CN1112773C - 在多个混频器中进行选择的方法和装置 - Google Patents

Abstract

一种装置，包括一个电流生成器(101)，具有一个输出端。多个混频器(103、105和107)可开关地耦合到该电流生成器输出端，从而在多个混频器的第一混频器(103)工作时提供第一平均功率输出值，而在多个混频器的第二混频器(105)工作时提供第二平均功率输出值。第一平均功率输出值不同于第二平均功率输出值。

Description

在多个混频器中进行选择的方法和装置

本发明涉及射频通信，包括但不局限于射频通信中的混频器。

众所周知，射频(RF)发射机将基带信号，例如模拟话音或数字话音采样调制到某个RF载频上，放大该RF载频，利用天线将RF载频以电磁能的形式进行无线发射。之后接收机天线接收该电磁能，解调回基带信号，并还原成可听的形式(如果传输话音)。

混频器是一个三端口的时变网络，它将信号从一个频率转换成另一个频率。例如，基带信号可以混频成(即调制到)中频(IF)，然后再混频到载频。在零(zero)IF发射机中，基带信号直接混频成载频。为了完成该次转换，在非线性设备中将基带信号与来自本地振荡器的RF信号混频。

在零IF发射机中，使用上混频器和可选的衰减器调整发射机的平均功率输出值。不管为可选衰减器选择了什么功率输出，上混频器都析取相同的电流，从而提供良好的信噪比。不管上混频器用于任何时候都析取相同电流的A类放大器，或者任何时候放大器电流都追随功率(换句话说，在没有输出功率时就没有电流析取)的B类放大器，还是放大器电流析取在较高功率值或峰值时追随功率值，而在较低功率输出时固定于某个电流的AB类放大器，上混频器都析取相同的电流

相应地，需要这样一种上混频器，它在功率放大器输出较小平均功率时的电流析取效率高于放大器输出较高功率时，并且提供良好的信噪比。

图1是RF通信单元的框图，该通信单元包括根据本发明的多个混频器。

图2是RF通信单元的框图，该通信单元包括一个根据本发明的上混频器。

图3是根据本发明的电流生成器的概图。

图4是根据本发明的混频器的概图。

图5是根据本发明的电流反射镜的概图。

图6的流程图示出了根据本发明的混频器组合的一种操作方法。

下文描述了在上混频器中利用多个混频器以使上混频器析取的电流正比于平均功率输出值的一种装置和方法。在多个混频器中选择一个混频器，使其在所需的平均功率输出值时提供混频。在优选实施例中，三种规格不同的混频器提供三种相差大约为10 dB的不同平均功率输出值，此外，通过在混频器中接通一个、两个或多个电流反射镜，每个混频器可以提供两个或多个平均功率输出值。

该装置包括具有一个输出端的电流生成器。多个混频器可开关地连接到该电流生成器输出端，从而在多个混频器的第一混频器工作时提供第一平均功率输出值，在多个混频器的第二混频器工作时提供第二平均功率输出值，其中第一平均功率输出值不同于第二平均功率输出值。

可选地，该装置可以包括具有一个输出端的电流生成器、一个连接到电流生成器输出端的电流反射镜，以及可开关地连接到该电流反射镜的多个混频器，从而在多个混频器的第一混频器工作时提供第一平均功率输出值，在多个混频器的第二混频器工作时提供第二平均功率输出值，其中第一平均功率输出值不同于第二平均功率输出值。

在优选实施例中，第一平均功率输出值在功率上高于第二平均功率输出值，第二混频器析取的电流少于第一混频器，并且第一平均功率输出值是该装置的最高平均功率值，第二平均功率输出值实际上比最大功率小10dB。在优选实施例中，多个混频器中的第三混频器提供第三平均功率输出值，它实际上比最大功率小20dB。

此外，多个混频器中至少一个混频器可以提供至少两种不同的平均功率输出值设置，并且该平均功率输出值设置的功率输出值比第二平均功率输出值设置要高，多个混频器中至少一个混频器工作在第二平均功率输出值设置时析取的电流比工作在第一平均功率输出值设置时要少。

可选地，多个混频器中至少一个混频器可以包括至少两个可开关的电流反射镜，当使用该至少两个可开关的电流反射镜中的第一个时，多个混频器中至少一个混频器工作在第一平均功率输出值设置，而当使用该至少两个可开关的电流反射镜中的第一个和第二个时，多个混频器中至少一个混频器工作在第二平均功率输出值设置。此外，第一平均功率输出值设置可以不同于第二平均功率输出值设置。当第一平均功率输出值设置的功率值高于第二平均功率输出值设置时，第一电流反射镜析取的电流少于第一电流反射镜和第二电流反射镜的组合析取的电流。

在优选实施例中，电流生成器和多个混频器以及(如果可实现)一个电流反射镜位于射频通信单元中。

在本发明中，该方法包括生成正比于输入信号的电流的步骤。为发射机设置一个平均功率输出值。选择多个混频器的第一混频器，其中多个混频器的每一个具有不同的平均功率输出值，并且第一混频器具有的功率输出值等于设定的平均功率输出值。该比例电流被输送到第一混频器。

此外，第一混频器可以提供至少两种不同的平均功率输出值设置，包括最大平均功率输出值设置和最小平均功率输出值设置，选择步骤还包括下述步骤：当设定的平均功率输出值与最大平均功率输出值设置的接近程度大于其与至少两个不同平均功率输出值设置中的其他任何一个设置的接近程度时，启动第一混频器中多个电流反射镜中的第一电流反射镜和第二电流反射镜进行工作；以及当设定的平均功率输出值小于最大平均功率输出值设置时，仅启动第一电流反射镜进行工作。

可选地，第一混频器可以提供至少三种不同的平均功率输出值设置，包括最大平均功率输出值设置和最小平均功率输出值设置，选择步骤还包括下述步骤：当设定的平均功率输出值与最大平均功率输出值设置的接近程度大于其与至少三个不同平均功率输出值设置中的其他任何一个设置的接近程度时，启动第一混频器中多个电流反射镜中第一电流反射镜、第二电流反射镜和第三电流反射镜进行工作；当设定的平均功率输出值小于最大平均功率输出值设置，但高于最小平均功率输出值设置时，启动第一电流反射镜和第二电流反射镜进行工作；以及当设定的平均功率输出值与最小平均功率输出值设置的接近程度大于其与至少三个不同平均功率输出值设置中的其他任何一个设置的接近程度时，仅启动第一电流反射镜进行工作。可选地，当设定的平均功率输出值与最大平均功率输出值设置的接近程度大于其与至少三个不同平均功率输出值设置中的其他任何一个设置的接近程度时，启动第一混频器中多个电流反射镜的第一电流反射镜进行工作；当设定的平均功率输出值小于最大平均功率输出值设置，但高于最小平均功率输出值设置时，启动多个电流反射镜的第二电流反射镜进行工作；以及当设定的平均功率输出值与最小平均功率输出值设置的接近程度大于其与至少三个不同平均功率输出值设置中的其他任何一个设置的接近程度时，启动多个电流反射镜的第三电流反射镜进行工作，其中第一电流反射镜、第二反射镜和第三反射镜是不同的。

RF通信单元100包括按照本发明的一个上混频器，它由多个混频器组成，在图1中示出。电流生成器101接收一个电压形式的输入信号，向多个混频器103、105和107输出电流。在优选实施例中，输入信号是一个基带信号，由上混频器115将其转换到RF发射频率。尽管附图中示出了三个混频器103、105和107，但使用2、3、4或者更多个混频器时，也可以得到成功的实现。累加器109的输入是多个混频器103、105和107的输出。该累加器的输出被输入到功率放大器(PA)111，功率放大器111将该信号输出到天线113。下面将详细描述电流生成器101和混频器103、105和107。

RF通信单元200包含一个按照本发明的上混频器203，如图2所示。在本发明的这种可选实施例中，除了电流反射镜201之外，还实现了相同的电流生成器101、多个上混频器103、105和107、累加器109、PA 111和天线113。图2和图1的不同在于，电流生成器101的输出被输入到电流反射镜201，电流反射镜201的输出被输入到多个混频器103、105和107。图2中的上混频器包括电流反射镜201、多个混频器103、105和107，以及累加器109。图5中示出了电流反射镜201的示例电路。这种特定设计提供的低电压性能比图1的电路要好，因为电流生成器的电流输出接(reference)Vcc，而电流反射镜的电流输出接地。接地意味着允许混频器接地，从而减少了混频器输出端必需的最小允许电压。RF通信单元100或200可以是便携式或移动无线设备，例如Motorola公司生产的iDENTM移动或便携式无线设备。

图3示出了AB类放大器300形式的电流生成器101的概图。尽管图1和图2中仅示出了一条线，但是应该注意，在优选实施例中这些信号是差分信号。这些信号，例如IN和INB输入信号以及OUT和OUTB输出信号，在图3、图4和图5的框图中以差分形式示出。

电流生成器由两个差分放大器301和303组成。两个差分放大器301和303、两个晶体管Q5和Q6，以及两个电阻R1和R2形成了电流型反馈对。电流源I1和电路305形成了偏置电流电路，使晶体管Q5和Q6保持在激活区。电路305将输入信号IN和INB的低电压传送给R1和R2连接。晶体管Q5和Q6的物理尺寸小于晶体管Q1和Q4，从而即使IN和INB电压相同，晶体管Q2和Q3基极的电压也比输入IN和INB的电压稍大一些，从而在R1和R2中提供较小的电流。在正常操作期间，每个输入IN和INB(包括一个差分输入)的值是不同的。输入IN和INB中较低的管脚电压由晶体管Q7和Q8或者晶体管Q9和Q8感知，电流输出经过Q12之后在电阻连接R1、R2处其值加倍。输入管脚电压IN和INB也各自通过电流型反馈电路301和Q5或者303和Q6提供给晶体管Q5和Q6的发射极。因为两个管脚电压中较小的电压位于电阻连接R1、R2，具有两个输入管脚电压中较高电压的电流型反馈电路将生成通过电阻R1和R2的电流，其值为差分输入电压除上电阻值。通过这种方式，在输出端生成并提供差分电流和正比于输入差分电压的通常模式电流。

图4示出了混频器103、105或107的概图。这种类型的混频器被称为Gilbert单元混频器。在优选实施例中。在优选实施例中，每个混频器包括一个本地振荡缓冲器401、一个可选电流反射镜存储体(bank)403以及一个晶体管开关阵列405。传统RF混频器可包括一个可选电流反射镜存储体403或一个晶体管开关阵列405。本地振荡缓冲器401虽然被加入到优选实施例，但是对本发明的成功应用却并不是必要的。尽管相同的概图可以用于混频器103、105和107中的每一个，但可以调整电阻值和晶体管大小，从而向每个混频器提供不同的平均功率输出值。通过向混频器103、105和107中适当的电流反射镜输送电流，可以激活适当的混频器103、105或107。在优选实施例中，第一混频器103向PA提供全(平均)功率信号。第二混频器105提供的信号比全功率小10dB。第三混频器107提供的信号比全功率小20dB。这样，如果在发射机电路中激活了第一混频器103，则可以进行全功率传输。如果发射机电路中激活第二混频器105，则PA 111发射比全功率小10dB的信号。如果发射机电路中激活了第三混频器107，则提供比PA 111全功率小20dB的信号。因为第二混频器105和第三混频器107是第一混频器103的较小规模版本，所以当混频器105和107被激活时，它们所析取的电流要小于对应的较大混频器103。类似地，当第三混频器107被激活时，它所析取的电流要小于第二混频器105。

电路401将本地振荡器(LO)信号、LO和LOB与晶体管开关阵列405相隔离。将LO缓冲器和RF混频器并入可选混频器，而不是使用一个公用的LO缓冲器和RF混频器，这样做有两个明显的优点。第一个优点是省电。在任一给定频率上接通晶体管开关阵列405所需的LO缓冲器电流取决于晶体管开关阵列405设备的大小。晶体管开关阵列405设备的大小基本上匹配可选电流反射镜存储体403中电流反射镜的大小。第一混频器103的RF开关405设备是最大的，因为混频器103提供了最大功率，从而产生最大的电流输出。第二混频器105的晶体管开关阵列405设备则有所减小，第三混频器107进一步减小了晶体管开关阵列405设备。随着晶体管开关阵列405设备尺寸大小的减少，LO缓冲器所需的电流也减少。第二个优点是LO信号从混频器输出中隔离。混频器103、105和107经常被称作平衡式混频器。平衡式混频器的优点之一是在电路输出中可以非常理想地消除LO信号。因为电路元件匹配误差以及形成LO信号从晶体管开关阵列405的基极到输出端的电气路径的寄生元件的误差，实际上无法完全实现这种消除。这些寄生路径由存在于所有半导体设备中的结电容组成，这些结电容的值由该设备的物理尺寸决定。平衡式混频器输出端的LO信号值一般被称作LO馈通，通常相对于该混频器所需的信号输出进行测量。通过从第一混频器103切换到第二混频器105或第三混频器107，从而以递减的功率设置操作混频器，同时输出端出现的LO信号数量因为寄生电容而减少，这样，LO馈通的相对数量与使用较高功率的混频器103时所测得的值相同或较之更低。

除了在第一混频器103和第二混频器105，以及在第二混频器105和第三混频器107的平均功率输出之间提供10dB的差分级之外，本发明提供了一种装置，用以在每个混频器103、105和107内部提供较小的功率差。这些较小的平均功率输出差由每个混频器103、105和107内部两个或多个电流反射镜403提供。

两个电流反射镜403用于平衡式晶体管开关阵列405的每一边。这些电流反射镜由反射电流的晶体管的名字指示，例如Q25、Q26、Q27和Q28。如果需要特定混频器的最大平均功率输出，则两个电流反射镜电路(Q25、Q28和Q26、Q27)都打开。如果需要的功率输出小于特定混频器的最大平均功率输出，则可以在优选实施例中仅打开一个电流反射镜，即Q25、Q28或Q26、Q27，从而得到5dB功率差。在本领域中众所周知，当打开电流反射镜Q25和Q26时，因为混频器的平衡性质，电流反射镜Q27和Q28也被打开。类似地，当打开电流反射镜Q25或Q26时，适当的对应电流反射镜Q28或Q27也被打开。尽管电流反射镜Q25、Q26、Q27和Q28以及电阻R27、R28、R29和R30具有相同值，在优选实施例中存在着优选的配对。这种配对是电路物理实现的结果。在优选实施例中，电流反射镜Q25和Q28以及电阻R27和R30的对称集成电路布局使电流反射镜具有最佳匹配特性，减少了因为失配差错而导致的LO馈通。相同的匹配也应用于电流反射镜Q26、Q27和电阻R28、R29。

因为混频器内的可选电流反射镜，每个混频器能够提供至少两个不同的平均功率输出值，一个最大平均功率输出值和一个低于该最大平均功率输出值5dB的平均功率输出值。在优选实施例中，第一混频器103提供全功率，并以低于全功率5dB作为其平均功率输出值；第二混频器105提供的功率低于全功率10dB，并以低于全功率15dB作为其平均功率输出值。本领域中的技术人员应当认识到，可以使用两个不同规格的电流反射镜，而不必象优选实施例中那样使用两个规格相同的电流反射镜。在这种可选实现中，较大的电流反射镜取代优选实施例中涉及两个电流反射镜的地方，而较小的反射镜取代优选实施例中涉及一个电流反射镜的地方。但是，在电流发射镜对中的电流量需要使用物理尺寸更大的设备，例如优选实施例中第一和第二混频器103和105时，这种可选实施例效率较低。当接通的电流量不需要使用物理尺寸较大的设备，更直接的方式是对每个所需的功率输出值仅选择电流发射镜对中的一个，如同优选实施例中第三混频器107那样。在优选实施例中，第三混频器107中的所有设备对规格相同，所以不需要增加集成电路区域。

在优选实施例中，第三电流反射镜(未示出)与电流反射镜电路Q25和Q26并行地插入可选反射镜阵列403，并且另一个电流反射镜(未示出)与电流反射镜电路Q27和Q28并行。这样，优选实施例中的第三混频器107提供了三种不同的平均功率输出值，在使用第一电流反射镜电路Q25和Q28时比全功率低20dB，在使用第二电流反射镜电路Q26和Q27时比全功率低25dB，在使用第三电流反射镜电路(未示出)时比全功率低30dB。图4中未示出第三电流反射镜，但是第三电流反射镜包含与第一电流反射镜电路Q25和Q28或者第二电流反射镜电路Q26和Q27类似的电路元件。第三电流反射镜与第一电流反射镜电路Q25和Q28并行，同样，第一电流反射镜电路Q25和Q28与第二电流反射镜电路Q26和Q27并行。在平衡式混频器中使用可选电流反射镜403具有若干优点。混频器的工作电流随着混频器功率输出的减少而减少。设备失配所产生的LO馈通与设备的规格成比例，所以LO馈通保持在某个相对恒定的值，约为所需信号上下30dB的输出功率范围。通过增加发射极耗散电阻(R27、R28、R29和R30)，减少了混频器的噪声，使信噪比稳定地保持在30dB的功率输出范围内。这种方法比使所有电路工作在较低平均功率以降低耗用电流，然后放大的方法要好，因为本领域中众所周知，这种方法具有很高的信噪比。在优选实施例中，上面给出的平均功率输出值实际上位于，例如0dB、-5dB、-10dB等等，具有±1dB的估计误差。

图5中示出的电流反射镜例如就是图2中示出的那个。在优选实施例中，电流反射镜201包括8个电阻、两个FET P5和P6、两个双极型晶体管Q13和Q14以及两个运算放大器A1和A2。这种特定的电流反射镜使多个混频器能够较好地工作在较低的输入电压，例如＞2.5伏特。

在优选实施例中，图1、图2、图3、图4和图5的电路系统在0.5μmBICMOS(双极型集成互补型金属氧化硅)集成电路中实现。输出频率范围是基带到2.5GHz，程序控制平均功率输出值范围从-30dBm到0dBm(200欧姆负载)。Vcc是3V。

在优选实施例中，图3的元件值如下。电容C1、C2和C3是2pF电容。电阻R1和R2是450欧姆；电阻R3和R4是5k欧姆；电阻R5是200欧姆。晶体管P1、P2、P3和P4是43μm宽、4μm长的PMOS(p沟道金属氧化硅)场效应晶体管(FET)。晶体管Q7、Q8和Q9是横向PNP双极型晶体管。晶体管Q1、Q4、Q5、Q6和Q12是6μm/51μ发射级NPN双极型晶体管。晶体管Q2、Q3、Q10和Q11是1μm/2μm发射级NPN双极型晶体管。图5的元件值如下。电阻R7、R8、R12、R13是470欧姆；电阻R9、R10、R14、R15是512欧姆；电阻R6和R11是450欧姆。晶体管Q13和Q14是多发射级叉指式双极型晶体管，具有6个基极和5个宽1μm长15μm的发射级。晶体管P5和P6是宽1200μm、长3μm的FET。

当图4表示第一混频器103时，图4的元件值如下。电阻R16是1k欧姆；电阻R17和R20是100欧姆；电阻R18和R19是20欧姆；电阻R21是6欧姆；电阻R22是1.2k欧姆；电阻R23、R24、R25和R26是50欧姆；电阻R27、R28、R29和R30是32欧姆；电阻R31、R32、R33和R34是5欧姆。晶体管Q16、Q17、Q18、Q19、Q21、Q22、Q23和Q24是多发射级叉指式双极型晶体管，具有6个基极和5个宽1μm长15μm的发射级，4个并行。晶体管Q25、Q26、Q27和Q28是多发射级叉指式双极型晶体管，具有6个基极和5个宽1μm长15μm的发射级，2个并行。晶体管P7、P9、P11和P13是NMOS(n沟道金属氧化硅)场效应晶体管(FET)，宽180μm，长1μm。晶体管P8、P10、P12和P14是NMOS(n沟道金属氧化硅)场效应晶体管(FET)，宽12μm，长1μm。

当图4表示第二混频器105时，图4的元件值如下。电阻R16是1k欧姆；电阻R17和R20是125欧姆；电阻R18和R19是125欧姆；电阻R21是10欧姆；电阻R22是6.5k欧姆；电阻R23、R24、R25和R26是400欧姆；电阻R27、R28、R29和R30是128欧姆；电阻R31、R32、R33和R34是5欧姆。晶体管Q16、Q17、Q18、Q19、Q21、Q22、Q23和Q24是NPN双极型晶体管，具有1μm/8μm的发射级，2个并行。晶体管Q25、Q26、Q27、Q28、Q29、Q30、Q31和Q32是多发射级叉指式双极型晶体管，具有6个基极和5个宽1μm长15μm的发射级。晶体管P7、P9、P11和P13是NMOS(n沟道金属氧化硅)场效应晶体管(FET)，宽180μm，长1μm。晶体管P8、P10、P12和P14是NMOS(n沟道金属氧化硅)场效应晶体管(FET)，宽12μm，长1μm。

当图4表示第二混频器107时，图4的元件值如下。电阻R16是1k欧姆；电阻R17和R20是125欧姆；电阻R18和R19是125欧姆；电阻R21是10欧姆；电阻R22是5.5k欧姆；电阻R23、R24、R25和R26是400欧姆；电阻R27和R30是350欧姆；电阻R28和R29是200欧姆；电阻R31、R32、R33和R34是5欧姆。电路403的第三电流反射镜中电阻(未示出)值为650欧姆。晶体管Q16、Q17、Q18、Q19、Q21、Q22、Q23和Q24是NPN双极型晶体管，具有1μm/8μm的发射级，2个并行。晶体管Q25、Q26、Q27和Q28是多发射级叉指式双极型晶体管，具有6个基极和5个宽1μm长15μm的发射级。晶体管Q29、Q30、Q31和Q32是NPN双极型晶体管，具有1μm/8μm的发射级，2个并行。晶体管P7、P9、P11和P13是NMOS(n沟道金属氧化硅)场效应晶体管(FET)，宽180μm，长1μm。晶体管P8、P10、P12和P14是NMOS(n沟道金属氧化硅)场效应晶体管(FET)，宽12μm，长1μm。电路403的第三电流反射镜中晶体管(未示出)值与Q25、Q26、Q27或Q28，以及P7、P9、P11或P13，以及P8、P10、P12或P14相同。

在优选实施例中，当选择了图4的可选电流反射镜存储体403中的一个可选电流反射镜时，晶体管P7、P9、P11和/或P13的适当栅级较高，而相应晶体管P8、P10、P12和/或P14的栅级较低。

图6的流程图示出了这种混频器组合的操作方法。在步骤601，生成正比与输入信号的电流。步骤603中，设置发射机的平均功率输出值。换句话说，从可用的平均功率输出值中为上混频器选择一个平均功率输出值。在优选实施例中，可以设置成全功率，以及比全功率低5dB、10dB、15dB、20dB、25dB以及30dB。步骤605中，从多个混频器103、105和107中选择一个混频器。选出的混频器具有的平均功率输出值等于步骤603所设置的平均功率输出值。在步骤607中，向步骤605所选的混频器输送比例电流。选择步骤605还包括从每个混频器的多个电流反射镜中选择或启动第一电流反射镜，以及/或者第二电流反射镜。例如，如果输出信号需要低于全功率5dB，则选择第一混频器103，并且仅有一个电流反射镜工作，从而从上混频器115或203提供-5dB的平均功率输出值。如果，例如在优选实施例中需要-25dB操作，则在步骤605选择第三混频器107，将由两个电流反射镜进行工作以提供与全平均功率输出差-25dB的功率发射。

这样，电流生成器产生平均电流并进行调整以适应这些信号摆幅电流，并提供多个混频器(一次可以接通其中之一)，从而混频器现在使用的电流小于现有技术电路所提供的电流，所以耗用电流和功率耗散都减少了。这样，不管使用什么样的功率或调制设置，耗用电流都不相同，因为上混频器的耗用电流与平均功率输出值成正比，而不是保持在某个较高值，所以向混频器提供了更有效的电流析取。因为设备规格与其功率输出成比例，所以设备失配所产生的载波馈通保持恒定。通过使用混频器103、105和107中成比例的晶体管开关阵列405和LO缓冲器401电路，寄生耦合所产生的载波馈通也减少了。因为发射极负反馈随功率减小而增加，所以混频器信噪比保持在30dB范围内。

Claims (10)

1.一种装置，包括

一个电流生成器，具有一个输出端；

多个混频器，可开关地耦合到电流生成器输出端，从而在多个混频器的第一混频器工作时提供第一平均功率输出值，而在多个混频器的第二混频器工作时提供第二平均功率输出值，其中第一平均功率输出值不同于第二平均功率输出值，并且所述多个混频器中的至少一个包括至少两个可开关的电流镜。

2.根据权利要求1的装置，其中多个混频器中的至少一个混频器至少包括两个可开关电流反射镜，当至少两个可开关电流反射镜中的第一电流反射镜工作时，多个混频器中的至少一个工作在第一平均功率输出值设置，而当至少两个可开关电流反射镜中的第一和第二电流反射镜工作时，多个混频器中的至少一个工作在第二平均功率输出值设置。

3.根据权利要求1的装置，其中电流生成器和多个混频器位于射频通信单元。

4.根据权利要求1的装置，其中电流生成器的输入为一个差动电压，电流生成器的输出是正比于该输入差动电压的电流。

5.一种装置，包括

一个电流生成器，具有一个输出端；

一个电流反射镜，耦合到该电流生成器输出端；

多个混频器，可开关地耦合到电流反射镜，从而在多个混频器的第一混频器工作时提供第一平均功率输出值，而在多个混频器的第二混频器工作时提供第二平均功率输出值，其中第一平均功率输出值不同于第二平均功率输出值，并且所述多个混频器中的至少一个包括至少两个可开关的电流镜。

6.根据权利要求5的装置，其中多个混频器中的至少一个混频器提供至少两个不同的平均功率输出值设置，该第一平均功率输出值设置是高于第二平均功率输出值设置的一个功率输出值，多个混频器中的至少一个混频器工作在第二平均功率输出值设置时析取的电流少于工作在第一平均功率输出值设置时析取的电流。

7.根据权利要求5的装置，其中多个混频器中的至少一个混频器至少包括两个可开关电流反射镜，当至少两个可开关电流反射镜中的第一电流反射镜工作时，多个混频器中的至少一个工作在第一平均功率输出值设置，而当至少两个可开关电流反射镜中的第一和第二电流反射镜工作时，多个混频器中的至少一个工作在第二平均功率输出值设置；第一平均功率输出值设置在功率上高于第二平均功率输出值设置，第一电流反射镜析取的电流少于第一电流反射镜和第二电流反射镜组合时所析取的电流。

8.一种方法，包括下述步骤：

生成一个正比于输入信号的电流；

为发射机设置一个平均功率输出值；

选择多个混频器中的第一混频器，其中多个混频器中的每一个具有不同的平均功率输出值，第一混频器的功率输出值等于所设置的平均功率输出值；以及

向第一混频器输送该比例电流。

*9.根据权利要求8的方法，其中第一混频器提供至少两个不同的平均功率输出值设置，包括一个最大平均功率输出值设置和一个最小平均功率输出值设置，其中选择步骤还包括下述步骤：

当设定的平均功率输出值与最大平均功率输出值设置的接近程度大于其与最小平均功率输出值设置的接近程度时，启动第一混频器内的多个电流反射镜中的第一电流反射镜和第二电流反射镜进行工作；以及

当设定的平均功率输出值与最小平均功率输出值设置的接近程度大于其与最大平均功率输出值设置的接近程度时，仅启动第一电流反射镜进行工作。

*10.根据权利要求8的方法，其中第一混频器提供至少三种不同的平均功率输出值设置，包括最大平均功率输出值设置、中间平均功率输出值设置和最小平均功率输出值设置，其中选择步骤还包括下述步骤：

当设定的平均功率输出值与最大平均功率输出值设置的接近程度大于其与至少三个不同平均功率输出值设置中的其他任何一个设置的接近程度时，启动第一混频器中多个电流反射镜中的第一电流反射镜进行工作；

当设定的平均功率输出值与中间平均功率输出值设置的接近程度大于其与至少三个不同平均功率输出值设置中的其他任何一个设置的接近程度时，启动多个电流反射镜中的第二电流反射镜进行工作；以及

当设定的平均功率输出值与最小平均功率输出值设置的接近程度大于其与至少三个不同平均功率输出值设置中的其他任何一个设置的接近程度时，启动多个电流反射镜中的第三电流反射镜进行工作，其中第一电流反射镜、第二反射镜和第三反射镜是不同的。

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