CN111352459B - 多电平电压电路及放大器设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种多电平电压电路及放大器设备。所述多电平电压电路被配置为向放大器电路提供平均功率跟踪(APT)电压，以用于放大射频(RF)信号，该RF信号可以以多个正交频分复用(OFDM)符号进行调制。RF信号可能会经历从一个OFDM符号到另一个OFDM符号的功率波动，并且多电平电压电路可能需要相应地调整APT电压。在本文所讨论的示例中，当APT电压需要在预定有效时间从当前值增加到较高的将来值时，多电平电压电路可以在预定有效时间之前开始将PT电压从当前值向将来值增加。这样，可以及时地升高APT电压，以帮助改善放大器电路的线性和提高效率。

Description

多电平电压电路及放大器设备
相关申请
本申请要求于2018年12月20日提交的美国临时专利申请第62/782,895号的权益，其全部公开内容通过引用并入本文。
技术领域
本发明的技术总体上涉及平均功率跟踪(APT)功率放大器设备。
背景技术
第五代(5G)新无线电(NR)(5G-NR)无线通信系统已被广泛视为超越当前第三代(3G)通信标准，例如宽带码分多址接入(WCDMA)和第四代(4G)通信标准，例如长期演进(LTE)的下一代无线通信标准。与基于3G和4G通信标准的无线通信系统相比，预计5G-NR无线通信系统将提供更高的数据速率、更大的覆盖范围、更强的信令效率以及更小的延迟。此外，5G-NR通信系统是基于正交频分复用(OFDM)的无线系统，其旨在于较宽范围的射频(RF)频段上运行，该RF频段包括低频段(低于1GHz)、中频段(1GHz至6GHz)和高频段(高于24GHz)。
图1是示例性OFDM时频网格10的示意图，其示出了至少一个预留块(RB 12)。OFDM时频网格10包括代表频域的频率轴14和代表时域的时间轴16。沿着频率轴14有多个子载波18(1)至18(M)。子载波18(1)至18(M)例如以15KHz的子载波间隔(SCS)相互正交地分隔。沿着时间轴16有多个OFDM符号20(1)至20(N)。OFDM符号20(1)至20(N)中的每一个由循环前缀(CP)(未示出)分隔，该循环前缀被配置为作为防护频带以帮助克服OFDM符号20(1)至20(N)之间的符号间干扰(ISI)。在OFDM时频网格10中，子载波18(1)至18(M)与OFDM符号20(1)至20(N)的每个交叉定义出资源元素(RE)22。
在5G-NR系统中，可以将RF信号24调制为频域中(沿频率轴14)的子载波18(1)至18(N)中的多个子载波以及时域中(沿时间轴16)的OFDM符号20(1)至20(N)中的多个OFDM符号。下表(表1)总结了5G-NR系统支持的OFDM配置。
表1
Figure BDA0002325730440000021
根据表1，对于SCS为15KHz的主动到主动模式转换，转换建立时间需要小于或等于4.69μs的相应CP。同样，对于SCS为30KHz的主动到主动模式转换，转换建立时间需要小于或等于2.34μs的相应CP。
发明内容
本发明的实施例涉及一种多电平电压电路及相关设备。该多电平电压电路被配置为向放大器电路提供平均功率跟踪(APT)电压以放大射频(RF)信号，该射频信号可以以多个正交频分复用(OFDM)符号进行调制。RF信号可能会经历从一个OFDM符号到另一个OFDM符号的功率波动。因此，该多电平电压电路可能需要针对每个OFDM符号来调整APT电压。在本文讨论的示例中，当多电压电路需要在预定有效时间将APT电压从当前值增加到更高的将来值时，多电平电压电路可以被配置为在预定有效时间之前开始将APT电压从当前值向将来值增加。这样，可以及时地升高APT电压，以帮助改善放大器电路的线性和提高效率。
在一方面，提供了一种多电平电压电路。该多电平电压电路包括电压电路，其耦合到放大器电路并且被配置为向放大器电路提供APT电压以放大RF信号。该多电平电压电路还包括控制电路。该控制电路耦合到电压电路并被配置为接收命令序列。该命令序列包括电压指示器，该电压指示器被配置为指示高于APT电压的当前值的APT电压的将来值。该命令序列还包括电压改变触发器，该电压改变触发器紧随命令序列中的电压指示器之后，并且被配置为指示将来值的预定有效时间。该控制电路还被配置为控制电压电路以独立于电压改变触发器将APT电压从当前值增加到将来值。
在另一方面，提供了一种放大器设备。该放大器设备包括被配置为基于APT电压来放大RF信号的放大器电路。该放大器设备还包括多电平电压电路。该多电平电压电路包括被配置为将APT电压提供给放大器电路的电压电路。该多电平电压电路还包括控制电路。该控制电路耦合到电压电路并且被配置为接收命令序列。该命令序列包括电压指示器，该电压指示器被配置为指示高于APT电压的当前值的APT电压的将来值。该命令序列还包括电压改变触发器，该电压改变触发器紧随命令序列中的电压指示器之后，并且被配置为指示将来值的预定有效时间。该控制电路还被配置为控制电压电路以独立于电压改变触发器将APT电压从当前值增加到将来值。
在结合附图阅读以下对优选实施例的详细描述之后，本领域技术人员将理解本发明的范围并认识到本发明的其他方面。
附图说明
结合本说明书中并成为本说明书的一部分的附图示出了本发明的几个方面，并且与说明书一起用于解释本发明的原理。
图1是示例性正交频分复用(OFDM)时频网格的示意图，其示出了至少一个资源块(RB)；
图2A是示例性现有放大器设备的示意图，其中多电平电压电路被配置为向放大器电路提供平均功率跟踪(APT)电压，以放大从输入功率到输出功率的RF信号；
图2B是提供图2A的现有放大器设备中的触发机制的示例性说明的示意图，该触发机制用于使APT电压从一对OFDM符号之间的当前值增加到将来值；
图2C是提供了由于图2A的现有放大器设备不能及时地升高APT电压而导致的误差矢量幅度(EVM)降低的示例性说明的图表；
图3是放大器设备的示意图，其中根据本发明的实施例多电平电压电路被配置为及时地将APT电压从当前值增加到将来值以帮助改善放大器电路的EVM性能；
图4A是提供图3中放大器设备的触发机制的示例性说明的示意图，该触发机制用于使APT电压在一对OFDM符号之间从当前值增加到将来值；
图4B是提供了因图3中放大器设备及时地升高APT电压VCC的能力而改进的EVM的示例性说明的图表；
图4C是提供了图3中放大器设备的替代触发机制的示例性说明的示意图，该替代触发机制用于使APT电压在一对OFDM符号之间从当前值增加到将来值；以及
图5是提供了通过图3的多电平电压电路实现的电压变化时间改善的示例性说明的图表。
具体实施方式
下面阐述的实施例给出了使本领域技术人员能够实现实施例的必要信息，并且示出了实现实施例的最佳模式。在根据附图理解以下说明后，本领域技术人员会理解本发明的发明构思，并且会想到本文中未特别指出的关于该发明构思的应用。应当理解，这些发明构思和应用落入本发明和所附权利要求的范围内。
可以理解的是，尽管在本文中术语第一、第二等可用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于区分一个元件与另一个元件。例如，在不脱离本发明的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。如本文所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关联的所列项目的任何和所有组合。
可以理解的是，当某一元件——例如，层、区域或衬底——被称为在另一元件“上”或“延伸”到另一元件“上”时，它可以直接位于另一元件上或直接延伸到另一元件上，或者也可能存在中间元件。相反，当一个元件被称为“直接”在另一个元件“上”或“直接延伸”到另一个元件“上”时，则不存在中间元件。同样，将理解的是，当诸如层、区域或衬底之类的元件被称为在另一元件“上方”或在另一元件“上方”延伸时，它可以直接在另一元件上方或直接在另一元件“上方”延伸，或者也可能存在中间元件。相反，当一个元件被称为“直接”在另一元件“上方”或“直接”在另一元件”上方”延伸时，则不存在中间元件。还应该理解，当一个元件被称为“连接”或“耦合”到另一个元件时，它可以直接连接或耦合到另一个元件，或者可以存在中间元件。相反，当一个元件被称为“直接连接”或“直接耦合”至另一元件时，则不存在中间元件。
在本文中可以使用诸如“下方”或“上方”或“上”或“下”或“水平”或“垂直”的相对性术语来描述如附图中所示的一个元件、层或区域与另一元件、层或区域的关系。可以理解的是，这些术语以及以上讨论的那些术语旨在涵盖除附图中描绘的方位外的设备的各种不同的方位。
本文所使用的术语仅仅为了描述特定实施例，其意并不在于限制本发明。如本文所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”同样包括复数形式，除非上下文另行明确指出。将进一步理解的是，当在本文中使用时，术语“包括”、“包括有”、“包含”和/或“包含有”表示存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件，但是不排除存在或增加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合。
除非另有说明，否则本文中使用的所有术语(包括技术和科学术语)均为本发明所属领域的普通技术人员通常所理解的含义。可以进一步理解的是，本文中使用的术语的含义应被解释为与本说明书的上下文和相关技术中的含义一致，除非本文中明确说明，否则上述术语不会解释为其理想化的或过于正式的含义。
本公开的实施例涉及一种多电平电压电路及相关设备。所述多电平电压电路被配置为向放大器电路提供平均功率跟踪(APT)电压以用于放大射频(RF)信号，该射频信号可以以多个正交频分复用(OFDM)符号进行调制。RF信号可能会经历从一个OFDM符号到另一个OFDM符号的功率波动。因此，多电平电压电路可能需要针对每个OFDM符号来调整APT电压。在本文讨论的示例中，当多电压电路需要在预定有效时间将APT电压从当前值增加到更高的将来值时，多电平电压电路可以被配置为在预定有效时间之前开始将APT电压从当前值向将来值增加。这样，可以及时地升高APT电压，以帮助改善放大器电路的线性和提高效率。
在讨论本发明的多电平电压电路及相关设备之前，参考图2A、图2B和图2C，本文首先对现有放大器设备进行简要概述，以帮助理解以每个OFDM符号为基础增加APT电压的需要及其困难。下面将从参照图3开始对本发明的多电平电压电路及相关设备的具体示例性方面展开讨论。
在这一方面，图2A是示例性的现有放大器设备26的示意图，其中多电平电压电路28被配置为将APT电压VCC提供给放大器电路30，以放大从输入功率PIN到输出功率POUT的RF信号32。多电平电压电路28包括电压电路34。电压电路34包括多级电荷泵(MCP)36、电感器38和偏移电容器40。MCP 36耦合到电池电压VBAT并被配置为输出恒定电压VMCP。多电平电压电路28还包括控制电路42。在非限制性示例中，控制电路42可以控制MCP 36以零倍电池电压VBAT(0xVBAT)、一倍电池电压VBAT(1xVBAT)或两倍电池电压VBAT(2xVBAT)生成恒定电压VMCP。
恒定电压VMCP可以使电感器38感应低频电流ICC，该低频电流ICC继而对偏移电容器40充电以生成APT电压VCC。放大器电路30被配置为从多电平电压电路28接收APT电压VCC，并且基于APT电压VCC来放大RF信号32。
现有的放大器设备26可以包括或耦合到收发器电路44，该收发器电路44被配置为将RF信号32调制为由相应的循环前缀(CP)46分隔的多个OFDM符号，即……SYMBOL(n-2)、SYMBOL(n-1)、SYMBOL(n)、SYMBOL(n+1)……。对RF信号32的输入功率PIN进行调制使得对应于时变功率包络48。根据对图1的先前讨论，在OFDM符号SYMBOL(n-2)、SYMBOL(n-1)、SYMBOL(n)、SYMBOL(n+1)等的每一个中，输入功率PIN都可以变化(增加或减少)。因此，电压电路34可能需要根据时变功率包络48来调节APT电压VCC，使得输出功率POUT可以与输入功率PIN线性相关。
在这一方面，收发器电路44可以被配置为向控制电路42提供指示电压改变的预定有效时间Te的电压改变触发器49。继而，控制电路42控制电压电路34以实现电压变化。
图2B是提供图2A的现有放大器设备26中的触发机制的示例性说明的示意图，该触发机制用于使APT电压VCC在一对OFDM符号SYMBOL(n-1)和SYMBOL(n)之间从当前值VCCL增加到将来值VCCH。图2A和图2B之间的相同元件以相同的附图标记示出，在此将不再描述。
如先前在图2A中提到的，控制电路42(未示出)被配置为接收电压改变触发器49作为电压升高的预定有效时间Te的指示。在非限制性示例中，电压改变触发器49被配置为与SYMBOL(n)的起始边界50对准，以实现SYMBOL(n)中的电压改变。响应于接收电压改变触发器49，控制电路42控制电压电路34(未示出)以将APT电压VCC从当前值VCCL向将来值VCCH升高。根据图1中的先前讨论，电压电路34需要将APT电压VCC从相应的CP 46(例如，对于30KHz的SCS为2.34μs)内的当前值VCCL转换到将来值VCCH。
再次参考图2A，电压电路34中的电感器38和偏移电容器40可以用作电感电容(LC)电路，其对应于固有的LC常数，该常数由电感器38和偏移电容器40的相应电感和电容确定。例如，如果偏移电容器40的电容为2.2至4.4微法拉(μF)，则电压电路34可能需要3.9μs才能从当前值VCCL转换到将来值VCCH。换句话说，电压电路34将不能在相应的CP 46内(例如，对于30KHz SCS为2.34μs)将APT电压VCC从当前值VCCL转换到将来值VCCH。因此，放大器电路30(未示出)可能不能够与输入功率PIN成比例地将RF信号32(未示出)放大到输出功率POUT。换句话说，时变功率包络48可以被限幅以在放大器电路30中降低误差矢量幅度(EVM)。
在这一方面，图2C是提供了由于图2A的现有放大器设备26不能及时地升高APT电压VCC而导致的EVM降低的示例性说明的图表。图2A至图2C之间的相同元件以相同的附图标记示出，在此将不再描述。
如图2C所示，由于电压电路34无法通过OFDM符号SYMBOL(n)的相应CP 46将APT电压VCC从当前值VCCL升高到将来值VCCH，因此EVM曲线52可能超过EVM极限54。这样，需要增强现有放大器设备26中的多电平电压电路28以改善放大器电路30的EVM性能。
在这一方面，图3是放大器设备56的示意图，其中根据本发明的实施例多电平电压电路58被配置为及时地将APT电压从当前值VCCL增加到将来值VCCH以帮助改善放大器电路60的EVM性能。与现有放大器设备26中的电压电路34相反，放大器设备56中的多电平电压电路58可以被控制为独立于电压改变触发器49而开始升高APT电压VCC。在非限制性示例中，多电平电压电路58可以被配置为在接收电压改变触发器49之前开始升高APT电压VCC。这样，多电平电压电路58可能有更多时间来升高放大器电路60的APT电压VCC。因此，这可以避免潜在的功率包络限副，从而有助于改善放大电路60的线性和提高效率。
多电平电压电路58包括电压电路62。电压电路62包括MCP 64、电感器66和偏移电容器68。多级电荷泵64耦合到电池电压VBAT并被配置为输出恒定电压VMCP。多电平电压电路58还包括控制电路70。在非限制性示例中，控制电路70可以控制MCP 64以零倍电池电压VBAT(0xVBAT)、一倍电池电压VBAT(1xVBAT)或两倍电池电压VBAT(2xVBAT)生成恒定电压VMCP。
恒定电压VMCP可以使电感器66感应低频电流ICC，该低频电流ICC继而对偏移电容器68充电以产生APT电压VCC。放大器电路60被配置为从多电平电压电路58接收APT电压VCC，并且基于APT电压VCC将RF信号72从时变输入功率PIN放大到时变输出功率POUT。
放大器设备56可以包括或耦合到收发器电路74，该收发器电路74被配置为将RF信号72调制为由相应的循环前缀(CP)76分隔的多个OFDM符号，即……SYMBOL(n-2)、SYMBOL(n-1)、SYMBOL(n)、SYMBOL(n+1)……。对RF信号72的时变输入功率PIN进行调制使得对应于时变功率包络78。在前文对图1的讨论中，时变输入功率PIN在OFDM符号，即……SYMBOL(n-2)、SYMBOL(n-1)、SYMBOL(n)、SYMBOL(n+1)等的每一个中都可以变化(增加或减少)。因此，电压电路62可能需要根据时变功率包络78来调节APT电压VCC，使得时变输出功率POUT可以与时变输入功率PIN线性相关。
在这一方面，收发器电路74可以被配置为向控制电路70提供命令序列80，其可以包括被配置为指示APT电压VCC的将来值VCC2的电压指示器和被配置为指示电压升高的预定有效时间Te的电压改变触发器。继而，控制电路70控制电压电路62以实现电压升高。多电平电压电路58可以被配置为包括多个寄存器R0至RN，用于存储APT电压VCC的将来值VCC2和预定有效时间Te以及其他配置参数。在本文讨论的示例中，R0代表寄存器R0至RN中编号最低的寄存器，而RN代表寄存器R0至RN中编号最大的寄存器。
在非限制性示例中，多电平电压电路58可以包括RF前端(RFFE)接口82，其被配置为将控制电路70耦合到收发器电路74。在这一方面，收发器电路74可以被配置为提供RFFE命令序列84(例如，RFFE扩展寄存器写入命令序列)作为命令序列80。RFFE命令序列84可以被配置为从编号最小的寄存器R0到编号最大的寄存器RN顺序地写入寄存器R0至RN。在非限制性示例中，指示APT电压VCC的将来值VCC2的电压指示器被配置为存储在较低编号的寄存器(例如，R3)中，并且指示预定有效时间Te的电压改变触发器被配置为存储在编号较高的寄存器(例如R28)中。在这一方面，控制电路70将在接收预定有效时间Te之前接收将来值VCC2。因此，多电平电压电路58可以被配置为在接收到将来值VCC2之后且在接收到预定有效时间Te之前，将APT电压VCC从当前值VCCL向将来值VCCH增加。因此，可以说多电平电压电路58独立于预定有效时间Te将APT电压VCC从当前值VCCL向将来值VCCH增加。
图4A是提供图3中放大器设备56的触发机制的示例性说明的示意图，该触发机制用于使APT电压VCC在一对OFDM符号SYMBOL(n-1)和SYMBOL(n)之间从当前值VCCL增加到将来值VCCH。图3和图4A的相同元件以相同的附图标记示出，在此将不再描述。
值得注意的是，OFDM符号SYMBOL(n-1)可以是从OFDM符号SYMBOL(n-2)、SYMBOL(n-1)、SYMBOL(n)、SYMBOL(n+1)等中选择的任何OFDM符号。同样，OFDM符号SYMBOL(n)可以是紧随所选择的OFDM符号SYMBOL(n-1)之后从OFDM符号SYMBOL(n-2)、SYMBOL(n-1)、SYMBOL(n)、SYMBOL(n+1)等中第二选择的任何OFDM符号。应当理解，多电平电压电路58可以被配置为支持任何一对OFDM符号SYMBOL(n-2)、SYMBOL(n-1)、SYMBOL(n)、SYMBOL(n+1)等之间的电压变化。
在非限制性示例中，控制电路70可以被配置为控制电压电路62以在预定有效时间Te前将APT电压VCC从当前值VCCL增加到当前值VCCL和将来值VCCH之间的至少一个中间值VCCM。在这一方面，电压电路62可以在将将来值VCCH写入寄存器R3之后并且在将预定有效时间Te写入寄存器R28之前立即开始升高APT电压。随后，在预定有效时间Te，电压电路62可以继续将APT电压VCC从中间值VCCM增加到将来值VCCH。中间值VCCM可以小于将来值VCCH的一半(1/2)，等于将来值VCCH的一半(1/2)，或者高于将来值VCCH的一半(1/2)。应当理解，也可以控制电压电路62以经由多个中间值VCCM将APT电压VCC从当前值VCCL增加到将来值VCCH。
在这一方面，在预定的有效时间Te，电压电路62仅需要将APT电压VCC从中间值VCCM增加到将来值VCCH，而不是必须将APT电压VCC从当前值VCCL增加到将来值VCCH。这样，可以在OFDM符号SYMBOL(n)的相应CP 76内将APT电压VCC从当前值VCCL升高到将来值VCCH。结果是，如此可以改善放大器电路60的EVM性能。
图4B是提供了因图3中放大器设备56的电压电路62及时地升高APT电压VCC的能力而改进的EVM的示例性说明的图表。图3、图4A和图4B的相同元件以相同的附图标记示出，在此将不再描述。
如图4B所示，尽管由于APT电压VCC从当前值VCCL上升到中间值VCCM而使OFDM符号SYMBOL(n-1)中的EVM曲线86增大，但EVM曲线86保持低于EVM极限88。这样，可以改善放大器电路60的EVM性能。
图4C是提供了图3中放大器设备56的替代触发机制的示例性说明的示意图，该替代触发机制用于使APT电压VCC在一对OFDM符号SYMBOL(n-1)和SYMBOL(n)之间从当前值VCCL增加到将来值VCCH。图3和图4C的相同元件以相同的附图标记示出，在此将不再描述。
在非限制性示例中，控制电路70可以被配置为控制电压电路62以在预定有效时间Te之前将APT电压VCC从当前值VCCL增加到将来值VCCH。在这一方面，电压电路62可以在将将来值VCCH写入寄存器R3之后并且在将预定有效时间Te写入寄存器R28之前立即开始升高APT电压。
图5是提供了通过图3的多电平电压电路58实现的电压变化时间改善的示例性说明的图表90。该图表90包括第一电压变化时序曲线92、第二电压变化时序曲线94以及第三电压变化时序曲线96。第一电压变化时序曲线92对应于先前在图2B中描述的触发机制，第二电压变化时序曲线94对应于先前在图4A中描述的触发机制，以及第三电压变化时序曲线96对应于先前在图4C中描述的替代触发机制。在非限制性示例中，当多电平电压电路58基于如图4A所描述的触发机制进行操作时，图3中的多电平电压电路58可以将APT电压VCC从当前值VCCL增加到将来值VCCH，比图2A中的多电平电压电路28改善约3.2μs。在另一个非限制性示例中，当多电平电压电路58基于如图4C所描述的替代触发机制进行操作时，图3中的多电平电压电路58可以将APT电压VCC从当前值VCCL增加到将来值VCCH，比图2A中的多电平电压电路28改善大约6.2μs。
本领域技术人员会认识到本发明的优选实施例的各种改进和修改。所有这些改进和修改都应落入在本说明书公开的发明构思和所附权利要求的范围内。

Claims (20)

1.一种多电平电压电路，包括：
电压电路，耦合到放大器电路，并被配置为向所述放大器电路提供平均功率跟踪APT电压，以放大射频RF信号；和
控制电路，耦合到所述电压电路，并被配置为：
接收命令序列，所述命令序列包括：
电压指示器，被配置为指示所述APT电压的将来值高于所述APT电压的当前值；和
电压改变触发器，在所述命令序列中紧随所述电压指示器之后，并被配置为指示所述将来值的预定有效时间；并且
控制所述电压电路，以独立于所述电压改变触发器将所述APT电压从所述当前值向所述将来值增加。
2.根据权利要求1所述的多电平电压电路，其中所述控制电路还被配置为：
控制所述电压电路在所述预定有效时间之前将所述APT电压从所述当前值增加到高于所述APT电压的所述当前值但低于所述APT电压的所述将来值的至少一个中间值；并且
控制所述电压电路在所述预定有效时间将所述APT电压从所述至少一个中间值增加到所述将来值。
3.根据权利要求2所述的多电平电压电路，其中所述至少一个中间值被配置为等于所述APT电压的所述将来值的一半。
4.根据权利要求1所述的多电平电压电路，其中所述控制电路还被配置为控制所述电压电路以在所述将来值的所述预定有效时间之前将所述APT电压从所述当前值增加到所述将来值。
5.根据权利要求1所述的多电平电压电路，其中：
以多个正交频分复用OFDM符号对所述RF信号进行调制；并且
所述控制电路还被配置为：
接收多个OFDM符号中的选择的OFDM符号中的所述命令序列；并且
控制所述电压电路，以在所述多个OFDM符号当中的紧随所述选择的OFDM符号之后的第二个选择的OFDM符号中实现所述APT电压的所述将来值。
6.根据权利要求5所述的多电平电压电路，其中所述APT电压的所述将来值的所述预定有效时间被配置为与所述第二个选择的OFDM符号的起始边界对准。
7.根据权利要求1所述的多电平电压电路，还包括多个寄存器，其中：
所述多个寄存器当中的较低编号的寄存器被配置为存储所述电压指示器；并且
所述多个寄存器当中的较高编号的寄存器被配置为存储所述电压改变触发器。
8.根据权利要求7所述的多电平电压电路，其中所述命令序列包括RF前端RFFE扩展寄存器写入命令序列，该RF前端RFFE扩展寄存器写入命令序列被配置为从所述较低编号的寄存器到所述较高编号的寄存器顺序地写入。
9.根据权利要求8所述的多电平电压电路，其中所述控制电路还被配置为：当所述RFFE扩展寄存器写入命令序列完成对所述较低编号的寄存器的写入时并且在所述RFFE扩展寄存器写入命令序列完成对所述较高编号的寄存器的写入前，控制所述电压电路以将所述APT电压从所述当前值向所述将来值增加。
10.一种放大器设备，包括：
放大器电路，被配置为基于平均功率跟踪APT电压来放大射频RF信号；和
多电平电压电路，包括：
电压电路，被配置为将所述APT电压提供给所述放大器电路；和
控制电路，耦合到所述电压电路，并被配置为：
接收命令序列，所述命令序列包括：
电压指示器，被配置为指示所述APT电压的将来值高于所述APT电压的当前值；和
电压改变触发器，在所述命令序列中紧随所述电压指示器之后，并被配置为指示所述将来值的预定有效时间；并且
控制所述电压电路，以独立于所述电压改变触发器将所述APT电压从所述当前值向所述将来值增加。
11.根据权利要求10所述的放大器设备，还包括：收发器电路，所述收发器电路被配置为分别向所述放大器电路和所述控制电路提供所述RF信号和所述命令序列。
12.根据权利要求11所述的放大器设备，其中所述收发器电路经由RF前端RFFE接口耦合至所述控制电路。
13.根据权利要求10所述的放大器设备，其中，所述控制电路还被配置为：
控制所述电压电路在所述预定有效时间之前将所述APT电压从所述当前值增加到高于所述APT电压的所述当前值但低于所述APT电压的所述将来值的至少一个中间值；并且
控制所述电压电路在所述预定有效时间将所述APT电压从所述至少一个中间值增加到所述将来值。
14.根据权利要求13所述的放大器设备，其中所述至少一个中间值被配置为等于所述APT电压的所述将来值的一半。
15.根据权利要求10所述的放大器设备，其中所述控制电路还被配置为控制所述电压电路以在所述将来值的所述预定有效时间之前将所述APT电压从所述当前值增加到所述将来值。
16.根据权利要求10所述的放大器设备，其中：
以多个正交频分复用OFDM符号对所述RF信号进行调制；并且
所述控制电路还被配置为：
接收多个OFDM符号当中的选择的OFDM符号中的所述命令序列；并且
控制所述电压电路，以在所述多个OFDM符号当中的紧随所述选择的OFDM符号之后的第二个选择的OFDM符号中实现所述APT电压的所述将来值。
17.根据权利要求16所述的放大器设备，其中所述APT电压的所述将来值的所述预定有效时间被配置为与所述第二个选择的OFDM符号的起始边界对准。
18.根据权利要求10所述的放大器设备，其中所述多电平电压电路还包括多个寄存器，其中：
所述多个寄存器当中的较低编号的寄存器被配置为存储所述电压指示器；并且
所述多个寄存器当中的较高编号的寄存器被配置为存储所述电压改变触发器。
19.根据权利要求18所述的放大器设备，其中所述命令序列包括RF前端RFFE扩展寄存器写入命令序列，该RF前端RFFE扩展寄存器写入命令序列被配置为从所述较低编号的寄存器到所述较高编号的寄存器顺序地写入。
20.根据权利要求19所述的放大器设备，其中所述控制电路还被配置为：当所述RFFE扩展寄存器写入命令序列完成对所述较低编号的寄存器的写入时并且在所述RFFE扩展寄存器写入命令序列完成对所述较高编号的寄存器的写入前，控制所述电压电路以将所述APT电压从所述当前值向所述将来值增加。
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