CN111352302A - 光刻胶分配模块、涂敷系统及在晶圆上旋涂光刻胶的方法 - Google Patents

光刻胶分配模块、涂敷系统及在晶圆上旋涂光刻胶的方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种光刻胶分配模块，用于将光刻胶溶液分配到晶圆上。光刻胶分配模块包括第一喷嘴、第二喷嘴以及联接至第一喷嘴和第二喷嘴的光刻胶管道组件。第一喷嘴配置成将光刻胶溶液分配给晶圆的第一部分。第二喷嘴配置成将光刻胶溶液分配给晶圆的第二部分。光刻胶管道组件配置成向第一喷嘴和第二喷嘴供应光刻胶溶液。本发明还提供一种具有光刻胶分配模块的光刻胶涂敷系统及在晶圆上旋涂光刻胶的方法。

Description

光刻胶分配模块、涂敷系统及在晶圆上旋涂光刻胶的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年12月24日提交的第62/784544号美国临时专利申请的权益，其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本发明总体涉及一种光刻胶分配模块以及具有光刻胶分配模块的光刻胶涂敷系统。更具体而言，本发明涉及一种具有两个分配喷嘴的光刻胶分配模块，分配喷嘴能够减少光刻胶的使用并提高晶圆上的光刻胶层的均匀性。
背景技术
通常，光刻技术用于在半导体晶圆上形成光敏层(或光刻胶层)并将其图案化。光刻工艺需要在半导体晶圆上涂敷一层光刻胶，曝光光刻胶层，然后显影曝光的光刻胶。
旋涂制程通常用于在晶圆上形成光刻胶层。通常通过在晶圆的中央部分上分配含有光刻胶材料的光刻胶溶液以执行旋涂制程。然后，以高自旋速度旋转晶圆，以便于光刻胶溶液从晶圆中心向外均匀分散(由于离心力)，从而在整个晶圆顶面上涂敷光刻胶材料。
在旋涂制程中，大部分光刻胶被分配到晶圆的中央部分上，然后分散开(由于高速旋转)。因节约成本而减少光刻胶的使用可能会在晶圆边缘部分未完全覆盖光刻胶形成指形效应(Fingering effect)。图1和图2示出了所述指形效应。图1和2是涂敷有光刻胶层120的晶圆110的示意图和局部放大的截面图。如图1和图2所示，光刻胶层120在晶圆110的边缘部分没有完全覆盖光刻胶。为了减少指形效应，在旋涂制程中需要使用过量的光刻胶溶液。
因此，仍然存在减少使用光刻胶溶液并提高光刻胶层的均匀性的需求。
发明内容
鉴于上述内容，本发明的目的在于提供一种光刻胶分配模块和光刻胶涂敷系统以提高光刻胶涂层的均匀性。
为了实现上述目的，本发明的实施方式提供了一种用于将光刻胶溶液分配到晶圆上的光刻胶分配模块。光刻胶分配模块包括第一喷嘴、第二喷嘴以及联接至第一喷嘴和第二喷嘴的光刻胶管道组件。第一喷嘴配置成将光刻胶溶液分配给晶圆的第一部分。第二喷嘴配置成将光刻胶溶液分配给晶圆的第二部分。光刻胶管道组件配置成向第一喷嘴和第二喷嘴供应光刻胶溶液。
为了实现上述目的，本发明的另一种实施方式提供了一种用于将光刻胶溶液涂敷到晶圆上的光刻胶涂敷系统。光刻胶涂敷系统包括旋杯、夹盘和光刻胶分配模块。旋杯配置成容纳晶圆。夹盘配置成定位晶圆。光刻胶分配模块配置成将光刻胶溶液分配到晶圆上。光刻胶分配模块包括第一喷嘴、第二喷嘴和联接至第一喷嘴和第二喷嘴的光刻胶管道组件。第一喷嘴配置成将光刻胶溶液分配给晶圆的第一部分。第二喷嘴配置成将光刻胶溶液分配给晶圆的第二部分。光刻胶管道组件配置成向第一喷嘴和第二喷嘴供应光刻胶溶液。
为了实现上述目的，本发明的又一种实施方式提供了一种用于将光刻胶溶液旋涂到晶圆上的方法。该方法包括步骤S401至S407。在步骤S401中，将晶圆装载到光刻胶涂敷系统上。光刻胶涂敷系统包括用于容纳晶圆的旋杯，配置成定位晶圆的夹盘，以及配置成将光刻胶溶液分配到晶圆上的光刻胶分配模块。光刻胶分配模块包括第一喷嘴和第二喷嘴。在步骤S402中，从稀释剂模块分配稀释剂溶液以冲洗晶圆。在步骤S403中，将第一喷嘴和第二喷嘴移动到晶圆上方的预定位置。在步骤S404中，通过第一喷嘴将光刻胶溶液分配给晶圆的第一部分，并且通过第二喷嘴将光刻胶溶液分配给晶圆的第二部分。在步骤S405中，在光刻胶涂敷系统的夹盘上旋转晶圆W，以通过离心力在晶圆的表面上分散光刻胶溶液。在步骤S406中，通过光刻胶涂敷系统的边缘球状物去除(EBR)模块清洗在晶圆的斜面和背面上由光刻胶溶液形成的边缘球状物。在步骤S407中，从光刻胶涂敷系统中卸载晶圆。
如上所述，本发明的实施方式中的光刻胶涂敷系统以及方法使用额外的喷嘴在晶圆的边缘部分上分配光刻胶溶液。因此，本发明实施方式中的光刻胶涂敷系统以及方法能够减少光刻胶溶液的使用，并且通过减少晶圆边缘上的指形效应来提高光刻胶涂敷的均匀性。
附图说明
现在将参考附图，仅通过示例的方式描述本技术的实施。
图1是涂敷有光刻胶层的晶圆的指形效应的示意图。
图2是涂敷有光刻胶层的晶圆的指形效应的局部放大截面图。
图3是根据本发明实施方式的光刻胶涂敷系统的示意图。
图4是示出图3中的光刻胶涂敷系统的光刻胶分配模块的第一喷嘴和第二喷嘴的俯视图。
图5是示出图4的第一喷嘴和第二喷嘴的位置的示例的示意图。
图6是根据本发明的另一种实施方式的光刻胶涂敷系统的示意图。
图7是根据本发明的各种实施方式的光刻胶涂敷系统的第一喷嘴和第二喷嘴的俯视图。
图8是根据本发明的各种实施方式的光刻胶涂敷系统的第一喷嘴和第二喷嘴的俯视图。
图9是根据本发明的实施方式的用于将光刻胶溶液旋涂到晶圆上的方法的流程图。
具体实施方式
现在将在下文中参考附图更充分地描述本发明，在附图中示出了本发明的示例性实施方式。然而，本发明可以以许多不同的形式来实现，并且不应被理解为限于本文所述的示例性实施方式。相反，提供这些示例性实施方式使得本发明变得透彻且完整，并向本领域技术人员充分传达本发明的范围。在全文中，相同的附图标记指代相同的元件。
本文使用的术语仅用于描述特定示例性实施方式，而非旨在限制本发明。如本文所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”也旨在包括复数形式，除非上下文另外明确指出。还将理解，在本文中使用时，术语“包括”、“包含”或“具有”指定存在所述特征、区域、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或添加一个或多个其他特征、区域、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
将理解的是，术语“和/或”包括一个或多个相关联的所列项的任何和全部组合。还应理解，尽管术语第一、第二、第三等在本文中可以用于描述各种元件、组件、区域、部件和/或部分，但是这些元件、组件、区域、部件和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、部件或部分与另一个元件、组件、区域、部件或部分进行区分。因此，在不脱离本发明的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、部件或部分可能被称为第二元件、组件、区域、部件或部分。
除非另有说明，否则本文中使用的全部术语(包括科技术语)的含义与本发明所属领域的普通技术人员通常所理解的含义相同。还将理解的是，术语(诸如在常用词典中定义的术语)应被解释为其含义与其在相关领域和本发明的上下文中的含义一致，并且将不在理想化或过于正式的意义上来解释，除非本文这样明确指出。
将结合附图3至9对本发明的示例性实施方式进行描述。将参照附图对本发明进行详细描述，其中所描绘的元件不必按比例示出，并且其中相同或相似的元件通过几幅视图中相同或相似的附图标记或者相同或相似的术语表示。
下文将结合附图进一步描述本发明。
参考图3，其示出了光刻胶涂敷系统200的示意图。如图3所示，光刻胶涂敷系统200包括旋杯210，旋杯210具有碗状形状，布置成容纳半导体晶圆W并防止液体在旋涂制程中分散开。光刻胶涂敷系统200还包括光刻胶分配模块230，以在晶圆W的顶面上提供光刻胶溶液。晶圆W在旋涂制程中保持在夹盘220上。晶圆以高自旋速率在夹盘220上旋转，以便于将光刻胶溶液从晶圆W的中心向外均匀分散到晶圆W的边缘。光刻胶涂敷系统200还包括稀释剂分配模块260、EBR(edge bead removal，边缘球状物去除)模块250以及旋转马达240。稀释剂分配模块260配置成将稀释剂溶液(例如，丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA))分配到晶圆W上，以在分配光刻胶溶液之前冲洗晶圆W的表面。EBR模块250设置在旋杯210中，并且配置成清洗由过量的光刻胶溶液在晶圆W的斜面和背面形成的边缘球状物。旋转马达240联接至夹盘220以旋转由夹盘220定位的晶圆W。光刻胶涂敷系统200还可以包括排液孔270和设置在旋杯210底部的排气孔280。排液孔270配置成在旋涂制程中从旋杯210中排出液体(例如，过量的光刻胶溶液或稀释剂溶液)。排气孔280配置成从旋杯210中排出空气，以防止空气中的颗粒污染晶圆W。
光刻胶涂敷系统200的光刻胶分配模块230包括第一喷嘴231和第二喷嘴232、光刻胶管道组件233、套筒组件234、分配臂组件235以及臂马达组件236。第一喷嘴231和第二喷嘴232配置成分别在晶圆的第一部分和第二部分处分配光刻胶溶液。第一喷嘴231和第二喷嘴232的直径在0.5mm至0.8mm的范围内。光刻胶管道组件233联接至第一喷嘴231和第二喷嘴232，并且配置成向第一喷嘴231和第二喷嘴232供应光刻胶溶液。光刻胶管道组件233被套筒组件234包围，以实现对光刻胶管道管组件233内的光刻胶溶液的温度控制。分配臂组件235联接至光刻胶管道组件233，并且由臂马达组件236驱动以将第一喷嘴231和第二喷嘴232移动到晶圆W上方的预定位置。
参考图4，其示出了图3的晶圆W以及光刻胶分配模块230的第一喷嘴231和第二喷嘴232的俯视图。如图3和图4所示，第一喷嘴231配置成将光刻胶溶液分配给晶圆W的第一部分W1；第二喷嘴232配置成将光刻胶溶液分配给晶圆的第二部分W2。在该实施方式中，晶圆W的第一部分W1是晶圆W的中心部分，其表示为由图2中的虚线圆限定的区域；而晶圆W的第二部分W2是晶圆W的边缘部分，其表示为虚线圆与晶圆W的边缘之间的区域。因为第二喷嘴232配置成在晶圆W的边缘部分处分配光刻胶溶液，所以能够提高在晶圆W的表面上形成的光刻胶层的均匀性。而且，可以减少在该制程中使用的光刻胶溶液的量，并防止对晶圆W的边缘部分产生指形效应。
在图3和图4所示的实施方式中，第一喷嘴231和第二喷嘴232连接至单管光刻胶管道组件233。分配臂组件235移动光刻胶管道组件233，使得第一喷嘴231和第二喷嘴232被移动到晶圆W上方的预定位置。在如图4所示的实施方式中，将第一喷嘴231移动到晶圆W上方的中心位置；将第二喷嘴232移动到晶圆W上方相对于中心位置的外围位置。第一喷嘴231和第二喷嘴232间隔开水平距离D。第一喷嘴231和第二喷嘴232之间的水平距离D可以由等式确定：
Figure BDA0002332218830000081
例如，当第二喷嘴232的分配体积为总分配体积的50％时，第一喷嘴231与第二喷嘴232之间的水平距离D为晶圆半径的71％。参考图5，其提供了示出处于50％分配体积的用于12英寸晶圆的第二喷嘴232的位置的示意图。如图5所示，当第一喷嘴231位于晶圆中心上方的位置时，第二喷嘴的位置应远离第一喷嘴231一水平距离106mm(即，12英寸晶圆的晶圆半径的71％)。在另一个示例中，当第二喷嘴232的分配体积为总分配体积的30％时(即，第一喷嘴231的分配体积为总分配体积的70％)，第一喷嘴231和第二喷嘴232之间的水平距离D可以是晶圆半径的84％。
参考图6至图8，其示出了根据其他实施方式的光刻胶涂敷系统的示意图以及光刻胶分配模块的第一喷嘴和第二喷嘴的俯视图。在图6所示的实施方式中，第一喷嘴231和第二喷嘴232分别连接至光刻胶管道组件233的第一管道233a和第二管道233b。分配臂组件235包括分别联接至第一管道233a和第二管道233b的第一臂235a和第二臂235b。第一管道233a和第二管道233b分别由套筒组件234的第一套筒234a和第二套筒234b包围。臂马达组件236包括第一马达236a和第二马达236b，第一马达236a和第二马达236b分别联接至分配臂组件235的第一臂235a和第二臂235b。在该实施方式中，第一喷嘴231和第二喷嘴232由分配臂组件235的第一臂235a和第二臂235b独立地控制。因此，可以调节第一喷嘴231和第二喷嘴232之间的水平距离D，以满足旋涂制程的各种操作要求。第一喷嘴231和第二喷嘴232可以在晶圆W上方相邻设置，如图7所示。在一些实施方式中，第一喷嘴231和第二喷嘴232可以分别设置在晶圆W上方，如图8所示。
因此，本发明的实施方式提供了一种用于将光刻胶溶液分配到晶圆上的光刻胶分配模块。光刻胶分配模块可以参考图3至图8所示的光刻胶分配模块230。光刻胶分配模块230包括第一喷嘴231、第二喷嘴232以及联接至第一喷嘴231和第二喷嘴232的光刻胶管道组件233。第一喷嘴231配置成将光刻胶溶液分配给晶圆W的第一部分W1；第二喷嘴232配置成将光刻胶溶液分配给晶圆W的第二部分W2。光刻胶管道组件233配置成向第一喷嘴231和第二喷嘴232供应光刻胶溶液。光刻胶管道组件233可以包括第一管道233a和第二管道233b。第一管道233a联接至第一喷嘴231，并且配置成向第一喷嘴231供应光刻胶溶液。第二管道233b联接至第二喷嘴232，并且配置成向第二喷嘴232供应光刻胶溶液。光刻胶分配模块230还可以包括分配臂组件235、套筒组件234以及臂马达组件236。分配臂组件235联接至光刻胶管道组件233以移动第一喷嘴231和第二喷嘴232。分配臂组件235可以包括联接至第一管道233a的第一臂235a，以及联接至第二管道233b的第二臂235b。分配臂组件235的第一臂235a配置成移动第一喷嘴231；分配臂组件235的第二臂235b配置成移动第二喷嘴232。套筒组件234包围光刻胶管道组件233。套筒组件234可以包括包围第一管道233a的第一套筒234a，以及包围第二管道233b的第二套筒234b。臂马达组件236联接至分配臂组件235，并且配置成移动分配臂组件235。臂马达组件236可以包括联接至第一臂235a的第一马达236a，以及联接至第二臂235b的第二马达236b。优选地，第一喷嘴231配置成将光刻胶溶液分配给晶圆W的中心部分，第二喷嘴232配置成将光刻胶溶液分配给晶圆W的边缘部分。
本发明的另一种实施方式提供了一种用于将光刻胶溶液涂敷到晶圆上的光刻胶涂敷系统。光刻胶涂敷系统可以参考图3至图8所示的光刻胶涂敷系统200。如图3至图8所示，光刻胶涂敷系统200包括旋杯210、夹盘220和光刻胶分配模块230。旋杯210配置成容纳晶圆W。夹盘220配置成将晶圆W固定在旋杯210中。光刻胶分配模块230配置成将光刻胶溶液分配到晶圆W上。光刻胶涂敷系统200还可以包括稀释剂分配模块260、EBR模块250以及旋转马达240。稀释剂分配模块260配置成将稀释剂溶液分配给晶圆W。EBR模块250配置成清洗由过量的光刻胶溶液在晶圆W的斜面或背面上形成的边缘球状物。旋转马达240联接至夹盘220，并且配置成旋转夹盘220以旋转晶圆W。旋杯210包括排液孔270和排气孔280。排液孔270配置成将液体从旋杯210中排出。排气孔280配置成将空气从旋杯280中排出。光刻胶涂敷系统200的光刻胶分配模块230可以参考先前的实施方式，在此不再赘述。
本发明的又一种实施方式也提供了一种在晶圆上旋涂光刻胶溶液的方法。参考图9，其示出了方法的流程图。如图9所示，方法S400包括步骤S401至S407。
在步骤S401中，将晶圆装载到光刻胶涂敷系统上。光刻胶涂敷系统可以参考图3至图8中的光刻胶涂敷系统200。光刻胶涂敷系统200包括用于容纳晶圆的旋杯210，旋杯210中配置成定位晶圆的夹盘220，以及将光刻胶溶液分配到晶圆上的光刻胶分配模块230。光刻胶分配模块230包括第一喷嘴231和第二喷嘴232。晶圆W夹持在光刻胶涂敷系统200的夹盘220上。
在步骤S402中，将稀释剂溶液分配给晶圆W的表面以冲洗晶圆W。可以从光刻胶涂敷系统200的稀释剂分配模块260分配稀释剂溶液。稀释剂溶液可以是丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA)。稀释剂溶液润湿晶圆W的表面以便于在晶圆W上分散光刻胶溶液。可以在夹盘220上旋转晶圆W以去除冲洗制程后晶圆W上多余的稀释剂溶液。
在步骤S403中，将第一喷嘴231和第二喷嘴232移动到晶圆W上方的预定位置。通过光刻胶分配模块230的分配臂组件235移动第一喷嘴231和第二喷嘴232。分配臂组件235由臂马达组件236驱动。在图4所示的实施方式中，将第一喷嘴231移动到晶圆W上方的中心位置，第二喷嘴232的位置可以由等式确定：
Figure BDA0002332218830000111
其中，D是第一喷嘴231和第二喷嘴232之间的水平距离。
在步骤S404中，通过第一喷嘴231将光刻胶溶液分配给晶圆W的第一部分，并且通过第二喷嘴232将光刻胶溶液分配给晶圆W的第二部分。如图4、图7以及图8所示，第一喷嘴231将光刻胶溶液分配给晶圆W的第一部分W1；第二喷嘴232将光刻胶溶液分配给晶圆W的第二部分W2。第一喷嘴231和第二喷嘴232可以同时喷射光刻胶溶液。在一些实施方式中，第二喷嘴232可以比第一喷嘴231晚0.1至0.2秒开始分配。在分配制程中，第一喷嘴231和第二喷嘴232也可以通过分配臂组件235移动1至3次，以调节喷嘴的位置。在图6所示的实施方式中，第一喷嘴231和第二喷嘴232分别通过分配臂组件235的第一臂235a和第二臂235b移动。第一喷嘴231和第二喷嘴232可分别由第一臂235a和第二臂235b在5mm至10mm的水平范围内前后移动。
在步骤S405中，在光刻胶涂敷系统200的夹盘220上旋转晶圆W，以通过离心力在晶圆W的表面上分散光刻胶溶液。通过使用两个喷嘴(即，第一喷嘴231和第二喷嘴232)在晶圆的中心和边缘部分上进行喷射，光刻胶溶液可以均匀地分散在晶圆W的整个表面上以防止指形效应，而无需使用过量的光刻胶溶液。在步骤S406中，由光刻胶涂敷系统200的EBR模块250清洗在晶圆W的斜面和背面上由光刻胶溶液形成的边缘球状物。在步骤S407中，从光刻胶涂敷系统200中卸载晶圆W。
如上所述，本发明的实施方式中的光刻胶涂敷系统以及方法使用额外的喷嘴在晶圆的边缘部分上分配光刻胶溶液。因此，本发明实施方式中的光刻胶涂敷系统以及方法能够减少光刻胶溶液的使用，并且通过减少晶圆边缘上的指形效应来提高光刻胶涂敷的均匀性。
以上示出和描述的实施方式仅是示例而已。在本领域中经常发现许多细节，例如光刻胶涂敷系统及其方法的其他特征。因此，没有示出或描述很多这样的细节。虽然在前面的描述中已经陈述了本技术的许多特征和优点，以及本发明的结构和功能的细节，但是本发明仅是说明性的，并且可以在本发明的原则范围内对细节进行变化，尤其是部件的形状、尺寸和布置等事项，达到并包括由权利要求中所使用的术语的广泛普遍含义所确定的完整范围。因此，应当理解，可以在权利要求的范围内修改上述实施方式。

Claims (10)

1.一种光刻胶分配模块，用于将光刻胶溶液分配到晶圆上，其特征在于，包括：
第一喷嘴，配置成将所述光刻胶溶液分配给所述晶圆的第一部分；
第二喷嘴，配置成将所述光刻胶溶液分配给所述晶圆的第二部分；以及
光刻胶管道组件，联接至所述第一喷嘴及所述第二喷嘴，并且配置成向所述第一喷嘴及所述第二喷嘴供应所述光刻胶溶液。
2.如权利要求1所述的光刻胶分配模块，其特征在于，所述光刻胶管道组件包括：
第一管道，联接至所述第一喷嘴，并且配置成向所述第一喷嘴供应所述光刻胶溶液；以及
第二管道，联接至所述第二喷嘴，并且配置成向所述第二喷嘴供应所述光刻胶溶液。
3.如权利要求2所述的光刻胶分配模块，其特征在于，还包括分配臂组件，所述分配臂组件联接至所述光刻胶管道组件以移动所述第一喷嘴和所述第二喷嘴，其中，所述分配臂组件包括联接至所述第一管道的第一臂，以及联接至所述第二管道的第二臂。
4.如权利要求3所述的光刻胶分配模块，其特征在于，还包括包围所述光刻胶管道组件的套筒组件，其中，所述套筒组件包括包围所述第一管道的第一套筒以及包围所述第二管道的第二套筒。
5.如权利要求1所述的光刻胶分配模块，其特征在于，所述第一喷嘴配置成将所述光刻胶溶液分配给所述晶圆的中心部分，所述第二喷嘴配置成将所述光刻胶溶液分配给所述晶圆的边缘部分。
6.一种光刻胶涂敷系统，用于将光刻胶溶液涂敷到晶圆上，其特征在于，包括：
旋杯，配置成容纳所述晶圆；
夹盘，配置成定位所述晶圆；以及
光刻胶分配模块，配置成将所述光刻胶溶液分配到所述晶圆上，所述光刻胶分配模块包括：
第一喷嘴，配置成将所述光刻胶溶液分配给所述晶圆的第一部分；
第二喷嘴，配置成将所述光刻胶溶液分配给所述晶圆的第二部分；以及
光刻胶管道组件，联接至所述第一喷嘴和所述第二喷嘴，并且配置成向所述第一喷嘴和所述第二喷嘴供应所述光刻胶溶液。
7.如权利要求6所述的光刻胶涂敷系统，其特征在于，所述光刻胶分配模块的所述光刻胶管道组件包括：
第一管道，联接至所述第一喷嘴，并且配置成向所述第一喷嘴供应所述光刻胶溶液；
第二管道，联接至所述第二喷嘴，并且配置成向所述第二喷嘴供应所述光刻胶溶液；以及
分配臂组件，所述分配臂组件联接至所述光刻胶管道组件以移动所述第一喷嘴和所述第二喷嘴，所述分配臂组件包括联接至所述第一管道的第一臂，以及联接至所述第二管道的第二臂。
8.如权利要求6所述的光刻胶涂敷系统，其特征在于，所述光刻胶分配模块的所述第一喷嘴配置成将所述光刻胶溶液分配给所述晶圆的中心部分，所述光刻胶分配模块的所述第二喷嘴配置成将所述光刻胶溶液分配给所述晶圆的边缘部分。
9.一种在晶圆上旋涂光刻胶溶液的方法，其特征在于，包括：
将所述晶圆装载到光刻胶涂敷系统上，其中，所述光刻胶涂敷系统包括配置成容纳所述晶圆的旋杯，配置成定位所述晶圆的夹盘，以及配置成将所述光刻胶溶液分配到所述晶圆上的光刻胶分配模块，其中所述光刻胶分配模块包括第一喷嘴和第二喷嘴；
通过所述第一喷嘴将所述光刻胶溶液分配给所述晶圆的第一部分，并且通过所述第二喷嘴将所述光刻胶溶液分配给所述晶圆的第二部分；以及
旋转所述晶圆以在所述晶圆的表面上分散所述光刻胶溶液。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，当将所述晶圆加载到所述光刻胶涂敷系统后，所述方法还包括：
从稀释剂模块分配稀释剂溶液以冲洗所述晶圆；以及
将所述光刻胶分配模块的所述第一喷嘴和所述第二喷嘴移动到所述晶圆上方的预定位置；
清洗形成在所述晶圆的斜面和背面处的边缘球状物；以及
从所述光刻胶涂敷系统中卸载所述晶圆。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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