CN111244107A - 显示设备及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种显示设备及其制造方法。该显示设备包括：第一基板，包括在其中布置有多个像素的显示区域以及布置在显示区域中的透光区域；层间绝缘层，覆盖显示区域并且暴露透光区域，层间绝缘层的内侧壁限定透光区域；以及无机膜，被直接布置在透光区域中的第一基板上并且与整个透光区域重叠。透光区域的尺寸大于多个像素中的一个像素的尺寸。

Description

显示设备及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种显示设备及其制造方法。更具体地，本发明涉及一种包括透光区域或孔的显示设备及其制造方法。
背景技术
近来，各种便携式电子设备已包括照相机功能，使得消费者仅携带一个具有照相机功能的电子设备，而不单独携带照相机。
按照惯例，照相机、闪光灯、扬声器和光学传感器等存在于电子设备的显示区域的外部，并且在其中电子设备可以显示图像的空间减小。
在此背景技术部分公开的上述信息仅用于增强对本发明的背景的理解，并且因此上述信息可能包含不构成在本国的本领域普通技术人员已经知晓的现有技术的信息。
发明内容
正在进行研究以通过在显示区域中置放诸如照相机的器件来扩展在其中可以显示图像的空间。本发明提供一种显示设备的制造方法以及通过该制造方法制造的显示设备，该制造方法能够更有效地在显示区域中形成诸如照相机的器件所在的透光区域或孔。
根据本发明构思的示例性实施例，显示设备包括：第一基板，包括在其中布置有多个像素的显示区域以及布置在显示区域中的透光区域；层间绝缘层，覆盖显示区域并且暴露透光区域，层间绝缘层的内侧壁限定透光区域；以及无机膜，被直接布置在透光区域中的第一基板上并且与整个透光区域重叠。透光区域的尺寸大于多个像素中的一个像素的尺寸。
根据本发明构思的示例性实施例，显示设备包括：第一基板；显示区域，包括设置在第一基板上的多个像素，多个像素中的每个像素包括发光元件，发光元件包括像素电极、发射层和公共电极；透光区域，布置在显示区域中，并且包括第一透光区域和围绕第一透光区域的第二透光区域；层间绝缘层，覆盖显示区域并且暴露透光区域，层间绝缘层的内侧壁限定透光区域；以及剩余部分，具有与第二透光区域中的第一基板分离的提起形状，剩余部分包括第一层，第一层由与公共电极相同的材料形成，并且通过层间绝缘层的内侧壁与公共电极断开。
根据本发明构思的示例性实施例，显示设备的制造方法被提供如下。在包括显示区域和透光区域的第一基板上形成晶体管。形成层间绝缘层，以覆盖显示区域并且暴露透光区域。在层间绝缘层上形成平坦化绝缘层，其中像素电极通过平坦化绝缘层的开口连接到晶体管。形成包括暴露像素电极的开口的像素限定层。在透光区域中形成包括有机材料的牺牲层，其中牺牲层的侧壁与层间绝缘层的内侧壁间隔开。在显示区域和透光区域中形成发射层和公共电极。通过用真空吸附构件拉取牺牲层，将牺牲层与第一基板分离。
附图说明
图1是根据本发明的示例性实施例的显示设备的示意性俯视图。
图2是沿图1的显示设备的线II-II’截取的剖视图。
图3至图8是图示根据本发明的示例性实施例的显示设备的制造方法的剖视图。
图9是示出在其中图2的显示设备被封装的示例性实施例的剖视图。
图10是示出在其中图2的显示设备被封装的示例性实施例的剖视图。
图11是示出在其中图2的显示设备被封装的示例性实施例的剖视图。
图12是根据本发明的示例性实施例的显示设备的剖视图。
图13至图15是示出根据本发明的示例性实施例的显示设备的制造方法的剖视图。
图16是示出在其中图12的显示设备被封装的示例性实施例的剖视图。
具体实施方式
下文中将参考在其中示出了本发明的示例性实施例的附图来更充分地描述本发明的实施例。如本领域技术人员将认识到的那样，所描述的实施例可以以各种不同的方式来修改，所有这些都不脱离本发明的精神或范围。
为了清楚地解释本发明，不直接涉及本发明的部分被省略，并且在整个说明书中相同的附图标记附属于相同或相似的组成元件。
此外，为了更好理解和便于描述，在附图中示出的每个配置的尺寸和厚度是任意地示出的，但本发明不限于此。在附图中，为了清楚起见，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。在附图中，为了更好理解和便于描述，夸大了一些层和区域的厚度。
将理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”时，该元件可以直接在另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称为“直接”在另一元件“上”时，不存在中间元件。此外，在说明书中，词语“上”或“上方”意味着被放置在对象部分的上方或下方，而不一定意味着基于重力方向被放置在对象部分的上面。
另外，除非有明确的相反描述，否则词语“包括”将被理解为暗示包括所述的元件，但不排除任何其他元件。
此外，在本说明书中，短语“在平面上”意味着从顶部观察目标部分，并且短语“在截面上”意味着从侧面观察通过垂直切开目标部分而形成的截面。
现在，参考图1描述根据示例性实施例的显示设备。
图1是根据本发明的示例性实施例的显示设备的示意性俯视图。
参考图1，显示设备包括显示区域DA、外围区域PA和透光区域TA。
显示区域DA是在其中设置有多个像素P并且显示图像的区域。多个像素P中的每个像素P包括像素电路以及电连接到像素电路的发光元件。多个像素P围绕透光区域TA。
透光区域TA被布置在显示区域DA中。透光区域TA具有比显示区域DA或外围区域PA的透光率高的透光率，并且透光区域TA为在其中光入射到光学构件中的至少一个光学构件(参见图2中的光学构件10)或光从光学构件10发射的区域。光学构件10可以包括照相机、闪光灯和光学传感器等。
透光区域TA可以包括孔结构或开口结构。孔结构至少包括透光区域TA中的基板。开口结构包括透光区域TA中的开口。
透光区域TA的尺寸大于像素P的尺寸，并且透光区域TA与像素P中用于实现透明显示的透光区带不同。例如，在平面图中一个像素的宽度可以为25μm至50μm，并且透光区域TA的直径可以为大约3mm。
透光区域TA的直径可以是一个像素的宽度的60倍或更多倍。
在图1中，例示了一个圆形透光区域TA被布置在显示区域DA的上侧的中心处。透光区域TA的位置、形状和数量等不限于此。透光区域TA可以具有诸如四边形的多边形或椭圆形等的各种形状。
外围区域PA是围绕显示区域DA的区域。将信号发送到多个像素P中的每个像素P的栅驱动器(未示出)和数据驱动器(未示出)可以被布置在外围区域PA中。
在下文中，沿图1的线II-II’截取的截面结构被描述。
图2是沿图1的显示设备的线II-II’截取的剖视图。
图2示出了透光区域TA包括孔结构的情况。多个像素P中的与透光区域TA邻近的像素P1被例示。第一基板100包括透光区域TA和显示区域DA。透光区域TA包括在其中布置有光学构件10的第一透光区域TA1以及围绕第一透光区域TA1的第二透光区域TA2。第二透光区域TA2可以是用于封装显示区域DA的区域。
透光区域TA包括第一基板100以及直接布置在第一基板100上的无机膜120。第一基板100可以包括诸如玻璃、金属或无机材料的材料。第一基板100可以是柔性的，以被弯曲、弄弯或卷曲。
无机膜120与整个透光区域TA重叠。无机膜120可以由与稍后描述的缓冲层101和栅绝缘层103中的至少一个相同的材料制成。无机膜120可以与缓冲层101和栅绝缘层103中的至少一个一起形成。无机膜120的厚度可以等于或大于缓冲层101和栅绝缘层103中的任一个的厚度。在示例实施例中，无机膜120的厚度可以等于缓冲层101的厚度。在示例实施例中，无机膜120的厚度可以等于缓冲层101的厚度和栅绝缘层103的厚度的和。
本发明并不限于此。例如，无机膜120可以以与形成缓冲层101和栅绝缘层103的工艺分离的工艺形成在第一基板100上。以与形成缓冲层101和栅绝缘层103的工艺分离的工艺形成的无机膜120的厚度可以等于或大于缓冲层101的厚度，并且小于缓冲层101的厚度和栅绝缘层103的厚度的和。
这样，根据示例性实施例，无机膜120的厚度可以进行各种改变，并且无机膜120的厚度在图2中被任意地示出，但无机膜120的厚度不限于此。
在显示区域DA中，缓冲层101被布置在第一基板100上。缓冲层101可以阻挡水分和异物等从第一基板100渗透到形成在第一基板100上的晶体管130中。缓冲层101可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料。包括晶体管130和存储电容器150的像素电路140被布置在缓冲层101上。
晶体管130包括半导体层131、栅电极132、源电极133和漏电极134。晶体管130还包括被布置在半导体层131与栅电极132之间的栅绝缘层103。层间绝缘层107被布置在栅电极132上，并且源电极133和漏电极134被布置在层间绝缘层107上。例如，层间绝缘层107覆盖栅电极132，并且源电极133和漏电极134穿透层间绝缘层107以连接到半导体层131。
半导体层131可以包括非晶硅、多晶硅或氧化物半导体。
栅绝缘层103和层间绝缘层107可以包括包含氧化物或氮化物的无机材料。例如，栅绝缘层103和层间绝缘层107可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO2)。
栅电极132、源电极133和漏电极134可以包括低电阻金属材料。例如，栅电极132、源电极133和漏电极134可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)等的导电材料。
存储电容器150包括下电极151、上电极152以及置于下电极151与上电极152之间的层间绝缘层107。下电极151可以与栅电极132是同一层，并且上电极152可以与源电极133和漏电极134是同一层。
平坦化绝缘层109被布置在像素电路140上，并且发光元件200被布置在平坦化绝缘层109上。发光元件200电连接到像素电路140。
发光元件200包括像素电极210、发射层220和公共电极230。像素电极210连接到晶体管130的漏电极134。像素电极210可以是(半)透明电极或反射电极。例如，(半)透明电极可以包括ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、ZnO(氧化锌)、In2O3(氧化铟)、IGO(氧化铟镓)或AZO(氧化铝锌)。反射电极可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的化合物的反射膜，并且反射电极可以进一步包括在反射膜上的由ITO、IZO、ZnO、In2O3形成的膜。
包括暴露像素电极210的开口的像素限定层110被布置在像素电极210上。发射层220被布置在像素电极210和像素限定层110上，并且公共电极230被布置在发射层220上。发射层220包括放置在像素限定层110的开口中的部分。本发明并不限于此。例如，发射层220可以分离地形成在像素限定层110的开口中。发射层220可以包括有机发光材料或无机发光材料。公共电极230可以是(半)透明电极或反射电极。平坦化绝缘层109和像素限定层110中的至少一个可以包括丙烯酸类树脂、硅氧烷有机材料或硅氮烷有机材料等。
包括由无机材料制成的缓冲层101、栅绝缘层103和层间绝缘层107的层被称为下无机层。包括发射层220和公共电极230的层被称为上发射层。下无机层的厚度DP1大于上发射层的厚度DP2。例如，下无机层的厚度DP1为大约1.5μm，并且上发射层的厚度DP2为大约0.4μm。
在显示设备的制造工艺中，在其中仅无机膜120形成在第一基板100的透光区域TA中的状态下，可以沉积发射层220和公共电极230。在此情况下，由于下无机层的台阶差，发射层220和公共电极230可以以断层的形式形成在显示区域DA与透光区域TA之间的边界处。稍后将参考图9至图11来描述防止水分等通过在显示区域DA与透光区域TA之间的边界处断开的层的表面的渗透的结构。
光学构件10被布置在第一透光区域TA1中。外部光可以通过第一透光区域TA1入射到光学构件10上，或者光可以通过第一透光区域TA1从光学构件10发射到外部。
稍后参考图9和图10描述的封装构件330被布置在第二透光区域TA2中。在图2中省略了显示设备的封装结构，并且稍后将参考图9至图11描述封装结构。
图3至图8是图示根据本发明的示例性实施例的显示设备的制造方法的剖视图。图3至图8涉及图1和图2中的上述显示设备的制造方法。
参考图3，缓冲层101形成在包括显示区域DA和透光区域TA的第一基板100上。半导体材料可以形成在缓冲层101上，并且然后被图案化以形成半导体层131。栅绝缘层103形成在缓冲层101和半导体层131上。第一导电层可以形成在栅绝缘层103上，并且然后被图案化，以形成晶体管130的栅电极132和存储电容器150的下电极151。第一导电层可以包括低电阻金属材料。层间绝缘层107形成在栅绝缘层103、栅电极132和下电极151上。
参考图4，通过刻蚀工艺，与半导体层131的源区和漏区重叠的开口H1形成在显示区域DA中的层间绝缘层107和栅绝缘层103中，并且缓冲层101、栅绝缘层103和层间绝缘层107在透光区域TA中被移除。半导体层131的源区和漏区可以通过开口H1被暴露。第二导电层可以形成在层间绝缘层107上，并且然后第二导电层可以被图案化，以形成晶体管130的源电极133和漏电极134以及存储电容器150的上电极152。第二导电层可以包括低电阻金属材料。源电极133和漏电极134可以分别连接到半导体层131的通过开口H1暴露的源区和漏区。上电极152与下电极151重叠，而层间绝缘层107介于上电极152与下电极151之间。
参考图5，通过在第一基板100上沉积无机材料并且然后图案化该无机材料，无机膜120形成在透光区域TA中。无机材料可以包括氧化物或氮化物。图5示出了在其中无机膜120在与形成缓冲层101和栅绝缘层103的工艺分离的工艺中形成的情况。
另一方面，无机膜120可以与缓冲层101和栅绝缘层103中的至少一个一起形成。在此情况下，图5的工艺可以被省略，并且在图4的刻蚀工艺中，可以在透光区域TA中仅移除层间绝缘层107而不移除缓冲层101和栅绝缘层103，或者可以在透光区域TA中仅移除层间绝缘层107和栅绝缘层103。
在下文中，作为示例将描述在其中缓冲层101和栅绝缘层103在图4的刻蚀工艺中被移除并且然后无机膜120在透光区域TA中形成的情况。
参考图6，第一有机层形成在显示区域DA和透光区域TA中，并且然后第一有机层被图案化，以在显示区域DA中形成平坦化绝缘层109，并且在透光区域TA中形成第一牺牲层109’。第一有机层可以包括丙烯酸类树脂、硅氧烷有机材料或硅氮烷有机材料等。平坦化绝缘层109包括暴露晶体管130的漏电极134的开口。第一牺牲层109’从第一有机层图案化，以与透光区域TA中的第一透光区域TA1重叠。例如，第一有机层在第二透光区域TA2中被移除。其后，第三导电层形成在平坦化绝缘层109上，并且然后第三导电层被图案化，以形成像素电极210。第三导电层可以包括ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或AZO等。
参考图7，第二有机层形成在显示区域DA和透光区域TA中，并且然后第二有机层被图案化，以在显示区域DA中形成像素限定层110，并且在透光区域TA中形成第二牺牲层110’。第二有机层可以包括丙烯酸类树脂、硅氧烷有机材料、硅氮烷有机材料等。像素限定层110包括暴露像素电极210的开口。第二牺牲层110’被布置在第一牺牲层109’上并且与第一透光区域TA1重叠。
发射层220和公共电极230被沉积在显示区域DA和透光区域TA中。发射层220和公共电极230被形成为整体覆盖第一基板100。在此情况下，由于包括缓冲层101、栅绝缘层103和层间绝缘层107的下无机层的台阶差，发射层220和公共电极230以断层的形式形成在显示区域DA与透光区域TA之间的边界处。例如，台阶差总计为在第一透光区域TA1与显示区域DA之间的边界处的层间绝缘层107的上表面与无机膜120的上表面之间的高度差。也就是说，在第二透光区域TA2中形成的发射层220和公共电极230分别与形成在显示区域DA中的发射层220和公共电极230断开。另外，发射层220和公共电极230形成在第二牺牲层110’上。在下文中，形成在第二透光区域TA2中的发射层220和公共电极230被称为剩余部分。
图6和图7图示了第一牺牲层109’和第二牺牲层110’两者被形成。然而，根据示例性实施例，可以形成第一牺牲层109’和第二牺牲层110’中的仅一个。例如，第二牺牲层110’可以直接形成在无机膜120上而在图6中不形成第一牺牲层109’。可替代地，在图6中第一牺牲层109’可以形成在无机膜120上，并且发射层220和公共电极230可以直接形成在第一牺牲层109’上而在图7中不形成第二牺牲层110’。牺牲层包括第一牺牲层109’和第二牺牲层110’中的至少一个。
参考图8，在填充有诸如氮气的非反应性气体的腔室(未示出)中，牺牲层被真空吸附构件20吸附，并且然后在与第一基板100的上表面垂直的方向上被拉取以与无机膜120分离。由于包括有机材料的牺牲层与包括无机材料的无机膜120具有差的粘合性，因此可以使用真空吸附构件20通过物理力容易地将牺牲层分离。
布置在第二透光区域TA2中的发射层220和公共电极230的剩余部分与牺牲层的侧表面接触，并且当用物理力从第一基板100分离牺牲层时，在剩余部分中形成提起形状CF。提起形状CF是在其中剩余部分与下面的无机膜120分离的开放形状，并且剩余部分与无机膜120之间的间隙可以从透光区域TA的边缘到第一透光区域TA1逐渐增大。例如，当牺牲层与第一基板100分离时，剩余部分从无机膜120被部分地提起。剩余部分可以包括由与公共电极230相同的材料形成的第一层。剩余部分可以进一步包括由与发射层220相同的材料形成的第二层。
当发射层220和公共电极230保留在透光区域TA中(尤其是在光学构件10所在的第一透光区域TA1中)时，透光区域TA的透光率可能被降低。如上所述，在牺牲层形成在第一透光区域TA1中之后形成发射层220和公共电极230，并且然后移除牺牲层，使得透光区域TA的透光率的降低被阻止。
同时，可以使用激光等通过刻蚀工艺移除形成在透光区域TA中的发射层220和公共电极230。当使用激光等通过刻蚀工艺移除形成在透光区域TA中的发射层220和公共电极230时，产生颗粒。因此，需要用于移除颗粒的清洁工艺。另外，第一基板100可能在透光区域TA中被激光损坏。
然而，当如上所述通过使用真空吸附构件20物理地移除牺牲层的方法来移除形成在透光区域TA中的发射层220和公共电极230时，几乎不产生颗粒，并且不需要用于移除颗粒的清洁工艺，从而可以提高显示设备的制造效率。此外，不存在第一基板100被激光损坏等的可能性。
在下文中，参考图9至图11来描述封装通过图3至图8的制造方法制造的图2的显示设备的方法。
图9是示出在其中图2的显示设备被封装的示例性实施例的剖视图。
参考图9，第二透光区域TA2中的发射层220和公共电极230的剩余部分被移除，并且封装构件330形成在第二透光区域TA2中。并且然后，第二基板350可以被布置在显示区域DA和透光区域TA上，以覆盖显示区域DA和透光区域TA。
封装构件330沿第二透光区域TA2围绕第一透光区域TA1。封装构件330和第二基板350是封装显示区域DA的封装结构，使得水分或外来物质不从外部穿透发光元件200。封装构件330可以是包括无机材料的玻璃料。封装构件330的下部分在第二透光区域TA2中与无机膜120接触，并且封装构件330的上部分在第二透光区域TA2中与第二基板350的下表面接触。包括无机材料的封装构件330可以结合到无机膜120。例如，包括无机材料的封装构件330与无机膜120接触，以形成无机-无机结合。另外，第二基板350可以包括无机材料，并且封装构件330与第二基板350接触，以形成无机-无机结合。
本发明不限于此。例如，封装构件330可以沿以上在图1中描述的外围区域PA形成在外围区域PA中，以围绕显示区域DA。第一基板100的边缘和第二基板350的边缘可以被外围区域PA中的封装构件封装和结合。
光学构件10被布置在第一透光区域TA1中。外部光进入光学构件10，或光通过第一基板100、无机膜120和第二基板350从光学构件10发射到外部。图9中的透光区域TA是孔结构。
图10是示出在其中图2的显示设备被封装的示例性实施例的剖视图。
参考图10，在如图9所示被封装的显示设备中，使用激光等在第一透光区域TA1中形成孔(图10中的Hole)。也就是说，第一基板100、无机膜120和第二基板350在第一透光区域TA1中被移除，以形成孔。孔在第一透光区域TA1中穿过第一基板100、无机膜120和第二基板350。此时，无机膜120保留在第二透光区域TA2中。
由于在发光元件200被封装构件330和第二基板350封装之后在第一透光区域TA1中形成孔，因此可以保护发光元件200免受可能在形成孔的工艺中产生的颗粒等的影响。封装构件330可以防止颗粒等渗透到发光元件200中。
光学构件10被布置在第一透光区域TA1中。外部光可以通过孔入射到光学构件10上，或者光可以通过孔从光学构件10发射到外部。图10中的透光区域TA是开口结构。
图11是示出在其中图2的显示设备被封装的示例性实施例的剖视图。
参考图11，保留在第二透光区域TA2中的发射层220和公共电极230的剩余部分被移除，并且覆盖显示区域DA和透光区域TA的保护层300被形成。保护层300可以通过化学气相沉积法形成。例如，使用化学气相沉积法，薄膜层可以以良好的台阶覆盖率沉积在下面的层上。保护层300可以包括无机层310和有机层320。无机层310可以包括包含氧化物或氮化物的无机材料。有机层320可以包括有机-无机复合颗粒。
保护层300可以封装显示区域DA中的发光元件200的上表面。此外，保护层300可以封装发射层220和公共电极230的侧表面，即，发光元件200的在显示区域DA与透光区域TA之间的边界处由下无机层的台阶差暴露的侧表面。水分等通过发射层220和公共电极230的边界表面的渗透可以被防止，该边界表面通过由于下无机层的台阶差在显示区域DA与透光区域TA之间的边界处断开而被暴露。
光学构件10被布置在第一透光区域TA1中。外部光可以入射到光学构件10上，或光可以通过第一基板100、无机膜120和保护层300从光学构件10发射到外部。图11中的透光区域TA是孔结构。
在下文中，参考图12描述根据示例性实施例的显示设备，并且参考图13至图15描述根据示例性实施例的显示设备的制造方法。参考图16描述在其中图12中的显示设备被封装的示例性实施例。将主要描述与上述图1至图11的区别。
图12是根据本发明的示例性实施例的显示设备的剖视图。
参考图12，与图2的显示设备相比，图12的显示设备不包括无机膜120。当第一基板100由诸如玻璃或无机材料的材料制成时，在显示设备的制造工艺期间，牺牲层容易通过物理力与第一基板100分离。因此，形成无机膜120的步骤被省略，并且从透光区域TA完全地移除缓冲层101和栅绝缘层103。
保留在第二透光区域TA2中的发射层220和公共电极230的剩余部分在显示设备的制造工艺中保留。剩余部分被直接布置在第一基板100上，具有与第一基板100分离的提起形状CF。
除了这些区别之外，以上参考图1和图2描述的示例性实施例的所有特征可以应用于参考图12描述的示例性实施例。因此，其冗余描述被省略。
图13至图15是示出根据本发明的示例性实施例的显示设备的制造方法的剖视图。
参考图13，在以上描述的图3和图4的制造工艺之后，图5的形成无机膜120的工艺被省略，并且可以继续进行图6的形成第一牺牲层109’的工艺。也就是说，与图6相比，在图13中，第一牺牲层109’直接形成在第一透光区域TA1中的第一基板100上。
参考图14，第二牺牲层110’形成在直接形成在第一基板100上的第一牺牲层109’上。
根据示例性实施例，第二牺牲层110’可以直接形成在第一基板100上而不形成第一牺牲层109’。可替代地，第一牺牲层109’可以在图13中被形成，并且发射层220和公共电极230可以直接形成在第一牺牲层109’上而在图14中不形成第二牺牲层110’。
参考图15，牺牲层可以在填充有诸如氮气的非反应性气体的腔室(未示出)中被真空吸附构件20吸附，并且然后可以通过物理力将牺牲层与第一基板100分离。由于第一基板100包括玻璃或无机材料，因此包括有机材料的牺牲层可以容易地与第一基板100分离。通过将牺牲层与第一基板100分离，可以在第一透光区域TA1中暴露第一基板100的上表面。
除了这些区别之外，以上参考图3至图8描述的示例性实施例的所有特征可以应用于参考图13至图15描述的示例性实施例。因此，其冗余描述被省略。
图16是示出在其中图12的显示设备被封装的示例性实施例的剖视图。
参考图16，覆盖显示区域DA和透光区域TA的保护层300被形成，而不从第二透光区域TA2移除发射层220和公共电极230的剩余部分。剩余部分被保护层300封装，并且可以防止水分或异物沿层的边界通过剩余部分渗透。
在示例实施例中，公共电极230可以是反射电极，并且因此，保留在第二透射区域TA2中的发射层220和公共电极230的剩余部分可以用作在显示区域DA与第一透射区域TA1之间的边界处阻挡光的遮光构件。
除了这些区别之外，以上参考图11描述的示例性实施例的所有特征可以应用于参考图16描述的示例性实施例。因此，冗余描述被省略。
参考的附图以及到目前为止公开的本发明的具体描述在本发明中仅仅是例示性的，并且它们用于描述本发明，而不是用于限制权利要求中公开的本发明的含义或范围。因此，本发明所属领域的技术人员可以容易地理解，各种修改和等同实施例是可能的。因此，将基于所附权利要求的技术理念来确定本发明的实质技术保护范围。
虽然关于目前被视为可实施的示例性实施例描述了本发明，但要理解，本发明不限于所公开的实施例，而是相反，旨在覆盖包含于所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。

Claims (10)

1.一种显示设备，包括：
第一基板，包括在其中布置有多个像素的显示区域以及布置在所述显示区域中的透光区域；
层间绝缘层，覆盖所述显示区域并且暴露所述透光区域，所述层间绝缘层的内侧壁限定所述透光区域；以及
无机膜，被直接布置在所述透光区域中的所述第一基板上并且与整个所述透光区域重叠，
其中所述透光区域的尺寸大于所述多个像素中的一个像素的尺寸。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述显示区域包括：
布置在所述第一基板上的缓冲层；以及
布置在所述缓冲层上的晶体管，并且
所述无机膜包括与所述缓冲层相同的材料。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述无机膜的厚度等于所述缓冲层的厚度。
4.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述晶体管包括：
半导体层；
栅电极；以及
栅绝缘层，布置在所述半导体层与所述栅电极之间，并且
所述无机膜的厚度等于所述缓冲层和所述栅绝缘层的整个厚度。
5.根据权利要求1所述的显示设备，进一步包括：
第二基板，覆盖所述显示区域和所述透光区域；以及
封装构件，布置在第二透光区域中并且封装所述显示区域，
其中所述透光区域包括在其中布置有光学构件的第一透光区域和围绕所述第一透光区域的所述第二透光区域。
6.根据权利要求5所述的显示设备，其中，
所述封装构件的下部分与所述第二透光区域中的所述无机膜接触，并且所述封装构件的上部分与所述第二透光区域中的所述第二基板的下表面接触。
7.根据权利要求5所述的显示设备，进一步包括：
穿透所述第一基板、所述无机膜和所述第二基板的孔。
8.根据权利要求1所述的显示设备，进一步包括：
保护层，覆盖所述显示区域和所述透光区域，
其中所述保护层在所述显示区域与所述透光区域之间的边界处封装包括在所述多个像素中的发光元件的侧表面。
9.一种显示设备，包括：
第一基板；
显示区域，包括设置在所述第一基板上的多个像素，所述多个像素中的每个像素包括发光元件，所述发光元件包括像素电极、发射层和公共电极；
透光区域，布置在所述显示区域中，并且包括第一透光区域和围绕所述第一透光区域的第二透光区域；
层间绝缘层，覆盖所述显示区域并且暴露所述透光区域，所述层间绝缘层的内侧壁限定所述透光区域；以及
剩余部分，具有与所述第二透光区域中的所述第一基板分离的提起形状，所述剩余部分包括第一层，所述第一层由与所述公共电极相同的材料形成，并且通过所述层间绝缘层的所述内侧壁与所述公共电极断开。
10.一种显示设备的制造方法，包括：
在包括显示区域和透光区域的第一基板上形成晶体管；
形成覆盖所述显示区域并且暴露所述透光区域的层间绝缘层；
在所述层间绝缘层上形成平坦化绝缘层，其中像素电极通过所述平坦化绝缘层的开口连接到所述晶体管；
形成包括暴露所述像素电极的开口的像素限定层；
在所述透光区域中形成包括有机材料的牺牲层，其中所述牺牲层的侧壁与所述层间绝缘层的内侧壁间隔开；
在所述显示区域和所述透光区域中沉积发射层和公共电极；并且
通过用真空吸附构件拉取所述牺牲层，将所述牺牲层与所述第一基板分离。
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