惰性气体；
控制部，所述控制部设置在所述管道上，所述控制部用于控制所述管道中所述臭氧或者所述惰性气体的流量。
6.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述供给部还包括：
过滤器，所述过滤器用于过滤所述清洗装置对所述基板进行清洗操作后产生的废气。
7.根据权利要求6所述的清洗装置，其特征在于，所述过滤器的组成材料包括活性炭、合成沸石和/或有机聚合物。
8.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述清洗装置还包括：
保护板，所述保护板设置在所述照射部靠近所述基板的一侧，所述保护板和所述照射部间隔设置。
9.根据权利要求8所述的清洗装置，其特征在于，所述清洗装置还包括：
冷却部，所述冷却部用于向所述照射部和所述保护板之间发送冷却气体。
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