CN111235534B - 一种工件架及镀膜系统 - Google Patents
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Abstract
本发明属于镀膜技术领域,具体公开了一种工件架及镀膜系统。其中,工件架包括:框体,包括分别位于框体相对两侧的两个隔板和位于框体另一侧且连接于两个隔板间的前挡板,两个隔板和前挡板合围形成开口背离前挡板的容纳腔,前挡板上开设有与容纳腔连通的第一通孔;托盘,用于放置镀膜工件,托盘设置在容纳腔内,且托盘与框体连接。镀膜系统包括反应室,反应室内设置有如上的工件架,且反应室的相对两侧开设有单体进气口和泵抽口,前挡板正对单体进气口设置,容纳腔的开口朝向泵抽口设置。本发明提供的工件架及镀膜系统,可以提高工件架内部的等离子均匀性,提高镀膜效率和镀膜质量,降低镀膜成本。
Description
技术领域
本发明涉及镀膜技术领域,尤其涉及一种工件架及镀膜系统。
背景技术
真空镀膜是一种在高真空环境下,在金属、塑料等工件表面上形成具有所需特性薄膜的一种工艺方法,其被广泛应用于电子设备制造等各个领域,用于改善镀膜工件的物理、化学性能,或使工件表面获得较好的外观美观性。
镀膜系统的镀膜过程通常在封闭的反应室中进行,反应室内部设置电极、工件架、单体进气口和泵抽口。设置在反应室外部的真空泵通过泵抽口对反应室进行抽真空,使反应室保持一定的真空度;单体进气口与单体气体发生装置连通,使镀膜用单体气体进入反应室中;电极通电后产生电场,使单体气体被电离成等离子体并作用于工件架上的工件,对工件表面进行镀膜。
现有技术提供的镀膜系统,为保证反应室始终处于具有一定真空度的环境中,在镀膜过程中,真空泵持续进行抽真空操作。由于单体进气口与泵抽口通常正对设置且两者之间无遮挡,导致从单体进气口进入的单体蒸气容易在未被电离前直接被真空泵吸走,被激发的等离子体也容易在真空泵的作用下直接被抽离反应室,造成气体或等离子体浪费,使镀膜效率较低,且镀膜成本较高;同时,会造成待镀膜工件周围等离子流场均匀性较差,影响镀膜均匀性和镀膜效果。
发明内容
本发明的一个目的在于提供一种工件架,提高镀膜工件周围等离子流场的均匀性,提高镀膜效率,降低镀膜成本。
本发明的另一个目的在于提供一种镀膜系统,提高镀膜效率和镀膜质量,降低镀膜成本。
为实现上述目的,本发明采用下述技术方案:
一种工件架,包括:
框体,包括分别位于所述框体相对两侧的两个隔板和位于所述框体另一侧且连接于两个所述隔板间的前挡板,两个所述隔板和所述前挡板合围形成开口背离所述前挡板的容纳腔,所述前挡板上开设有与所述容纳腔连通的第一通孔;
托盘,用于放置镀膜工件,所述托盘设置在所述容纳腔内,且所述托盘与所述框体连接。
作为一种工件架的优选技术方案,所述框体还包括位于其顶部的顶板,所述顶板上开设有与所述容纳腔连通的第二通孔。
作为一种工件架的优选技术方案,所述框体还包括具有容纳空间的主架体,两个所述隔板分别设置在所述主架体的相对两侧,且所述前挡板设置在所述主架体的另一侧,所述隔板及所述前挡板均与所述主架体可拆卸连接。
作为一种工件架的优选技术方案,所述前挡板为门结构,所述门结构的一侧与所述主架体枢接,所述门结构另一侧通过锁扣组件与所述主架体锁合或解锁。
作为一种工件架的优选技术方案,所述主架体的上端和下端均设置有滑槽,所述隔板上下端与对应的所述滑槽滑动连接。
作为一种工件架的优选技术方案,所述容纳腔内沿高度方向间隔设置有至少两个所述托盘,且所述托盘在所述容纳腔内的高度位置能够调节。
作为一种工件架的优选技术方案,所述托盘靠近所述前挡板的一端与所述前挡板有一定预设距离;和/或所述托盘靠近所述前挡板的一端开设有开口朝向所述前挡板的通口。
作为一种工件架的优选技术方案,所述托盘上间隔设置有多个工作隔口。
作为一种工件架的优选技术方案,所述工件架远离所述前挡板的一侧设置有绝缘限位件,所述绝缘限位件凸出所述框体设置;和/或
所述工件架的底部设置有绝缘垫,所述绝缘垫凸出所述框体底端设置。
一种镀膜系统,,包括反应室,所述反应室内设置有如上所述的工件架,且所述反应室的相对两侧开设有单体进气口和泵抽口,所述前挡板正对所述进气口设置,所述容纳腔的开口朝向所述泵抽口设置。
本发明的有益效果在于:
本发明提供的工件架,当工件架设置在反应室中时,容纳腔的开口朝向泵抽口设置,前挡板朝向单体进气口设置,且两个正电极分别位于两个隔板的外侧。在镀膜过程中,由于前挡板及两个隔板的设置,从单体进气口进入的大部分镀膜用气体由于前挡板的阻挡而向两侧扩散至正电极板所在处,从而使镀膜用气体能够被有效激发成等离子体,提高了镀膜用气体的利用率;且由于工件架与泵抽口之间的间距较小,电离后的等离子体往工件架隔板所在两侧扩散至前挡板处,并从工件架的四周缝隙及前挡板的第一通孔中进入工件架内部,防止等离子体直接从泵抽口被抽走,提高等离子体的利用率,提高镀膜效率;且由于等离子体从工件架四周缝隙及前挡板的第一通孔中进入工件架内部,泵抽口的抽真空所产生的气流主要作用于工件架的容纳腔中,使容纳腔内的流场均匀性提高,从而提高了镀膜效果。
本发明提供的镀膜系统,通过采用上述的工件架,能够提高镀膜效率和镀膜效果,降低镀膜成本。
附图说明
图1为本发明实施例提供的镀膜系统的结构示意图;
图2为本发明实施例提供的工件架的结构示意图;
图3为本发明实施例提供的工件架的拆分结构示意图;
图4为图3中I处的局部放大图;
图5为图3中J处的局部放大图;
图6为图3中K处的局部放大图;
图7为本发明实施例提供的工件架去掉一侧隔板后的结构示意图;
图8为本发明实施例提供的托盘的拆分结构示意图。
图中标记如下:
10-工件架;20-反应室;201-单体进气口;202-泵抽口;30-蒸发装置;40-真空泵;50-正电极;
1-主架体;11-第一支撑杆;12-第二支撑杆;121-底板部;122-第一导向板部;123-第二导向板部;124-滑槽;13-中间隔架;
2-隔板;3-前挡板;31-第一通孔;32-门板;4-顶板;41-第二通孔;5-支撑件;51-第一板部;52-第二板部;
6-托盘;61-支承板部;611-通口;612-隔口;613-插口;62-折边部;621-连接部;63-挡板部;631-插入部;
7-锁扣组件;71-第一固定件;72-第二固定件;721-固定板部;722-限位部;723-第一U型插槽;73-第三固定件;731-第二U型插槽;74-固定轴;741-防脱部;75-连接板;76-门栓;77-限位把手;
8-绝缘垫;9-绝缘限位件;110-绝缘柱。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
在本发明的描述中,除非另有明确的规定和限定,术语“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本实施例的描述中,术语“上”、“下”、“右”、等方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述和简化操作,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅仅用于在描述上加以区分,并没有特殊的含义。
图1为本发明实施例提供的镀膜系统的结构示意图,如图1所示,本发明实施例提供了一种镀膜系统,其包括蒸发装置30、反应室20及真空泵40。蒸发装置30用于将液态物质蒸发成为具有一定温度的单体蒸气。反应室20具有封闭式腔体,其相对的两个腔壁上分别设有单体进气口201和泵抽口202,蒸发装置30通过单体进气口201将单体蒸气输入反应室20中,使单体蒸气作为镀膜用气体。真空泵40通过泵抽口202对反应室20进行抽真空。反应室20内靠近泵抽口202的一端设置有用于放置镀膜工件的工件架10,工件架10的相对两侧分别设置有正电极50,且反应室20的腔壁接地。
镀膜系统的镀膜过程如下:当镀膜工件装载在工件架10上后,启动真空泵40,对反应室20抽真空至反应室20达到镀膜所需预设真空度;正电极50通电,使反应室20内产生电离用电场;单体进气口201打开,达到预设温度的单体蒸气通过单体进气口201进入反应室20中被电离产生等离子体;等离子体作用于工件架10上的工件并对工件进行镀膜。在镀膜过程中,真空泵40持续运行以维持反应室20中的真空状态,单体进气口201持续进气以保证镀膜连续性。
本实施例提供的镀膜系统可以为等离子体增强化学气相沉淀(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition,PECVD)镀膜系统,也可以为采用其他原理进行镀膜的等离子镀膜系统,且镀膜系统可以用于进行防水膜、隔离膜或其他类型薄膜的镀膜加工。可以理解的时,当某些镀膜系统不需要采用蒸发装置30获得镀膜气体时,镀膜系统的蒸发装置30可以被其他气体产生装置替代,如储气罐等。在发明中,蒸发装置30、反应室20、真空泵40等的设置可参考现有技术,此非本发明的重点,本发明仅对工件架10的具体结构进行描述。
图2为本发明实施例提供的工件架10的结构示意图,如图2所示,本实施例提供的工件架10主要包括框体和托盘6,框体用于形成工件架10的整体外形并使工件架10具有足够的结构强度和刚度,其包括分别位于框体相对两侧的两个隔板2和位于框体另一侧且连接于两个隔板2间的前挡板3,两个隔板2和前挡板3合围形成开口背离前挡板3的容纳腔,前挡板3上开设有与容纳腔连通的第一通孔31。托盘6设置在容纳腔内并与主架体1连接,托盘6用于承载镀膜工件。
本实施例提供的工件架10,当工件架10设置在反应室20中时,容纳腔的开口朝向泵抽口202设置,前挡板3朝向单体进气口201设置,且两个正电极50分别位于两个隔板2的外侧。在镀膜过程中,由于前挡板3及两个隔板2的设置,从单体进气口201进入的大部分镀膜用气体由于前挡板3的阻挡而向两侧扩散至正电极50所在处,从而使镀膜用气体能够被有效激发成等离子体,提高了镀膜用气体的利用率;且由于工件架10与泵抽口202之间的间距较小,电离后的等离子体往工件架10隔板2所在两侧扩散至前挡板3处,并从工件架10的四周缝隙及前挡板3的第一通孔31中进入工件架10内部,防止等离子体直接从泵抽口202被抽走,提高等离子体的利用率,提高镀膜效率;且由于等离子体从工件架10四周缝隙及前挡板3的第一通孔31中进入工件架10内部,泵抽口202的抽真空所产生的气流主要作用于工件架10的容纳腔中,使容纳腔内的流场均匀性提高,从而提高了镀膜效果。
具体地,图3为本发明实施例提供的工件架10的拆分结构示意图,如图2和图3所示,框体包括具有容纳空间的主架体1,两个隔板2分别设置在主架体1的相对两侧,且前挡板3设置在主架体1的另一侧,隔板2及前挡板3均与主架体1可拆卸连接。通过设置主架体1,能够提高工件架10的整体结构强度和刚度,且使工件架10易于安装和拆卸。
具体地,主架体1为由多根支撑杆围设形成的六面体结构,支撑杆包括多根竖直设置且形成六面体结构侧棱的第一支撑杆11以及多根水平设置且形成六面体结构顶边和底边的第二支撑杆12,两个隔板2及前挡板3分别位于主架体1的三个侧面上。为提高工件架10的组装和拆卸性能,优选地,相邻两根支撑杆之间采用螺栓等螺纹连接件连接。且为提高主架体1与隔板2及前挡板3之间的连接性能,优选地,每根支撑杆的横截面均为矩形,以保证主架体1每一面的平整性。
进一步地,为增加工件架10内能够同时进行镀膜的工件数量,优选地,工件架10内沿垂直于隔板2的方向并排设置有两个容纳区,每个容纳区内均可设置托盘6。进一步地,主架体1内部设置有矩形的中间隔架13,中间隔架13与隔板2平行设置且位于主架体1的中部,中间隔架13为由两个竖直设置的第一支撑杆11和两个水平设置的第二支撑杆12合围形成的矩形框架,中间隔架13将工件架10内部的容纳腔分隔成为两个容纳区。采用第一支撑杆11和第二支撑杆12合围形成中间隔架13,能够简化主架体1的加工和组装,且能保证对不同容纳区进行物理区分的同时,使两个容纳区连通,从而使等离子在容纳腔内部扩散更为均匀的同时,使大型工件能够跨设两个容纳区设置,提高工件架10的通用性。在其他实施例中,中间隔架13也可以采用板状结构替代。
在本实施例中,优选地,工件架10还包括设置在主架体1顶部的顶板4,顶板4上开设有与容纳腔连通的第二通孔41。通过设置顶板4,能够进一步地使真空泵40作用的范围集中于容纳腔内部,减小真空泵40对未进入容纳腔内等离子体或镀膜用气体的抽吸概率,提高容纳腔内部的流场均匀性,提高镀膜效果。
更进一步地,工件架10对应每个容纳区均设置有一个顶板4,每个顶板4上均开设有第二通孔41。该种设置,能够减小单个顶板4的面积,简化主架体1和顶板4的加工。在其他实施例中,当主架体1的尺寸较小时,主架体1顶部可以仅设置一个顶板4。更为优选地,每个顶板4的四周均与对应的第二支撑杆12螺纹连接,提高工件架10的可拆卸性能及连接稳定性。
进一步地,在本实施例中,前挡板3为门结构,其可通过相对主架体1的开合露出或封闭容纳腔。通过将前挡板3设置成门结构,能够通过门结构的开合,实现从前挡板3所在侧对镀膜工件进行上料或将镀膜工件取出,避免对工件架10进行整体搬运后,再从工件架10相对前挡板3的一侧进行工件上料或取出,提高上料效率,节省相邻两次镀膜所需时间,从而提高镀膜效率。
更为优选地,在本实施例中,门结构为对开式门,其包括两个左右并排设置的门板32,每个门板32远离另一门板32的一侧与主架体1枢接,两个门板32通过锁扣组件7锁合或解锁。进一步地,图4为图3中I处的局部放大图,如图4所示,锁扣组件7包括安装在一个门板32上的第一固定件71、安装在另一门板32上的第二固定件72及门栓76,第一固定件71上凸出设置有与门板32垂直的固定轴74,第二固定件72上开设有开口朝上的第一U型插槽723,门栓76的一端与固定轴74转动连接,使门栓76能够绕固定轴74在竖直平面内转动以使门栓76另一端伸入或脱离第一U型插槽723中。该种形式的锁扣组件7,通过门栓76插入或脱离第一U型插槽723实现两个门板32之间的锁合或解锁,结构简单,易于拆卸且成本较低。
进一步地,第一固定件71为平行门板32的板状结构,其上下两端均与门板32螺纹连接。第二固定件72包括与门板32平行的固定板部721和呈L型结构的限位部722,限位部722的横边与固定板部721垂直连接,限位部722的竖边相对固定板部721平行且间隔设置,即限位部722与固定板部721之间形成上述第一U型插槽723。进一步地,限位部722与固定板部721一体成型,结构简单,加工方便。进一步地,固定板部721的上下两端通过螺纹连接件与门板32可拆卸连接,连接稳定性强。
更进一步地,锁扣组件7还包括第三固定件73,第三固定件73与中间隔架13的第一支撑杆11连接,且第三固定件73上开设有开口朝上的第二U型插槽731。当两个门板32平行设置时,第三固定件73位于两个门板32之间,且第一U型插槽723与第二U型插槽731正对设置。通过设置第三固定件73,当锁扣组件7锁合时,门栓76插入第一U型插槽723和第二U型插槽731中,实现两个门板32之间以及门板32与主架体1之间的稳定连接。优选地,在本实施例中,第三固定件73的结构与第二固定件72结构相同,且第三固定件73通过连接板75与中间隔架13连接。
更进一步地,门栓76为平行前挡板3的板状结构,结构简单,设置方便。更优地,门栓76沿其长度方向开设有长条孔,固定轴74穿设在长条孔中。该种设置,能够使门栓76相对固定轴74水平移动调节门栓76的位置,使门栓76可以仅插入第二U型插槽731中实现其中一个门板32与主架体1的锁合,或使门栓76同时插入第二U型插槽731和第一U型插槽723中实现两个门板32与主架体1的锁合。
为了防止固定轴74脱出门栓76,固定轴74的端部设置有防止固定轴74脱出的防脱部741,且优选地,防脱部741为直径大于固定轴74的圆柱状结构。由于长条孔的设置使门栓76能够相对固定轴74水平移动,为防止门栓76水平移动过程中脱离U型插槽,门栓76远离固定轴74的一端沿远离门板32的方向凸设有限位把手77,限位把手77的设置,一方面防止门栓76水平脱出限位槽,另一方面方便对门栓76进行操作。
可以理解的是,上述提供的锁扣组件7仅为示例性结构,在其他一个实施例中,两个门板32还可以通过其他现有的锁扣结构实现锁合或解锁,本实施例并不对锁扣组件7的具体结构和类型进行限制。在其他另一个实施例中,门结构也可以为仅包含一个门板32的单开门结构,且能实现门板32与主架体1之间的锁扣组件7的结构形式可参考现有技术中的成熟结构,本实施例对此不再进行赘述。
在本实施例中,优选地,隔板2与主架体1滑动连接,以使隔板2可抽拉地设置在主架体1上,提高隔板2与主架体1的组装与拆卸便利性。图5为图3中J处的局部放大图,如图5所示,进一步地,在本实施例中,主架体1对应隔板2所在侧的上下两端均设置有滑槽124,隔板2的上下两端插入对应的滑槽124中并能在滑槽124中滑动。进一步地,为方便滑槽124的开设,对应每个隔板2上下两端处的第二支撑杆12作为隔板2的导轨,导轨包括水平设置的底板部121和垂直凸设在底板部121上表面处的第一导向板部122和第二导向板部123,第一导向板部122和第二导向板部123平行且间隔设置,以使两个导向板部之间形成上述的滑槽124。在其他实施例中,也可以是直接在底板部121上开设凹槽形成滑槽124。
进一步地,位于第一导向板部122两端处的第一支撑杆11的两端均开设有定位槽,定位槽的槽深与第一导向板部122的厚度一致,且第一导向板部122的末端伸入定位槽中,第一导向板部122与定位槽的槽底通过螺纹连接。底板部121与垂直于该导轨的相邻第二支撑杆12通过螺纹连接件连接。即,该种导轨的结构设计,在能够实现滑槽124结构设置的同时,还能够方便地实现其与相邻第一支撑杆11和第二支撑杆12的连接,结构简单,设置方便。
优选地,在本实施例中,隔板2的长度大于导轨的长度,使隔板2与主架体1组装后,隔板2远离前挡板3的一端凸出主架体1,以减小隔板2后端与反应室20后腔壁之间的距离,从而进一步减弱隔板2外侧区域与主架体1后侧区域之间的流通性,从而减小等离子体从泵抽口202直接被抽走的概率。
由于反应室20腔壁接地设置,为保证工件架10与反应室20腔壁之间的绝缘连接,优选地,主架体1底部设置有绝缘垫8。具体地,位于主架体1下端的导轨沿其长度方向间隔设置有至少两个绝缘垫8,该种设置,能够简化其他未作为导轨的第二支撑杆12的结构设置。进一步地,底板部121的下表面开设有限位槽,绝缘垫8上端伸入限位槽中,下端凸出底板部121的下表面。限位槽的设置,能够为绝缘垫8的安装提供定位,同时,能够在增加绝缘垫8厚度的同时,减小绝缘垫8凸出底板部121下表面的高度,提高主架体1的设置平稳性。在本实施例中,绝缘垫8为方块形结构,但可以理解的是,本发明对绝缘垫8的形状并不作具体限制,其还可以为圆形或不规则形状,只要底面平整即可。
在本实施例中,绝缘垫8与底板部121通过沉头螺钉连接,避免沉头螺钉接触反应室腔壁而影响绝缘效果。为进一步避免金属的沉头螺钉影响绝缘垫8的绝缘效果,绝缘垫8的上表面与限位槽的槽底面之间具有间隙,且底板部121对应绝缘垫8的位置设置有绝缘柱110,绝缘柱110沿竖直方向贯通底板部121设置,且下端抵靠在绝缘垫8上,绝缘柱110具有中心通孔,绝缘垫8对应中心通孔的位置开设有贯通孔,且中心通孔与贯通孔的直径相等。更为优选地,绝缘柱110包括沿其轴向设置的第一轴部和第二轴部,第一轴部位于第二轴部上方且直径大于第二轴部的直径,底板部121上开设有直径与第二轴部直径相等的穿孔,第二轴部穿设在穿孔中,且第一轴部位于底板部121上端并与底板部121上表面抵接。
图6为图3中K处的局部放大图,图7为本发明实施例提供的工件架10去掉一侧隔板2后的结构示意图,图8为本发明实施例提供的托盘6的拆分结构示意图,如图6-图8所示,为方便托盘6在主架体1上的取放,主架体1上设置有支撑组件,托盘6可抽拉式地设置在支撑组件上。在其他实施例中,也可以是托盘6直接与主架体1螺纹连接或卡接连接。
进一步地,在本实施例中,支撑组件包括相对且间隔设置的两个支撑件5,每个支撑件5均沿垂直于前挡板3的方向延伸,且每个支撑件5均与对应的第一支撑杆11连接。该种设置,能够在实现对托盘6的支撑的同时,使支撑件5作为托盘6的滑轨,方便托盘6沿平行于隔板2的方向抽拉,减小单个支撑件5的尺寸,增大容纳区内的有效容纳空间,从而增大等离子的活动空间,提高等离子在容纳腔内的均匀性。
进一步优选地,支撑件5包括垂直连接的第一板部51和第二板部52,第一板部51竖直设置且与对应的第一支撑杆11连接,第二板部52水平设置,且一端与第一板部51连接,另一端沿另一支撑件5延伸。该种支撑件5的结构形式简单,设置方便,且方便与主架体1的连接。在其他实施例中,支撑件5还可以采用其他结构形式,如具有矩形横截面的长条杆状结构。
优选地,每个容纳区均沿高度方向间隔设置有多个支撑组件,以实现对多个托盘6的取放,增加工件架10能容纳的镀膜工件个数,提高镀膜效率。更为优选地,每个支撑组件在容纳腔内的高度位置可调,从而能够通过调节相邻两个支撑组件之间的间距,调节相邻两个托盘6之间的间距,使工件架10能够兼容不同尺寸的工件的放置,提高工件架10内部的空间利用率,提高工件架10的通用性。
具体地,在本实施例中,第一板部51对应第一支撑杆11的位置开设有第一连接孔,第一支撑杆11沿其高度方向间隔开设有至少两个第二连接孔,支撑件5与第一支撑杆11通过穿设在第一连接孔和第二连接孔中的螺纹连接件连接,且能够通过选择与第一连接孔正对的第二连接孔调节支撑件5在第一支撑杆11的连接位置,从而调节支撑件5在容纳腔内部的高度。其中,第一连接孔和第二连接孔中的一个为螺纹孔,另一个为通孔。在其他一个实施例中,也可以是在第一支撑杆11对应第一连接孔的位置开设有长条状的第二连接孔来调节支撑件5在第一支撑杆11上的连接高度。在其他另一个实施例中,还可以采用现有的高度调节结构和方法实现支撑件5在第一支撑杆11上的高度调节,本实施例不再一一进行赘述。
在本实施例中,每个容纳区内沿高度方向设置有四个支撑组件,在其他实施例中,每个容纳区内的支撑组件的个数可以为两个、三个或更多个,且两个容纳区中支撑组件的个数可以相同,也可以不同,两个容纳区中的支撑组件的位置设置可以一一对应,也可以错位设置,本实施例对此不做具体限制。
托盘6包括矩形板状的支承板部61,支承板部61的相邻三侧向上垂直弯折形成有折边部62,三个折边部62形成开口朝向机门的U型结构,使镀膜工件能够通过该U型结构的开口推入托盘6的支承板部61上,且折边部62能防止镀膜工件从托盘6上掉落,提高镀膜工件在托盘6上的设置稳定性。
在本实施例中,优选地,当前挡板3处于关闭状态时,托盘6朝向前挡板3的一端距离前挡板3预设距离,从而使托盘6与前挡板3间存在能够供等离子通过的通道,提高等离子在容纳腔内的扩散均匀性,防止容纳腔内部出现流场断层。更为优选地,支承板部61朝向前挡板3的一端开设有开口朝向前挡板3的通口611,能够增大等离子体在托盘6与前挡板3之间的活动空间,从而使等离子体能够更好地进入容纳区的每一层中,进一步地提高容纳腔内的等离子均匀性。
在本实施例中,支承板部61上开设有多个间隔设置的隔口612,用于对小型镀膜工件进行分区放置,并使等离子通过隔口612更好地作用于镀膜工件周围。在本实施例中,隔口612的数量为四个,且四个隔口612呈“田”字型设置。在其他实施例中,隔口612的数量和在支承板部61上的排布方式可以根据工件大小进行具体设置。
更为优选,在本实施例中,相邻两列隔口612之间设置有挡板部63,挡板部63优选沿垂直于前挡板3的方向设置,以避免挡板部63的设置阻碍镀膜工件在托盘6上的抽拉。更进一步地,挡板部63与支承板部61可拆卸连接,以使镀膜工件较大时可以横跨多个工作隔口612设置。进一步地,支承板部61上开设有插口613,挡板部63的下端凸设有插入部631,插入部631插入插口613中,并与插口613过盈配合,该种可拆卸连接方式拆卸简单、设置方便。在其他实施例中,支承板部61与挡板部63也可以通过卡接或螺纹连接的方式连接。且在本实施例中,支承板部61的插口613间隔设置有两个,提高插接平稳性,在其他实施例中,插口613可以沿挡板部63的长度方向间隔设置有三个或更多个。
在本实施例中,优选地,与前挡板3垂直的一侧或两侧折边部62的一端或两端向外垂直弯折形成有连接部621,连接部621与对应的第一支撑杆11连接。连接部621的设置,用于对托盘6在容纳腔内部设置位置进行定位,同时,提高托盘6在工件架10内部的设置稳定性。
在本实施例中,优选地,工件架10远离前挡板3的一侧设置有绝缘限位件9,绝缘限位件9凸出主架体1和隔板2后边缘设置,以防止工件架10推入反应室20中时,工件架10与反应室20腔体侧壁接触而导致工件架10导电,同时对工件架10与反应室20腔体侧壁之间的碰撞进行缓冲。在本实施例中,绝缘限位件9设置在主架体1的顶部,且绝缘限位件9沿垂直于隔板2的方向间隔设置两个,在其他实施例中,绝缘限位件9的设置位置和个数可以根据需求自行设置。
注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (8)
1.一种镀膜系统,其特征在于,包括反应室(20),所述反应室(20)内设置有工件架,且所述反应室(20)的相对两侧开设有单体进气口(201)和泵抽口(202);
所述工件架包括:
框体,包括分别位于所述框体相对两侧的两个隔板(2)和位于所述框体另一侧且连接于两个所述隔板(2)间的前挡板(3),两个所述隔板(2)和所述前挡板(3)合围形成开口背离所述前挡板(3)的容纳腔,所述前挡板(3)上开设有与所述容纳腔连通的第一通孔(31),所述框体还包括位于其顶部的顶板(4),所述顶板(4)上开设有与所述容纳腔连通的第二通孔(41);
托盘(6),用于放置镀膜工件,所述托盘(6)设置在所述容纳腔内,且所述托盘(6)与所述框体连接;
所述前挡板(3)正对所述单体进气口(201)设置,所述容纳腔的开口朝向所述泵抽口(202)设置,两个所述隔板(2)的两外侧设置有正电极(50),所述反应室(20)的腔壁接地。
2.根据权利要求1所述的镀膜系统,其特征在于,所述框体还包括具有容纳空间的主架体(1),两个所述隔板(2)分别设置在所述主架体(1)的相对两侧,且所述前挡板(3)设置在所述主架体(1)的另一侧,所述隔板(2)及所述前挡板(3)均与所述主架体(1)可拆卸连接。
3.根据权利要求2所述的镀膜系统,其特征在于,所述前挡板(3)为门结构,所述门结构的一侧与所述主架体(1)枢接,所述门结构另一侧通过锁扣组件(7)与所述主架体(1)锁合或解锁。
4.根据权利要求2所述的镀膜系统,其特征在于,所述主架体(1)的上端和下端均设置有滑槽(124),所述隔板(2)的上下两端与对应的所述滑槽(124)滑动连接。
5.根据权利要求1-4任一项所述的镀膜系统,其特征在于,所述容纳腔内沿高度方向间隔设置有至少两个所述托盘(6),且所述托盘(6)在所述容纳腔内的高度位置能够调节。
6.根据权利要求1-4任一项所述的镀膜系统,其特征在于,所述托盘(6)靠近所述前挡板(3)的一端与所述前挡板(3)有一定预设距离;和/或所述托盘(6)靠近所述前挡板(3)的一端开设有开口朝向所述前挡板(3)的通口(611)。
7.根据权利要求1-4任一项所述的镀膜系统,其特征在于,所述托盘(6)上间隔设置有多个隔口(612)。
8.根据权利要求1-4任一项所述的镀膜系统,其特征在于,所述工件架远离所述前挡板(3)的一侧设置有绝缘限位件(9),所述绝缘限位件(9)凸出所述框体设置;和/或
所述工件架的底部设置有绝缘垫(8),所述绝缘垫(8)凸出所述框体底端设置。
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6972071B1 (en) * | 1999-07-13 | 2005-12-06 | Nordson Corporation | High-speed symmetrical plasma treatment system |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6972071B1 (en) * | 1999-07-13 | 2005-12-06 | Nordson Corporation | High-speed symmetrical plasma treatment system |
CN201686741U (zh) * | 2010-05-12 | 2010-12-29 | 上海子创镀膜技术有限公司 | 分子泵结构镀膜用单元式真空室 |
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CN207552440U (zh) * | 2017-11-01 | 2018-06-29 | 江西省亚华电子材料有限公司 | 一种真空镀膜机的充抽气系统 |
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