CN111293025A - 等离子体处理装置及蚀刻方法 - Google Patents

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Abstract

在示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置的腔室内设置有基板支承器。基板支承器具有下部电极及静电卡盘。匹配电路在电源与下部电极之间连接。第1电路径将匹配电路与下部电极彼此连接。不同于下部电极的第2电路径以从匹配电路向聚焦环供给电力的方式设置。鞘调节器构成为调节聚焦环上的鞘的上端的位置。可变阻抗电路设置于第1电路径或第2电路径上。

Description

等离子体处理装置及蚀刻方法
技术领域
本发明的示例性实施方式涉及一种等离子体处理装置及蚀刻方法。
背景技术
在对基板的等离子体蚀刻中，使用等离子体处理装置。等离子体处理装置具备腔室、静电卡盘及下部电极。静电卡盘及下部电极设置于腔室内。静电卡盘设置于下部电极上。静电卡盘支承载置于其上的聚焦环。静电卡盘支承配置于由聚焦环包围的区域内的基板。在等离子体处理装置中进行蚀刻时，气体供给至腔室内。并且，高频电力供给至下部电极。等离子体由腔室内的气体形成。基板被来自等离子体的离子、自由基之类的化学物种蚀刻。
当执行等离子体蚀刻时，聚焦环被消耗，且聚焦环的厚度减小。当聚焦环的厚度减小时，聚焦环上的等离子体鞘(以下，称为“鞘”)的上端的位置变低。聚焦环上的鞘的上端在铅垂方向上的位置与基板上的鞘的上端在铅垂方向上的位置应相等。因此，在日本特开2008-227063号公报中记载有能够调节聚焦环上的鞘的上端在铅垂方向上的位置的等离子体处理装置。该公报中所记载的等离子体处理装置构成为将直流电压施加到聚焦环。
发明内容
在一示例性实施方式中，提供有等离子体处理装置。等离子体处理装置具备腔室、基板支承器、电源、匹配电路、第1电路径、第2电路径、鞘调节器及可变阻抗电路。基板支承器具有下部电极及静电卡盘。静电卡盘设置于下部电极上。基板支承器构成为在腔室内支承载置于其上的聚焦环及基板。电源构成为产生具有周期性的电力。匹配电路在电源与下部电极之间连接。第1电路径将匹配电路与下部电极彼此连接。第2电路径是不同于下部电极及第1电路径的电路径，并以从匹配电路向聚焦环供给电力的方式设置。鞘调节器构成为调节聚焦环上的鞘的上端在铅垂方向上的位置。可变阻抗电路设置于第1电路径或第2电路径上。
附图说明
图1是概略地表示一示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。
图2(a)是表示在聚焦环被消耗的状态下的鞘的上端在铅垂方向上的位置的例子的图，图2(b)是表示被校正的鞘的上端在铅垂方向上的位置的例子的图。
图3是放大表示另一示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置的一部分的图。
图4是放大表示又一示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置的一部分的图。
图5是表示通过鞘调节器施加到聚焦环的电压的一例的图。
图6是概略地表示又一示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。
图7(a)是表示在聚焦环被消耗的状态下的鞘的上端在铅垂方向上的位置的例子的图，图7(b)是表示被校正的鞘的上端在铅垂方向上的位置的例子的图。
图8是表示一示例性实施方式所涉及的蚀刻方法的流程图。
具体实施方式
以下，对各种示例性实施方式进行说明。
在一示例性实施方式中，提供有等离子体处理装置。等离子体处理装置具备腔室、基板支承器、电源、匹配电路、第1电路径、第2电路径、鞘调节器及可变阻抗电路。基板支承器具有下部电极及静电卡盘。静电卡盘设置于下部电极上。基板支承器构成为在腔室内支承载置于其上的聚焦环及基板。电源构成为产生具有周期性的电力。具有周期性的电力可以是高频电力或周期性地产生的脉冲状的负极性的直流电压。匹配电路在电源与下部电极之间连接。第1电路径将匹配电路与下部电极彼此连接。第2电路径是不同于下部电极及第1电路径的电路径，并以从匹配电路向聚焦环供给电力的方式设置。鞘调节器构成为调节聚焦环上的鞘的上端在铅垂方向上的位置。可变阻抗电路设置于第1电路径或第2电路径上。
根据上述实施方式的等离子体处理装置，能够通过鞘调节器调节聚焦环上的鞘的上端在铅垂方向上的位置。并且，通过调节可变阻抗电路的阻抗，能够调节流经第1电路径的电力的功率电平与流经第2电路径的电力的功率电平的比率。其结果，能够减少在基板的边缘处的蚀刻速率与在比边缘更靠内侧的基板的蚀刻速率之差。
在一示例性实施方式中，鞘调节器可以是构成为向聚焦环施加负极性的电压的电源。负极性的电压可以是高频电压或直流电压。高频电压可以是脉冲状的高频电压。直流电压可以是脉冲状的直流电压。
在一示例性实施方式中，由电源产生的电力的各周期包括第1部分期间及第2部分期间。第2部分期间是与第1部分期间不同的期间。鞘调节器在第1部分期间向聚焦环施加的负极性的电压的电平可以与鞘调节器在第2部分期间向聚焦环施加的负极性的电压的电平不同。
在一示例性实施方式中，鞘调节器可以是构成为为了调节聚焦环的上表面在铅垂方向上的位置而使聚焦环向上方移动的移动装置。
在一示例性实施方式中，等离子体处理装置还可以具备传感器及控制部。传感器构成为获取反映流经第1电路径的电力的功率电平的测定值。控制部可以构成为为了将流经第1电路径的电力的功率电平设定为规定的电平而根据测定值控制可变阻抗电路的阻抗。
在一示例性实施方式中，等离子体处理装置还可以具备控制部。控制部可以构成为将可变阻抗电路的阻抗设定为与负极性的电压的电平对应的预先确定的阻抗。
在一示例性实施方式中，等离子体处理装置还可以具备控制部。控制部可以构成为将可变阻抗电路的阻抗设定为与聚焦环向上方移动的移动量对应的预先确定的阻抗。
在一示例性实施方式中，作为上述可变阻抗电路的第1可变阻抗电路可以设置于第1电路径上。等离子体处理装置还可以具备设置于第2电路径上的第2可变阻抗电路。
在一示例性实施方式中，等离子体处理装置还可以具备第1传感器、第2传感器及控制部。第1传感器构成为获取第1测定值。第1测定值表示流经第1电路径的电力的功率电平。第2传感器构成为获取第2测定值。第2测定值表示流经第2电路径的电力的功率电平。控制部构成为为了将流经第1电路径的电力的功率电平设定为规定的电平而控制第1可变阻抗电路的阻抗和/或第2可变阻抗电路的阻抗。控制部根据第1测定值和/或第2测定值控制第1可变阻抗电路的阻抗和/或第2可变阻抗电路的阻抗。
在一示例性实施方式中，等离子体处理装置还可以具备控制部。控制部构成为将第1可变阻抗电路的阻抗及第2可变阻抗电路的阻抗设定为与负极性的电压的电平对应的预先确定的各阻抗。
在一示例性实施方式中，等离子体处理装置还可以具备控制部。控制部构成为将第1可变阻抗电路的阻抗及第2可变阻抗电路的阻抗设定为与聚焦环向上方移动的移动量对应的预先确定的各阻抗。
在另一示例性实施方式中，提供有使用等离子体处理装置的蚀刻方法。等离子体处理装置为上述示例性实施方式中的任一个。蚀刻方法包括确定通过鞘调节器设定的鞘的上端在铅垂方向上的位置的调节量的工序。蚀刻方法还包括确定用于将流经第1电路径的电力的功率电平设定为规定的电平的可变阻抗电路的阻抗的工序。蚀刻方法还包括为了对载置于静电卡盘上的基板进行等离子体蚀刻，经由第1电路径及第2电路径供给由电源产生的电力的工序。在鞘的上端在铅垂方向上的位置通过鞘调节器被调节所确定的调节量，可变阻抗电路的阻抗被调节为所确定的阻抗的状态下，进行供给的工序。
以下，参考附图对各种示例性实施方式进行详细说明。另外，在各附图中，对相同或相等的部分标注相同的符号。
图1是概略地表示一示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。图1所示的等离子体处理装置1为电容耦合型等离子体处理装置。等离子体处理装置1具备腔室10。腔室10中提供有内部空间10s。内部空间10s的中心轴线为沿铅垂方向延伸的轴线AX。在一实施方式中，腔室10包括腔室主体12。腔室主体12具有大致圆筒形状。内部空间10s设置于腔室主体12中。腔室主体12例如由铝制成。腔室主体12被电接地。在腔室主体12的内壁面，即划分内部空间10s的壁面形成有具有抗等离子体性的膜。该膜可以是通过阳极氧化处理形成的膜或由氧化钇形成的膜之类的陶瓷制的膜。
在腔室主体12的侧壁形成有通道12p。当在内部空间10s与腔室10的外部之间搬运基板W时，基板W穿过通道12p。为了该通道12p的开闭，沿腔室主体12的侧壁设置有闸阀12g。
等离子体处理装置1还具备基板支承器16。基板支承器16构成为在腔室10中支承载置于其上的基板W。基板W具有大致圆盘形状。基板支承器16被支承部17支承。支承部17从腔室主体12的底部向上方延伸。支承部17具有大致圆筒形状。支承部17由石英之类的绝缘材料形成。
基板支承器16具有下部电极18及静电卡盘20。下部电极18及静电卡盘20设置于腔室10中。下部电极18由铝之类的导电性材料形成，且具有大致圆盘形状。
在下部电极18内形成有流路18f。流路18f是热交换介质用流路。作为热交换介质，使用液态的制冷剂或者通过其气化来冷却下部电极18的制冷剂(例如，氯氟烃)。在流路18f上连接有热交换介质的供给装置(例如，冷却单元)。该供给装置设置于腔室10的外部。热交换介质从供给装置经由配管23a供给至流路18f。供给至流路18f的热交换介质经由配管23b返回至供给装置。
静电卡盘20设置于下部电极18上。当在内部空间10s中处理基板W时，基板W载置于静电卡盘20上，并被静电卡盘20保持。
静电卡盘20具有主体及电极。静电卡盘20的主体由氧化铝或氮化铝之类的电介质形成。静电卡盘20的主体具有大致圆盘形状。静电卡盘20的中心轴线与轴线AX大致一致。静电卡盘20的电极设置于主体内。静电卡盘20的电极具有膜形状。在静电卡盘20的电极上经由开关电连接有直流电源。当来自直流电源的电压施加到静电卡盘20的电极时，在静电卡盘20与基板W之间产生静电引力。通过所产生的静电引力，基板W被吸引到静电卡盘20并被静电卡盘20保持。
静电卡盘20包括基板载置区域及聚焦环载置区域。基板载置区域是具有大致圆盘形状的区域。基板载置区域的中心轴线与轴线AX大致一致。当在腔室10内被处理时，基板W载置于基板载置区域的上表面上。
聚焦环载置区域以绕静电卡盘20的中心轴线包围基板载置区域的方式在周向上延伸。在聚焦环载置区域的上表面上搭载有聚焦环FR。聚焦环FR具有环形状。聚焦环FR载置于聚焦环载置区域上，以使其中心轴线与轴线AX一致。基板W配置于由聚焦环FR包围的区域内。聚焦环FR可以具有导电性。聚焦环FR例如由硅或碳化硅形成。
等离子体处理装置1还可以具备气体供给管路25。气体供给管路25将来自气体供给机构的传热气体，例如He气体供给至静电卡盘20的上表面与基板W的背面(下表面)之间。
等离子体处理装置1还可以具备绝缘区域27。绝缘区域27配置于支承部17上。绝缘区域27相对于轴线AX在径向上配置于下部电极18的外侧。绝缘区域27沿下部电极18的外周面在周向上延伸。绝缘区域27由石英之类的绝缘体形成。聚焦环FR载置于绝缘区域27及聚焦环载置区域上。
等离子体处理装置1还具备上部电极30。上部电极30设置于基板支承器16的上方。上部电极30与部件32一同封闭腔室主体12的上部开口。部件32具有绝缘性。上部电极30经由该部件32支承于腔室主体12的上部。
上部电极30包括顶板34及支承体36。顶板34的下表面划分内部空间10s。在顶板34上形成有多个排气孔34a。多个排气孔34a分别沿板厚方向(铅垂方向)贯穿顶板34。该顶板34并没有限定，例如由硅形成。或者，顶板34可以具有在铝制部件的表面设置有抗等离子体性的膜的结构。该膜可以是通过阳极氧化处理形成的膜或由氧化钇形成的膜之类的陶瓷制的膜。
支承体36装卸自如地支承顶板34。支承体36例如由铝之类的导电性材料形成。在支承体36的内部设置有气体扩散室36a。多个气体孔36b从气体扩散室36a向下方延伸。多个气体孔36b分别与多个排气孔34a连通。支承体36中形成有气体导入端口36c。气体导入端口36c与气体扩散室36a连接。在气体导入端口36c上连接有气体供给管38。
在气体供给管38上经由阀组41、流量控制器组42及阀组43连接有气体源组40。由气体源组40、阀组41、流量控制器组42及阀组43构成气体供给部。气体源组40包括多个气体源。阀组41及阀组43分别包括多个阀(例如开闭阀)。流量控制器组42包括多个流量控制器。流量控制器组42的多个流量控制器分别为质量流量控制器或压力控制式的流量控制器。气体源组40的多个气体源分别经由与阀组41对应的阀、与流量控制器组42对应的流量控制器及与阀组43对应的阀而连接于气体供给管38。等离子体处理装置1能够将来自选自气体源组40的多个气体源中的一个以上的气体源的气体以个别地被调节的流量供给至内部空间10s。
在基板支承器16或支承部17与腔室主体12的侧壁之间设置有挡板48。挡板48例如可以通过在铝制部件上涂覆氧化钇等陶瓷而构成。在该挡板48中形成有多个贯穿孔。在挡板48的下方，排气管52与腔室主体12的底部连接。在该排气管52上连接有排气装置50。排气装置50具有自动压力控制阀之类的压力控制器及涡轮分子泵等真空泵，能够减小内部空间10s中的压力。
等离子体处理装置1还具备至少一个电源。至少一个电源构成为产生具有周期性的电力。在一实施方式中，等离子体处理装置1作为产生具有周期性的电力的电源，还可以具备高频电源61。高频电源61是产生等离子体生成用高频电力HF的电源。高频电力HF具有27～100MHz的范围内的频率、例如40MHz或60MHz的频率。为了将高频电力HF供给至下部电极18，高频电源61经由匹配电路63与下部电极18连接。即，匹配电路63在高频电源61与下部电极18之间连接。匹配电路63构成为使高频电源61的输出阻抗与负载侧(下部电极18侧)的阻抗匹配。另外，高频电源61可以不与下部电极18电连接，而可以经由匹配电路63与上部电极30连接。
在一实施方式中，等离子体处理装置1作为产生具有周期性的电力的电源，还可以具备电源62。电源62是产生用于将离子引入到基板W的偏置电力LF的电源。在一实施方式中，电源62可以是作为偏置电力LF产生高频电力的电源。由电源62产生的高频电力的频率低于高频电力HF的频率。由电源62产生的高频电力的频率是400kHz～13.56MHz的范围内的频率，例如为400kHz。为了将偏置电力LF供给至下部电极18，电源62经由匹配电路64与下部电极18连接。即，匹配电路64在电源62与下部电极18之间连接。匹配电路64构成为使电源62的输出阻抗与负载侧(下部电极18侧)的阻抗匹配。另外，作为偏置电力LF的高频电力可以是周期性地产生的脉冲状的高频电力。即，可以交替地切换相对于下部电极18的来自电源62的高频电力的供给及停止供给。在另一实施方式中，电源62可以构成为向下部电极18周期性地施加脉冲状的负极性的直流电压作为偏置电力LF。可以在该脉冲状的负极性的直流电压施加到下部电极18的期间内改变脉冲状的负极性的直流电压的电平。
等离子体处理装置1还具备第1电路径71及第2电路径72。第1电路径71将匹配电路63及匹配电路64分别与下部电极18彼此连接。高频电力HF及偏置电力LF经由第1电路径71供给至下部电极18。流经第1电路径71的电力P1包括偏置电力LF及高频电力HF。
另外，当高频电源61经由匹配电路63与上部电极30电连接时，第1电路径71将匹配电路64与下部电极18彼此连接。在该情况下，电力P1包括偏置电力LF。并且，电力P1可以包括经由上部电极30、等离子体及下部电极18流入第1电路径71的高频电力。
第2电路径72是不同于第1电路径71的电路径。并且，第2电路径72是不同于下部电极18的电路径。即，第2电路径72是不包括下部电极18的电路径。第2电路径72设置为从匹配电路63向聚焦环FR供给高频电力HF，从匹配电路64向聚焦环FR供给偏置电力LF。流过第2电路径72的电力P2包括偏置电力LF及高频电力HF。
在一实施方式中，第1电路径71及第2电路径72从共同电路径70分支。在一实施方式中，第2电路径72从电路径70上的分支点延伸至聚焦环FR的下方的电极73。电极73设置于绝缘区域27内。第2电路径72可以在电路径70上的分支点与绝缘区域27之间穿过支承部17。
另外，当高频电源61经由匹配电路63与上部电极30电连接时，第2电路径72将匹配电路64与电极73彼此连接。在该情况下，电力P2包括偏置电力LF。并且，电力P2可以包括经由上部电极30、等离子体及下部电极18流入第2电路径72的高频电力。
当在等离子体处理装置1中进行等离子体蚀刻时，气体供给至内部空间10s。然后，通过被供给高频电力HF和/或偏置电力LF，气体在内部空间10s中被激励。其结果，在内部空间10s中生成等离子体。基板W被来自所生成的等离子体的离子和/或自由基之类的化学物种蚀刻。即，进行等离子体蚀刻。
以下，参考图2(a)及图2(b)。图2(a)是表示在聚焦环被消耗的状态下的鞘的上端在铅垂方向上的位置的例子的图。图2(b)是表示被校正的鞘的上端在铅垂方向上的位置的例子的图。在图2(a)及图2(b)的各自中，鞘的上端在铅垂方向上的位置(以下，称为“上端位置”)由虚线表示。并且，在图2(a)及图2(b)的各自中，离子相对于基板W的行进方向由箭头表示。
当进行基板W的等离子体蚀刻时，如图2(a)所示，聚焦环FR被消耗。当聚焦环FR被消耗时，聚焦环FR的厚度减小，且聚焦环FR的上表面在铅垂方向上的位置变低。当聚焦环FR的上表面在铅垂方向上的位置变低时，聚焦环FR上的鞘的上端位置低于基板W上的鞘的上端位置。其结果，鞘的上端在基板W的边缘附近倾斜，供给到基板W的边缘的离子的行进方向相对于铅垂方向成为倾斜的方向。
为了将离子的行进方向校正为铅垂方向(即，相对于基板W的边缘垂直方向)，如图1所示，等离子体处理装置1还具备鞘调节器74。鞘调节器74构成为调节聚焦环FR上的鞘的上端位置。鞘调节器74调节聚焦环FR上的鞘的上端位置，以使消除或减小聚焦环FR上的鞘的上端位置与基板W上的鞘的上端位置之差。
在一实施方式中，鞘调节器74是构成为向聚焦环FR施加负极性的电压VN的电源。在该实施方式中，鞘调节器74经由过滤器75及导线76与聚焦环FR连接。过滤器75是用于阻断或减少流入鞘调节器74的高频电力的过滤器。
电压VN可以是直流电压或高频电压。电压VN的电平确定鞘的上端位置的调节量。鞘的上端位置的调节量，即电压VN的电平根据反映聚焦环FR的厚度的参数确定。该参数可以是光学或电测定的聚焦环FR的厚度的测定值、光学或电测定的聚焦环FR的上表面在铅垂方向上的位置、或聚焦环FR暴露于等离子体的时长。使用这种参数与电压VN的电平之间的规定的关系确定电压VN的电平。例如，预先确定参数与电压VN的电平之间的规定的关系，以使若聚焦环FR的厚度减小则电压VN的绝对值增加。当具有所确定的电平的电压VN施加到聚焦环FR时，如图2(b)所示，聚焦环FR上的鞘的上端位置与基板W上的鞘的上端位置之差消除或减小。
另外，电压VN可以是脉冲状的高频电压或脉冲状的直流电压。即，电压VN可以周期性地施加到聚焦环FR。当脉冲状的直流电压作为电压VN周期性地施加到聚焦环FR时，在电压VN施加到聚焦环FR的期间，电压VN的电平可以改变。
当鞘的上端位置通过鞘调节器74被校正时，从第2电路径72经由聚焦环FR至等离子体的路径的阻抗增加。这是因为，当通过向聚焦环FR施加电压VN来调节鞘的上端位置时，鞘的厚度在聚焦环FR上增加。当从第2电路径72经由聚焦环FR至等离子体的路径的阻抗增加时，电力P2减小。并且，当从第2电路径72经由聚焦环FR至等离子体的路径的阻抗增加时，电力P1相对增加。其结果，相对于在基板W的边缘处的蚀刻速率，比边缘更靠内侧的基板W的蚀刻速率变高。
为了减少在基板的边缘处的蚀刻速率与比边缘更靠内侧的基板的蚀刻速率之差，等离子体处理装置1具有至少一个可变阻抗电路。即，在第1电路径71、第2电路径72、或它们中分别设置有可变阻抗电路。
在一实施方式中，等离子体处理装置1具备可变阻抗电路81(即，第1可变阻抗电路)及可变阻抗电路82(即，第2可变阻抗电路)。可变阻抗电路81设置于第1电路径71上。可变阻抗电路82设置于第2电路径72上。另外，等离子体处理装置1也可以仅具备可变阻抗电路81及82中的任一个。
只要其阻抗是可变的电路，则可变阻抗电路81可以是任意结构的电路。在一例中，可变阻抗电路81可以包括可变电容电容器。只要其阻抗是可变的电路，则可变阻抗电路82也可以是任意结构的电路。在一例中，可变阻抗电路82可以包括可变电容电容器。
如上所述，根据等离子体处理装置1，能够通过鞘调节器74调节聚焦环FR上的鞘的上端位置。并且，通过调节可变阻抗电路81及82中的至少一个阻抗电路的阻抗，能够调节电力的分配比率。其结果，能够减少在基板W的边缘处的蚀刻速率与比边缘更靠内侧的基板W的蚀刻速率之差。另外，电力的分配比率是电力P1的功率电平与电力P2的功率电平的比率。
在一实施方式中，等离子体处理装置1还可以具备控制部MC。控制部MC是具备处理器、存储装置、输入装置、显示装置等的计算机，并控制等离子体处理装置1的各部。具体而言，控制部MC执行存储于存储装置中的控制程序，并根据存储于该存储装置中的工序数据控制等离子体处理装置1的各部。通过基于控制部MC的控制，由工序数据指定的工艺在等离子体处理装置1中执行。后述的实施方式所涉及的蚀刻方法可以通过基于控制部MC的等离子体处理装置1的各部的控制，在等离子体处理装置1中执行。
如上所述，控制部MC可以确定电压VN的电平。上述参数与电压VN的电平之间的规定的关系可以作为函数或表格形式的数据保存于控制部MC的存储装置中。控制部MC可以控制鞘调节器74，以将具有所确定的电平的电压VN施加于聚焦环FR。
在一实施方式中，等离子体处理装置1还可以具备至少一个传感器。至少一个传感器构成为获取反映电力P1的功率电平的测定值。在该实施方式中，为了将电力P1的功率电平设定为规定的电平，控制部MC控制可变阻抗电路81及82中的至少一个可变阻抗电路的阻抗。至少一个阻抗电路的阻抗根据通过至少一个传感器获取的测定值来控制。
在一实施方式中，等离子体处理装置1具备传感器83及传感器84。传感器83连接于可变阻抗电路81与下部电极18之间。传感器83构成为获取表示电力P1的功率电平的第1测定值。传感器83可以是构成为例如测定在第1电路径71中的电流的电流传感器。传感器84连接于可变阻抗电路82与电极73之间。传感器84构成为获取间接表示电力P1的功率电平的第2测定值。第2测定值直接表示电力P2的功率电平。在一例中，传感器84可以是构成为例如测定在第2电路径72中的电流的电流传感器。另外，等离子体处理装置1也可以仅具备传感器83及传感器84中的一个。
在一实施方式中，控制部MC控制可变阻抗电路81及82中的至少一个阻抗电路的阻抗，以将电力P1的功率电平设定为规定的电平。至少一个阻抗电路的阻抗根据通过上述至少一个传感器获取的测定值来设定。
在一实施方式中，控制部MC可以构成为将可变阻抗电路81及82中的至少一个阻抗电路的阻抗设定为与电压VN的电平对应的预先确定的阻抗。预先确定与电压VN对应的阻抗，以使电力P1的功率电平不依赖电压VN的电平而大致恒定。与电压VN对应的阻抗可以作为函数或表格形式的数据保存于控制部MC的存储装置中。
以下，参考图3对另一示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置进行说明。图3是放大表示另一示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置的一部分的图。图3所示的等离子体处理装置1B在具备可变阻抗电路81a及可变阻抗电路81b来代替可变阻抗电路81的这一方面，与等离子体处理装置1不同。并且，等离子体处理装置1B在具备可变阻抗电路82a及可变阻抗电路82b来代替可变阻抗电路82的这一方面，与等离子体处理装置1不同。在其他方面，等离子体处理装置1B的结构可以与等离子体处理装置1的结构相同。
可变阻抗电路81a是高频电力HF用可变阻抗电路。可变阻抗电路81b是偏置电力LF用可变阻抗电路。可变阻抗电路81a及可变阻抗电路81b在第1电路径71上并联连接。只要其阻抗是可变的电路，则可变阻抗电路81a及可变阻抗电路81b分别可以是任意结构的电路。在一例中，可变阻抗电路81a及可变阻抗电路81b分别可以包括可变电容电容器。
可变阻抗电路82a是高频电力HF用可变阻抗电路。可变阻抗电路82b是偏置电力LF用可变阻抗电路。可变阻抗电路82a及可变阻抗电路82b在第2电路径72上并联连接。只要其阻抗是可变的电路，则可变阻抗电路82a及可变阻抗电路82b分别可以是任意结构的电路。在一例中，可变阻抗电路82a及可变阻抗电路82b分别可以包括可变电容电容器。
在等离子体处理装置1B中，控制部MC控制可变阻抗电路81a及82a中的至少一个可变阻抗电路的阻抗。并且，控制部MC还控制可变阻抗电路81b及82b中的至少一个可变阻抗电路的阻抗。这些阻抗根据通过至少一个传感器(传感器83和/或传感器84)获取的上述测定值来控制。
或者，控制部MC可以构成为将可变阻抗电路81a及82a中的至少一个可变阻抗电路的阻抗设定为与电压VN的电平对应的预先确定的阻抗。并且，控制部MC还可以构成为将可变阻抗电路81b及82b中的至少一个可变阻抗电路的阻抗设定为与电压VN的电平对应的预先确定的阻抗。
以下，参考图4对又一示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置进行说明。图4是放大表示又一示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置的一部分的图。图4所示的等离子体处理装置1C在具备可变阻抗电路81c及可变阻抗电路81d来代替可变阻抗电路81的这一方面，与等离子体处理装置1不同。并且，等离子体处理装置1C在具备可变阻抗电路82c及可变阻抗电路82d来代替可变阻抗电路82的这一方面，与等离子体处理装置1不同。并且，等离子体处理装置1C的第1电路径71及第2电路径72的结构分别与等离子体处理装置1的第1电路径71及第2电路径72的结构不同。并且，等离子体处理装置1C还具备低通滤波器85及低通滤波器86。在其他方面，等离子体处理装置1C的结构可以与等离子体处理装置1的结构相同。
在等离子体处理装置1C中，第1电路径71包括第1部分路径71a、第2部分路径71b及第3部分路径71c。第1部分路径71a及第2部分路径71b与第3部分路径71c汇合。第1部分路径71a将匹配电路63与第3部分路径71c彼此连接。第3部分路径71c与下部电极18连接。在第3部分路径71c上设置有传感器83。
可变阻抗电路81c是高频电力HF用可变阻抗电路，并设置于第1部分路径71a上。只要其阻抗是可变的电路，则可变阻抗电路81c可以是任意结构的电路。在一例中，可变阻抗电路81c可以包括可变电容电容器。
可变阻抗电路81d是偏置电力LF用可变阻抗电路，并设置于第2部分路径71b上。在第2部分路径71b上还设置有低通滤波器85。只要其阻抗是可变的电路，则可变阻抗电路81d可以是任意结构的电路。
在一例中，可变阻抗电路81d包括可变电容电容器811及可变电感器812。可变电容电容器811及可变电感器812在接地与低通滤波器85之间串联连接。可变电感器812与可变电感器87电磁耦合。可变电感器87的一端与匹配电路64连接。可变电感器87的另一端经由可变电容电容器88与接地连接。通过可变电感器87与可变电感器812之间的电磁感应，偏置电力LF供给至第2部分路径71b。供给至第2部分路径71b的偏置电力LF经由第3部分路径71c供给至下部电极18。
在等离子体处理装置1C中，第2电路径72包括第4部分路径72a、第5部分路径72b及第6部分路径72c。第4部分路径72a及第5部分路径72b与第6部分路径72c汇合。第4部分路径72a将匹配电路63与第6部分路径72c彼此连接。第6部分路径72c与电极73连接。在第6部分路径72c上设置有传感器84。
可变阻抗电路82c是高频电力HF用可变阻抗电路，并设置于第4部分路径72a上。只要其阻抗是可变的电路，则可变阻抗电路82c可以是任意结构的电路。在一例中，可变阻抗电路82c可以包括可变电容电容器。
可变阻抗电路82d是偏置电力LF用可变阻抗电路，并设置于第5部分路径72b上。在第5部分路径72b上还设置有低通滤波器86。只要其阻抗是可变的电路，则可变阻抗电路82d可以是任意结构的电路。
在一例中，可变阻抗电路82d包括可变电容电容器821及可变电感器822。可变电容电容器821及可变电感器822在接地与低通滤波器86之间串联连接。可变电感器822与可变电感器87电磁耦合。通过可变电感器87与可变电感器822之间的电磁感应，偏置电力LF供给至第5部分路径72b。供给至第5部分路径72b的偏置电力LF经由第6部分路径72c供给至聚焦环FR。
在等离子体处理装置1C中，控制部MC控制可变阻抗电路81c及82c中的至少一个可变阻抗电路的阻抗。并且，控制部MC还控制可变阻抗电路81d及82d中的至少一个可变阻抗电路的阻抗。这些阻抗根据通过至少一个传感器(传感器83和/或传感器84)获取的上述测定值来控制。
或者，控制部MC可以构成为将可变阻抗电路81c及82c中的至少一个可变阻抗电路的阻抗设定为与电压VN的电平对应的预先确定的阻抗。并且，控制部MC还可以构成为将可变阻抗电路81d及82d中的至少一个可变阻抗电路的阻抗设定为与电压VN的电平对应的预先确定的阻抗。
以下，参考图5。图5是表示通过鞘调节器施加到聚焦环的电压的一例的图。另外，在图5中，示出高频电力作为偏置电力LF。在等离子体处理装置1、等离子体处理装置1B及等离子体处理装置1C的各自中，电压VN的电平可以在偏置电力LF的各周期PLF内改变。在一实施方式中，偏置电力LF的各周期PLF包括第1部分期间Pa与第2部分期间Pb。第2部分期间Pb是与第1部分期间Pa不同的期间。鞘调节器74在第1部分期间Pa向聚焦环FR施加的电压VN的电平可以与鞘调节器74在第2部分期间Pb向聚焦环FR施加的电压VN的电平不同。
在一例中，在各周期PLF内鞘变得相对较薄的期间是第1部分期间Pa，在各周期PLF内鞘变得相对较厚的期间是第2部分期间Pb。在各周期PLF内，基板W的蚀刻主要在具有相对较高的能量的离子供给至基板W的第2部分期间Pb进行。因此，在第2部分期间Pb中，具有确定为消除或减小在基板W的上方的鞘的上端位置与聚焦环FR上的鞘的上端位置之差的电平的电压VN施加到聚焦环FR。另一方面，在第1部分期间Pa中，由于鞘相对较薄，因此等离子体有可能侵入聚焦环FR与基板W的边缘之间。为了抑制等离子体侵入聚焦环FR与基板W的边缘之间，在第1部分期间Pa中，可以将具有相对较大的绝对值的电压VN施加到聚焦环FR。即，如在图5中由实线所示，在第1部分期间Pa中，可以将具有比在第2部分期间Pb中施加到聚焦环FR的电压VN大的绝对值的电压VN施加到聚焦环FR。
或者，在第1部分期间Pa中，可以以抑制等离子体侵入聚焦环FR与基板W的边缘之间且使鞘厚在基板W的边缘区域上均匀的方式设定电压VN的电平。具体而言，如在图5中由点线所示，具有比在第2部分期间Pb中施加到聚焦环FR的电压VN的绝对值小的绝对值的电压VN在第1部分期间Pa中可以施加到聚焦环FR。或者，如在图5中由单点划线所示，在第1部分期间Pa中，可以将正极性的电压施加到聚焦环FR。
另外，当偏置电力LF是高频电力时，下部电极18的电位为正的期间可以是第1部分期间Pa，下部电极18的电位为负的期间可以是第2部分期间Pb。在该情况下，例如根据通过电压传感器获取的下部电极18的电位确定第1部分期间Pa及第2部分期间Pb。或者，当偏置电力LF是高频电力时，从电源62输出的偏置电力LF的电压为正的期间可以是第1部分期间Pa，从电源62输出的偏置电力LF的电压为负的期间可以是第2部分期间Pb。在该情况下，电压VN与偏置电力LF同步。当偏置电力LF是脉冲状的负极性的直流电压时，负极性的直流电压施加到下部电极18的期间可以是第2部分期间Pb，且其他期间可以是第1部分期间Pa。
当电压VN的电平在偏置电力LF的各周期PLF内改变时，上述各可变阻抗电路的阻抗可以设定为与第1部分期间Pa或第2部分期间Pb的电压VN的电平对应的预先确定的阻抗。或者，上述各可变阻抗电路的阻抗可以设定为与各周期PLF内的电压VN的电平的平均值对应的预先确定的阻抗。或者，上述各可变阻抗电路的阻抗可以根据在第1部分期间Pa或第2部分期间Pb通过上述至少一个传感器获取的测定值来设定。或者，上述各可变阻抗电路的阻抗可以根据在各周期PLF内通过上述至少一个传感器获取的测定值的平均值来设定。
偏置电力LF的各周期PLF可以包括彼此不同的三个以上的部分期间。在偏置电力LF的各周期PLF中所包括的三个以上的各部分期间中施加到聚焦环FR的电压VN的电平可以彼此不同。以下，对各周期PLF包括第1～第4副期间作为三个以上的部分期间的例子进行说明。在该例子中，第2副期间是第1副期间之后的期间，第3副期间是第2副期间之后的期间，第4副期间是第3副期间之后的期间。第1副期间及第2副期间可以是包括在上述第1部分期间Pa中的期间。第1副期间可以是第1部分期间Pa内的前半期间，第2副期间可以是第1部分期间Pa内的后半期间。第3副期间及第4副期间可以是包括在上述第2部分期间Pb中的期间。第3副期间可以是第2部分期间Pb内的前半期间，第4副期间可以是第2部分期间Pb内的后半期间。在第1副期间中，具有比在第2副期间施加到聚焦环FR的负极性的电压VN的绝对值大的绝对值的负极性的电压VN可以施加到聚焦环FR。并且，在第3副期间中，具有比在第4副期间施加到聚焦环FR的负极性的电压VN的绝对值大的绝对值的负极性的电压VN可以施加到聚焦环FR。
另外，在图5中，偏置电力LF的波形作为正弦波示出。即，在图5所示的偏置电力LF的波形中，从零到最大值的波形与从最大值到零的波形对称，且从零到最小值的波形与从最小值到零的波形对称。然而，在施加有偏置电力LF的各周期PLF中，在聚焦环FR中的电位可以通过电子的质量与离子的质量之差非对称地变化。因此，可以根据在施加有偏置电力LF的各周期PLF中的聚焦环FR中的电位的变化(即，非对称的电位的变化)设定施加到聚焦环FR的电压VN。即，可以根据在聚焦环FR中的电位的变化(即，电位的波形)将各周期PLF内的多个部分期间(多个副期间)的各时长设定为彼此不同的长度。通过在各周期PLF内的多个部分期间(即，多个副期间)中分别施加具有最佳电平的电压VN，能够更精密地控制鞘的厚度。
并且，在另一例子中，施加到聚焦环FR的电压VN的电平的平均值可以在周期PLF的重复中改变。
以下，参考图6、图7(a)、图7(b)。图6是概略地表示又一示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。图7(a)是表示在聚焦环被消耗的状态下的鞘的上端在铅垂方向上的位置的例子的图，图7(b)是表示被校正的鞘的上端在铅垂方向上的位置的例子的图。另外，在图7(a)及图7(b)的各自中，鞘的上端位置由虚线表示。并且，在图7(a)及图7(b)的各自中，离子相对于基板W的行进方向由箭头表示。
图6所示的等离子体处理装置1D在使用聚焦环FRD来代替聚焦环FR的这一方面，与等离子体处理装置1不同。并且，等离子体处理装置1D在具备鞘调节器74D来代替鞘调节器74的这一方面，与等离子体处理装置1不同。在其他方面，等离子体处理装置1D的结构可以与等离子体处理装置1的结构相同。
如图7(a)及图7(b)所示，聚焦环FRD具有第1环状部FR1及第2环状部FR2。第1环状部FR1及第2环状部FR2彼此分离。第1环状部FR1呈环状且板状，且以绕轴线AX延伸的方式载置于聚焦环载置区域上。基板W以其边缘位于第1环状部FR1上的方式载置于基板载置区域上。第2环状部FR2呈环状且板状，且以绕轴线AX延伸的方式载置于聚焦环载置区域上。第2环状部FR2在径向上位于第1环状部FR1的外侧。
鞘调节器74D是构成为为了调节聚焦环FRD的上表面在铅垂方向上的位置而使聚焦环FRD向上方移动的移动装置。具体而言，鞘调节器74D构成为为了调节第2环状部FR2的上表面在铅垂方向上的位置而使第2环状部FR2向上方移动。在一例中，鞘调节器74D包括驱动装置74a及轴74b。轴74b支承第2环状部FR2，且从第2环状部FR2向下方延伸。驱动装置74a构成为产生用于经由轴74b使第2环状部FR2在铅垂方向上移动的驱动力。
如图7(a)所示，当进行基板W的等离子体蚀刻时，聚焦环FRD被消耗。当聚焦环FRD被消耗时，第2环状部FR2的厚度减小，且第2环状部FR2的上表面在铅垂方向上的位置变低。当第2环状部FR2的上表面在铅垂方向上的位置变低时，聚焦环FRD上的鞘的上端位置低于基板W上的鞘的上端位置。其结果，鞘的上端在基板W的边缘附近倾斜，供给到基板W的边缘的离子的行进方向相对于铅垂方向成为倾斜的方向。
为了将离子的行进方向校正为铅垂方向，鞘调节器74D构成为调节聚焦环FRD上的鞘的上端位置。鞘调节器74D调节聚焦环FRD上的鞘的上端位置，以消除或减小聚焦环FRD上的鞘的上端位置与基板W上的鞘的上端位置之差。具体而言，鞘调节器74D使第2环状部FR2向上方移动，以使第2环状部FR2的上表面在铅垂方向上的位置与静电卡盘20上的基板W的上表面在铅垂方向上的位置一致。
鞘的上端位置的调节量，即第2环状部FR2的移动量根据反映聚焦环FRD的厚度，即第2环状部FR2的厚度的参数确定。该参数可以是光学或电测定的第2环状部FR2的厚度的测定值、光学或电测定的第2环状部FR2的上表面在铅垂方向上的位置、或聚焦环FRD暴露于等离子体的时长。使用这种参数与第2环状部FR2的移动量之间的规定的关系确定第2环状部FR2的移动量。例如，预先确定参数与第2环状部FR2的移动量之间的规定的关系，以使若第2环状部FR2的厚度减小则第2环状部FR2的移动量增加。如图7(b)所示，当第2环状部FR2向上方移动所确定的移动量时，聚焦环FRD上的鞘的上端位置与基板W上的鞘的上端位置之差消除或减小。
在等离子体处理装置1D中，如上所述，控制部MC可以确定第2环状部FR2的移动量。上述参数与第2环状部FR2的移动量之间的规定的关系可以作为函数或表格形式的数据保存于控制部MC的存储装置中。控制部MC可以控制鞘调节器74D，以使第2环状部FR2向上方移动所确定的移动量。
当鞘的上端位置通过鞘调节器74D被校正时，从第2电路径72经由聚焦环FRD至等离子体的路径的阻抗增加。这是因为第2环状部FR2与电极73之间的间隙变宽。当从第2电路径72经由聚焦环FRD至等离子体的路径的阻抗增加时，电力P2减小。并且，当从第2电路径72经由聚焦环FRD至等离子体的路径的阻抗增加时，电力P1相对增加。其结果，相对于在基板W的边缘处的蚀刻速率，比边缘更靠内侧的基板W的蚀刻速率变高。因此，在等离子体处理装置1D中，与等离子体处理装置1同样地，调节可变阻抗电路81及82中的至少一个可变阻抗电路的阻抗。
与等离子体处理装置1同样地在等离子体处理装置1D中，也可以通过控制部MC控制可变阻抗电路81及82中的至少一个可变阻抗电路的阻抗。至少一个可变阻抗电路的阻抗可以根据通过上述至少一个传感器获取的测定值来控制。
或者，控制部MC可以构成为将可变阻抗电路81及82中的至少一个可变阻抗电路的阻抗设定为与第2环状部FR2的移动量对应的预先确定的阻抗。预先确定与第2环状部FR2的移动量对应的阻抗，以使电力P1的功率电平不依赖第2环状部FR2的移动量而大致恒定。与第2环状部FR2的移动量对应的阻抗可以作为函数或表格形式的数据保存于控制部MC的存储装置中。
另外，在等离子体处理装置1B及等离子体处理装置1C的各自中，可以采用聚焦环FRD及鞘调节器74D来分别代替聚焦环FR及鞘调节器74。
以下，参考图8。图8是表示一示例性实施方式所涉及的蚀刻方法的流程图。图8所示的蚀刻方法MT使用等离子体处理装置1、等离子体处理装置1B、等离子体处理装置1C、等离子体处理装置1D之类的各种实施方式所涉及的等离子体处理装置中的任一个来执行。
在蚀刻方法MT中，基板W配置于由聚焦环包围的区域内且载置于静电卡盘20上。在蚀刻方法MT的工序ST1中，确定通过鞘调节器(鞘调节器74或鞘调节器74D)设定的鞘的上端位置的调节量。关于鞘的上端位置的调节量的确定，请参考与等离子体处理装置1、等离子体处理装置1B、等离子体处理装置1C及等离子体处理装置1D有关的上述说明。
在蚀刻方法MT的工序ST2中，确定至少一个可变阻抗电路的阻抗。至少一个可变阻抗电路的阻抗以将流经第1电路径71的电力P1的功率电平设定为规定的电平的方式确定。关于至少一个可变阻抗电路的阻抗的确定，请参考与等离子体处理装置1、等离子体处理装置1B、等离子体处理装置1C及等离子体处理装置1D有关的上述说明。
在蚀刻方法MT中，气体从气体供给部供给至腔室10内。然后，腔室10内的压力通过排气装置50设定为指定的压力。在蚀刻方法MT的工序ST3中，为了对基板W进行等离子体蚀刻，经由第1电路径71及第2电路径72供给高频电力HF及偏置电力LF。另外，当高频电源61与上部电极30电连接时，高频电力HF供给至上部电极30，偏置电力LF经由第1电路径71及第2电路径72供给。在鞘的上端位置通过鞘调节器被调节在工序ST1中所确定的调节量，至少一个可变阻抗电路的阻抗被调节为在工序ST2中所确定的阻抗的状态下，进行工序ST3。
根据蚀刻方法MT，能够将供给至基板W的边缘的离子的行进方向校正为铅垂方向。并且，根据蚀刻方法MT，能够减少在基板的边缘处的蚀刻速率与比边缘更靠内侧的基板的蚀刻速率之差。
以上，对各种示例性实施方式进行了说明，但并不限定于上述示例性实施方式，可以进行各种省略、替换及变更。并且，能够组合不同的实施方式中的要件来形成其他实施方式。
另一实施方式所涉及的等离子体处理装置也可以是电感耦合型等离子体处理装置。又一实施方式所涉及的等离子体处理装置也可以是使用微波之类的表面波生成等离子体的等离子体处理装置。
从以上说明可理解，本发明的各实施方式以说明为目的在本说明书中进行了说明，能够在不脱离本发明的范围及宗旨的情况下进行各种变更。因此，本说明书中公开的各实施方式并不旨在限定，真正的范围和宗旨可由所附的技术方案的范围来示出。

Claims (15)

1.一种等离子体处理装置，其具备：
腔室；
基板支承器，具有下部电极及设置于该下部电极上的静电卡盘，并构成为在所述腔室内支承载置于其上的聚焦环及基板；
电源，构成为产生具有周期性的电力；
匹配电路，在所述电源与所述下部电极之间连接；
第1电路径，将所述匹配电路与所述下部电极彼此连接；
第2电路径，是不同于所述下部电极及所述第1电路径的第2电路径，并以从所述匹配电路向所述聚焦环供给所述电力的方式设置；
鞘调节器，构成为调节所述聚焦环上的鞘的上端在铅垂方向上的位置；及
可变阻抗电路，设置于所述第1电路径或所述第2电路径上。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，
所述鞘调节器是构成为向所述聚焦环施加负极性的电压的电源。
3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其中，
由所述电源产生的所述电力的各周期包括第1部分期间及与该第1部分期间不同的第2部分期间，
所述鞘调节器在所述第1部分期间向所述聚焦环施加的所述负极性的电压的电平与所述鞘调节器在所述第2部分期间向所述聚焦环施加的所述负极性的电压的电平不同。
4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，
所述鞘调节器是构成为为了调节所述聚焦环的上表面在铅垂方向上的位置而使所述聚焦环向上方移动的移动装置。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的等离子体处理装置，其还具备：
传感器，构成为获取反映流经所述第1电路径的电力的功率电平的测定值；及
控制部，构成为为了将流经所述第1电路径的电力的功率电平设定为规定的电平而根据所述测定值控制所述可变阻抗电路的阻抗。
6.根据权利要求2或3所述的等离子体处理装置，其还具备：
控制部，构成为将所述可变阻抗电路的阻抗设定为与所述负极性的电压的电平对应的预先确定的阻抗。
7.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其还具备：
控制部，构成为将所述可变阻抗电路的阻抗设定为与所述聚焦环向上方移动的移动量对应的预先确定的阻抗。
8.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，
作为所述可变阻抗电路的第1可变阻抗电路设置于所述第1电路径上，
所述等离子体处理装置还具备设置于所述第2电路径上的第2可变阻抗电路。
9.根据权利要求8所述的等离子体处理装置，其中，
所述鞘调节器是构成为向所述聚焦环施加负极性的电压的电源。
10.根据权利要求9所述的等离子体处理装置，其中，
由所述电源产生的所述电力的各周期包括第1部分期间及与该第1部分期间不同的第2部分期间，
所述鞘调节器在所述第1部分期间向所述聚焦环施加的所述负极性的电压的电平与所述鞘调节器在所述第2部分期间向所述聚焦环施加的所述负极性的电压的电平不同。
11.根据权利要求8所述的等离子体处理装置，其中，
所述鞘调节器是构成为为了调节所述聚焦环的上表面在铅垂方向上的位置而使所述聚焦环向上方移动的移动装置。
12.根据权利要求8至11中任一项所述的等离子体处理装置，其还具备：
第1传感器，构成为获取表示流经所述第1电路径的电力的功率电平的第1测定值；
第2传感器，构成为获取表示流经所述第2电路径的电力的功率电平的第2测定值；及
控制部，构成为为了将流经所述第1电路径的电力的功率电平设定为规定的电平而根据所述第1测定值和/或所述第2测定值控制所述第1可变阻抗电路的阻抗和/或所述第2可变阻抗电路的阻抗。
13.根据权利要求9或10所述的等离子体处理装置，其还具备：
控制部，构成为将所述第1可变阻抗电路的阻抗及所述第2可变阻抗电路的阻抗设定为与所述负极性的电压的电平对应的预先确定的各阻抗。
14.根据权利要求11所述的等离子体处理装置，其还具备：
控制部，构成为将所述第1可变阻抗电路的阻抗及所述第2可变阻抗电路的阻抗设定为与所述聚焦环向上方移动的移动量对应的预先确定的各阻抗。
15.一种使用等离子体处理装置的蚀刻方法，
该等离子体处理装置具备：
腔室；
基板支承器，具有下部电极及设置于该下部电极上的静电卡盘，并构成为在所述腔室内支承载置于其上的聚焦环及基板；
电源，构成为产生具有周期性的电力；
匹配电路，在所述电源与所述下部电极之间连接；
第1电路径，将所述匹配电路与所述下部电极彼此连接；
第2电路径，是不同于所述下部电极及所述第1电路径的第2电路径，并以从所述匹配电路向所述聚焦环供给所述电力的方式设置；
鞘调节器，构成为调节所述聚焦环上的鞘的上端在铅垂方向上的位置；及
可变阻抗电路，设置于所述第1电路径或所述第2电路径上，
该蚀刻方法包括：
确定通过所述鞘调节器设定的所述鞘的上端在铅垂方向上的位置的调节量的工序；
确定用于将流经所述第1电路径的电力的功率电平设定为规定的电平的所述可变阻抗电路的阻抗的工序；及
在所述鞘的上端在铅垂方向上的位置通过所述鞘调节器被调节所确定的所述调节量，所述可变阻抗电路的阻抗被调节为所确定的所述阻抗的状态下，为了对载置于所述静电卡盘上的基板进行等离子体蚀刻，经由所述第1电路径及所述第2电路径供给由所述电源产生的所述电力的工序。
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