CN111142306B - 显示装置及制造方法 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种显示装置及制造方法，显示装置包括电浆阻离阵列、电浆、衬垫边框以及相对设置的第一基板和第二基板；电浆和衬垫边框设置在第一基板和第二基板之间，第一基板邻近电浆的一侧设置有像素电极层；第二基板邻近电浆的一侧设置有公共电极层；电浆阻离阵列设置在像素电极层上；电浆阻离阵列包括若干呈阵列分布的挡墙框；挡墙框靠近公共电极层一侧的端面上设有沟道结构，相邻的两个挡墙框通过沟道结构相连通。本申请的显示装置，其挡墙框靠近公共电极层一侧的端面上设有沟道结构，确保了相邻两挡墙框之间的电浆流动性，确保挡墙框内的电浆被电场驱动，确保挡墙框内的大多数电浆用于显示，提升了显示效果。

Description

显示装置及制造方法

技术领域

本申请涉及电子显示技术领域，具体涉及一种显示装置及制造方法。

背景技术

现有的电浆显示技术产品，例如电子纸、电子墨水、电子胶囊等等，显示效果更细腻，驱动电压更低，能适应更大尺寸的显示要求。现有的电浆显示技术产品，电浆被电场驱动的效果不好，导致显示效果不佳。另外，目前电浆显示对比度高，但存在用力按压导致盒厚变化，导致电浆整体流动，从而造成静态显示画质变差的缺陷。

公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本申请的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

发明内容

本申请的目的是提供一种显示装置及制造方法。为了对披露的实施例的一些方面有一个基本的理解，下面给出了简单的概括。该概括部分不是泛泛评述，也不是要确定关键/重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围。其唯一目的是用简单的形式呈现一些概念，以此作为后面的详细说明的序言。

根据本申请实施例的一个方面，提供一种显示装置，包括电浆阻离阵列、电浆、衬垫边框以及相对设置的第一基板和第二基板；所述电浆和所述衬垫边框设置在所述第一基板和所述第二基板之间，所述第一基板邻近所述电浆的一侧设置有像素电极层，所述像素电极层包括多个呈阵列排布的像素电极；所述第二基板邻近所述电浆的一侧设置有公共电极层；所述电浆阻离阵列设置在所述像素电极层上以均匀分散和稳固所述电浆；所述衬垫边框包围所述电浆；所述电浆阻离阵列包括若干呈阵列分布的挡墙框；所述挡墙框靠近所述公共电极层一侧的端面上设有沟道结构，相邻的两个所述挡墙框通过所述沟道结构相连通。

进一步地，所述挡墙框靠近所述公共电极层一侧的端面上设置有若干凸起部，所述沟道结构为相邻两所述凸起部之间形成的间隙。

进一步地，所述凸起部的形状为圆台形、圆锥形、圆柱形、椭圆柱形、长方体形或凸包形。

进一步地，所述凸起部的高度为2-6um。

进一步地，所述凸起部与所述挡墙框一体成型。

进一步地，每一所述挡墙框对应包围一所述像素电极。

进一步地，所述显示装置还包括在所述第一基板上由下而上依次层叠设置的薄膜晶体管层、第一绝缘层。

进一步地，所述显示装置包括显示区和非显示区，位于所述显示区内的所述挡墙框包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述第二部分靠近所述第一基板的一侧，所述第一部分由若干挡墙壁顺次首尾相接构成，定义相交的两个所述挡墙壁形成拐角，所述第二部分包括所述沟道结构，所述沟道结构中的沟道与所述拐角交叠。

进一步地，靠近所述衬垫边框的挡墙壁的高度为h1,位于所述显示区内的挡墙壁的高度为h2，位于所述显示区内的所述第二部分的最大高度为h3，其中，h1>h2,h1≤h2+h3。

根据本申请实施例的一个方面，提供一种显示装置的制造方法，包括：

在第一基板上制备像素电极层；

在所述像素电极层上制备电浆阻离阵列；所述电浆阻离阵列包括若干呈阵列分布的挡墙框，所述挡墙框靠近所述公共电极层一侧的端面上设有沟道结构，相邻的两个所述挡墙框通过所述沟道结构相连通；

在所述第一基板上制备衬垫边框，使所述衬垫边框包围所述电浆阻离阵列；

在所述第二基板上制备公共电极层；

向所述衬垫边框内注入电浆，使所述电浆均匀分散在所述电浆阻离阵列内；

将所述第二基板和所述公共电极层压合在所述衬垫边框和所述电浆上，使所述公共电极层邻近所述电浆。

进一步地，所述在所述像素电极层上制备电浆阻离阵列，包括：

在所述像素电极层上沉积第一材料层，对所述第一材料层进行图案化刻蚀，形成所述挡墙框。

进一步地，所述图案化刻蚀包括采用一个半透过掩膜板进行刻蚀。

进一步地，所述在所述像素电极层上制备电浆阻离阵列，包括：

在所述像素电极层上沉积第二材料层，对所述第二材料层进行图案化刻蚀，形成所述挡墙框的第一部分；

在所述挡墙框上沉积第三材料层，对所述第三材料层进行图案化刻蚀，形成所述挡墙框的第二部分。

进一步地，所述第二材料层和所述第三材料层的材料相同。

本申请实施例的其中一个方面提供的技术方案可以包括以下有益效果：

本申请实施例提供的显示装置，其挡墙框靠近公共电极层一侧的端面上设有沟道结构，相邻的两个挡墙框通过所述沟道结构相连通，确保了相邻两挡墙框之间的电浆流动性，确保挡墙框内的电浆被电场驱动，确保挡墙框内的大多数电浆用于显示，提升了显示效果。

进一步地，本申请实施例提供的显示装置，其挡墙框靠近公共电极层一侧的端面上设置有若干凸起部，凸起部起到了对整个显示装置的支撑作用，提高了显示装置的抗压能力，从而确保在正常按压情况下，电浆不会大规模流动，确保显示不变色，确保显示装置的静态显示画面不会变差。

本申请的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者，部分特征和优点可以从说明书中推知或毫无疑义地确定，或者通过实施本申请实施例了解。本申请的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出了本申请的一个实施例的显示装置的剖视结构示意图；

图2示出了本申请的一实施方式的显示装置的顶视透视示意图；

图3示出了本申请的另一实施方式的显示装置的顶视透视示意图；

图4示出了本申请的一实施例的显示装置的制造方法的流程示意图。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面结合附图和具体实施例对本申请做进一步说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。

如图1和图2所示，本申请的一个实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括电浆阻离阵列、电浆3、衬垫边框(图未标记)以及相对设置的第一基板1和第二基板2；所述电浆3和所述衬垫边框设置在所述第一基板1和所述第二基板2之间，所述第一基板1邻近所述电浆3的一侧设置有像素电极层，所述像素电极层包括多个呈阵列排布的像素电极M6；所述第二基板2邻近所述电浆3的一侧设置有公共电极层4；所述电浆阻离阵列设置在所述像素电极层上以均匀分散和稳固所述电浆3；所述衬垫边框包围所述电浆3，以防止电浆3外溢；所述电浆阻离阵列包括若干呈阵列分布的挡墙框M7；所述挡墙框M7靠近所述公共电极层4一侧的端面上设有沟道结构，相邻的两个所述挡墙框M7通过所述沟道结构相连通。挡墙框M7内的电浆3可以通过沟道结构流动到相邻的挡墙框M7内。沟道结构可以为如图1所示形状的间隙5。沟道结构确保了相邻两挡墙框M7之间的电浆流动性，确保了挡墙框M7内的电浆被电场驱动，确保了挡墙框M7内的大多数电浆用于显示，提升了显示效果。

在本实施方式中，所述挡墙框M7靠近所述公共电极层4一侧的端面上设置有若干凸起部M8，所述沟道结构为相邻两所述凸起部M8之间形成的间隙5，如图1所示。凸起部M8支撑了整个显示装置，提高了整个显示装置的抗压能力，从而确保在正常按压情况下，电浆不会大规模流动，确保显示不变色，确保显示装置的静态显示画面不会变差。

在本实施方式中凸起部M8为凸包形。在某些实施方式中，所述凸起部M8的形状可以为圆台形、圆锥形、圆柱形、椭圆柱形、长方体形或凸包形。凸起部M8是由有机膜材料制成的。根据凸起部M8的形状，间隙5的形状也可以是多种不同的形状。

在某些实施方式中，所述凸起部M8的高度为2-6um。例如可以为2um、4um或6um。凸起部M8能够起到支撑作用，提高了整个显示装置的抗压能力，从而确保在正常按压情况下，电浆不会大规模流动，而相邻两凸起部M8之间的沟道结构确保了相邻两挡墙框M7之间的电浆流动性。

在本实施例中，所述凸起部M8与所述挡墙框M7一体成型。

在本实施例中，每一所述挡墙框M7对应包围一所述像素电极M6。在某些实施方式中，所述挡墙框M7与所述像素电极M6是一一对应的。在某些实施方式中，挡墙框M7有一个边被相邻两个像素电极M6共用。

在某些实施方式中，所述显示装置还包括在所述第一基板1上由下而上依次层叠设置的薄膜晶体管层、第一绝缘层。像素电极层设置于第一绝缘层上。

在本实施例中，所述薄膜晶体管层包括第一金属层、第二绝缘层7、半导体层6和第二金属层；

所述第一金属层包括第一电极M1；

所述第二金属层包括第二电极M2和第三电极；

所述第三电极包括源极M3和漏极M4，所述源极M3与所述漏极M4通过所述第二电极M2电连接；所述像素电极M6与所述漏极M4电连接；所述第一绝缘层上开设有过孔9，过孔9暴露漏极M4，所述像素电极M6通过过孔9与所述漏极M4电连接；漏极M4可以向像素电极M6传输电信号。

第一电极M1和半导体层6均设置在第一基板1上；第二绝缘层7设置在第一电极M1和半导体层6上；第二金属层设置在第二绝缘层7上；第二金属层通过第二绝缘层7分别与第一电极M1和半导体层6相隔开。

所述半导体层6、所述漏极M4以及夹在所述半导体层6与所述漏极M4之间的绝缘部分形成电容器；所述绝缘部分为所述第二绝缘层7的一部分。

第一电极M1第二电极M2、源极M3和漏极M4的材料可以是金属材料，也可以是合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或是金属材料与其它导电材料的堆叠层。

在某些实施方式中，半导体层6的材质例如是有机半导体材料。然而，本申请不限于此，在其它实施方式中，半导体层6的材质也可以是非晶硅、多晶硅、微晶硅、单晶硅、氧化物半导体材料(例如：铟锌氧化物、铟锗锌氧化物、或是其它合适的材料、或上述的组合)、或其它合适的材料、或含有掺杂物于上述材料中、或上述的组合。

在本实施例中，像素电极M6为氧化铟锡(ITO)材料。

在某些实施方式中，所述显示装置包括显示区和非显示区，位于所述显示区内的所述挡墙框M7包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述第二部分靠近所述第一基板1的一侧，所述第一部分由若干挡墙壁顺次首尾相接构成，定义相交的两个所述挡墙壁形成拐角10(参考图3所示)，所述第二部分包括所述沟道结构，所述沟道结构中的沟道与所述拐角10交叠。

如图3所示，挡墙框M7由四个挡墙壁顺次首尾相接构成，相邻的两个挡墙壁相交形成拐角10，由于工艺固化，拐角10处高于挡墙壁其他位置的高度，若在拐角10处再设置凸起部，则拐角10处加上凸起部的高度会高于挡墙壁其他位置加上凸起部M8的高度，导致公共电极层4不能与挡墙壁其他位置上的凸起部M8相接触，从而影响挡墙壁其他位置上的凸起部M8的支撑效果，所以在拐角10处可以不设置凸起部M8，即相邻两个凸起部形成的沟道与拐角10交叠。

在某些实施方式中，靠近所述衬垫边框的挡墙壁的高度为h1,位于所述显示区内的挡墙壁的高度为h2，位于所述显示区内的所述第二部分的最大高度为h3，其中，h1>h2,h1≤h2+h3。由于最靠近衬垫边框的挡墙框在衬垫边框一侧没有相邻的挡墙框，所以靠近衬垫边框的挡墙壁上不需要再开设沟道结构，也就不需要再设置凸起部，因此满足上述高度关系。

在某些实施方式中，所述第一绝缘层包括由下而上依次层叠设置的无机绝缘材料层8和有机绝缘材料层M5。无机绝缘材料层8和有机绝缘材料层M5起到绝缘的作用。无机绝缘材料层8的材质可以是二氧化硅。有机绝缘材料层M5的材质可以是聚酸甲酯(polymethylmethacrylate，PMMA)、聚异丁烯(po lyi sobutylene，PIB)、聚乙烯(polyethylene，PE)、聚丙烯(polypropylene，PP)、聚苯乙烯(po lystyrene，P S)、聚4-乙基苯酚(poly-4-vinylphenol，PVP)、聚乙烯醇(polyvinylalcohol，PVA)或其共聚物、或其它适当的有机材料、或其它适当的材料。

在某些实施方式中，所述挡墙框M7的材料为丙烯酸树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂、有机硅树脂或二氧化硅。

在某些实施方式中，所述衬垫边框的材料为丙烯酸树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂、有机硅树脂或二氧化硅。

在某些实施方式中，电浆3中电泳液的粘度为100-100000厘泊，优选粘度选择在1000-10000厘泊，电浆3中包含至少两种不同光电性能的电泳粒子。电泳粒子优选的颜色包括白色、黑色、红色、绿色、蓝色和黄色等，用来实现黑白、单彩色、双彩色、多彩色和真彩色等显示，同时电浆3中可以包含荧光材料，荧光材料包括无机荧光材料和有机荧光材料，无机荧光材料包括稀土荧光材料、金属硫化物等，有机荧光材料包括小分子荧光材料和高分子荧光材料等。

在某些实施方式中，衬垫边框是由封框胶制成的。

第一电极M1、第二电极M2、源极M3和漏极M4组成薄膜晶体管，薄膜晶体管控制像素电极M6与公共电极层4之间的电压，像素电极M6与公共电极层4之间形成电场控制电浆粒子的移动，通过移动的位置控制光的反射情况，从而实现所需亮度(实现显示)。第一电极M1给出不同的电信号，控制第二电极M2的导通与否，从而实现源极M3和漏极M4之间的短路或者断路，从而使薄膜晶体管起到电子开关的作用。

在某些实施方式中，第一基板1和/或第二基板2的材质可以是玻璃、石英、有机聚合物、或是不透光/反射材料(例如：晶圆、陶瓷、或其它可适用的材料)、或是其它可适用的材料。所述挡墙框M7的形状优选为矩形框形状，当然也可以根据实际应用的需要将挡墙框M7的形状设置为其他合适的形状。

如图4所示，本实施例还提供了一种显示装置的制造方法，包括：

在第一基板1上制备像素电极层；

在所述像素电极层上制备电浆阻离阵列；所述电浆阻离阵列包括若干呈阵列分布的挡墙框M7，所述挡墙框M7靠近所述公共电极层一侧的端面上设有沟道结构，相邻的两个所述挡墙框M7通过所述沟道结构相连通；

在所述第一基板1上制备衬垫边框，使所述衬垫边框包围所述电浆阻离阵列；

在所述第二基板2上制备公共电极层；

向所述衬垫边框内注入电浆3，使所述电浆3均匀分散在所述电浆阻离阵列内；

将所述第二基板2和所述公共电极层压合在所述衬垫边框和所述电浆3上，使所述公共电极层邻近所述电浆3。

在某些实施方式中，在第一基板1上制备像素电极层，包括：

在第一基板1上由下而上依次制备薄膜晶体管层和第一绝缘层；

在第一绝缘层上制备像素电极层。

在某些实施方式中，所述在第一基板1上由下而上依次制备薄膜晶体管层和第一绝缘层，包括：

在所述第一基板1上制备栅极薄膜和半导体层6；

对所述栅极薄膜依次进行涂胶、烘烤、光刻、显影、刻蚀和去胶，形成第一电极M1；

在所述第一电极M1上制备第二绝缘层7，并在所述第二绝缘层7上制备源漏电极层；

对所述源漏电极层依次进行涂胶、烘烤、光刻、显影、湿法刻蚀和去胶，同时形成漏极M4、源极M3和第二电极M2；其中，所述第二电极M2位于所述漏极M4和源极M3之间并连接所述漏极M4和源极M3，湿法刻蚀液为硝酸、硫酸、草酸和去离子水的混合液，通过调整湿法刻蚀液的用量以及刻蚀时间同时形成漏极M4、源极M3以及位于所述漏极M4和源极M3之间并连接所述漏极M4和源极M3的第二电极M2。

在某些实施方式中，所述在所述第一基板1上制备栅极薄膜可以是通过磁控溅射法制备栅极薄膜。

在某些实施方式中，所述在所述第一电极M1上制备第二绝缘层7，包括：在所述第一电极M1上，通过磁控溅射或溶液旋涂法形成绝缘薄膜，对所述绝缘薄膜依次进行涂胶、烘烤、光刻、显影、刻蚀和去胶，形成第二绝缘层7。

在某些实施方式中，所述在所述第二绝缘层7上制备源漏电极层，包括：在所述第二绝缘层7上采用磁控溅射法制备源漏电极层，其溅射条件为：本底真空为10^-3～10^-4Pa，溅射时气压为0.1-1Pa。

在某些实施方式中，所述在所述像素电极层上制备电浆阻离阵列，包括：

在所述像素电极层上沉积第一材料层，对所述第一材料层进行图案化刻蚀，形成所述挡墙框M7。

在所述像素电极层上沉积第一材料层，包括：做完像素电极层之后沉积第一材料层，也可以是在做完像素电极层之后的其他膜层上方继续沉积第一材料层。

在某些实施方式中，所述图案化刻蚀包括采用一个半透过掩膜板进行刻蚀。形成的挡墙框M7和凸起部M8是一体的结构，即，上方的凸起部M8是采用半透过掩膜板制作的，有利于制作工艺的简化。

在某些实施方式中，所述在所述像素电极层上制备电浆阻离阵列，包括：

在所述像素电极层上沉积第二材料层，对所述第二材料层进行图案化刻蚀，形成所述挡墙框M7的第一部分；

在所述挡墙框M7上沉积第三材料层，对所述第三材料层进行图案化刻蚀，形成所述挡墙框M7的第二部分，即在挡墙框M7上形成凸起部M8。分两步制作挡墙框M7和凸起部M8，挡墙框M7和凸起部M8可以采用相同的材料，能够单独控制挡墙框M7和凸起部M8的高度，提升工艺制作的精细度。

在所述像素电极层上沉积第二材料层，包括：做完像素电极层之后沉积第二材料层，也可以是在做完像素电极层之后的其他膜层上方继续沉积第二材料层。

在某些实施方式中，所述第二材料层和所述第三材料层的材料相同。

需要说明的是：

在此处所提供的说明书中，说明了大量具体细节。然而，能够理解，本申请的实施例可以在没有这些具体细节的情况下实践。在一些实例中，并未详细示出公知的方法、结构和技术，以便不模糊对本说明书的理解。

类似地，应当理解，为了精简本公开并帮助理解各个发明方面中的一个或多个，在上面对本申请的示例性实施例的描述中，本申请的各个特征有时被一起分组到单个实施例、图、或者对其的描述中。然而，并不应将该公开的方法解释成反映如下意图：即所要求保护的本申请要求比在每个权利要求中所明确记载的特征更多的特征。更确切地说，如下面的权利要求书所反映的那样，发明方面在于少于前面公开的单个实施例的所有特征。因此，遵循具体实施方式的权利要求书由此明确地并入该具体实施方式，其中每个权利要求本身都作为本申请的单独实施例。

应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”或“连接到”另一元件时，其可以直接在另一元件上或与另一元件连接，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称为“直接在另一元件上”或“直接连接到”另一元件时，不存在中间元件。如本文所使用的，“连接”可以指物理和/或电性连接。再者，“电性连接”与“耦接”可为二元件间存在其它元件。

本领域那些技术人员可以理解，可以对实施例中的设备中的模块进行自适应性地改变并且把它们设置在与该实施例不同的一个或多个设备中。可以把实施例中的模块或单元或组件组合成一个模块或单元或组件，以及此外可以把它们分成多个子模块或子单元或子组件。除了这样的特征和/或过程或者单元中的至少一些是相互排斥之外，可以采用任何组合对本说明书(包括伴随的权利要求、摘要和附图)中公开的所有特征以及如此公开的任何方法或者设备的所有过程或单元进行组合。除非另外明确陈述，本说明书(包括伴随的权利要求、摘要和附图)中公开的每个特征可以由提供相同、等同或相似目的的替代特征来代替。

需要说明的是，在本申请的描述中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

此外，本领域的技术人员能够理解，尽管在此所述的一些实施例包括其它实施例中所包括的某些特征而不是其它特征，但是不同实施例的特征的组合意味着处于本申请的范围之内并且形成不同的实施例。例如，在下面的权利要求书中，所要求保护的实施例的任意之一都可以以任意的组合方式来使用。

应该注意的是上述实施例对本申请进行说明而不是对本申请进行限制，并且本领域技术人员在不脱离所附权利要求的范围的情况下可设计出替换实施例。在权利要求中，不应将位于括号之间的任何参考符号构造成对权利要求的限制。单词“包含”不排除存在未列在权利要求中的元件或步骤。位于元件之前的单词“一”或“一个”不排除存在多个这样的元件。本申请可以借助于包括有若干不同元件的硬件以及借助于适当编程的计算机来实现。在列举了若干装置的单元权利要求中，这些装置中的若干个可以是通过同一个硬件项来具体体现。单词第一、第二、以及第三等的使用不表示任何顺序。可将这些单词解释为名称。

以上所述实施例仅表达了本申请的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (9)

1.一种显示装置，其特征在于，包括电浆阻离阵列、电浆、衬垫边框以及相对设置的第一基板和第二基板；所述电浆和所述衬垫边框设置在所述第一基板和所述第二基板之间，所述第一基板邻近所述电浆的一侧设置有像素电极层，所述像素电极层包括多个呈阵列排布的像素电极；所述第二基板邻近所述电浆的一侧设置有公共电极层；所述电浆阻离阵列设置在所述像素电极层上以均匀分散和稳固所述电浆；所述衬垫边框包围所述电浆；所述电浆阻离阵列包括若干呈阵列分布的挡墙框；所述挡墙框靠近所述公共电极层一侧的端面上设有沟道结构，相邻的两个所述挡墙框通过所述沟道结构相连通；每一所述挡墙框对应包围一所述像素电极；所述显示装置还包括在所述第一基板上由下而上依次层叠设置的薄膜晶体管层、第一绝缘层；所述薄膜晶体管层包括第一金属层、第二绝缘层、半导体层和第二金属层；所述第一金属层包括第一电极；所述第二金属层包括第二电极和第三电极；所述第三电极包括源极和漏极，所述源极与所述漏极通过所述第二电极电连接；所述像素电极与所述漏极电连接；所述第一绝缘层上开设有过孔，所述过孔暴露所述漏极，所述像素电极通过所述过孔与所述漏极电连接；所述漏极用于向所述像素电极传输电信号；所述挡墙框靠近所述公共电极层一侧的端面上设置有若干凸起部，所述沟道结构为相邻两所述凸起部之间形成的间隙；所述显示装置包括显示区和非显示区，位于所述非显示区内的所述挡墙框包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述第二部分靠近所述第一基板的一侧，所述第一部分由若干挡墙壁顺次首尾相接构成，定义相交的两个所述挡墙壁形成拐角，所述第二部分包括所述沟道结构，所述沟道结构中的沟道与所述拐角交叠；靠近所述衬垫边框的挡墙壁的高度为h1,位于所述显示区内的挡墙壁的高度为h2，位于所述显示区内的所述第二部分的最大高度为h3，其中，h1>h2,h1≤h2+h3。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述凸起部的形状为圆台形、圆锥形、圆柱形、椭圆柱形、长方体形或凸包形。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述凸起部的高度为2-6um。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述凸起部与所述挡墙框一体成型。

5.一种显示装置的制造方法，其特征在于，包括：

在第一基板上制备像素电极层；

在所述像素电极层上制备电浆阻离阵列；所述电浆阻离阵列包括若干呈阵列分布的挡墙框，所述挡墙框靠近公共电极层一侧的端面上设有沟道结构，相邻的两个所述挡墙框通过所述沟道结构相连通；

在所述第一基板上制备衬垫边框，使所述衬垫边框包围所述电浆阻离阵列；

在第二基板上制备公共电极层；

向所述衬垫边框内注入电浆，使所述电浆均匀分散在所述电浆阻离阵列内；

将所述第二基板和所述公共电极层压合在所述衬垫边框和所述电浆上，使所述公共电极层邻近所述电浆；

在所述第一基板上制备像素电极层，包括：

在所述第一基板上由下而上依次制备薄膜晶体管层和第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上制备像素电极层；

所述在所述第一基板上由下而上依次制备薄膜晶体管层和第一绝缘层，包括：

在所述第一基板上制备栅极薄膜和半导体层；

对所述栅极薄膜依次进行涂胶、烘烤、光刻、显影、刻蚀和去胶，形成第一电极；

在所述第一电极上制备第二绝缘层，并在所述第二绝缘层上制备源漏电极层；

对所述源漏电极层依次进行涂胶、烘烤、光刻、显影、湿法刻蚀和去胶，同时形成漏极、源极和第二电极；其中，所述第二电极位于所述漏极和所述源极之间并连接所述漏极和所述源极；

所述显示装置包括显示区和非显示区，位于所述非显示区内的所述挡墙框包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述第二部分靠近所述第一基板的一侧，所述第一部分由若干挡墙壁顺次首尾相接构成，定义相交的两个所述挡墙壁形成拐角，所述第二部分包括所述沟道结构，所述沟道结构中的沟道与所述拐角交叠；靠近所述衬垫边框的挡墙壁的高度为h1,位于所述显示区内的挡墙壁的高度为h2，位于所述显示区内的所述第二部分的最大高度为h3，其中，h1>h2,h1≤h2+h3。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述像素电极层上制备电浆阻离阵列，包括：

在所述像素电极层上沉积第一材料层，对所述第一材料层进行图案化刻蚀，形成所述挡墙框。

7.根据权利要求6所述的方法，所述图案化刻蚀包括采用一个半透过掩膜板进行刻蚀。

8.根据权利要求5所述的方法，所述在所述像素电极层上制备电浆阻离阵列，包括：

在所述像素电极层上沉积第二材料层，对所述第二材料层进行图案化刻蚀，形成所述挡墙框的第一部分；

在所述挡墙框上沉积第三材料层，对所述第三材料层进行图案化刻蚀，形成所述挡墙框的第二部分。

9.根据权利要求8所述的方法，所述第二材料层和所述第三材料层的材料相同。

Images