CN111129671A - 一种介质波导滤波器的电容耦合结构 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种介质波导滤波器的电容耦合结构，包括介质本体，所述介质本体的两端分别设置有用于调节频率的第一盲孔和第二盲孔，介质本体上还开设有第一盲槽、第二盲槽、第三盲槽和第四盲槽，第一盲槽和第二盲槽构成第一“T”型槽，第三盲槽和第四盲槽构成第二“T”型槽，第一“T”型槽和第二“T”型槽的开槽深度方向相反，且第一“T”型槽和第二“T”型槽在介质本体上呈上下交错布置。本发明提出了一种结构简单、易于加工的电容交叉耦合结构，与普通窗口耦合相比其相位相差180°，可以在通带低端形成一个传输零点，在介质波导滤波器中有广泛应用前景。

Description

一种介质波导滤波器的电容耦合结构

技术领域

本发明涉及滤波器技术领域，具体为一种介质波导滤波器的电容耦合结构。

背景技术

随着Massive MIMO技术在5G通信系统中的应用，陶瓷介质波导滤波器以其小尺寸、轻重量、性能优异的特性被广泛的使用。由于通信系统越来越严格的带外抑制要求，传统的切比雪夫滤波器已无法满足应用要求，具有有限传输零点的广义切比雪夫滤波器是改善滤波器性能的关键技术，因而需要在陶瓷介质波导添加交叉耦合结构，形成传输零点，增强滤波器的频率选择性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种介质波导滤波器的电容耦合结构，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种介质波导滤波器的电容耦合结构，包括介质本体，所述介质本体的两端分别设置有用于调节频率的第一盲孔和第二盲孔，介质本体上还开设有第一盲槽、第二盲槽、第三盲槽和第四盲槽，第一盲槽和第二盲槽构成第一“T”型槽，第三盲槽和第四盲槽构成第二“T”型槽，第一“T”型槽和第二“T”型槽的开槽深度方向相反，且第一“T”型槽和第二“T”型槽在介质本体上呈上下交错布置。

优选的，所述第一“T”型槽的开槽深度方向从介质本体的正面朝向背面，第一“T”型槽的开槽深度小于介质本体的厚度；所述第二“T”型槽的开槽深度方向从介质本体的背面朝向正面，第二“T”型槽的开槽深度小于介质本体的厚度。

优选的，所述第一盲孔和第二盲孔的中心轴线相互平行，两个中心轴线的所在平面为基准面，所述第一盲槽和第三盲槽的长度方向与基准面垂直，第一盲槽和第三盲槽相互之间具有介质厚度，所述第二盲槽和第四盲槽的长度方向与基准面平行。

优选的，所述介质本体的表面附着有金属化镀层。

优选的，所述金属化镀层采用镀银层。

优选的，所述介质本体采用陶瓷介质。

优选的，所述第一盲孔和第二盲孔分别与其周围填充的介质形成介质波导谐振腔。

优选的，所述第一“T”型槽和第二“T”型槽在介质本体上形成“Z”型截面区。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明提出了一种结构简单、易于加工的电容交叉耦合结构，与普通窗口耦合相比其相位相差180°，可以在通带低端形成一个传输零点，或选择合适的拓扑结构形成多种形式的零点分布，在介质波导滤波器中有广泛应用前景。

附图说明

图1为一种介质波导滤波器的电容耦合结构的立体结构示意图；

图2为一种介质波导滤波器的电容耦合结构的俯视结构示意图；

图3为一种介质波导滤波器的电容耦合结构中“Z”型截面区的结构示意图；

图4为耦合强度与第二盲槽和第四盲槽的长度关系图；

图5为耦合强度与“T”型槽深度的关系图；

图6为耦合强度与第一盲槽和第三盲槽的长度关系图；

图7为本实施例的频率响应波形图。

图中：100-介质本体，102-第一盲孔，103-第二盲孔，104-第一盲槽，105-第二盲槽，106-第三盲槽，107-第四盲槽，108-“Z”型截面区。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图1～7，本发明提供一种技术方案：一种介质波导滤波器的电容耦合结构，包括介质本体100，所述介质本体100的两端分别设置有用于调节频率的第一盲孔102和第二盲孔103，介质本体100上还开设有第一盲槽104、第二盲槽105、第三盲槽106和第四盲槽107，第一盲槽104和第二盲槽105构成第一“T”型槽，第三盲槽106和第四盲槽107构成第二“T”型槽，第一“T”型槽和第二“T”型槽的开槽深度方向相反，且第一“T”型槽和第二“T”型槽在介质本体100上呈上下交错布置。

可优选地，所述第一“T”型槽的开槽深度方向从介质本体100的正面朝向背面，第一“T”型槽的开槽深度小于介质本体100的厚度；所述第二“T”型槽的开槽深度方向从介质本体100的背面朝向正面，第二“T”型槽的开槽深度小于介质本体100的厚度。

可优选地，所述第一盲孔102和第二盲孔103的中心轴线相互平行，两个中心轴线的所在平面为基准面，所述第一盲槽104和第三盲槽106的长度方向与基准面垂直，第一盲槽104和第三盲槽106相互之间具有介质厚度，所述第二盲槽105和第四盲槽107的长度方向与基准面平行。

其中，所述介质本体100的表面附着有金属化镀层。显然，所述金属化镀层可采用镀银层。所述介质本体100采用陶瓷介质。

所述第一盲孔102和第二盲孔103分别与其周围填充的介质形成介质波导谐振腔。所述第一“T”型槽和第二“T”型槽在介质本体100上形成“Z”型截面区108。

耦合强度与第二盲槽105和第四盲槽107的长度关系见图4；耦合强度与“T”型槽深度的关系见图5；耦合强度与第一盲槽104和第三盲槽106的长度关系见图6；本实施例的频率响应波形见图7。

第一“T”型槽和第二“T”型槽将耦合电磁场集中在介质本体100的“Z”型截面区108中，由于电耦合占主导作用，与磁耦合相比相位差180°，可作为交叉耦合，形成传输零点。

本发明提出了一种结构简单、易于加工的电容交叉耦合结构，与普通窗口耦合相比其相位相差180°，可以在通带低端形成一个传输零点，或选择合适的拓扑结构形成多种形式的零点分布，在介质波导滤波器中有广泛应用前景。

对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

Claims (8)

1.一种介质波导滤波器的电容耦合结构，包括介质本体(100)，其特征在于：所述介质本体(100)的两端分别设置有用于调节频率的第一盲孔(102)和第二盲孔(103)，介质本体(100)上还开设有第一盲槽(104)、第二盲槽(105)、第三盲槽(106)和第四盲槽(107)，第一盲槽(104)和第二盲槽(105)构成第一“T”型槽，第三盲槽(106)和第四盲槽(107)构成第二“T”型槽，第一“T”型槽和第二“T”型槽的开槽深度方向相反，且第一“T”型槽和第二“T”型槽在介质本体(100)上呈上下交错布置。

2.根据权利要求1所述的一种介质波导滤波器的电容耦合结构，其特征在于：所述第一“T”型槽的开槽深度方向从介质本体(100)的正面朝向背面，第一“T”型槽的开槽深度小于介质本体(100)的厚度；所述第二“T”型槽的开槽深度方向从介质本体(100)的背面朝向正面，第二“T”型槽的开槽深度小于介质本体(100)的厚度。

3.根据权利要求2所述的一种介质波导滤波器的电容耦合结构，其特征在于：所述第一盲孔(102)和第二盲孔(103)的中心轴线相互平行，两个中心轴线的所在平面为基准面，所述第一盲槽(104)和第三盲槽(106)的长度方向与基准面垂直，第一盲槽(104)和第三盲槽(106)相互之间具有介质厚度，所述第二盲槽(105)和第四盲槽(107)的长度方向与基准面平行。

4.根据权利要求1所述的一种介质波导滤波器的电容耦合结构，其特征在于：所述介质本体(100)的表面附着有金属化镀层。

5.根据权利要求4所述的一种介质波导滤波器的电容耦合结构，其特征在于：所述金属化镀层采用镀银层。

6.根据权利要求1所述的一种介质波导滤波器的电容耦合结构，其特征在于：所述介质本体(100)采用陶瓷介质。

7.根据权利要求1所述的一种介质波导滤波器的电容耦合结构，其特征在于：所述第一盲孔(102)和第二盲孔(103)分别与其周围填充的介质形成介质波导谐振腔。

8.根据权利要求1所述的一种介质波导滤波器的电容耦合结构，其特征在于：所述第一“T”型槽和第二“T”型槽在介质本体(100)上形成“Z”型截面区(108)。

Images