CN111180613A - 烘焙系统 - Google Patents

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Abstract

提供了一种烘焙系统，所述烘焙系统可以包括：腔室，具有内部空间；台，设置在腔室的内部空间中，并且在台上设置有目标基底；气体喷射结构，在腔室中提供工艺气体；排气结构；气氛分析器，监测腔室中的湿气和氧；以及气体供应器，基于从气氛分析器提供的信息来控制工艺气体的流速。排气结构可以包括设置在内部空间中的吸入部以及连接到吸入部并设置在腔室的外部的排气部。

Description

烘焙系统
本专利申请要求在韩国知识产权局于2018年11月9日提交的第10-2018-0137442号和于2019年6月4日提交的第10-2019-0065966号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种烘焙系统以及一种使用该烘焙系统制造发光显示装置的方法，具体地，涉及一种高度可靠的烘焙系统以及一种使用该烘焙系统制造发光显示装置的方法。
背景技术
有机发光显示装置是自发光显示装置之一。由于其技术优点(诸如宽视角、良好的对比度和快响应速度)，有机发光显示装置正在成为下一代显示装置。
有机发光显示装置包括阳极电极、阴极电极以及设置在阳极电极与阴极电极之间的发光层。发光层由有机发光材料形成。在正负电压分别施加到阳极电极和阴极电极的情况下，从阳极电极注入的空穴通过空穴注入层和空穴传输层移动到发光层中，并且从阴极电极注入的电子通过电子注入层和电子传输层移动到发光层中。在发光层中，电子与空穴复合以产生激子。当激子从激发态跃迁到基态时，从发光层发射光。
这里，通过使用溶液涂覆法(诸如喷墨印刷法或喷嘴印刷法)将包含有机材料的有机溶液喷射到目标基底上，然后干燥有机溶液，来形成空穴注入层、空穴传输层和发光层。
发明内容
氧、湿气和杂质可能存在于烘焙系统和其上喷射有有机溶液的目标基底中。在形成发光显示装置的薄膜的工艺期间，氧、湿气和杂质可能与目标基底的有机溶液接触，负面地影响有机层的膜特性。这可能导致发光显示装置的质量和寿命的劣化。
发明构思的实施例提供了一种烘焙系统，该烘焙系统被构造为控制形成发光显示装置的薄膜的工艺期间腔室中的氧、湿气和杂质，由此提供适合于形成薄膜的受控的工艺环境。此外，发明构思的实施例提供了一种能够改善发光显示装置的质量和寿命的烘焙系统以及一种使用该烘焙系统制造发光显示装置的方法。
根据发明构思的实施例，一种烘焙系统可以包括：腔室，具有内部空间；台，设置在腔室的内部空间中，并且在台上设置有目标基底；气体喷射结构，在腔室中提供工艺气体；排气结构，包括设置在内部空间中的吸入部以及连接到吸入部并设置在腔室的外部的排气部；气氛分析器，监测腔室中的湿气和氧；以及气体供应器，基于从气氛分析器提供的信息来控制工艺气体的流速。
在实施例中，烘焙系统还可以包括设置在吸入部与气体喷射结构之间的引导部。引导部可以包括一个或更多个开口，并且工艺气体可以通过引导部的一个或更多个开口排到排气结构。
在实施例中，烘焙系统还可以包括设置在引导部中并且被构造为降低腔室的内部空间的温度的冷却部。
在实施例中，气体喷射结构可以包括第一喷射结构以及与第一喷射结构间隔开并被构造为在与第一喷射结构产生的气流的方向不同的方向上产生气流的第二喷射结构。
在实施例中，第一喷射结构可以包括连接到气体供应器的第一输送管、连接到第一输送管的第一分配管以及连接到第一分配管的第一喷射管。第一喷射管可以包括被构造为喷射工艺气体的第一喷射孔。
在实施例中，第一喷射管还可以包括被构造为在与第一喷射孔喷射工艺气体所沿的方向不同的方向上喷射工艺气体的第二喷射孔。
在实施例中，第二喷射结构可以包括连接到气体供应器的第二输送管、连接到第二输送管的第二分配管以及连接到第二分配管的第二喷射管。第二喷射管可以包括被构造为喷射工艺气体的第三喷射孔。
在实施例中，气体喷射结构还可以包括设置在第一喷射结构与第二喷射结构之间并沿第二喷射管延伸的虚设部。通过第二喷射管喷射的工艺气体可以被虚设部偏转并且可以排到排气结构。
在实施例中，台可以包括向目标基底提供热的加热部。
在实施例中，台可以包括被构造为将目标基底装载到腔室中的装载部和连接到装载部的支撑部。装载部的高度可以通过支撑部控制。
在实施例中，排气结构还可以包括连接到排气部并被构造为控制工艺气体的排气量的排气控制部。
附图说明
通过以下结合附图的简要描述，将更清楚地理解发明构思的示例实施例。附图表示如在此描述的非限制性示例实施例。
图1是示意性地示出根据发明构思的实施例的烘焙系统的剖视图。
图2是示出根据发明构思的实施例的目标基底的平面图。
图3是沿图2的线I-I'截取的剖视图。
图4A和图4B是示出根据发明构思的实施例的显示装置的剖视图。
图5A是示出根据发明构思的实施例的烘焙系统的组件的透视图。
图5B是沿图5A的线II-II'截取的剖视图。
图5C是沿图5A的线III-III'截取的剖视图。
图5D是示出根据发明构思的实施例的烘焙系统的组件的剖视图。
图6是示出根据发明构思的实施例的烘焙系统的组件的透视图。
图7是沿图6的线IV-IV'截取的剖视图。
图8是示意性地示出根据发明构思的实施例的烘焙系统的剖视图。
图9是示出根据发明构思的实施例的制造显示装置的方法的框图。
图10A至图10C是根据发明构思的实施例的显示装置的剖视图。
图11是示意性地示出根据发明构思的实施例的烘焙系统的剖视图。
图12是示出根据发明构思的实施例的制造显示装置的方法的框图。
应当注意的是，这些附图旨在说明在某些示例实施例中使用的方法、结构和/或材料的一般特性，并旨在补充下面提供的书面描述。然而，这些附图不是按比例的，并且可能没有精确地反映任何给定的示例实施例的精确结构或性能特性，并且不应被解释为限定或限制示例实施例所包括的值或性质的范围。例如，为了清楚起见，可以减小或夸大分子、层、区域和/或结构元件的相对厚度和定位。在附图中使用相似或相同的附图标记旨在指示存在相似或相同的元件或特征。
具体实施方式
现在将参照附图更充分地描述发明构思的示例实施例，在附图中示出了示例实施例。然而，发明构思的示例实施例可以以许多不同的形式实现，并且不应被解释为限于在此阐述的示例实施例；相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域普通技术人员充分传达示例实施例的发明构思。在附图中，为了清楚起见，夸大了层和区域的厚度。附图中同样的附图标记表示同样的元件，因此将省略它们的重复描述。
将理解的是，当元件被称为“连接”或“结合”到另一元件时，该元件可以直接连接或直接结合到另一元件，或者可以存在一个或更多个中间元件。相反，当元件被称为“直接连接”或“直接结合”到另一元件时，在它们之间不存在中间元件。在整个本公开中，同样的标号表示同样的元件。如在这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和所有组合。应当以同样的方式来解释用于描述元件或层之间的关系的其它词语(例如，“在……之间”与“直接在……之间”、“相邻”与“直接相邻”、“在……上”与“直接在……上”)。
将理解的是，虽然在这里可以使用术语“第一”、第二”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例实施例的教导的情况下，在这里讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可以被命名为第二元件、组件、区域、层或部分。
为了易于描述，在这里可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……上方”、“上”等的空间相对术语来描述如图中所示的一个元件或特征与另一(另外的)元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语旨在包括除了图中描绘的方位之外的系统、装置、元件、层等在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中的系统、装置、元件或层被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件将随后被定位为“在”其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包含上方和下方两种方位。系统、装置、元件或层可以被另外定位(旋转90度或在其他方位处)，并且相应地解释在这里使用的空间相对描述语。
在这里使用的术语是用于描述特定实施例的目的，而不旨在对示例实施例进行限制。如在这里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“所述(该)”也旨在包括复数形式。还将理解的是，如果在这里使用术语“包含”及其变型和/或“包括”及其变型，则说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
在这里参照作为理想化实施例(和中间结构)的示意性图示的剖面图来描述发明构思的一些示例实施例。如此，将预期由于例如制造技术和/或公差而引起的图示的形状的变化。因此，发明构思的示例实施例不应被解释为限于在这里示出的区域的特定形状，而是应包括例如可能由制造引起的形状的偏差。
除非另有定义，否则在这里使用的术语(包括技术术语和科学术语)具有与发明构思的示例实施例所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在通用词典中定义的术语)应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于形式化的含义进行解释，除非在这里如此明确地定义。
图1是示意性地示出根据发明构思的实施例的烘焙系统的剖视图。在下文中，将参照图1更详细地描述烘焙系统的结构。
参照图1，根据发明构思的实施例的烘焙系统AP可以包括腔室CV、台ST、气体供应器GS、气体喷射结构GO、排气结构EH、引导部BF和气氛分析器RG。
腔室CV可以限定内部空间。烘焙系统AP的一些元件设置在腔室CV的内部空间中。腔室CV的内部空间可以是能够与外部大气气密密封的隔离空间。腔室CV可以将目标基底DP与外部大气隔离，并且可以在内部空间中执行用于在目标基底DP上形成期望薄膜的烘焙工艺。虽然未示出，但是可以在腔室CV的侧壁中设置门，以允许目标基底DP进入和离开腔室CV的内部空间。
台ST可以包括装载部BS、支撑部SH和加热部HT。台ST可以设置在腔室CV的内部空间中，以支撑目标基底DP。台ST可以设置在腔室CV的下部中。
目标基底DP可以设置在装载部BS上。加热部HT可以设置在装载部BS与目标基底DP之间，并且可以向目标基底DP提供热。然而，发明构思不限于此示例，在实施例中，加热部HT可以设置为装载部BS的内部元件。
支撑部SH可以支撑装载部BS。支撑部SH可以包括用于调节装载部BS在腔室CV的内部空间中的高度的升降设备。图1示出了设置为支撑装载部BS的相对端的一对支撑部SH，但是发明构思不限于此示例。例如，支撑部SH可以包括设置在装载部BS的中心处来使装载部BS旋转以调节装载部BS的高度的旋转设备。
烘焙系统AP可以包括气体供应器GS、供应管道SLC和气阀VG。气体供应器GS可以设置在腔室CV的外部，并且可以向腔室CV供应工艺气体。供应管道SLC可以是用于将从气体供应器GS提供的工艺气体输送到腔室CV中的管道。气阀VG可以打开/关闭供应管道SLC，并且可以控制从气体供应器GS提供到腔室CV中的工艺气体的流速。
气体喷射结构GO可以包括第一喷射结构NI、虚设部DB、第二喷射结构SN和分配管道NL(例如，在图8中示出)。气体喷射结构GO可以连接到供应管道SLC，并且可以用于将从气体供应器GS提供的工艺气体喷射到腔室CV中。
第一喷射结构NI可以设置在腔室CV中。例如，第一喷射结构NI可以设置在台ST之上。第一喷射结构NI可以连接到供应管道SLC，以朝向目标基底DP喷射从气体供应器GS提供的工艺气体。从第一喷射结构NI喷射的工艺气体可以与目标基底DP中包括的有机溶液反应。例如，工艺气体可以是惰性气体。可以使用氮(N2)气、氩(Ar)气、氢(H2)气、一氧化碳(CO)气体以及它们的任何组合中的至少一种作为惰性气体。
虚设部DB可以沿着第一喷射结构NI的边缘设置。虚设部DB可以设置在第一喷射结构NI与第二喷射结构SN之间。例如，虚设部DB可以在第一方向D1和第二方向D2上延伸，以包围第一喷射结构NI。虚设部DB可以防止可能由腔室CV中的气流产生的杂质、湿气和氧进入目标基底DP。
第二喷射结构SN可以与第一喷射结构NI间隔开，并且虚设部DB置于第一喷射结构NI与第二喷射结构SN之间。第二喷射结构SN可以沿着虚设部DB的边缘设置。例如，第二喷射结构SN可以在第一方向D1和第二方向D2上延伸，以包围虚设部DB。虽然在图1中未示出，但是第二喷射结构SN可以连接到供应管道SLC，并且可以喷射从气体供应器GS提供的工艺气体，以在腔室CV中产生气流。
根据发明构思的实施例，虚设部DB和第二喷射结构SN可以将腔室CV的内部空间分成至少两个单独的区域，其中一个区域用于对目标基底DP执行烘焙工艺。例如，通过第二喷射结构SN产生的气流可以被虚设部DB阻挡，并且可以防止通过第二喷射结构SN产生的气流连接到在目标基底DP上形成的气流。
排气结构EH可以包括吸入部HD、排气部HL和排气控制部HC。排气结构EH可以用于将工艺气体、杂质、湿气和氧从腔室CV的内部排到外部。
吸入部HD可以设置在腔室CV中。例如，吸入部HD可以设置成与腔室CV的上部区域相邻。吸入部HD可以设置在气体喷射结构GO上方。吸入部HD可以有效地吸入从腔室CV的下部区域朝向上部区域流动的气流。如图1中所示，吸入部HD可以具有倾斜的侧表面，使得吸入部HD的下部比其上部宽。因此，能够减小在腔室CV的边缘区域和中心区域处吸入的气流的路径长度的差。
排气部HL可以连接到吸入部HD，并且可以设置在腔室CV的外部。排气部HL可以是由吸入部HD吸入的气流通过其排到外部的路径。
排气控制部HC可以设置在腔室CV的外部，并且可以控制或保持腔室CV的内部压力。例如，排气控制部HC可以将腔室CV的内部气流排到腔室CV的外部，从而控制腔室CV的内部压力。这可以控制腔室CV的环境，以产生适合于目标基底DP上的薄膜的环境。此外，排气控制部HC可以快速吸入在烘焙工艺期间可能产生的杂质、湿气和/或氧，同时保持腔室CV的内部压力。排气控制部HC可以是或包括干泵和涡轮泵中的至少一个。
吸入阀VL可以打开或关闭排气部HL，并且可以控制排出气流向腔室CV的外部的流速。
气氛分析器RG可以设置在腔室CV附近。气氛分析器RG可以监测或测量腔室CV的内部环境条件。例如，气氛分析器RG可以监测在目标基底DP的烘焙工艺之前腔室CV中的杂质、湿气和氧的量。气氛分析器RG还可以监测烘焙工艺期间从腔室CV和目标基底DP产生的杂质、湿气和氧的量。气氛分析器RG通过监测烘焙工艺之前和/或烘焙工艺期间的杂质、湿气和氧的量，使得目标基底DP的烘焙工艺能够在期望的环境中被执行。另外，气氛分析器RG可以监测烘焙工艺之后可能残留在腔室CV中的杂质、湿气和氧的量，并且这可以使得能够在腔室CV的期望的内部环境条件下执行后续工艺。
气氛分析器RG可以是例如残留气氛分析器(RGA)。然而，发明构思不限于此示例，并且可以监测腔室CV中的湿气和氧的量的任何分析器可以用作气氛分析器RG。
连接线CL可以将气氛分析器RG连接到气体供应器GS。关于腔室CV中的杂质、湿气和氧的量的信息可以通过连接线CL从气氛分析器RG提供到气体供应器GS，并且基于从气氛分析器RG提供的信息，气体供应器GS可以向腔室CV中供应工艺气体(在这里也称为反应气体)，以将腔室CV的内部环境条件控制为适合于烘焙工艺的期望条件。
根据发明构思的实施例，因为监测腔室CV的内部环境条件的气氛分析器RG设置在烘焙系统AP中，所以不仅可以去除在烘焙工艺之前和烘焙工艺之后产生的湿气和氧，而且可以去除在烘焙工艺期间可能从目标基底DP和从腔室CV的内部空间产生的湿气和氧。因此，烘焙系统AP可以改善通过烘焙工艺获得的目标基底DP的可靠性。
图2是示出根据发明构思的实施例的目标基底的平面图。图3是沿图2的线I-I'截取的剖视图。图4A和图4B是示出根据发明构思的实施例的显示装置的剖视图。在下面的描述中，参照图1描述的相同元件将通过相同或相似的附图标记标识，而不重复其重叠描述。
参照图2和图3，目标基底DP可以包括基体层SUB、多个初步像素PX-A、阻挡层BI、第一绝缘层ILD1、第二绝缘层ILD2、第三绝缘层IH和像素限定层PLE。目标基底DP可以被划分为显示区域DA和围绕显示区域DA的非显示区域NDA。
在目标基底DP中，多个初步像素PX-A可以以矩阵形状布置。初步像素PX-A中的每个可以包括晶体管TR、第一电极E1和初步有机层EL-A。
基体层SUB可以是其上设置有目标基底DP的其它元件的底层。在一个实施例中，基体层SUB可以包括合成树脂层。基体层SUB可以是柔性聚酰亚胺类树脂层，但是发明构思不限于此示例。在另一实施例中，基体层SUB可以包括刚性玻璃基底、金属基底或有机/无机复合基底。
阻挡层BI可以设置在基体层SUB上。阻挡层BI可以覆盖基体层SUB。阻挡层BI可以是包括无机材料的绝缘层。例如，阻挡层BI可以由氧化铝(AlOx)、氧化钛(TiOx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化锆(ZrOx)和氧化铪(HfOx)中的至少一种形成，或者包括氧化铝(AlOx)、氧化钛(TiOx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化锆(ZrOx)和氧化铪(HfOx)中的至少一种。阻挡层BI可以具有包括多个无机层的多层结构。阻挡层BI可以防止外部污染材料通过其穿过。
晶体管TR可以包括半导体图案SL、控制电极CE、输入电极IE和输出电极OE。晶体管TR可以响应于施加到控制电极CE的电信号来控制通过半导体图案SL的电荷的流动。例如，晶体管TR可以响应于施加到控制电极CE的电信号而将电信号从输入电极IE输出到输出电极OE。
半导体图案SL可以设置在基体层SUB上。半导体图案SL可以包括结晶半导体材料、金属氧化物半导体材料、多晶硅和非晶硅中的至少一种。在图3中，晶体管TR的控制电极CE被示出为设置在半导体图案SL上，但是发明构思不限于此示例。在实施例中，控制电极CE可以设置在基体层SUB上，并且可以被第一绝缘层ILD1覆盖，并且半导体图案SL可以设置在第一绝缘层ILD1上。也就是说，晶体管TR可以具有底栅结构，但是发明构思不限于此示例或特定实施例。
第一绝缘层ILD1可以设置在半导体图案SL与控制电极CE之间。第一绝缘层ILD1可以覆盖基体层SUB和半导体图案SL。第一绝缘层ILD1可以包括无机材料，但是发明构思不限于此示例或特定实施例。
控制电极CE可以设置在半导体图案SL上。控制电极CE可以与半导体图案SL间隔开，并且第一绝缘层ILD1置于控制电极CE与半导体图案SL之间。控制电极CE可以与半导体图案SL的至少一部分叠置。
第二绝缘层ILD2可以设置在控制电极CE与输入电极IE之间以及控制电极CE与输出电极OE之间。第二绝缘层ILD2可以覆盖第一绝缘层ILD1和控制电极CE。第二绝缘层ILD2可以包括无机材料，但是发明构思不限于此示例或特定实施例。
输入电极IE和输出电极OE可以设置在第二绝缘层ILD2上。输入电极IE和输出电极OE可以穿透第一绝缘层ILD1和第二绝缘层ILD2，并且可以分别结合到半导体图案SL的两个不同部分。然而，发明构思不限于这些示例，并且在实施例中，输入电极IE和输出电极OE可以直接结合到半导体图案SL。
第三绝缘层IH可以设置在第二绝缘层ILD2上。第三绝缘层IH可以覆盖晶体管TR。第三绝缘层IH可以设置在晶体管TR与像素限定层PLE之间。
像素限定层PLE可以设置在第三绝缘层IH上。多个开口可以限定在像素限定层PLE中。像素限定层PLE可以包括有机材料。
第一电极E1可以设置在第三绝缘层IH上。第一电极E1可以穿透第三绝缘层IH，并且可以电结合到晶体管TR。在实施例中，可以提供多个第一电极E1。每个第一电极E1的至少一部分可以通过限定在像素限定层PLE中的开口中的对应的开口暴露。
初步有机层EL-A可以设置在通过像素限定层PLE的开口而暴露的第一电极E1上。根据发明构思的实施例，初步有机层EL-A可以通过如下步骤形成：使用溶液涂覆方法(例如，喷墨印刷方法或喷嘴印刷方法)将有机溶液喷射到像素限定层PLE的开口中；然后通过干燥有机溶液特定时间以从有机溶液去除有机溶剂的至少一部分。
有机溶液可以是例如空穴注入溶液、空穴传输溶液、发光溶液、电子传输溶液和电子注入溶液中的一种，但是发明构思不限于此示例或特定实施例。
根据发明构思的实施例的烘焙工艺可以从目标基底DP去除初步有机层EL-A的剩余的有机溶剂。
参照图4A和图4B，对初步有机层EL-A执行烘焙工艺，以从初步有机层EL-A去除剩余的有机溶剂，结果，可以形成具有期望层厚度的有机层EL。在烘焙工艺之后形成的有机层EL可以对应于有机发光元件OD的元件。例如，有机层EL可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层中的至少一个。
有机层EL可以设置在第一电极E1上。在烘焙工艺之后，有机层EL在第一电极E1上可以被形成为具有期望的厚度并提供平坦的表面。在实施例中，有机层EL可以指通过重复印刷工艺、干燥工艺和烘焙工艺形成的多个有机层。例如，有机层EL可以是其中堆叠有空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层的多层结构。
第二电极E2可以设置在有机层EL和像素限定层PLE上。第二电极E2可以以覆盖像素限定层PLE和第一电极E1的单个图案或整体图案的形式提供。因此，包括在像素PX中的有机发光元件OD可以包括第一电极E1、有机层EL和第二电极E2。
封装层TFE可以设置在有机发光元件OD上。封装层TFE可以覆盖有机发光元件OD，并且可以防止外部杂质、湿气和氧进入有机发光元件OD。封装层TFE可以包括无机层和/或有机层。例如，封装层TFE可以包括第一无机层LIL、第一有机层OEL和第二无机层UIL。第一无机层LIL可以设置在第二电极E2上。第二无机层UIL可以与第一无机层LIL间隔开，并且第一有机层OEL置于第一无机层LIL与第二无机层UIL之间。第二无机层UIL与第一无机层LIL一起可以密封或封装第一有机层OEL。
第一无机层LIL和第二无机层UIL中的每个可以包括无机材料。例如，第一无机层LIL和第二无机层UIL中的每个可以由氧化铝(AlOx)、氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、碳化硅(SiCx)、氧化钛(TiOx)、氧化锆(ZrOx)和氧化锌(ZnOx)中的至少一种形成，或者包括氧化铝(AlOx)、氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、碳化硅(SiCx)、氧化钛(TiOx)、氧化锆(ZrOx)和氧化锌(ZnOx)中的至少一种。
第一有机层OEL可以设置在第一无机层LIL与第二无机层UIL之间。第一有机层OEL可以由有机材料形成，或者包括有机材料。例如，第一有机层OEL可以由环氧树脂、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚乙烯和聚丙烯酸酯中的至少一种形成，或者包括环氧树脂、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚乙烯和聚丙烯酸酯中的至少一种。
对初步有机层EL-A执行的烘焙工艺可以包括将惰性气体从气体供应器GS通过第一喷射结构NI朝向初步有机层EL-A喷射。从第一喷射结构NI喷射的惰性气体可以与初步有机层EL-A接触，并且可以产生朝向吸入部HD的气流。
如果当产生气流时，烘焙系统AP执行排气步骤以降低腔室CV的内部压力，则剩余的有机溶剂可以从初步有机层EL-A蒸发，因此可以形成具有平坦的表面的有机层EL。这里，从第一喷射结构NI喷射的惰性气体可以防止在干燥工艺期间和/或干燥工艺之后残留在有机溶剂中的湿气、氧和杂质进入初步有机层EL-A。
另外，通过第二喷射结构SN喷射的工艺气体可以产生气流，以通过排气结构EH将在烘焙工艺期间从腔室CV的内部空间逸出的杂质、湿气和氧排到外部，因此，有机层EL可以被制造成具有改善的可靠性质。
根据发明构思的实施例，在烘焙工艺期间，气氛分析器RG可以用于监测腔室CV中的杂质、湿气和氧的量，并且烘焙系统AP可以控制从气体供应器GS提供的反应气体的流速，从而制造具有期望特性的有机层EL。
图5A是示出根据发明构思的实施例的烘焙系统的组件的透视图。图5B是沿图5A的线II-II'截取的剖视图。图5C是沿图5A的线III-III'截取的剖视图。图5D是示出根据发明构思的实施例的烘焙系统的组件的剖视图。
参照图5A，气体喷射结构GO可以包括第一喷射结构NI、虚设部DB和第二喷射结构SN。第一喷射结构NI可以包括第一输送管NL-T、第一分配管NL-C和第一喷射管NL-R。第二喷射结构SN可以包括第二输送管SN-T、第二分配管SN-C和第二喷射管SN-R。
第一输送管NL-T可以连接到供应管道SLC(例如，见图1)。第一输送管NL-T可以在第三方向D3上延伸。第一输送管NL-T可以将通过供应管道SLC提供的工艺气体输送到第一分配管NL-C。在实施例中，第一喷射结构NI可以包括连接到第一分配管NL-C的两个或更多个部分的多个第一输送管NL-T。
第一分配管NL-C可以在第一方向D1上延伸，并且可以连接到第一喷射管NL-R。第一分配管NL-C可以将从第一输送管NL-T提供的工艺气体提供给第一喷射管NL-R。在实施例中，第一喷射结构NI可以包括连接到第一喷射管NL-R的两个相对端的多个第一分配管NL-C。因此，第一分配管NL-C可以支撑第一喷射管NL-R。
第一喷射管NL-R可以在第二方向D2上延伸，并且可以用于将从第一分配管NL-C提供的工艺气体喷射到目标基底DP上。第一喷射管NL-R可以包括用于喷射工艺气体的多个喷射孔。例如，第一喷射管NL-R可以包括彼此间隔开的第一喷射孔H1和第二喷射孔H2。喷射孔H1和H2可以被限定为穿透第一喷射管NL-R。
虚设部DB可以设置在第一喷射结构NI与第二喷射结构SN之间。在实施例中，虚设部DB可以在第二方向D2上延伸。气体喷射结构GO可以包括设置在第一分配管NL-C的相对端处的多个虚设部DB。
根据发明构思的实施例，虚设部DB和第二喷射结构SN可以将腔室CV的内部空间分成至少两个单独的区域，其中一个区域用于对目标基底DP执行烘焙工艺。例如，通过第二喷射结构SN产生的气流可以被虚设部DB阻挡，并且可以防止通过第二喷射结构SN产生的气流连接到目标基底DP上形成的气流。
第二喷射结构SN可以设置成与第一喷射结构NI和虚设部DB间隔开。第二喷射结构SN可以在第一方向D1和第二方向D2上延伸，以包围第一喷射结构NI和虚设部DB。
第二输送管SN-T可以连接到供应管道SLC(例如，见图1)。第二输送管SN-T可以在第三方向D3上延伸。第二输送管SN-T可以将通过供应管道SLC提供的工艺气体输送到第二分配管SN-C。第二喷射结构SN可以包括连接到第二分配管SN-C的两个或更多个部分的多个第二输送管SN-T。
第二分配管SN-C可以在第一方向D1上延伸并且可以连接到第二喷射管SN-R。第二分配管SN-C可以将从第二输送管SN-T提供的工艺气体提供给第二喷射管SN-R。第二喷射结构SN可以包括连接到第二喷射管SN-R的两个相对端的多个第二分配管SN-C。因此，第二分配管SN-C可以支撑第二喷射管SN-R。
第二喷射管SN-R可以在第二方向D2上延伸，并且可以用于将从第二分配管SN-C提供的工艺气体喷射到除目标基底DP之外的腔室CV的内部空间。第二喷射管SN-R可以包括用于喷射工艺气体的第三喷射孔H3。第三喷射孔H3可以被限定为穿透第二喷射管SN-R。
参照图5B至图5D，第一喷射孔H1和第二喷射孔H2可以形成为在不同方向上产生气流。当在剖视图中观看时，第一喷射管NL-R可以包括在第二方向D2上彼此间隔开的多个成对喷射孔，这里，成对喷射孔中的每个包括在第一方向D1上彼此间隔开的喷射孔H1和H2。在实施例中，多个第一喷射管NL-R可以在第一方向D1上布置。第一喷射管NL-R中的相邻第一喷射管NL-R可以设置成使得第一喷射管NL-R的第一喷射孔H1和第二喷射孔H2彼此面对。
根据发明构思的实施例，因为多个成对喷射孔布置在第二方向D2上，因此可以从多个第一喷射管NL-R朝向目标基底DP均匀地喷射工艺气体。
参照图5D，通过从第三喷射孔H3喷射的工艺气体产生的气流可以朝向腔室CV的上部流动，并且可以被虚设部DB阻挡，因此，通过从第三喷射孔H3喷射的工艺气体产生的气流可以与目标基底DP上产生的气流分开。可以防止通过从第三喷射孔H3喷射的工艺气体产生的气流朝向腔室CV的内侧壁CV-O流动，从而防止杂质、湿气和氧进入目标基底DP上。
图6是示出根据发明构思的实施例的烘焙系统的组件的透视图。图7是沿图6的线IV-IV'截取的剖视图。在下面的描述中，参照图1描述的相同元件将由相同或相似的附图标记标识，而不重复其重叠描述。
参照图6，根据发明构思的实施例的引导部BF可以设置在吸入部HD(例如，见图1)与气体喷射结构GO之间。引导部BF可以包括多个开口BF-O。引导部BF可以调节从目标基底DP朝向吸入部HD流动的气流的流动，以实现均匀的排气气流。虽然未示出，但是引导部BF还可以包括设置在引导部BF的边缘区域处和开口BF-O之间的子开口，但是发明构思不限于此示例或特定实施例。
参照图7，烘焙系统AP还可以包括冷却部CP。冷却部CP可以设置在引导部BF中或集成到引导部BF中。冷却部CP可以冷却通过从加热部HT(例如，参见图1)供应到目标基底DP的热而产生的湿气，并且从腔室CV去除湿气。
图8是示意性地示出根据发明构思的实施例的烘焙系统的剖视图。在下面的描述中，参照图1描述的相同元件将由相同或相似的附图标记标识，而不重复其重叠描述。
根据发明构思的实施例的烘焙系统AP-1可以包括第一设备AP1、第二设备AP2和连接部分CH。第二设备AP2可以与参照图1至图7描述的烘焙系统AP对应。
第一设备AP1可以包括第一腔室CV1、第一台ST1、冷却部CS和泵VC。第一腔室CV1可以限定内部空间。第一设备AP1的一些组件或元件设置在第一腔室CV1的内部空间中。第一腔室CV1的内部空间可以与外部大气隔离。因此，第一腔室CV1可将目标基底DP与外部大气隔离。
第一台ST1可以设置在第一腔室CV1的内部空间中，以支撑目标基底DP。第一台ST1可以设置在第一腔室CV1的下部中。第一台ST1可以包括第一装载部BS1、第一支撑部SH1和第一加热部HT1。
第一台ST1的第一装载部BS1、第一支撑部SH1和第一加热部HT1可以具有与参照图1描述的台ST的装载部BS、支撑部SH和加热部HT的功能相同的功能。
冷却部CS可以设置在第一腔室CV1的内部空间中。冷却部CS可以设置成与第一台ST1间隔开。冷却部CS可以冷却通过从第一加热部HT1供应到目标基底DP的热而产生的湿气，并且从第一腔室CV1去除湿气。
泵VC可以设置在第一腔室CV1的外部。泵VC可以通过吸入管路VCL将第一腔室CV1中的杂质、湿气和氧排到外部。
连接部分CH可以连接到第一设备AP1和第二设备AP2中的每个，并且可以用作目标基底DP在第一设备AP1与第二设备AP2之间的通道。连接部分CH可以连接到第一设备AP1和第二设备AP2中的每个的侧壁，用以装载/卸载或输送目标基底DP。发明构思不限于将目标基底DP输送到第一设备AP1和第二设备AP2的特定方法。也就是说，在不脱离发明构思的范围的情况下，可以对输送目标基底DP的方法进行各种改变。
第一设备AP1可以首先去除在烘焙工艺之前对目标基底DP执行的干燥工艺中可能供应到目标基底DP中或包括在目标基底DP上的初步有机层EL-A(例如，见图3)中的湿气和氧。因此，第一设备AP1可以减少通过使用第二设备AP2的烘焙工艺产生的湿气和氧的排出量。这可以减少控制第二设备AP2中的湿气和氧的量所需的处理时间和成本。
另外，可以在烘焙工艺之前去除目标基底DP中包括的湿气和氧，然后，可以使用第二设备AP2的气氛分析器RG来控制烘焙工艺之前、烘焙工艺期间和烘焙工艺之后的湿气和氧的量。这可以提高形成在目标基底DP上的有机层EL(例如，见图4A)的寿命。
图9是示出根据发明构思的实施例的制造显示装置的方法的框图。图10A至图10C是根据发明构思的实施例的显示装置的剖视图。在下面的描述中，参照图1至图8描述的相同元件将由相同或相似的附图标记标识，而不重复其重叠描述。
参照图9，根据发明构思的实施例的制造显示装置的方法可以包括提供目标基底(在S100中)、提供工艺气体(在S200中)、执行监测步骤(在S300中)以及形成有机层(在S400中)。执行监测步骤(在S300中)可以包括通过监测来控制工艺气体的流速(在S300-1中)。它基于所监测的腔室的内部环境条件来控制工艺气体的流速。在下文中，将参照图1中示出的烘焙系统AP来描述根据发明构思的实施例的制造显示装置的方法。
参照图10A，根据发明构思的实施例，可以在烘焙工艺之前执行在目标基底DP(例如，见图1)上印刷有机溶液的工艺。基体基底BL可以包括图4A的基体层SUB、晶体管TR以及绝缘层BI、ILD1、ILD2和IH。
可以在基体基底BL上形成具有开口的像素限定层PLE，并且开口可以与第一电极E1的至少一部分叠置。喷嘴NZ可以将包括有机溶剂的有机溶液喷射到像素限定层PLE的开口中。喷射的有机溶液可以形成初始有机层EL-S，该初始有机层EL-S可以在开口中具有凸出形状。有机溶液可以是例如空穴注入溶液、空穴传输溶液、发光溶液、电子传输溶液和电子注入溶液中的一种，但是发明构思不限于此示例或特定实施例。
在实施例中，通过初始有机层EL-S暴露的像素限定层PLE的一部分可以具有疏水性质。因此，初始有机层EL-S可以局部地形成在开口中，而不扩散到像素限定层PLE的上表面上。
接下来，参照图10B，可以执行干燥工艺，以去除初始有机层EL-S中包括的有机溶剂。干燥工艺可以从初始有机层EL-S部分地去除有机溶剂。结果，可以形成初步有机层EL-A。例如，干燥工艺可以去除初始有机层EL-S中的90％至95％的有机溶剂。
可以在室温下执行干燥工艺。在这种情况下，大气中的杂质、湿气和氧可能进入目标基底DP，并且有机发光元件OD的有机层EL会遭受其寿命和可靠性的劣化。因此，可以执行烘焙工艺以去除在干燥工艺期间进入目标基底DP的杂质、湿气和氧。
参照图9，提供目标基底(在S100中)可以包括将目标基底DP装载在台ST上，在目标基底DP中初步有机层EL-A形成在基体基底BL上。
在实施例中，为了去除在干燥工艺期间可能已经进入目标基底DP的杂质、湿气和氧，提供目标基底(在S100中)还可以包括使用图8的第一设备AP1从目标基底DP去除湿气和氧。
接下来，提供工艺气体(在S200中)可以包括将从气体供应器GS提供的工艺气体通过气体喷射结构GO喷射到腔室CV中。
这里，可以基于关于通过气氛分析器RG提供的腔室CV的内部环境条件的信息来控制从气体供应器GS提供的反应气体的流速。
接下来，执行监测步骤(在S300中)可以包括使用气氛分析器RG监测腔室CV的内部环境条件。由于在烘焙工艺期间可能发生腔室CV的环境条件的变化，所以可能从腔室CV本身产生湿气和氧，并且残留在目标基底DP中的湿气和氧可能渗入腔室CV中。
根据发明构思的实施例，即使在执行烘焙工艺时，也可以通过气氛分析器RG连续地监测腔室CV的内部环境条件，并且可以基于监测的结果来调节从气体供应器GS提供的反应气体的流速。因此，烘焙系统AP能够有效地去除烘焙工艺期间可能产生的杂质、湿气和氧，从而形成具有改善的可靠性的有机层EL。在实施例中，在烘焙工艺期间，腔室CV中的湿气的浓度可以保持为低于或等于0.3ppm。
接下来，参照图10C，形成有机层的步骤(在S400中)可以包括去除初步有机层EL-A中的剩余的有机溶剂。通过去除剩余的有机溶剂，可以在第一电极E1上形成具有期望厚度和平坦表面的有机层EL。
在实施例中，在形成有机层(在S400中)之后，还可以执行另外的步骤以从腔室CV的内部空间去除湿气和氧。在形成有机层EL之后，气氛分析器RG可以用于监测残留在腔室CV中的杂质、湿气和氧，并且气氛分析器RG可以用于提供适合于后续工艺的内部环境条件。
图11是示意性地示出根据发明构思的实施例的烘焙系统的剖视图。图12是示出根据发明构思的实施例的制造显示装置的方法的框图。在下面的描述中，参照图1至图10C描述的相同元件将由相同或相似的附图标记标识，而不重复其重叠描述。
参照图11，根据本实施例的烘焙系统AP-2可以包括腔室CV、台ST、气体供应器GS、气体喷射结构GO、排气结构EH、引导部BF和气氛分析器RG，并且腔室CV可以包括冷却部CTR1和CTR2。
烘焙系统AP-2的腔室CV、台ST、气体供应器GS、气体喷射结构GO、排气结构EH、引导部BF和气氛分析器RG可以被构造为具有与参照图1描述的烘焙系统AP的腔室CV、台ST、气体供应器GS、气体喷射结构GO、排气结构EH、引导部BF和气氛分析器RG的特征基本相同的特征。在下文中，下面将对冷却部CTR1和CTR2进行更详细地描述。
根据本实施例的冷却部CTR1和CTR2可以提供能够从目标基底DP不断蒸发有机溶液的环境。由于从加热部HT提供的热，在目标基底DP上提供的有机溶液会蒸发到腔室CV的内部空间中。如果腔室CV的内部空间中的蒸发的有机溶液变为饱和状态，则有机溶液可能不再从目标基底DP蒸发。这会导致有机层EL(例如，见图4A)的失效。
因为冷却部CTR1和CTR2提供低于有机溶液的沸点的温度，所以蒸发到腔室CV的内部空间中的有机溶液可以被吸附到冷却部CTR1和CTR2上。因此，通过使用冷却部CTR1和CTR2蒸发有机溶液，烘焙系统AP-2可以提供能够持续加热目标基底DP的环境，并且形成具有改善的可靠性的有机层EL。
冷却部CTR1和CTR2可以设置在腔室CV的内部空间中。例如，第一冷却部CTR1可以设置成包围腔室CV的内壁。另外，第二冷却部CTR2可以设置在装载部BS下方。第二冷却部CTR2可以设置成与装载部BS平行。因此，蒸发的有机溶液可以被均匀地吸附。
参照图12，制造显示装置的方法可以包括提供目标基底(在S100中)、提供工艺气体(在S200中)、执行监测步骤(在S300-1中)、去除蒸发的有机溶液(在S300-2中)以及形成有机层(在S400中)。
可以以与参照图9描述的提供目标基底(在S100中)、提供工艺气体(在S200中)、执行监测步骤(在S300中)和形成有机层(在S400中)的方式相同或基本相似的方式来执行提供目标基底(在S100中)、提供工艺气体(在S200中)、执行监测步骤(在S300-1中)和形成有机层(在S400中)。
可以通过冷却部CTR1和CTR2来执行根据本实施例的去除蒸发的有机溶液(在S300-2中)。因为冷却部CTR1和CTR2将蒸发的有机溶液吸附到腔室CV的内部空间上，所以烘焙系统AP-2可以提供能够不断加热目标基底DP并由此蒸发有机溶液的内部环境条件，以形成具有改善的可靠性的有机层EL。
此外，虽然未示出，但是在完成对目标基底DP的烘焙工艺之后，可以在腔室CV被排空之后进一步执行加热冷却部CTR1和CTR2的附加步骤。
当冷却部CTR1和CTR2被加热时，吸附在冷却部CTR1和CTR2上的有机溶液可以蒸发，并且冷却部CTR1和CTR2可以返回到它们的初始状态。冷却部CTR1和CTR2可以在后续工艺中重复使用或返工。
根据发明构思的实施例的烘焙系统可以包括用于监测腔室的内部环境条件的气氛分析器。因此，烘焙系统不仅可以去除烘焙工艺之前、烘焙工艺之后和烘焙工艺期间从目标基底产生的湿气和氧，而且可以去除从腔室的内部空间产生的湿气和氧，从而烘焙系统可以以高度可靠的方式来执行烘焙工艺。
虽然发明构思的示例实施例已经被具体地示出并描述，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离发明构思的精神和范围的情况下，可以在其中做出形式上和细节上的变化和偏离。

Claims (11)

1.一种烘焙系统，所述烘焙系统包括：
腔室，具有内部空间；
台，设置在所述腔室的所述内部空间中，并且在所述台上设置有目标基底；
气体喷射结构，在所述腔室中提供工艺气体；
排气结构，包括设置在所述内部空间中的吸入部以及连接到所述吸入部并设置在所述腔室的外部的排气部；
气氛分析器，监测所述腔室中的湿气和氧；以及
气体供应器，基于从所述气氛分析器提供的信息来控制所述工艺气体的流速。
2.根据权利要求1所述的烘焙系统，所述烘焙系统还包括设置在所述吸入部与所述气体喷射结构之间的引导部，
其中，所述引导部包括一个或更多个开口，并且
其中，所述工艺气体通过所述引导部的所述一个或更多个开口排到所述排气结构。
3.根据权利要求2所述的烘焙系统，所述烘焙系统还包括冷却部，所述冷却部设置在所述引导部中并且被构造为降低所述腔室的所述内部空间的温度。
4.根据权利要求1所述的烘焙系统，其中，所述气体喷射结构包括第一喷射结构和第二喷射结构，所述第二喷射结构与所述第一喷射结构间隔开并被构造为在与所述第一喷射结构产生的气流的方向不同的方向上产生气流。
5.根据权利要求4所述的烘焙系统，其中，所述第一喷射结构包括连接到所述气体供应器的第一输送管、连接到所述第一输送管的第一分配管以及连接到所述第一分配管的第一喷射管，并且
其中，所述第一喷射管包括被构造为喷射所述工艺气体的第一喷射孔。
6.根据权利要求5所述的烘焙系统，其中，所述第一喷射管还包括被构造为在与所述第一喷射孔喷射所述工艺气体所沿的方向不同的方向上喷射所述工艺气体的第二喷射孔。
7.根据权利要求4所述的烘焙系统，其中，所述第二喷射结构包括连接到所述气体供应器的第二输送管、连接到所述第二输送管的第二分配管以及连接到所述第二分配管的第二喷射管，并且
其中，所述第二喷射管包括被构造为喷射所述工艺气体的第三喷射孔。
8.根据权利要求7所述的烘焙系统，其中，所述气体喷射结构还包括虚设部，所述虚设部设置在所述第一喷射结构与所述第二喷射结构之间并沿所述第二喷射管延伸，并且
其中，通过所述第二喷射管喷射的所述工艺气体被所述虚设部偏转并排到所述排气结构。
9.根据权利要求1所述的烘焙系统，其中，所述台包括向所述目标基底提供热的加热部。
10.根据权利要求1所述的烘焙系统，其中，所述台包括被构造为将所述目标基底装载到所述腔室中的装载部和连接到所述装载部的支撑部，并且
其中，所述装载部的高度通过所述支撑部控制。
11.根据权利要求1所述的烘焙系统，其中，所述排气结构还包括排气控制部，所述排气控制部连接到所述排气部并被构造为控制所述工艺气体的排气量。
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