CN111244172A - 一种用于焊接模块的改良芯片 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及到一种用于焊接模块的改良芯片，包括芯片；所述芯片上表面的门极电极设置在电极层中心，所述门极电极外圈附有环状放大门极电极，所述放大门极电极向外均匀延伸呈放射状，所述放大门极电极向外延伸的分支间隔相等，所述放大门极电极覆盖有阻焊层，所述阻焊层顶部与第二钼片绝缘隔离接触，所述第二钼片底面与芯片上表面的电极层焊接，所述第二钼片中心卡装有绝缘引线套，所述绝缘引线套内置的门极电极引线沿引出孔伸出。本发明采用多面焊接组装结构，取代以往具备放大门极电极晶闸管压接模块的组装结构；对比无放大门极电极焊接晶闸管芯片，可提高晶闸管电流上升性能。
Description
技术领域
本发明涉及电子元件技术领域，特别是一种用于焊接模块的改良芯片。
背景技术
晶闸管是一种开关元件，能在高电压、大电流条件下工作，并且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中，是典型的小电流控制大电流的设备。
常规的晶闸管焊接芯片若具有放大门极电极，则在其焊接的过程中，焊接时易让放大门极电极与阴极短路，从而造成放大门极电极失效，本所以常规焊接芯片都采用没有放大门极电极的结构，但是这种结构的芯片其di/dt较低。而压接结构的晶闸管虽然具备放大门极电极，而且其di/dt较高，但是却存在着生产成本高的缺点。因此，综上所述，本发明提供了一种di/dt高，生产成本低的一种用于焊接模块的改良芯片。
发明内容
本发明需要解决的技术问题，本发明提供了一种提高焊接芯片di/dt性能、生产组装结构简易，后期人工需求量少，安装步骤减少、组装引用结构多变的一种用于焊接模块的改良芯片。
为解决上述的技术问题，本发明提供了一种用于焊接模块的改良芯片，包括芯片；所述芯片上表面的门极电极设置在电极层中心，所述门极电极外圈附有环状放大门极电极，所述放大门极外围设置有阴极电极，所述放大门极电极向外均匀延伸呈放射状，所述放大门极电极向外延伸的分支间隔相等，所述放大门极电极上方、放大门极电极与阴极电极之间的间隙上覆盖有阻焊层，所述阻焊层顶部与第二钼片绝缘隔离接触，所述第二钼片底面与芯片上表面的电极层焊接，所述第二钼片中心卡装有绝缘引线套，所述绝缘引线套内置的门极电极引线沿引出孔伸出。
进一步，所述芯片由第一钼片、硅片和电极层由下之上依次焊接堆叠组成，所述电极层上表面镀有Ag或者Ni，第一钼片底面镀有Ni。
更进一步，所述放大门极电极和门极电极上镀有Ag或者Ni。
更进一步，所述第二钼片上下表面镀有Ni。
更进一步，所述阻焊层属于绝缘材质。
采用上述结构后，与现有技术相比较，本发明采用了多面焊接的组装结构，取代了以往具备放大门极电极晶闸管压接模块的组装结构；相对于以往无放大门极电极的压接晶闸管，本发明结构在焊接的过程，省去了多个压接步骤，节省了工人组装的时间，降低了晶闸管模块的成本，同时提升了晶闸管模块di/dt的性能；焊接的工艺使得晶闸管的内部结构更加稳定，提高电流上升性力。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
图1为本发明一种用于焊接模块的改良芯片芯片的俯视图。
图2为本发明一种用于焊接模块的改良芯片芯片的主视图。
图3为本发明一种用于焊接模块的改良芯片第二钼片的俯视图。
图4为本发明一种用于焊接模块的改良芯片的效果图。
图5为本发明一种用于焊接模块的改良芯片的电极分布图。
图6为本发明一种用于焊接模块的改良芯片的电极分布图。
图7为本发明一种用于焊接模块的改良芯片的电极分布图。
图8为本发明一种用于焊接模块的改良芯片的电极分布图。
图中：1为第二钼片、3为芯片、5为门极电极引线；
1-1为引出孔、1-2为绝缘引线套；
3-1为硅片、3-2为电极、3-3为放大门极电极、3-4为阻焊层、3-5为门极电极、3-6为第一钼片。
具体实施方式
如图1、图2、图3、图4、图5、图6、图7和图8所示，本发明一种用于焊接模块的改良芯片，包括芯片；所述芯片3上表面的门极电极3-5设置在电极层3-2中心，所述门极电极3-5外圈附有环状放大门极电极3-3，所述放大门极3-3外围设置有阴极电极3-7，所述放大门极电极3-3向外均匀延伸呈放射状，所述放大门极电极3-3向外延伸的分支间隔相等，所述放大门极电极3-3上方、放大门极电极3-3与阴极电极3-7之间的间隙上覆盖有阻焊层3-4，所述阻焊层3-4顶部与第二钼片1绝缘隔离接触，所述第二钼片1底面与芯片3上表面的电极层3-2焊接，所述第二钼片1中心卡装有绝缘引线套1-2，所述绝缘引线套1-2内置的门极电极引线5沿引出孔1-1伸出。其中，将阳极电极固定在焊接台上，通过焊接的手法代替以往紧固加压的方式组装晶闸管。将芯片3地面焊接在阳极电极上表面，同时在芯片3上表面的门极电极3-5和放大门极电极3-5上焊接第二钼片1；在焊接的过程中，将门极电极引线5与门极电极3-5对接，同时将门极电极引线5顺着绝缘引线套1-2引出。最后将电极层引出焊接层焊接在第二钼片1上表面。放射状的放大门极电极3-5可扩大门极电极引线5接触面，预防门极电极引线5出现断连的现象发生；同时，放射状的结构可配合后期第二钼片1的卡装，同时阻隔焊接，达到绝缘效果。等间距的放射状放大门极电极3-5分支，受力面均匀，焊接两连接结构稳定。
如图1所示，所述芯片3由第一钼片3-6、硅片3-1和电极层3-2由下之上依次焊接堆叠组成，所述电极层3-2上表面镀有Ag或者Ni，第一钼片3-6底面镀有Ni。其中，将第一钼片3-6、硅片3-1和电极层3-2镀上Ag或者Ni，以便后期焊接组合。
如图所示，所述放大门极电极3-5和门极电极3-5上镀有Ag或者Ni。其中，放大门极电极3-5和门极电极3-5上镀上Ag或者Ni以便于后期焊接。
如图1和图2所示，所述芯片3由第一钼片3-6、硅片3-1和电极3-2由下之上组成，所述电极3-2上表面镀有Ag或者Ni，第一钼片3-6底面镀有Ni。其中，将电极3-2上表面镀上Ag或者Ni，第一钼片3-6底面镀上Ni；可方便后期焊接。同时，电极3-2也适合镀上其他适应性金属。
如图3所示，所述第二钼片1上下表面可镀Ni。其中，第二钼片1上下表面镀上Ni方便后期焊接。
如图1所示，所述阻焊层3-4属于绝缘材质。其中，绝缘材质的阻焊层3-4可避免非门极电极原件与第二钼片1电接触。
Claims (5)
1.一种用于焊接模块的改良芯片，包括芯片；其特征是：所述芯片（3）上表面的门极电极（3-5）设置在电极层（3-2）中心，所述门极电极（3-5）外圈附有环状放大门极电极（3-3），所述放大门极（3-3）外围设置有阴极电极（3-7），所述放大门极电极（3-3）向外均匀延伸呈放射状，所述放大门极电极（3-3）向外延伸的分支间隔相等，所述放大门极电极（3-3）上方、放大门极电极（3-3）与阴极电极（3-7）之间的间隙上覆盖有阻焊层（3-4），所述阻焊层（3-4）顶部与第二钼片（1）绝缘隔离接触，所述第二钼片（1）底面与芯片（3）上表面的电极层（3-2）焊接，所述第二钼片（1）中心卡装有绝缘引线套（1-2），所述绝缘引线套（1-2）内置的门极电极引线（5）沿引出孔（1-1）伸出。
2.根据权利要求1所述的一种用于焊接模块的改良芯片，其特征是：所述芯片（3）由第一钼片（3-6）、硅片（3-1）和电极层（3-2）由下之上依次焊接堆叠组成，所述电极层（3-2）上表面镀有Ag或者Ni，第一钼片（3-6）底面镀有Ni。
3.根据权利要求1所述的一种用于焊接模块的改良芯片，其特征是：所述放大门极电极（3-5）和门极电极（3-5）上镀有Ag或者Ni。
4.根据权利要求1所述的一种用于焊接模块的改良芯片，其特征是：所述第二钼片（1）上下表面镀有Ni。
5.根据权利要求1所述的一种用于焊接模块的改良芯片，其特征是：所述阻焊层（3-4）属于绝缘材质。
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