CN111262003A - 天线封装模组和电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种天线封装模组和电子设备，包括：天线基板；第一叠层电路，设置在天线基板的第一侧，第一叠层电路背离天线基板的一侧设置有射频芯片；辐射结构，设置在天线基板的第二侧，包括间隔设置的第一辐射单元和第二辐射单元；及180°馈电网络，贯穿天线基板及第一叠层电路且分别与射频芯片、辐射结构连接，用于对第一辐射单元及第二辐射单元激励等幅同相的信号或等幅反相的信号。通过180°馈电网络建立了射频芯片和辐射结构间的连接，且通过对第一辐射单元和第二辐射单元激励等幅同相的信号或等幅反相的信号，实现辐射结构的单波束辐射和双波束辐射，并改善馈电端口间的隔离度，降低第一辐射单元及第二辐射单元间的互耦。

Description

天线封装模组和电子设备

技术领域

本申请涉及天线技术领域，特别是涉及一种天线封装模组和电子设备。

背景技术

随着无线通信技术的发展，5G网络技术也随之诞生。5G网络作为第五代移动通信网络，其峰值理论传输速度可达每秒数十Gb，这比4G网络的传输速度快数百倍。因此，具有足够频谱资源的毫米波频段成为了5G通信系统的工作频段之一。

毫米波封装天线模组是未来5G毫米波电子设备中的主流封装方案，其可以采用多层PCB高密度互联工艺，在模组的一侧表面设置辐射结构。但是，目前毫米波封装天线模组在高隔离度的双波束应用场景的应用仍然受到限制。

发明内容

本申请实施例提供一种天线封装模组和电子设备，可以实现高隔离度的双波束。

一种天线封装模组，包括：

天线基板，具有相背设置的第一侧和第二侧；

第一叠层电路，设置在所述天线基板的所述第一侧，所述第一叠层电路背离所述天线基板的一侧设置有射频芯片；

辐射结构，设置在所述天线基板的所述第二侧，包括间隔设置的第一辐射单元和第二辐射单元，所述第一辐射单元和所述第二辐射单元上均设有一馈电端口；及

180°馈电网络，贯穿所述天线基板及所述第一叠层电路且分别与所述射频芯片、所述第一辐射单元及所述第二辐射单元连接，用于对所述第一辐射单元及所述第二辐射单元激励等幅同相的信号或等幅反相的信号。

此外，还提供一种电子设备，包括：壳体及上述的天线封装模组，其中，所述天线封装模组收容在所述在壳体内。

上述天线封装模组和电子设备，包括：天线基板，具有相背的第一侧和第二侧；第一叠层电路，设置在天线基板的第一侧，第一叠层电路背离天线基板的一侧用于设置射频芯片；辐射结构，设置在天线基板的第二侧，包括并排且间隔设置的第一辐射单元和第二辐射单元；及180°馈电网络，贯穿天线基板及第一叠层电路且分别与射频芯片、第一辐射单元及第二辐射单元连接，用于对第一辐射单元及第二辐射单元激励等幅同相的信号或等幅反相的信号。通过180°馈电网络建立了射频芯片和辐射结构间的连接，且通过对第一辐射单元和第二辐射单元激励等幅同相的信号或等幅反相的信号，能够实现辐射结构的单波束辐射和双波束辐射，并改善馈电端口间的隔离度，降低第一辐射单元及第二辐射单元间的互耦。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为一个实施例中电子设备的立体图；

图2为一实施例中天线封装模组的结构示意图；

图3为一实施例中辐射结构的结构示意图；

图4为一实施例中辐射结构的结构示意图；

图5为一实施例中多个辐射结构的结构示意图；

图6为一实施例中180°环形耦合器的结构示意图；

图7为一实施例中辐射结构的结构俯视图；

图8为一实施例中180°环形耦合器的结构仰视图；

图9为一实施例中天线封装模组的反射系数曲线及隔离度曲线；

图10为图8天线封装模组单波束辐射时的3D辐射方向图；

图11为图8天线封装模组单波束辐射时的2D辐射方向图；

图12为图8天线封装模组双波束辐射时的3D辐射方向图；

图13为图8天线封装模组双波束辐射时的2D辐射方向图；

图14为另一实施例中天线封装模组的结构示意图；

图15为另一实施例中天线封装模组的结构示意图；

图16为另一实施例中辐射结构的结构示意图；

图17为一实施例中隔离栅格的结构示意图；

图18为另一实施例中天线封装模组的结构示意图；

图19为图1所示电子设备的壳体组件在另一实施例中的主视图。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

可以理解，本申请所使用的术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件，但这些元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一个元件与另一个元件区分，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。

本申请一实施例的天线封装模组应用于电子设备，在一个实施例中，电子设备可以为包括手机、平板电脑、笔记本电脑、掌上电脑、移动互联网设备(Mobile InternetDevice，MID)、可穿戴设备(例如智能手表、智能手环、计步器等)或其他可设置天线封装模组的通信模块。

在本申请实施例中，如图1所示，电子设备10可包括显示屏组件110、壳体组件120和控制器。显示屏组件110固定于壳体组件120上，与壳体组件120一起形成电子设备的外部结构。壳体组件120可以包括中框和后盖。中框可以为具有通孔的框体结构。其中，中框可以收容在显示屏组件与后盖形成的收容空间中。后盖用于形成电子设备的外部轮廓。后盖可以一体成型。在后盖的成型过程中，可以在后盖上形成后置摄像头孔、指纹识别模组、天线封装模组安装孔等结构。其中，后盖可以为非金属后盖，例如，后盖可以为塑胶后盖、陶瓷后盖、3D玻璃后盖等。控制器能够控制电子设备的运行等。显示屏组件可用来显示画面或字体，并能够为用户提供操作界面。

在一实施例中，壳体组件120内集成有天线封装模组，天线封装模组能够透过壳体组件120发射和接收毫米波信号，从而使得电子设备能够实现毫米波信号的广覆盖。

毫米波是指波长在毫米数量级的电磁波，其频率大约在20GHz～300GHz之间。3GPP已指定5G NR支持的频段列表，5G NR频谱范围可达100GHz，指定了两大频率范围：Frequency range 1(FR1)，即6GHz以下频段和Frequency range 2(FR2)，即毫米波频段。Frequency range 1的频率范围：450MHz-6.0GHz，其中，最大信道带宽100MHz。Frequencyrange 2的频率范围为24.25GHz-52.6GHz，最大信道带宽400MHz。用于5G移动宽带的近11GHz频谱包括：3.85GHz许可频谱，例如：28GHz(24.25-29.5GHz)、37GHz(37.0-38.6GHz)、39GHz(38.6-40GHz)和14GHz未许可频谱(57-71GHz)。5G通信系统的工作频段有28GHz，39GHz，60GHz三个频段。

如图2所示，本申请实施例提供一种天线封装模组20，天线封装模组20包括天线基板210、第一叠层电路220、辐射结构230和180°馈电网络240。

在本实施例中，天线基板210具有相背设置的第一侧和第二侧，第一侧可用于设置第一叠层电路220，第二侧可用于设置辐射结构230。第一叠层电路220设置在天线基板210的第一侧，第一叠层电路220背离天线基板210的一侧设置有射频芯片250。

一实施例中，天线基板210和第一叠层电路220可为采用HDI(高密度互联)工艺集成的多层印制电路板(Printed circuit board，PCB)。例如，天线基板210可理解为芯层(core层)，在芯层的两侧可分别叠加PP(Prepreg，半固化片)层，在每个PP层和芯层上再镀上金属层。第一叠层电路220可以理解为设置在芯层一侧的PP层和金属层的叠加层，第一叠层电路220可用于与射频芯片250连接。其中，PP层设置在两个金属层之间，起到隔绝并使得两金属层粘合的作用。金属层可以为铜层、锡层、铅锡合金层、锡铜合金层等。一实施例中，天线基板210可以采用介电常数较低的PP层，较低的介电常数有利于增加天线带宽。

在本实施例中，辐射结构230设置在天线基板210的第二侧，用于收发毫米波信号。辐射结构230可以为用于辐射毫米波信号的相控天线阵列，天线阵列的具体类型本申请实施例不作进一步限定，可进行毫米波信号的收发即可。

具体地，参见图3，辐射结构230包括间隔设置的第一辐射单元230a和第二辐射单元230b，第一辐射单元230a和第二辐射单元230b上均设有一馈电端口(A和B分别为第一辐射单元230a和第二辐射单元230b的馈电端口)，从而第一辐射单元230a和第二辐射单元230b分别通过馈电端口连接180°馈电网络240，实现单波束和双波束天线辐射。

一实施例中，第一辐射单元230a的馈电端口位于第一辐射单元230a的第一对角线上，第二辐射单元230b的馈电端口位于第二辐射单元230b的第二对角线上，第一对角线和第二对角线具有相同的延伸方向。从而，在同一层中，第一辐射单元230a和第二辐射单元230b沿相同的对角线延伸方向F0间隔排列，增大了相邻辐射单元的馈电端口的间距，有利于改善组阵后天线间的隔离度，提高天线增辐射增益。以二维扫描为例，参见图4(以辐射单元为正方形为例，则对角线延伸方向F0为45°对角线方向，其中，A和B分别为第一辐射单元230a和第二辐射单元230b的馈电端口)，第一辐射单元230a和第二辐射单元230b沿45°对角线方向间隔排列，有利于提高天线增益。

一实施例中，辐射结构230的数量为多个，多个辐射结构230沿对角线延伸方向F0间隔排列，每个辐射结构230均包括第一辐射单元230a和第二辐射单元230b，每个辐射结构230连接180°馈电网络240，以实现天线辐射。辐射结构230的数目根据具体扫描角度和增益要求而定，本实施例并不作限定。以二维扫描为例，参见图5，辐射结构230沿对角线延伸方向F0呈1×4矩形排布。1×4矩形排布具有更高的空间覆盖，且结构上可以放置于手机左右两侧，若进行全空间的三维扫描天线可旋转对称排布，形状位置可适当变化。

辐射结构230的材料可以为导电材料，例如金属材料、合金材料、导电硅胶材料、石墨材料、氧化铟锡(Indium tin oxide，ITO)等，还可以为具有高介电常数的材料，例如具有高介电常数的玻璃、塑料、陶瓷等。

在本实施例中，180°馈电网络240贯穿天线基板210及第一叠层电路220且分别与射频芯片250、第一辐射单元230a及第二辐射单元230b连接，用于对第一辐射单元230a及第二辐射单元230b进行馈电，激励等幅同相的信号或等幅反相的信号。具体地，180°馈电网络240能够对第一辐射单元230a及第二辐射单元230b分别激励起等幅同相的信号，从而对辐射结构230进行馈电以使辐射结构230实现单波束辐射；能够对第一辐射单元230a及第二辐射单元230b分别激励起等幅反相的信号，从而对辐射结构230进行馈电以使辐射结构230实现双波束辐射；在使辐射结构230实现单波束或双波束辐射的同时，180°馈电网络240能够改善馈电端口间的隔离度，降低第一辐射单元230a及第二辐射单元230b间的互耦。

具体地，180°馈电网络240包括180°环形耦合器240a和传输走线240b。

其中，传输走线240b贯穿天线基板210及第一叠层电路220，用于建立180°环形耦合器240a与辐射结构230、射频芯片250间的连接。一实施例中，可以在天线基板210和第一叠层电路220上开设通孔，其通孔的位置与馈电端口及射频端口的位置对应设置。在该通孔内还可填充导电材料以形成180°馈电网络240的传输走线240b，并通过180°馈电网络240导通射频芯片250与辐射结构230。该射频芯片250、180°馈电网络240与辐射结构230连接，以将电流信号馈入在该辐射结构230，进而实现毫米波信号的收发。

其中，180°环形耦合器240a设置在第一叠层电路220中。具体地，参见图6，180°环形耦合器240a为3dB的180°环形耦合器，包括四个端口，分别为输入端口1、直通端口2、耦合端口3及隔离端口4。180°环形耦合器240a的直通端口2通过传输走线240b连接第一辐射单元230a的馈电端口，180°环形耦合器240a的耦合端口3通过传输走线240b连接第二辐射单元230b的馈电端口，180°环形耦合器240a的输入端口1通过传输走线240b连接射频芯片250的第一射频端口，180°环形耦合器240a的隔离端口4通过传输走线240b连接射频芯片250的第二射频端口。180°环形耦合器240a的特性阻抗可以为Zo＝50Ω或特性阻抗为，例如70.7Ω。180°环形耦合器240a的180°移相传输线的长度为分别为λ/4和3λ/4，λ为带状传输线的等效介质波长。

当180°环形耦合器240a的输入端口1输入信号时，直通端口2和耦合端口3分别激励起等幅同相的信号，隔离端口4没有信号输出，180°环形耦合器240a对第一辐射单元230a和第二辐射单元230b进行馈电以使辐射结构230实现单波束辐射，同时改善馈电端口间的隔离度，降低第一辐射单元230a和第二辐射单元230b间的互耦；180°环形耦合器240a的隔离端口4输入信号时，直通端口2和耦合端口3分别激励起等幅反相的信号，输入端口1没有信号输出，180°环形耦合器240a对第一辐射单元230a和第二辐射单元230b进行馈电以使辐射结构230实现双波束辐射，同时改善馈电端口间的隔离度，降低第一辐射单元230a和第二辐射单元230b间的互耦。

一实施例中，辐射结构230的数量为多个，180°馈电网络240包括多个180°环形耦合器240a，每个180°环形耦合器240a对应连接一个辐射结构230，每个180°环形耦合器240a分别连接对应的第一辐射单元230a和第二辐射单元230b，从而控制多个辐射结构230实现单波束和双波束天线辐射。

以天线封装模组20包括一个辐射结构230为例，结合参见图7-图13。

参见图7和图8，辐射结构230包括第一辐射单元230a和第二辐射单元230b，第一辐射单元230a和第二辐射单元230b的馈电端分别为馈电端口1和馈电端口2，180°环形耦合器240a的直通端口2通过传输走线240b连接馈电端口1，180°环形耦合器240a的耦合端口3通过传输走线240b连接馈电端口2。

参见图9，图9中S1,1曲线、S2,2曲线分别对应为本申请天线封装模组20的馈电端口1和馈电端口2的反射系数曲线，图中S1,2曲线为馈电端口1和馈电端口2的隔离度曲线。从图9中可以看出，工作在28GHz时，天线封装模组20中馈电端口1和馈电端口2的反射系数分别为-11dB和-24dB，馈电端口1和馈电端口2之间的隔离度为-51dB，由此馈电端口1和馈电端口2之间具有较高的隔离度。

参见图10-图13，图10和图11分别为工作在28GHz，180°环形耦合器240a的输入端口1输入信号时，天线封装模组20的3D辐射方向图和2D辐射方向图，显示了天线封装模组20的单波束辐射情况：3D辐射方向图的辐射增益大小往Z轴方向逐渐变大；2D辐射方向图中，主瓣大小为8.51dB，主瓣方向为0.0deg，角宽度为49.9deg，旁瓣水平为-10.7dB。图12和图13分别为工作在28GHz，180°环形耦合器240a的隔离端口4输入信号时，天线封装模组20的3D辐射方向图和2D辐射方向图，显示了天线封装模组20的双波束辐射情况：3D辐射方向图的双波束辐射增益大小分别往Z1轴方向和Z2轴方向逐渐变大，且双波束在X轴方向上对称区域的增益大小相等；2D辐射方向图中，主瓣大小为6.08dB，主瓣方向为38.0deg，角宽度为47.4deg，旁瓣水平为-11.1dB。

上述天线封装模组20，包括：天线基板210，具有相背的第一侧和第二侧；第一叠层电路220，设置在天线基板210的第一侧，第一叠层电路220背离天线基板的一侧用于设置射频芯片250；辐射结构230，设置在天线基板210的第二侧，包括并排且间隔设置的第一辐射单元230a和第二辐射单元230b；及180°馈电网络240，贯穿天线基板210及第一叠层电路220且分别与射频芯片250、第一辐射单元230a及第二辐射单元230b连接，用于对第一辐射单元230a及第二辐射单元230b激励等幅同相的信号或等幅反相的信号。通过180°馈电网络240建立了射频芯片250和辐射结构230的连接，且通过对第一辐射单元230a和第二辐射单元230b激励等幅同相的信号或等幅反相的信号，实现辐射结构230的单波束辐射和双波束辐射，并改善馈电端口间的隔离度，降低第一辐射单元230a及第二辐射单元230b间的互耦。

在一实施例中，辐射结构230为单层结构，第一辐射单元230a和第二辐射单元230b分别包括一辐射贴片，参见图14，天线封装模组20还包括第二叠层电路260。

第二叠层电路260，设置在天线基210的第二侧，第二叠层电路260背离天线基板210的一侧设有第一辐射单元230a和第二辐射单元230b。其中，第一辐射单元230a和第二辐射单元230b分别通过180°馈电网络240与射频芯片250连接。

一实施例中，第二叠层电路260、天线基板210和第一叠层电路220可为采用HDI(高密度互联)工艺集成的多层印制电路板(Printed circuit board，PCB)。例如，参见图14，天线基板20可理解为芯层，第一叠层电路220可以理解为设置在芯层一侧的PP层2201和金属层2202的叠加层，第二叠层电路260可以理解为设置在芯层另一侧的PP层2601和金属层2602的叠加层。其中，辐射结构230与z方向上的最顶层的金属层2602同层间隔设置。

在一实施例中，参见图15，辐射结构230为叠层结构，第一辐射单元230a至少包括间隔设置的第一辐射贴片301和第二辐射贴片302，第二辐射单元230b至少包括间隔设置的第三辐射贴片和第四辐射贴片(图15以双层结构为例，图中未示出第三辐射贴片和第四辐射贴片)。天线封装模组20还包括第三叠层电路270。

第三叠层电路270，设置在天线基板210的第一侧，第二叠层电路270靠近天线基板210的一侧设有间隔设置的第一辐射贴片301和第三辐射贴片401，第三叠层电路背离天线基板210的一侧设有间隔设置的第二辐射贴片302和第四辐射贴片402。

其中，第一辐射贴片301和第三辐射贴片401分别通过180°馈电网络240与射频芯片250连接。180°环形耦合器240a对第一辐射贴片301和第三辐射贴片401进行馈电，以使第一辐射贴片301和第三辐射贴片401进行单波束辐射或双波束辐射(图15对应此实施例)，同时第一辐射贴片301和第三辐射贴片401分别对第二辐射贴片302和第四辐射贴片402进行耦合以使第二辐射贴片302和第四辐射贴片402同时进行单波束辐射或双波束辐射。

在其他一些实施例中，也可以是第二辐射贴片302和第四辐射贴片402分别通过180°馈电网络240与射频芯片250连接。180°环形耦合器240a对第二辐射贴片302和第四辐射贴片402进行馈电，以使第二辐射贴片302和第四辐射贴片402进行单波束辐射或双波束辐射，第二辐射贴片302和第四辐射贴片402同时分别对第一辐射贴片301和第三辐射贴片401进行耦合以使第一辐射贴片301和第三辐射贴片401同时进行单波束辐射或双波束辐射。

一实施例中，第三叠层电路270、天线基板210和第一叠层电路220可为采用HDI(高密度互联)工艺集成的多层印制电路板(Printed circuit board，PCB)。例如，参见图15，天线基板20可理解为芯层，第一叠层电路220可以理解为设置在芯层一侧的PP层2201和金属层2202的叠加层，第三叠层电路270可以理解为设置在芯层另一侧的PP层2701和金属层2702的叠加层。其中，第二辐射贴片302和第四辐射贴片402间隔设置在z方向上最顶层的PP层2701上，并与最顶层的金属层2702间隔设置；第一辐射贴片301和第三辐射贴片401间隔设置在天线基板210上，并与最底层的金属层2702间隔设置。

一实施例中，第一辐射贴片301与第二辐射贴片302的投影区域相重合，第三辐射贴片401与第四辐射贴片402的投影区域相重合。

一实施例中，第一辐射贴片301、第二辐射贴片302、第三辐射贴片401及第四辐射贴片402的形状相同或相似，均可以为方形贴片天线、环形贴片天线、椭圆形贴片天线及十字形贴片天线中的一种。

在一实施例中，参见图16，辐射结构230还包括隔离栅格230c。

隔离栅格230c环绕设置在每个第一辐射单元230a和第二辐射单元230b周围，用于调节相邻两个辐射单元之间的隔离度(图15以1个辐射结构230为例)。一实施例中，第一叠层电路220包括接地层，接地层设置在天线基板210背离辐射结构230的一侧(可以理解为第一叠层电路220中的最顶层的金属层)，与隔离栅格230c连接。

在一实施例中，参见图17，隔离栅格230c包括环绕设置在每个辐射单元周围的金属通孔501，金属通孔501贯穿至第一叠层电路220的接地层，从而可以防止相邻两个辐射单元辐射毫米波信号的相互影响，以提高相邻两个辐射单元之间的隔离度。

如图18所示，在一实施例中，天线封装模组包括：天线基板210、第一叠层电路220、辐射结构230、180°馈电网络240、射频芯片250和第二叠层电路260。

其中，天线基板210、第一叠层电路220和第二叠层电路260采用HDI(高密度互联)工艺集成的8层毫米波封装天线的PCB叠构。

第二叠层电路260包括四层金属层2602，以及相邻金属层2602之间的PP层2601。金属层2602为天线部分的铜层标注层，辐射结构230(以辐射结构230为单层天线为例)位于z方向最顶层的PP层2601上且与最顶层的金属层2602间隔设置。

第一叠层电路220包括四层金属层2202以及相邻金属层2202之间的PP层2201，其中，z方向上最顶层的金属层2202为接地层，其他的金属层2202为馈电网络及控制线布线铜层，180°环形耦合器240a与金属层2202-S同层间隔设置，射频芯片250焊接在最低层的金属层2202上。

需要说明的是，PP层2201和PP层2601均为半固化片，位于相邻两个金属层(例如铜层)之间，起到隔绝并使得两铜层粘合的作用。

通过在中间层的金属层2202中引入了180°环形耦合器240a与辐射结构230及射频芯片250连接，以形成辐射结构230的180°馈电网络240，可以使辐射结构230实现单波束辐射或双波束，并改善馈电端口间的隔离度，降低第一辐射单元230a和第二辐射单元230b间的互耦。

如图19所示，一种电子设备包括壳体及上述任一实施例中的天线封装模组，其中，所述天线封装模组收容在所述壳体内。

在一实施例中，电子设备包括多个多个天线封装模组分布于壳体的不同侧边。例如，壳体包括相背设置的天线封装模组，一侧边121、第三侧边123，以及相背设置的第二侧边122和第四侧边124，所述第二侧边122连接所述第一侧边121、所述第三侧边123的一端，所述第四侧边124连接所述第一侧边121、所述第三侧边123的另一端。第一侧边121、所述第二侧边122、所述第三侧边123和所述第四侧边124中的至少两个分别设有天线封装模组。天线封装模组的数量为2个时(以每个天线封装模组包括4个辐射结构为例)，2个天线封装模组分别位于第二侧边122、第四侧边124，从而使得天线封装模组在非扫描方向的维度上缩小整体尺寸，使得放置于电子设备的两侧成为可能。

具有上述任一实施例的天线封装模组的电子设备，可以适用于5G通信毫米波信号的收发，改善馈电端口间的隔离度，提高毫米波信号的辐射效率和辐射增益，同时可以缩小天线模组在电子设备内的占用空间。

该电子设备可以为包括手机、平板电脑、笔记本电脑、掌上电脑、移动互联网设备(Mobile Internet Device，MID)、可穿戴设备(例如智能手表、智能手环、计步器等)或其他可设置天线的通信模块。

本申请所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用可包括非易失性和/或易失性存储器。合适的非易失性存储器可包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)或闪存。易失性存储器可包括随机存取存储器(RM)，它用作外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限，RM以多种形式可得，诸如静态RM(SRM)、动态RM(DRM)、同步DRM(SDRM)、双数据率SDRM(DDR SDRM)、增强型SDRM(ESDRM)、同步链路(Synchlink)DRM(SLDRM)、存储器总线(Rmbus)直接RM(RDRM)、直接存储器总线动态RM(DRDRM)、以及存储器总线动态RM(RDRM)。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种天线封装模组，其特征在于，包括：

天线基板，具有相背设置的第一侧和第二侧；

第一叠层电路，设置在所述天线基板的所述第一侧，所述第一叠层电路背离所述天线基板的一侧设置有射频芯片；

辐射结构，设置在所述天线基板的所述第二侧，包括间隔设置的第一辐射单元和第二辐射单元，所述第一辐射单元和所述第二辐射单元上均设有一馈电端口；及

180°馈电网络，贯穿所述天线基板及所述第一叠层电路且分别与所述射频芯片、所述第一辐射单元及所述第二辐射单元连接，用于对所述第一辐射单元及所述第二辐射单元激励等幅同相的信号或等幅反相的信号。

2.根据权利要求1所述的天线封装模组，其特征在于，所述180°馈电网络包括：

传输走线，贯穿所述天线基板及所述第一叠层电路；

180°环形耦合器，设置在所述第一叠层电路中，所述180°环形耦合器的直通端口通过所述传输走线连接所述第一辐射单元的馈电端口，所述180°环形耦合器的耦合端口通过所述传输走线连接所述第二辐射单元的馈电端口，所述180°环形耦合器的输入端口通过所述传输走线连接所述射频芯片的第一射频端口，所述180°环形耦合器的隔离端口通过所述传输走线连接所述射频芯片的第二射频端口。

3.根据权利要求2所述的天线封装模组，其特征在于，所述辐射结构为单层结构；所述天线封装模组还包括：

第二叠层电路，设置在所述天线基板的所述第二侧，所述第二叠层电路背离所述天线基板的一侧设有所述第一辐射单元和所述第二辐射单元；

其中，所述第一辐射单元和所述第二辐射单元分别通过所述180°馈电网络与所述射频芯片连接。

4.根据权利要求2所述的天线封装模组，其特征在于，所述辐射结构为叠层结构，所述第一辐射单元至少包括间隔设置的第一辐射贴片和第二辐射贴片，所述第二辐射单元至少包括间隔设置的第三辐射贴片和第四辐射贴片；

所述天线封装模组还包括：

第三叠层电路，设置在所述天线基板的所述第二侧，所述第三叠层电路靠近所述天线基板的一侧设有间隔设置的所述第一辐射贴片和所述第三辐射贴片，所述第三叠层电路背离所述天线基板的一侧设有间隔设置的所述第二辐射贴片和所述第四辐射贴片；

其中，所述第一辐射贴片和所述第三辐射贴片分别通过所述180°馈电网络与所述射频芯片连接。

5.根据权利要求1-4任一项所述的天线封装模组，其特征在于，所述第一辐射单元的馈电端口位于所述第一辐射单元的第一对角线上，所述第二辐射单元的馈电端口位于所述第二辐射单元的第二对角线上，所述第一对角线和所述第二对角线具有相同的延伸方向。

6.根据权利要求1-4任一项所述的天线封装模组，其特征在于，所述辐射结构还包括：

隔离栅格，分别环绕设置在所述第一辐射单元和所述第二辐射单元周围，用于调节相邻的所述第一辐射单元和所述第二辐射单元之间的隔离度。

7.根据权利要求6所述的天线封装模组，其特征在于，所述第一叠层电路包括：

接地层，设置在所述天线基板背离所述辐射结构的一侧，与所述隔离栅格连接。

8.根据权利要求7所述的天线封装模组，其特征在于，所述隔离栅格包括环绕设置在所述第一辐射单元和所述第二辐射单元周围的金属通孔，所述金属通孔贯穿至所述接地层。

9.一种电子设备，其特征在于，包括：

壳体；及

如权利要求1～8任一项所述的天线封装模组，其中，所述天线封装模组收容在所述壳体内。

10.根据权利要求9所述的电子设备，其特征在于，所述天线封装模组的数量为多个；

所述壳体包括相背设置的第一侧边、第三侧边，以及相背设置的第二侧边和第四侧边，所述第二侧边连接所述第一侧边、所述第三侧边的一端，所述第四侧边连接所述第一侧边、所述第三侧边的另一端；

所述第一侧边、所述第二侧边、所述第三侧边和所述第四侧边中的至少两个分别设有所述天线封装模组。

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