CN111189852A - 一种晶圆的刮伤及破片的分析方法及系统 - Google Patents
一种晶圆的刮伤及破片的分析方法及系统 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111189852A CN111189852A CN201811349876.1A CN201811349876A CN111189852A CN 111189852 A CN111189852 A CN 111189852A CN 201811349876 A CN201811349876 A CN 201811349876A CN 111189852 A CN111189852 A CN 111189852A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wafer
- position data
- contact point
- abnormal
- measuring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000012634 fragment Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims abstract description 122
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 49
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 49
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 36
- 238000006748 scratching Methods 0.000 claims description 17
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 claims description 17
- 241000669069 Chrysomphalus aonidum Species 0.000 claims description 11
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 claims description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 description 1
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
- G01N21/95607—Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B21/00—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
本发明公开一种晶圆的刮伤及破片的分析方法及系统，所述晶圆的刮伤及破片的分析方法包括：量测晶圆在晶圆传送站点的接触点位置数据；量测晶圆上的实际异常位置数据；比对所述晶圆上的实际异常位置数据与所述接触点位置数据，获得比对结果；基于所述比对结果，确认出异常的传送机台及传送机构。本发明能够快速有效地分析出可能异常的传送机台及传送机构，能够快速地排除异常，大大地减少了异常机台对产品造成的报废，提高产品良率，而且本分析方法无需每个机台一一确认，省时省力，节约生产成本。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路制造异常分析技术领域，特别是涉及一种晶圆的刮伤及破片的分析方法及系统。
背景技术
在相关技术中，集成电路制造过程中，晶圆量测机台发现异常图形时，需确认至前一量测站点中间制造流程中经过的所有机台是否有异常，这需要每个机台一一确认，比较费时费力。
相关技术中机台传送异常的检测方式为针对传送路径一个一个的检测，并比对传送机构的特殊尺寸，比较是否有符合或接近的异常图形，如果遇到突然发生的异常将会无法及时发现此异常，造成严重的损失。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种晶圆的刮伤及破片的分析方法及系统，用于解决现有技术中需要每个机台一一确认，费时费力，无法及时地发现异常的传送机构的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种晶圆的刮伤及破片的分析方法，包括：
量测晶圆在晶圆传送站点的接触点位置数据；
量测晶圆上的实际异常位置数据；
比对所述晶圆上的实际异常位置数据与所述接触点位置数据，获得比对结果；
基于所述比对结果，确认出异常的传送机台及异常的传送机构。
作为本发明的一种实现方案，所述量测晶圆在晶圆传送站点的接触点位置数据的步骤包括：
量测晶圆在至少一个所述传送站点的接触点的平面位置数据；
量测晶圆在至少一个所述传送站点的接触点的角度数据。
作为本发明的一种实现方案，所述量测晶圆上的实际异常位置数据的步骤包括：
采用距离测量工具量测晶圆上的实际异常位置的平面位置数据；
采用角度测量工具量测晶圆上的实际异常位置的角度数据。
作为本发明的一种实现方案，所述比对所述晶圆上的实际异常位置数据与所述接触点位置数据，获得比对结果的步骤包括：
存储所述晶圆在晶圆传送站点的接触点位置数据；
比对所述晶圆上的实际异常位置数据与所述接触点位置数据，获得所述晶圆上的实际异常位置数据与所述接触点位置数据的相似概率。
作为本发明的一种实现方案，所述基于所述比对结果，确认出异常的传送机台及异常的传送机构的步骤包括：
分析所述晶圆上的实际异常位置数据与所述接触点位置数据的相似概率，选取相似概率最大的接触点位置数据；
根据所述相似概率最大的接触点位置数据，确认出异常的传送机台及传送机构。
为实现上述目的，本发明还提供一种晶圆的刮伤及破片的分析系统，包括：
接触点测量装置，用于量测晶圆在晶圆传送站点的接触点位置数据和晶圆上的实际异常位置数据；以及
分析系统，用于比对所述晶圆上的实际异常位置数据与所述接触点位置数据，获得比对结果，以及基于所述比对结果，确认出异常的传送机台及异常的传送机构。
作为本发明的一种实现方案，所述接触点测量装置包括距离测量工具和角度测量工具；所述距离测量工具用于量测晶圆在至少一个所述传送站点的接触点的平面位置数据以及晶圆上的实际异常位置的平面位置数据，所述角度测量工具用于量测晶圆在至少一个所述传送站点的接触点的角度数据以及晶圆上的实际异常位置的角度数据。
作为本发明的一种实现方案，所述分析系统包括：
数据库单元，用于存储所述晶圆在晶圆传送站点的接触点位置数据；
比对单元，用于比对所述晶圆上的实际异常位置数据与所述接触点位置数据，获得所述晶圆上的实际异常位置数据与所述接触点位置数据的相似概率；
分析单元，用于分析所述晶圆上的实际异常位置数据与所述接触点位置数据的相似概率，选取相似概率最大的接触点位置数据；
异常位置输出单元，用于根据所述相似概率最大的接触点位置数据，确认出异常的传送机台及传送机构。
作为本发明的一种实现方案，所述距离测量工具包括透明介质，以及以所述透明介质的中心为中心等间距设置的圆形刻度；所述角度测量工具包括透明介质，以及以所述透明介质的中心为中心等角度分布的圆周。
作为本发明的一种实现方案，所述等间距设置的圆形刻度为间隔一预设间距设置的圆形刻度，所述预设间距是介于1mm与6mm之间；所述等角度分布的圆周为间隔一预设角度分布的圆周，所述预设角度是介于1°与10°之间。
如上所述，本发明提供的一种晶圆的刮伤及破片的分析方法包括：量测晶圆在晶圆传送站点的接触点位置数据；量测晶圆上的实际异常位置数据；比对所述晶圆上的实际异常位置数据与所述接触点位置数据，获得比对结果；基于所述比对结果，确认出异常的传送机台及传送机构。本发明能够快速有效地分析出可能异常的传送机台及传送机构，能够快速地排除异常，大大地减少了异常机台对产品造成的报废，提高产品良率，而且本分析方法无需每个机台一一确认，省时省力，节约生产成本。
本发明的晶圆的刮伤及破片的分析系统包括接触点测量装置和分析系统，所述接触点测量装置包括距离测量工具和角度测量工具，所述分析系统包括数据库单元、比对单元、分析单元、异常位置输出单元。所述接触点测量装置能够准确地量测出晶圆在晶圆传送站点的接触点位置数据和晶圆上的实际异常位置数据，所述分析系统能够准确分析并确认出异常的传送机台及异常的传送机构，能够快速地排除异常，大大地减少了异常机台造成的晶圆报废，而且本晶圆的刮伤及破片的分析系统的结构简单，分析准确且速度快。
本发明的分析方法及系统简单高效，具有较强的通用性和实用性。
附图说明
图1示出为本发明的一种晶圆的刮伤及破片的分析方法的流程图。
图2示出为本发明的一种晶圆的刮伤及破片的分析方法的流程图。
图3示出为本发明的一种晶圆的刮伤及破片的分析方法的流程图。
图4示出为本发明的一种晶圆的刮伤及破片的分析方法的流程图。
图5示出为本发明的一种晶圆的刮伤及破片的分析方法的流程图。
图6示出为本发明的一种晶圆的刮伤及破片的分析系统的一种结构示意图。
图7示出为本发明的一种动态传送机构的各接触点的位置结构示意图。
图8示出为本发明的再一种动态传送机构的各接触点的位置结构示意图。
图9示出为本发明的再一种动态传送机构的各接触点的位置结构示意图。
图10示出为本发明的一种静态传送机构的各接触点的位置结构示意图。
图11示出为本发明的再一种静态传送机构的各接触点的位置结构示意图。
图12示出为本发明的角度测量工具的结构示意图。
图13示出为本发明的距离测量工具的结构示意图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。
需要说明的是，以下实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
具体地，请参阅图1，图1示出为本发明的一种晶圆的刮伤及破片的分析方法的流程图，所述晶圆的刮伤及破片的分析方法，包括：
S1、量测晶圆在晶圆传送站点的接触点位置数据；
S2、量测晶圆上的实际异常位置数据；
S3、比对所述晶圆上的实际异常位置数据与所述接触点位置数据，获得比对结果；
S4、基于所述比对结果，确认出异常的传送机台及异常的传送机构。
具体的，步骤S1中的传送站点为集成电路制造过程中的相应制程站点，例如：物理气相沉积站点、化学气相沉积站点、光刻站点、蚀刻站点等站点。所述传送站点可以为一个或多个，所述传送站点包括至少一个传送机台，所述传送机台包括至少一个传送机构，所述传送机构包括：动态传送机构和静态传送机构。例如，所述传送机构可以为：大气传输模块机械手臂(ATM robot，Atmosphere Transfer Module robot)、真空传输模块机械手臂(VTMrobot，Vacuum Transfer Module robot)、气闸室(Airlock)、暂存区(Buffer station)、冷却平台(Cooling stage)、承载台(Load port)、顶针(Lift pin)等。
在一个示例性实施例中，步骤S1中的所述接触点位置数据为至少一个接触点位置数据。具体地，请参阅图2，图2示出为本发明的一种晶圆的刮伤及破片的分析方法的流程图，其中，步骤S1中的所述量测晶圆在晶圆传送站点上的接触点位置数据的步骤包括：
S11、量测晶圆在至少一个所述传送站点的接触点的平面位置数据；
S12、量测晶圆在至少一个所述传送站点的接触点的角度数据。
具体的，所述传送站点的接触点的平面位置数据包括：至少一个传送机构上的接触点的平面位置数据；所述传送站点的接触点的角度数据包括：至少一个传送机构上的接触点的角度数据。
具体的，所述平面位置指的是所述传送机构上的接触点距离晶圆中心的水平距离和竖直距离；所述角度指的是所述传送机构上的接触点与晶圆中心点所构成的直线与通过晶圆中心点的水平线之间的夹角。
具体的，请参阅图12和图13，图12示出为本发明的角度测量工具的结构示意图，图13示出为本发明的距离测量工具的结构示意图。
所述距离测量工具和所述角度测量工具可以分别放置于所述传送机构上的接触点，以量测传送站点中的所述传送机构的接触点位置数据，以得到传送机构上的接触点在晶圆上的位置数据。
具体的，由于量测工具是根据晶圆尺寸大小制作而成，因此，所述距离测量工具和角度测量工具量测得到的传送站点的所述接触点位置数据就是传送机构上的接触点在晶圆上的位置数据。
继续参照图12和图13，所述距离测量工具包括透明介质，以及以所述透明介质的中心为中心等间距设置的圆形刻度。所述角度角度量测工具包括透明介质，以及以所述透明介质的中心为中心等角度分布的圆周。
具体的，所述透明介质可以为亚克力，具体为聚甲基丙烯酸甲酯。
具体的，继续参照图12和图13，例如，所述距离测量工具和所述角度测量工具可以直径为300mm的晶圆量测专用工具。所述距离测量工具和角度量测工具的直径不限于300mm，也可以设置为其它尺寸，可以为200mm，210mm，220mm，230mm，240mm，250mm，280mm，290mm，350mm等。本发明对此不做限定。
所述等间距设置的圆形刻度为间隔一预设间距设置的圆形刻度，所述预设间距是介于1mm与6mm之间。例如，所述预设间距可以为1mm、2mm、3mm、4mm、5mm或6mm。所述预设间距根据测量精准度需求，本发明对此不做限定。
所述等角度分布的圆周为间隔一预设角度分布的圆周，所述预设角度是介于1°与10°之间。例如，所述预设角度可以为1°、3°、5°、7°、9°或10°。所述预设角度根据测量精准度需求，本发明对此不做限定。
在一示例性实施例中，所述等间距设置的圆形刻度可以为间隔5mm设置的圆形刻度，所述等角度分布的圆周可以为间隔3°分布的圆周。
在一个示例性实施例中，图7示出为本发明的一种动态传送机构的各接触点的位置结构示意图。角度测量工具1放置于在动态传送机构2上，所述角度量测工具1设置有切口部3，所述切口部3的位置与晶圆位于所述动态传送机构上的切口部位置相同，通过角度测量工具的切口部的角度量测，可以得到所述晶圆位于所述动态传送机构上的切口部的角度位置，由图3可以看出，所述切口部3的角度为347°。
在一个示例性实施例中，图8示出为本发明的再一种动态传送机构的各接触点的位置结构示意图，由图8可以看出，动态传送机构的一个接触点距离晶圆底部竖直边缘的距离为176mm，动态传送机构的另一个接触点距离晶圆底部切口部竖直边缘的距离为195mm，动态传送机构的接触点位置的水平间距分别为125mm、135mm。
在一个示例性实施例中，图9示出为本发明的再一种动态传送机构的各接触点的位置结构示意图，由图9可以看出，动态传送机构的一个接触点距离晶圆底部竖直边缘的距离为213mm，动态传送机构的另一个接触点距离晶圆底部切口部竖直边缘的距离为220mm，动态传送机构的接触点位置水平间距为90mm。
在一个示例性实施例中，图10示出为本发明的一种静态传送机构的各接触点的位置结构示意图。图10给出了3个接触点的具体位置关系，第一个接触点距离晶圆的顶部竖直边缘的距离为6mm，角度为90°，第二个接触点距离晶圆的顶部竖直边缘的距离为163mm，角度为135°，第三个接触点距离晶圆的顶部竖直边缘的距离为105mm，角度为135°。
在一个示例性实施例中，图11示出为本发明的再一种静态传送机构的各接触点的位置结构示意图。图11给出了3个接触点的具体位置关系，3个接触点的连线构成了例如等边三角形，接触点之间的直线距离为162mm。
具体地，请参阅图3，图3示出为本发明的一种晶圆的刮伤及破片的分析方法的流程图，其中，步骤S2中的所述量测晶圆上的实际异常位置数据的步骤包括：
S21、采用距离测量工具量测晶圆上的实际异常位置的平面位置数据；
S22、采用角度测量工具量测晶圆上的实际异常位置的角度数据。
在一个示例性实施例中，将距离测量工具和角度测量工具放置于待量测异常晶圆上，以量测出晶圆上的实际异常位置的角度数据和平面位置数据。参照图12和图13，通过角度测量工具量测出晶圆上的实际异常位置的角度数据，其中一个异常位置的角度数据为180°，另一个异常位置的角度数据为270°。通过距离测量工具量量测出晶圆上的实际异常位置的平面位置数据，其中一个异常位置距离晶圆中心的水平距离为120mm，竖直距离位0mm；另一个异常位置距离晶圆中心的水平距离为0mm，竖直距离位60mm。本实施例中晶圆上的异常位置数量只是作为示例性示出，本发明对此不做限定。
具体地，请参阅图4，图4示出为本发明的一种晶圆的刮伤及破片的分析方法的流程图，其中，步骤S3中的所述比对所述晶圆上的实际异常位置数据与所述接触点位置数据，获得比对结果的步骤包括：
S31、存储所述晶圆在晶圆传送站点的接触点位置数据；
S32、比对所述晶圆上的实际异常位置数据与所述接触点位置数据，获得所述晶圆上的实际异常位置数据与所述接触点位置数据的相似概率。
具体的，步骤S31中所述存储所述晶圆在晶圆传送站点的接触点位置数据包括：存储传送机台种类数据和存储晶圆在晶圆传送机构上的接触点位置数据。例如，可以通过数据库单元存储多个传送机台种类数据以及多个传送机构上的接触点位置数据，例如存储50台的传送机台种类数据、80台的传送机台种类数据、100台的传送机台种类数据，以及50个传送机构的接触点位置数据、80个传送机构的接触点位置数据、100个传送机构的接触点位置数据。
具体地，请参阅图5，图5示出为本发明的一种晶圆的刮伤及破片的分析方法的流程图，其中，步骤S4中的所述基于所述比对结果，确认出异常的传送机台及异常的传送机构的步骤包括：
S41、分析所述晶圆上的实际异常位置数据与所述接触点位置数据的相似概率，选取相似概率最大的接触点位置数据；
S42、根据所述相似概率最大的接触点位置数据，确认出异常的传送机台及传送机构。
本发明提供的一种晶圆的刮伤及破片的分析方法包括：量测晶圆在晶圆传送站点的接触点位置数据；量测晶圆上的实际异常位置数据；比对所述晶圆上的实际异常位置数据与所述接触点位置数据，获得比对结果；基于所述比对结果，确认出异常的传送机台及传送机构。本发明能够快速有效地分析出可能异常的传送机台及传送机构，能够快速地排除异常，大大地减少了异常机台对产品造成的报废，提高产品良率，而且本分析方法无需每个机台一一确认，省时省力，节约生产成本。
具体地，请参阅图6，图6示出为本发明的一种晶圆的刮伤及破片的分析系统的一种结构示意图，所述一种晶圆的刮伤及破片的分析系统100，包括：
接触点测量装置10，用于量测晶圆在晶圆传送站点的接触点位置数据和晶圆上的实际异常位置数据；以及
分析系统20，用于比对所述晶圆上的实际异常位置数据与所述接触点位置数据，获得比对结果，以及基于所述比对结果，确认出异常的传送机台及异常的传送机构。
所述接触点测量装置10包括距离测量工具11和角度测量工具12；所述距离测量工具11用于量测晶圆在至少一个所述传送站点的接触点的平面位置数据以及晶圆上的实际异常位置的平面位置数据，所述角度测量工具12用于量测晶圆在至少一个所述传送站点的接触点的角度数据以及晶圆上的实际异常位置的角度数据。
所述分析系统20包括数据库单元21、比对单元22、分析单元23、异常位置输出单元24，其中，
数据库单元21，用于存储所述晶圆在晶圆传送站点的接触点位置数据；
比对单元22，用于比对所述晶圆上的实际异常位置数据与所述接触点位置数据，获得所述晶圆上的实际异常位置数据与所述接触点位置数据的相似概率；
分析单元23，用于分析所述晶圆上的实际异常位置数据与所述接触点位置数据的相似概率，选取相似概率最大的接触点位置数据；
异常位置输出单元24，用于根据所述相似概率最大的接触点位置数据，确认出异常的传送机台及传送机构。
具体的，所述数据库单元21包括具有存储功能的数据库。
例如，所述数据库单元21预先存储多个传送机台种类数据以及多个传送机构上的接触点位置数据，例如存储50台的传送机台种类数据、80台的传送机台种类数据、100台的传送机台种类数据，以及50个传送机构的接触点位置数据、80个传送机构的接触点位置数据、100个传送机构的接触点位置数据。
所述比对单元22，用于接收来自所述数据库单元21的所述晶圆在晶圆传送站点的接触点位置数据，以及接收来自距离测量工具11和角度测量工具12的所述晶圆上的实际异常位置数据。
所述分析单元23选取相似概率最大的接触点位置数据，对相似概率最大的接触点位置数据进行排名，排名的顺序按照由高到低的顺序进行排名，最终由所述异常位置输出单元24确认出异常的传送机台及传送机构。
所述比对单元22与所述数据库单元21之间可建立有线或无线的通信连接。
所述分析单元23与所述比对单元22之间可建立有线或无线的通信连接。
所述异常位置输出单元24与所述分析单元23之间可建立有线或无线的通信连接。
在一些实施例中，比对单元22、分析单元23、以及异常位置输出单元24可例如整合于一个或多个的计算机或处理芯片中。
综上所述，本发明提供的一种晶圆的刮伤及破片的分析系统包括接触点测量装置10和分析系统20，所述接触点测量装置10包括距离测量工具11和角度测量工具12，所述分析系统20包括数据库单元21、比对单元22、分析单元23、异常位置输出单元24。所述接触点测量装置10能够准确地量测出晶圆在晶圆传送站点的接触点位置数据和晶圆上的实际异常位置数据，所述分析系统20能够准确分析并确认出异常的传送机台及异常的传送机构，能够快速地排除异常，大大地减少了异常机台造成的晶圆报废，而且本晶圆的刮伤及破片的分析系统的结构简单，分析准确且速度快。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (10)
1.一种晶圆的刮伤及破片的分析方法，其特征在于，包括：
量测晶圆在晶圆传送站点的接触点位置数据；
量测晶圆上的实际异常位置数据；
比对所述晶圆上的实际异常位置数据与所述接触点位置数据，获得比对结果；
基于所述比对结果，确认出异常的传送机台及异常的传送机构。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆的刮伤及破片的分析方法，其特征在于，所述量测晶圆在晶圆传送站点的接触点位置数据的步骤包括：
量测晶圆在至少一个所述传送站点的接触点的平面位置数据；
量测晶圆在至少一个所述传送站点的接触点的角度数据。
3.根据权利要求2所述的一种晶圆的刮伤及破片的分析方法，其特征在于，所述量测晶圆上的实际异常位置数据的步骤包括：
采用距离测量工具量测晶圆上的实际异常位置的平面位置数据；
采用角度测量工具量测晶圆上的实际异常位置的角度数据。
4.根据权利要求3所述的一种晶圆的刮伤及破片的分析方法，其特征在于，所述比对所述晶圆上的实际异常位置数据与所述接触点位置数据，获得比对结果的步骤包括：
存储所述晶圆在晶圆传送站点的接触点位置数据；
比对所述晶圆上的实际异常位置数据与所述接触点位置数据，获得所述晶圆上的实际异常位置数据与所述接触点位置数据的相似概率。
5.根据权利要求4所述的一种晶圆的刮伤及破片的分析方法，其特征在于，所述基于所述比对结果，确认出异常的传送机台及异常的传送机构的步骤包括：
分析所述晶圆上的实际异常位置数据与所述接触点位置数据的相似概率，选取相似概率最大的接触点位置数据；
根据所述相似概率最大的接触点位置数据，确认出异常的传送机台及传送机构。
6.一种晶圆的刮伤及破片的分析系统，其特征在于，包括：
接触点测量装置，用于量测晶圆在晶圆传送站点的接触点位置数据和晶圆上的实际异常位置数据；以及
分析系统，用于比对所述晶圆上的实际异常位置数据与所述接触点位置数据，获得比对结果，以及基于所述比对结果，确认出异常的传送机台及异常的传送机构。
7.根据权利要求6所述的一种晶圆的刮伤及破片的分析系统，其特征在于：所述接触点测量装置包括距离测量工具和角度测量工具；所述距离测量工具用于量测晶圆在至少一个所述传送站点的接触点的平面位置数据以及晶圆上的实际异常位置的平面位置数据，所述角度测量工具用于量测晶圆在至少一个所述传送站点的接触点的角度数据以及晶圆上的实际异常位置的角度数据。
8.根据权利要求7所述的一种晶圆的刮伤及破片的分析系统，其特征在于，所述分析系统包括：
数据库单元，用于存储所述晶圆在晶圆传送站点的接触点位置数据；
比对单元，用于比对所述晶圆上的实际异常位置数据与所述接触点位置数据，获得所述晶圆上的实际异常位置数据与所述接触点位置数据的相似概率；
分析单元，用于分析所述晶圆上的实际异常位置数据与所述接触点位置数据的相似概率，选取相似概率最大的接触点位置数据；
异常位置输出单元，用于根据所述相似概率最大的接触点位置数据，确认出异常的传送机台及传送机构。
9.根据权利要求7所述的一种晶圆的刮伤及破片的分析系统，其特征在于：所述距离测量工具包括透明介质，以及以所述透明介质的中心为中心等间距设置的圆形刻度；所述角度测量工具包括透明介质，以及以所述透明介质的中心为中心等角度分布的圆周。
10.根据权利要求9所述的一种晶圆的刮伤及破片的分析系统，其特征在于：所述等间距设置的圆形刻度为间隔一预设间距设置的圆形刻度，所述预设间距是介于1mm与6mm之间；所述等角度分布的圆周为间隔一预设角度分布的圆周，所述预设角度是介于1°与10°之间。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811349876.1A CN111189852A (zh) | 2018-11-14 | 2018-11-14 | 一种晶圆的刮伤及破片的分析方法及系统 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811349876.1A CN111189852A (zh) | 2018-11-14 | 2018-11-14 | 一种晶圆的刮伤及破片的分析方法及系统 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111189852A true CN111189852A (zh) | 2020-05-22 |
Family
ID=70705122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811349876.1A Pending CN111189852A (zh) | 2018-11-14 | 2018-11-14 | 一种晶圆的刮伤及破片的分析方法及系统 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111189852A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114334763A (zh) * | 2021-12-17 | 2022-04-12 | 北京京仪自动化装备技术股份有限公司 | 晶圆传送系统 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0201205A1 (en) * | 1985-04-24 | 1986-11-12 | Prometrix Corporation | Apparatus and methods for semiconductor wafer testing |
| US20050179460A1 (en) * | 2004-02-17 | 2005-08-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for testing semiconductor device chip wafer |
| CN102130030A (zh) * | 2010-01-18 | 2011-07-20 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 硅片机械划伤情况的检测方法 |
| CN102738029A (zh) * | 2011-03-30 | 2012-10-17 | 胜高股份有限公司 | 检测特定缺陷的方法和用于检测特定缺陷的系统和程序 |
| TW201310561A (zh) * | 2011-08-30 | 2013-03-01 | Rexchip Electronics Corp | 晶圓缺陷分析及缺陷原因的尋找方法 |
| CN107679706A (zh) * | 2017-09-11 | 2018-02-09 | 中航（重庆）微电子有限公司 | 晶圆缺角统计查询方法及基于其的问题站点查找方法 |
| WO2018073826A1 (en) * | 2016-10-22 | 2018-04-26 | Lapidot Matan | Mobile inspection system for the detection of defect occurrence and location |
-
2018
- 2018-11-14 CN CN201811349876.1A patent/CN111189852A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0201205A1 (en) * | 1985-04-24 | 1986-11-12 | Prometrix Corporation | Apparatus and methods for semiconductor wafer testing |
| US20050179460A1 (en) * | 2004-02-17 | 2005-08-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for testing semiconductor device chip wafer |
| CN102130030A (zh) * | 2010-01-18 | 2011-07-20 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 硅片机械划伤情况的检测方法 |
| CN102738029A (zh) * | 2011-03-30 | 2012-10-17 | 胜高股份有限公司 | 检测特定缺陷的方法和用于检测特定缺陷的系统和程序 |
| TW201310561A (zh) * | 2011-08-30 | 2013-03-01 | Rexchip Electronics Corp | 晶圓缺陷分析及缺陷原因的尋找方法 |
| WO2018073826A1 (en) * | 2016-10-22 | 2018-04-26 | Lapidot Matan | Mobile inspection system for the detection of defect occurrence and location |
| CN107679706A (zh) * | 2017-09-11 | 2018-02-09 | 中航（重庆）微电子有限公司 | 晶圆缺角统计查询方法及基于其的问题站点查找方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114334763A (zh) * | 2021-12-17 | 2022-04-12 | 北京京仪自动化装备技术股份有限公司 | 晶圆传送系统 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8225683B2 (en) | Wafer bow metrology arrangements and methods thereof | |
| US9360773B2 (en) | Mark detecting method | |
| CN101834154B (zh) | 校正系统、校正方法与晶片盒 | |
| CN105225985A (zh) | 通过原位反馈的晶片放置和间隙控制最佳化 | |
| US20030223057A1 (en) | Wireless substrate-like sensor | |
| KR20150092717A (ko) | 기판 반송 기구의 위치 검출 방법, 기억 매체 및 기판 반송 기구의 위치 검출 장치 | |
| US20080293329A1 (en) | Methods and apparatus for identifying a substrate edge profile and adjusting the processing of the substrate according to the identified edge profile | |
| KR20240028545A (ko) | 프로세스 키트 센터링을 측정하기 위한 방법 및 장치 | |
| CN105097616A (zh) | 基于机械手移动的硅片分布状态组合检测方法及装置 | |
| JP2016149501A (ja) | 基板検出装置、基板検出方法及び基板処理システム | |
| US6519502B2 (en) | Apparatus and method for positioning a cassette pod onto a loadport by an overhead hoist transport system | |
| KR20230175319A (ko) | 웨이퍼의 v형 노치 중심의 포지셔닝 방법, 시스템 및 컴퓨터 저장 매체 | |
| CN111189852A (zh) | 一种晶圆的刮伤及破片的分析方法及系统 | |
| KR20160047803A (ko) | 포크 로봇 및 포크의 삽입 거리 산출 방법 | |
| CN111095518A (zh) | 基板搬运装置以及求出基板搬运机器人与基板载置部的位置关系的方法 | |
| US7102517B2 (en) | Test fixture for evaluating RF identification system and related methods | |
| KR20080112383A (ko) | 결함 분포 패턴의 대조 방법 및 장치 | |
| JP2018121015A (ja) | 加工装置 | |
| CN112449723A (zh) | 使用振动数据测量晶片移动和放置的方法及设备 | |
| CN104737269A (zh) | 基板定向腔室 | |
| CN104568856A (zh) | 能够自动定位的工件光泽检测设备 | |
| US6671576B1 (en) | Wafer carrier | |
| CN105097617A (zh) | 基于超声的硅片分布状态识别方法及装置 | |
| JP2012237578A (ja) | 温度測定方法並びに温度測定装置 | |
| US6944573B2 (en) | Method and apparatus for the analysis of scratches on semiconductor wafers |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20200522 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |