CN111258184B - 光源装置、照明装置、曝光装置和用于制造物品的方法 - Google Patents

光源装置、照明装置、曝光装置和用于制造物品的方法 Download PDF

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Abstract

本申请涉及光源装置、照明装置、曝光装置和用于制造物品的方法。本发明针对通过使用包括发光二极管(LED)阵列的光源装置将照射目标表面上的光强度分布调整为期望的分布。一种光源装置包括：LED阵列，包括多个LED芯片；以及控制器，被配置为控制该多个LED芯片。从多个LED芯片中的每一个获取的光强度分布在预定表面上被叠加在以彼此不同的方向取向的光强度分布上。控制器控制多个LED芯片中的至少一个的输出，从而改变多个LED芯片在预定表面上形成的光强度分布。

Description

光源装置、照明装置、曝光装置和用于制造物品的方法
技术领域
本公开涉及光源装置、照明装置、曝光装置和用于制造物品的方法。
背景技术
曝光装置用在制造半导体器件或平板显示器(FPD)的处理中。在光刻处理中，曝光装置经由投影光学系统将原版(掩模版或掩模)的图案转印到感光基板(例如，其表面上形成有抗蚀剂层的晶片或玻璃板)上。
例如，汞灯已经被用作投影曝光装置的光源，但是，近年来，代替汞灯，已经期望节能发光二极管(LED)来替代它。LED还具有长寿命的特征，因为在向控制光发射的基板电路施加电流之后能够在短时间内稳定光的输出，并且与汞灯不同，它不必一直持续光发射。
但是，与汞灯的光输出相比，每个LED的光输出非常小。因此，当采用LED代替使用汞灯的光源时，需要通过使用包括排列在基板上的多个LED的LED阵列来增加总光输出。
日本专利申请特开No.2018-4868讨论了一种技术，该技术用于通过使用与排列在基板上的多个LED中的每一个对应的道威棱镜(Dove prism)在照射目标表面上实现均匀的光强度分布。另外，日本专利申请特开No.2018-22884讨论了一种技术，该技术用于通过以彼此不同的角度布置多个LED元件来使照射目标表面上的明暗不显眼。
日本专利申请特开No.2018-4868和No.2018-22884中讨论的技术针对在照射目标表面上建立均匀的光量分布，并且不能将照射目标表面上的光强度分布调整为与均匀分布不同的期望分布。
发明内容
根据本发明的一个方面，一种光源装置包括：LED阵列，包括多个LED芯片；以及控制器，被配置为控制该多个LED芯片。从多个LED芯片获取的光强度分布在预定表面上被叠加在不同的光强度分布上。控制器控制多个LED芯片中的至少一个的输出，从而改变多个LED芯片在预定表面上形成的光强度分布。
通过以下参考附图对示例性实施例的描述，本发明的其它特征将变得清楚。
附图说明
图1是光源单元的示意性横截面图。
图2A、图2B、图2C和图2D各自是发光二极管(LED)阵列的平面图。
图3是照明光学系统的示意图。
图4是蝇眼(fly-eye)光学系统的示意图。
图5图示了孔径光阑。
图6A和图6B各自是测量单元的示意图。
图7A、图7B、图7C、图7D和图7E各自图示了光瞳强度分布。
图8是曝光装置的示意图。
图9A和图9B各自图示了评估掩模的图案。
图10图示了曝光装置的另一个示例。
具体实施方式
在以下描述中，将参考附图详细描述本发明的代表性示例性实施例。
将参考图1描述光源单元(光源装置)1。图1是光源单元1的示意性横截面图。光源单元1包括基板51、发光二极管(LED)芯片52、集光透镜(collective lens)53和54以及控制单元55。多个LED芯片52设置在基板51上，并且它们将被称为LED阵列单元。用于驱动LED芯片52的电路形成在基板51上，并且当电流被施加到电路时，预定波长的光从每个LED芯片52输出。控制单元55控制施加到每个LED芯片52的电流，从而控制从每个LED芯片52输出的光的亮度(强度)。
集光透镜53和54是包括与每个LED芯片52对应地提供的每个透镜的透镜阵列。集光透镜53的每个透镜在每个LED上方提供。透镜可以是如图1所示的平凸透镜，或者可以具有另一种屈光力形状。通过蚀刻、切割等连续形成透镜而制备的透镜阵列或者通过将各个透镜接合在一起而制备的透镜阵列可以被用作透镜阵列。从LED芯片52发射的光束(lightflux)在半角方面均散布在大约50度至70度之间，但是它们通过集光透镜53和54被转换成大约30度或更窄。集光透镜53可以被提供成与LED芯片52隔开预定间隔，并且与基板51一体地固定在一起。
接下来，将描述包括在光源单元1中的LED阵列。图2A至图2D各自图示了LED阵列的示例。图2A是LED阵列100的平面图。LED阵列100包括四个子单元(LED组)21，在每个子单元中，以三行四列布局的LED芯片52(即，总共十二个LED芯片52)排列在基板上。安装在每个子单元21上的LED芯片52是四边形的，并且它们中的每一个以相同的取向布置。
图2B是LED阵列101的平面图。LED阵列101将子单元21用作其四个子单元中的两个，并将子单元22用作剩余的两个单元。在每个子单元22中，以三行四列布局的LED芯片52(即，总共十二个LED芯片52)也排列在基板上。在子单元22中，与子单元21相比，安装在子单元22上的LED芯片52被布置成倾斜大约45度。以这种方式，多个LED芯片52在一个子单元内(在一个LED组内)以相同的取向布置，并且LED芯片52在多个子单元之间(在LED组之间)以不同的取向布置。
图2C是LED阵列102的平面图。LED阵列102除了子单元21和22之外还包括子单元23和24。在子单元23和24中的每一个中，以三行四列布局的LED芯片52(即，总共十二个LED芯片52)也排列在基板上。子单元23和24是包括相对于子单元21中的LED芯片52分别以大约+22.5度和-22.5度的角度取向的芯片52的子单元。
图2D是LED阵列103的平面图。LED阵列103是其中针对子单元21至24中的每个子单元布置两组的LED阵列。
LED芯片52在子单元21至24中的每一个中以三行四列布局，但是可以以与三行四列不同的布局进行布局。例如，子单元21至24中的每一个可以是包括以彼此不同的角度取向的两个LED芯片52的LED阵列。但是，考虑到其用于将在下面描述的曝光装置，可以说更期望由在一定程度上等同的多个LED阵列形成一个子单元，因为这使得光学性能易于控制。另外，取向角也不限于0度、22.5度和45度，并且LED芯片52可以以各种角度取向。另外，就像在日本专利申请特开No.2018-22884中讨论的LED阵列那样，光源单元1可以包括以彼此相同的取向布置在基板上的多个LED芯片52，并且通过使用与每个LED对应的道威棱镜旋转来自LED的光束。
控制单元55可以逐个LED芯片地控制输出，或者可以共同控制一个子单元中包括的多个LED芯片52的输出以便逐个子单元地控制LED的输出。
将参考图3描述照明光学系统(照明装置)的示例。图3是照明光学系统的示意性横截面图。照明光学系统200包括光源单元1、聚光透镜2、蝇眼光学系统3、聚光透镜4、场光阑6和成像光学系统7。
从光源单元1输出的光束通过聚光透镜2并到达蝇眼光学系统3。聚光透镜2以如下方式设计：使得光源单元1的出射平面的位置和蝇眼光学系统3的入射平面的位置光学地位于彼此的傅立叶共轭平面上。这种照明系统被称为柯勒照明(Kohler illumination)。聚光透镜2在图3中被示为一个平凸透镜，但是实际上常常由多个透镜的组形成。
图4图示了蝇眼光学系统3的示意性横截面图。蝇眼光学系统3包括两个透镜组31和32以及孔径光阑33。透镜组31和32中的每一个是通过以使得多个平凸透镜的边缘表面位于同一平面上的方式将多个平凸透镜胶合在一起而制备的透镜组。透镜组31和32以这样的方式设置：使得在各个平凸透镜中的每一个的焦点位置处定位与之配对的平凸透镜。由于使用了如此配置的蝇眼光学系统3，因此在蝇眼光学系统3的出射平面的位置处形成与光源单元1的出射平面共轭的多个二次光源像。
图5中所示的孔径光阑33在蝇眼光学系统3附近提供。孔径光阑33包括允许光通过其透射的部分62(开口(aperture))和阻挡光通过其透射的部分61。从蝇眼光学系统3的出射平面发射并通过孔径光阑33的透光部分62透射的光经由聚光透镜4到达照明平面5。
聚光透镜4以如下方式设计：使得蝇眼光学系统3的出射平面与照明平面5光学地位于彼此的傅立叶共轭平面上，并且蝇眼光学系统3的出射平面或其共轭平面用作照明光学系统200的光瞳平面。在这种情况下，来自在透镜组32的出射平面上形成的相应二次光源的光强度分布以叠加的方式在照明平面5上加在一起，因此可以建立近似均匀的光强度分布。蝇眼光学系统3具有使光强度分布均匀的功能，并且被称为光学积分器。光学积分器的示例包括微透镜阵列和蝇眼透镜，并且通过蚀刻等连续形成透镜而制备的透镜阵列或通过将各个透镜接合在一起而制备的透镜阵列可以被用作光学积分器。另外，本配置还可以应用于内反射型光学积分器，该内反射型光学积分器多次在其内表面上反射来自入射端表面的光，并且从反射端表面发射具有均匀光强度分布的光。内反射型光学积分器的示例包括光学棒和光学管。
场光阑6设置在照明平面5附近。从场光阑6的开口部分发射的光束通过成像光学系统7成像在照明目标表面8上。成像光学系统7具有期望的倍率，并且由场光阑6切出的照明区域被投影到照明目标表面8上。
照明光学系统200包括测量单元(测量装置)400，该测量单元400测量光瞳平面上的光强度分布(有效光源分布)。测量单元400在测量时设置在光路上，并且测量光瞳强度分布。图6A图示了测量单元400的示意图。测量单元400设置在期望在其上测量强度分布的光瞳平面(例如，A平面)的后面，并且检测入射在A平面上的光束的一部分。具有针孔的针孔板401设置在A平面附近，并且基于某个角度分布从针孔板401发射的光束在偏转镜402上被弯折90度。此后，光束在具有正屈光力的透镜403处折射，被变换成近似准直的光，并入射在诸如电荷耦合器件(CCD)相机之类的检测器404上。具有由检测器404检测到的光分布的光被转换成电信号，并且该电信号被馈送到诸如计算机之类的数据处理装置中。
另外，测量光瞳强度分布的测量单元410可以设置在照明目标表面8的前面，并且检测入射在B平面上的光束的一部分。图6B图示了测量单元410的示意图。入射到在照明目标表面8上的光束的一部分在入射到照明目标表面8上之前在偏转镜411上被弯折90度。如果光束不被弯折，那么具有针孔的针孔板412设置在与照明目标表面8对应的光路长度的位置处。基于某个角度分布从针孔板412发射的光束在具有正屈光力的透镜413上折射、被变换成近似准直的光，并入射在诸如CCD相机之类的检测器414上。
测量单元400和410是基于基本上相同的原理工作的测量单元，尽管在其中的光学元件的配置方面彼此不同。在针孔与CCD表面之间的距离与针孔直径相比非常长的情况下，也可以省略透镜403和透镜413。
在图2A中所示的LED阵列100被实现为光源单元1的情况下，光瞳强度分布被形成为如同图7A所示的分布150。图7A中的实线所指示的圆是与照明光学系统200的光瞳平面上的有效直径对应的圆。换句话说，放置在这个圆内的强度分布与对照明目标表面8上的某个点进行照明的角度分布对应。在分布150中，与光瞳平面中的垂直和水平方向相比，倾斜方向上的强度高，并且在方向(方位角或取向)之间生成强度的差异。这是因为LED芯片52的形状是四边形，并且其轮廓被部分地投影。垂直和水平方向上的强度在与LED芯片52的边缘的外侧对应的部分处减小，但是45度的倾斜方向上的强度直到与LED芯片52的角部对应的部分都被维持到某个程度。
在图2B所示的LED阵列101被实现为光源单元1的情况下，光瞳强度分布被形成为如同图7B所示的分布151。分布151被形成为从来自子单元21中的LED芯片52的光和来自被布置为使得LED芯片52倾斜大约45度的子单元22的光的组合获得的光强度分布。以这种方式，以彼此不同的取向布置LED芯片52允许分布151与分布150相比减小了垂直和水平方向与倾斜方向之间的强度的差异(不均匀性)。
在图2C或图2D中所示的LED阵列102或103被实现为光源单元1的情况下，光瞳强度分布被形成为如同图7C中所示的分布152。分布152被形成为从除了来自子单元21和22的光以外还包括来自子单元23和24的光的组合获得的光强度分布，在子单元23和24中，芯片52被布置为分别倾斜+22.5度和-22.5度。在分布152中，与分布151相比，强度的差异(不均匀性)在平面中的方向之间进一步减小。
在本示例性实施例中，例如可以以如下方式控制子单元21至24中的每一个：使得在LED阵列102被实现为光源单元1的情况下，从子单元21发射的光的强度超过从其它子单元22、23和24发射的光的强度。更具体而言，控制施加到子单元21中的LED芯片52的电流，以使其超过施加到其它子单元22至24中的LED芯片52的电流。换句话说，在以彼此不同的取向布置的多个LED芯片52之间产生不同的输出。在这种情况下，可以改变施加到子单元21中的全部或一部分LED芯片52的电流。然后，光瞳强度分布被形成为如同图7D所示的分布153。换句话说，与分布152相比，光瞳强度分布被形成为包含垂直和水平方向与倾斜方向之间的强度差异的分布。另一方面，当以使得从LED阵列102的子单元22、23和24发射的光束的强度超过子单元21的方式控制LED芯片52时，光瞳强度分布被形成为如同图7E所示的分布154。
以这种方式，通过控制根据本示例性实施例的LED阵列的输出，可以将预定表面(即，照明光学系统200的光瞳平面)上的光强度分布调整为期望的强度分布。照明光学系统200的控制单元可以设置目标强度分布，并基于由测量单元400或410测量的强度分布以使得实际光瞳强度分布与目标强度分布匹配的方式控制LED阵列中的每个LED的输出。
上述光源装置1和照明光学系统200可以用于各种照明装置，并且还可以用于照明光学可固化树脂的装置、通过照明被检体来对其进行检查的装置、光刻装置等等。例如，上述光源装置1和照明光学系统200可以用于曝光基板以在其上形成掩模的图案的曝光装置、无掩模的曝光装置、使用模具在基板上形成图案的压印装置或平坦化层形成装置。
将参考图8描述曝光装置的示例。图8图示了曝光装置的示意图。曝光装置300包括：照明光学系统200，其对光掩模10进行照明；以及投影光学系统11，其将光掩模10的图案投影到晶片12上。投影光学系统11可以是由透镜形成的投影透镜，或者是使用镜子的反射型投影系统。虽然没有在图8中示出，但是使用了保持和驱动光掩模10和晶片(基板)12的台。
光掩模10设置在照明光学系统200(曝光单元)的照明目标表面8附近。使用诸如铬之类的金属膜在光掩模10上形成精细图案。照射光掩模10的照明光基于光掩模10的图案而被衍射。衍射光通过投影光学系统11(曝光单元)成像在晶片12上。
图9A和图9B各自图示了评估掩模的图案的示例。图9A中所示的掩模包括图案P11和P13以及图案P12和P14，图案P11和P13具有在X(水平)方向上周期性排列并在Y(垂直)方向上延伸的线，图案P12和P14具有在Y方向上周期性排列并在X方向上延伸的线。图9B中所示的掩模包括图案P21至P24，图案P21至P24具有在相对于X方向和Y方向倾斜45度的倾斜方向上周期性排列的线。
入射在光掩模10的某一点上的光束的角度分布与照明光学系统200的光瞳平面上的光强度分布对应，并且影响曝光装置300的成像性能。例如，当光瞳强度分布中的垂直方向与水平方向之间的强度不同时，基于在掩模10上形成的垂直延伸的图案而对成像有贡献的衍射光与基于水平延伸的图案对成像有贡献的衍射光之间强度是不同的。因此，在晶片表面上成像的垂直和水平图案的线宽之间不期望地生成差异。另外，在如图7A所示形成的光瞳强度分布150的情况下，在垂直或水平图案的线宽与在倾斜方向上延伸的图案的线宽之间可生成差异。以这种方式，光瞳强度分布中的不均匀性的存在导致曝光装置300的成像性能的劣化。因此，一般而言，期望光瞳强度分布在平面中是旋转对称并且均匀的。
但是，除了照明光学系统200的光瞳强度分布以外，还有许多影响曝光装置300的实际成像性能的可能影响因素。其一个示例是投影光学系统11的像差和光瞳强度分布、曝光装置300的振动、由于热引起的影响以及由于曝光处理引起的影响。这些因素以复杂的方式相加和组合并确定成像性能。
因此，本示例性实施例通过将照明光学系统200的光瞳强度分布改变为期望的分布来校正由于与照明光学系统200的光瞳强度分布不同的因素而出现的成像性能的劣化。现在将描述其一个示例，假设LED阵列102被实现在光源单元1中。当在由曝光装置300曝光的垂直和水平图案与倾斜图案之间出现线宽差异时，本示例性实施例将照明光学系统200的光瞳强度分布设置为如同图7D所示的分布153。换句话说，本示例性实施例设置这样的分布：在垂直和水平方向与倾斜方向之间生成强度差异，而不是建立均匀的光瞳强度分布。因此，可以校正光瞳强度分布，以消除由于与照明光学系统200的光瞳强度分布不同的因素而出现的垂直和水平图案与倾斜图案之间的线宽差异。
但是，认真考虑到图案的成像特性(诸如哪一个具有较大的线宽，垂直和水平图案还是倾斜图案)，应当在以彼此不同的角度取向的多个LED芯片52之间调整输出。当从LED阵列102的子单元22、23和24发射的光束的强度被设置为超过子单元21时，光瞳强度分布被形成为如同图7E所示的分布154。在这种情况下，与分布153相比，在相反方向上校正了垂直和水平图案与倾斜图案之间的线宽差异。
对光瞳强度分布中的强度进行的调整的量和方向可以基于重复调整和图案成像特性的测量的反复试验来确定，或者可以基于考虑晶片12上的感光材料的特性和其他处理条件的图像模拟来确定。
可替代地，施加到LED阵列的子单元21至24中的每个LED芯片52的电流的值或从其发射的光的光量与对图案进行成像以投影到晶片12上的性能之间的关系可以针对每种图案类型(方向、周期、形状等)预先获取。因此，可以根据实际使用中的掩模的图案来确定每个LED芯片52的最佳输入电流，并且可以相对于各种图案来调整成像性能。
以这种方式，根据本示例性实施例的曝光装置300，可以通过借助于LED阵列将光瞳强度分布控制为期望的分布来调整相对于各种类型的图案的成像性能。
图10图示了曝光装置的另一个示例。图10中所示的曝光装置n100包括照明掩模M的照明光学系统和将掩模M的图案投影到基板S上的投影光学系统。掩模M可移动地保持在掩模台上，并且基板S可移动地保持在基板台上。
照明光学系统利用来自光源n1的光形成在掩模M上沿着Y方向排列的多个照明区域n10a、n10b和n10c。
包括上述LED阵列的光源单元1可以被用作光源n1。来自光源n1的光经由透镜n2入射到光导n3的入射端。光导n3是使用随机捆扎的光纤构成的，并且在其出射端n3a和n3b中的每一个处形成均匀的光强度分布。从光导n3的出射端n3a输出的光束经由中继透镜n4a入射在蝇眼透镜n5a上。在蝇眼透镜n5a的出射平面侧形成多个二次光源。用来自多个二次光源的光经由聚光透镜n6a均匀地照明具有矩形开口部分的场光阑n7a，聚光透镜n6a以使得前侧焦点位于形成二次光源的位置的方式提供。用来自场光阑n7a的开口部分的光照明掩模M，该光的光路经由中继光学系统n8a被镜子n9a偏转90度。中继光学系统n8a是使场光阑n7a和掩模M彼此光学共轭的光学系统，并且形成照明区域n10a，该照明区域n10a是场光阑n7a的开口部分的像。
从光导n3的出射端n3b输出的光束经由中继透镜n4b入射在蝇眼透镜n5b上。在蝇眼透镜n5b的出射平面侧形成多个二次光源。用来自多个二次光源的光经由聚光透镜n6b均匀地照明具有矩形开口部分的场光阑n7b，聚光透镜n6b以使得前侧焦点位于形成二次光源的位置的方式提供。用来自场光阑n7b的开口部分的光照明掩模M，该光的光路经由中继光学系统n8b被镜子n9b偏转90度。中继光学系统n8b是使场光阑n7b和掩模M彼此光学共轭的光学系统，并且形成照明区域n10b，该照明区域n10b是场光阑n7b的开口部分的像。
形成照明区域n10c的照明光学系统IL也可以如上述光学系统中那样配置。曝光装置n100包括与照明区域的数量一样多的光导n3的出射端，并且照明光束分别从光导n3的出射端经由多个照明光学系统供应到这些照明区域。场光阑的开口部分不限于矩形，并且可以是梯形或菱形。另外，照明区域的数量不限于三个，并且可以是四个或更多。
接下来，将描述投影光学系统。投影光学系统包括与由照明光学系统形成的照明区域的数量一样多的投影光学系统模块，并且由未放大的正立的像(erect-image)的光学系统形成。每个投影光学系统模块被相同地配置。每个投影光学系统模块具有这样的结构，其中两组戴森(Dyson)型光学系统(第一部分光学系统和第二部分光学系统)被组合。
每个部分光学系统包括其反射表面被布置为在面对掩模M时倾斜45度的直角棱镜、其光轴沿着掩模M的平面内方向的透镜组以及反射透射通过透镜组的光的球面反射镜。
来自照明区域n10a的透射通过掩模M的光在光路被直角棱镜n11a偏转90度的情况下入射在透镜组n12a上。来自直角棱镜n11a的光被透镜组n12a折射，并到达球面反射镜n13a，然后被球面反射镜n13a反射。反射光经由透镜组n12a到达直角棱镜n11a。来自透镜组n12a的光在光路被直角棱镜n11a偏转90度的情况下在直角棱镜n11a的出射平面侧形成掩模M的一次像。此时，由第一部分光学系统形成的掩模M的一次像是在X方向上具有正横向倍率并且在Y方向上具有负横向倍率的未放大像。
来自一次像的光经由第二部分光学系统在基板S的表面上形成掩模M的二次像。第二部分光学系统与第一部分光学系统类似地配置。光路被直角棱镜n14a偏转90度，并且光入射在透镜组n15a上。来自直角棱镜n14a的光被透镜组n15a折射，并到达球面反射镜n16a，然后被球面反射镜n16a反射。反射光经由透镜组n15a到达直角棱镜n14a。来自透镜组n15a的光在光路被直角棱镜n14a偏转90度的情况下在直角棱镜n14a的出射平面侧形成掩模M的二次像。与第一部分光学系统类似，第二部分光学系统形成在X方向上为正并且在Y方向上为负的未放大像。因此，在基板S上形成的二次像指示掩模M的未放大的正立的像，并且形成曝光区域n17a。
关于照明区域n10c，类似地，用于其的光路被直角棱镜n11c偏转90度，并且光入射在透镜组n12c上。来自直角棱镜n11c的光被透镜组n12c折射，并到达球面反射镜n13c，然后被球面反射镜n13c反射。反射光经由透镜组n12c到达直角棱镜n11c。来自透镜组n12c的光在光路被直角棱镜n11c偏转90度的情况下在直角棱镜n11c的出射平面侧形成掩模M的一次像。然后，光路被直角棱镜n14c偏转90度，并且光入射在透镜组n15c上。来自直角棱镜n14c的光被透镜组n15c折射，并到达球面反射镜n16c，然后被球面反射镜n16c反射。反射光经由透镜组n15c到达直角棱镜n14c。来自透镜组n15c的光在光路被直角棱镜n14c偏转90度的情况下在直角棱镜n14c的出射平面侧形成掩模M的二次像。曝光区域n17c在基板S上形成。
照明区域n10b也通过类似配置的投影光学系统模块被投影到基板S上，并且在基板S上形成曝光区域n17b。因此，沿着Y方向排列的三个曝光区域n17a、n17b和n17c通过每个投影光学系统模块在基板S上形成。
曝光装置n100通过使掩模M和基板S在X轴方向上相对于彼此移动来执行基板S的扫描曝光。基板S针对曝光区域n17a、n17b和n17c进行曝光，并且可以在曝光区域n17a、n17b和n17c的侧端部分彼此重叠而没有生成任何空间的情况下进行曝光。
将包括上述LED阵列的光源单元1用作光源n1允许将光瞳强度分布控制为期望的分布，从而允许相对于各种类型的图案来调整成像性能。
(制造物品的方法)
接下来，将描述使用上述曝光装置制造物品(半导体集成电路(IC)元件、液晶显示元件、滤色器、微机电系统(MEMS)等)的方法。通过使用上述曝光装置对其上施加有感光剂的基板(晶片、玻璃基板等)进行曝光的处理、对这个基板(感光剂)进行显影的处理以及使经显影的基板经受另外的已知处理工艺的处理来制造物品。另外的已知处理的示例包括蚀刻、抗蚀剂的移除、切割、键合和封装。根据本制造方法，可以制造比常规技术更高质量的物品。
虽然已经参考示例性实施例描述了本发明，但是应该理解的是，本发明不限于所公开的示例性实施例。所附权利要求的范围应被赋予最宽泛的解释，以涵盖所有这样的修改以及等同的结构和功能。

Claims (9)

1.一种光源装置，其特征在于，包括：
发光二极管LED阵列；以及
控制器，所述控制器被配置为控制多个LED芯片，
其中所述LED阵列包括第一子单元和第二子单元，所述第一子单元包括以第一角度布置在基板上的多个LED芯片，所述第二子单元包括以与所述第一角度不同的第二角度布置在所述基板上的多个LED芯片，以及
其中所述控制器以从所述第一子单元发射的光的强度和从所述第二子单元发射的光的强度不同的方式控制所述第一子单元的所述多个LED芯片和所述第二子单元的所述多个LED芯片。
2.如权利要求1所述的光源装置，其中所述控制器通过共同控制所述第一子单元和所述第二子单元中的每个子单元中包括的所述多个LED芯片的输出，来使得在所述第一子单元和第二子单元之间从所述第一子单元的所述多个LED芯片和所述第二子单元的所述多个LED芯片产生不同的输出。
3.如权利要求1所述的光源装置，还包括透镜阵列，所述透镜阵列配备有各自与所述多个LED芯片中的LED芯片对应的多个透镜。
4.一种照明装置，其特征在于，包括：
光源装置，所述光源装置包括LED阵列和控制器，所述控制器被配置为控制多个LED芯片；
聚光透镜；以及
光学积分器，
其中所述LED阵列包括第一子单元和第二子单元，所述第一子单元包括以第一角度布置在基板上的多个LED芯片，所述第二子单元包括以与所述第一角度不同的第二角度布置在所述基板上的多个LED芯片，以及
其中所述控制器以从所述第一子单元发射的光的强度和从所述第二子单元发射的光的强度不同的方式控制所述第一子单元的所述多个LED芯片和所述第二子单元的所述多个LED芯片。
5.如权利要求4所述的照明装置，其中所述光学积分器包括透镜组。
6.一种照明装置，其特征在于，包括：
光源装置，所述光源装置包括LED阵列和控制器，所述控制器被配置为控制多个LED芯片；以及
测量装置，所述测量装置被配置为测量所述照明装置的光瞳平面上的光瞳强度分布，
其中所述LED阵列包括第一子单元和第二子单元，所述第一子单元包括以第一角度布置在基板上的多个LED芯片，所述第二子单元包括以与所述第一角度不同的第二角度布置在所述基板上的多个LED芯片，以及
其中所述控制器基于由所述测量装置测量的光瞳强度分布来控制所述第一子单元的所述多个LED芯片和所述第二子单元的所述多个LED芯片中的至少一个的输出，从而改变所述第一子单元的所述多个LED芯片和所述第二子单元的所述多个LED芯片在预定表面上形成的光强度分布。
7.一种被配置为对基板进行曝光的曝光装置，其特征在于，所述曝光装置包括：
如权利要求4至6中任一项所述的照明装置，所述照明装置被配置为对掩模进行照明；以及
曝光单元，所述曝光单元被配置为对基板进行曝光以在基板上形成所述掩模的图案。
8.如权利要求7所述的曝光装置，其中所述控制器基于所述图案的成像特性来控制所述第一子单元的所述多个LED芯片和所述第二子单元的所述多个LED芯片中的至少一个的输出。
9.一种用于制造物品的方法，其特征在于，所述方法包括：
使用如权利要求7所述的曝光装置对基板进行曝光；
显影经曝光的基板；以及
从经显影的基板获取物品。
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