CN111123640A

CN111123640A - 半导体元件的光罩的制造方法

Info

Publication number: CN111123640A
Application number: CN201911024414.7A
Authority: CN
Inventors: 田福安; 黄旭霆; 刘如淦
Original assignee: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Current assignee: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Priority date: 2018-10-30
Filing date: 2019-10-25
Publication date: 2020-05-08
Also published as: US20200133115A1; US20220308439A1; US20210103211A1; US11662657B2; TW202028852A; US10866506B2; US11360379B2

Abstract

一种半导体元件的光罩的制造方法，包含接收对应于该半导体元件的遮罩图案的多个热点区域。将多个热点区域分类为二个或更多热点群组。热点群组包含至少两热点区域的第一热点群组，其中相同或相似的热点区域被分类至相同的热点群组。校正第一热点群组的第一热点区域，以产生第一热点群组的第一热点区域的优化。使用第一热点群组的第一热点区域的优化来校正第一热点群组的其他热点区域，以产生第一热点群组的该些其他热点区域的优化。

Description

半导体元件的光罩的制造方法

技术领域

本揭露是关于半导体元件的光罩的制造方法。

背景技术

在集成电路(integrated circuit；IC)设计中，数个集成电路的布局被产生。这些布局包括了在晶圆上生产的结构的对应几何形状。这些布局可能是被投影在晶圆上的遮罩布局，以形成集成电路。微影制程将光罩布局的图案转移至晶圆上，使得蚀刻、植入，或其他步骤得以在晶圆上的特定区域被实施。将光罩布局的图案转移至晶圆上可能会产生光罩布局数据缺陷(mask layout data defect)，此缺陷为半导体制造中的主要挑战。光学邻近校正(optical proximity correction；OPC)可以用于减少光罩布局数据缺陷。在光学邻近校正后，光罩布局数据缺陷可以一次一个的被修正。一次一个地校正每一个缺陷是非常浪费时间的。故对于光学微影或是非光学微影来说，有效率的光学邻近校正制程是必须的。

发明内容

附图说明

阅读以下详细叙述并搭配对应的附图，可了解本揭露的实施例的多个态样。应注意，根据业界中的标准做法，多个特征并非按比例绘制。事实上，多个特征的尺寸可任意增加或减少以利于讨论的清晰性。

图1为本揭露的部分实施例的范例集成电路制造流程的示意图；

图2为本揭露的部分实施例的用于改善光罩布局的范例遮罩优化器的示意图；

图3A及图3B为本揭露的部分实施例的具有两个缺陷区域的范例布局轮廓；

图4为本揭露的部分实施例的用于改善光罩布局的范例系统的示意图；

图5为本揭露的部分实施例的范例缺陷校正器的示意图；

图6为本揭露的部分实施例的范例缺陷校正器的示意图；

图7为本揭露的部分实施例的校正遮罩布局的范例制程的流程图；

图8A及图8B为本揭露的部分实施例的光罩数据产生机构。

【符号说明】

100 集成电路制造流程

102 集成电路设计模块

104 遮罩优化器

106 遮罩投影系统

108 晶圆

122 光学邻近校正优化器

130 遮罩投影器

132 缺陷探测器

133 缺陷探测及校正系统

134 缺陷校正器

136 缺陷区域

138 投影遮罩布局

142 热点收集器

144 分类器

146 种子选择器

148 布局校正器

150 储存器

152 热点区域

154 热点群组

156 种子

158 布局优化

160 布局校正器

162 遮罩混合器

164 布局优化

300 布局轮廓

302 缺陷区域

304 缺陷区域

312 桥接

314 桥接

350 布局轮廓

352 缺陷区域

354 缺陷区域

362 夹断

364 夹断

400 初始系统

602 反向微影技术优化器

604 遮罩投影器

606 反向微影技术验证器

608 投影遮罩布局

610 步骤

612 叠代结果

614 输出模块

618 验证结果

700 流程图

800 计算机系统

801 计算机

802 键盘

803 鼠标

804 显示器

805 光盘驱动器

806 磁盘驱动器

811 微处理器

812 只读记忆体

813 随机存取记忆体

814 硬盘

815 排线

821 光盘

822 磁盘

S702 操作

S704 操作

S706 操作

S708 操作

M 遮罩布局

M’ 遮罩布局

M” 遮罩布局

IE 初始优化

具体实施方式

以下揭露的实施例提供众多不同的实施例或范例，用于实施本案提供的主要内容的不同特征。下文描述一特定范例的组件及配置以简化本揭露的实施例。当然，此范例仅为示意性，且并不拟定限制。举例而言，以下描述“第一特征形成在第二特征的上方或之上”，于实施例中可包括第一特征与第二特征直接接触，且亦可包括在第一特征与第二特征之间形成额外特征使得第一特征及第二特征无直接接触。此外，本揭露的实施例可在各范例中重复使用元件符号及/或字母。此重复的目的在于简化及厘清，且其自身并不规定所讨论的各实施例及/或配置之间的关系。

此外，空间相对术语，诸如“下方(beneath)”、“以下(below)”、“下部(lower)”、“上方(above)”、“上部(upper)”等等在本文中用于简化描述，以描述如附图中所图示的一个元件或特征结构与另一元件或特征结构的关系。除了描绘图示的方位外，空间相对术语也包含元件在使用中或操作下的不同方位。此设备可以其他方式定向(旋转90度或处于其他方位上)，而本案中使用的空间相对描述词可相应地进行解释。

在IC设计中，微影模拟是用于预测光罩布局在晶圆上的影像。这些模拟可以例如通过存取多张影像以发现缺陷，或通过光学邻近校正来进行光罩的校正。光学邻近校正用于让影像接近目标的电路图案，以优化印刷参数，例如光源，或优化一些来源和光罩以达到更好的印刷效果。遮罩布局设计的评估可以包括辨识“热点(hotspot)”，其为光罩上可能产生缺陷的区域，例如晶圆上的桥接模式(pattern bridge)。IC布局轮廓可基于IC设计布局而产生。IC布局轮廓的产生是由模拟IC元件并根据设计布局来产生其物理尺寸和几何形状的制程。

形成具有较小特征尺寸的IC设计的光罩布局的挑战是更高的。较小的特征尺寸使得布局过于接近，可能能在投影至晶圆上的时候产生光畸变(optical distortion)。影像特征的尺寸或是间距如果逼近光微影的辐射源的临界解析度，则可能会面临畸变的问题。在部分实施例中，邻近效应的补救方法至少可以通过在畸变得相反方向来调整任意给定的特征来达成。

光学邻近校正是一种微影技术，用来调整(例如:校正或改善)遮罩布局以改善投影的效率。光学邻近校正的目标是把IC设计者绘制的原始布局在晶圆上重新制作。例如，光学邻近校正可用来改善因为光学绕射或其他制程效应所产生的影像错误。光学邻近校正协助维持晶圆上的图案化影像中原始遮罩布局的边缘。如果没经过补正，在制程后，晶圆上的图案化影像可能表现出不规则的形状，例如线宽比设计的窄或宽。光学邻近校正可以通过改变(例如:校正)遮罩布局的图案来改善这些不规则状况。

光学邻近校正经执行以调整遮罩布局，调整后的遮罩布局需经过检查。检查可以透过辨识经过光学邻近校正的遮罩布局上的标记的区域(热点)，这些区域可能无法适当的转印在晶圆上，或是可能产生缺陷的区域，比如说晶圆上的夹断(pinching)(开路)及/或桥接(bridging)(短路)发生的区域。

在部分实施例中，在检查遮罩布局并找到热点后，热点被修正，例如校正或改善。热点区域为，在执行微影制程以在晶圆上形成遮罩布局后，遮罩布局可能在晶圆上产生缺陷的区域。因此，为了改善缺陷区域，反向微影制程、反向微影技术(inverse lithographictechnology；ILT)可应用于遮罩布局上。在部分实施例中，微影制程不是线性的而反向微影技术是一种叠代制程。因此，遮罩布局可以通过叠代制程的反向微影技术进行校正。叠代制程起始于对遮罩布局的初始优化，并叠代(重复)数次以达到遮罩布局的目标优化，使得目标优化后的遮罩布局在晶圆上不具有缺陷区域。在部分实施例中，叠代制程是非常健全的，甚至可以从包括随机数的随机的初始优化开始。然而，从随机的初始优化开始可能会消耗较多次的叠代次数来达到目标优化。因此，对每个热点执行反向微影技术，如果起始于随机初始优化的话，例如对初始优化没有知识，将是耗费时间的。

在部分实施例中，遮罩布局的热点可被分类，例如可以分为多个群组，其中各群组具有相同或类似型态的热点。接着，在每个群组中，一个种子(seed)、一个热点，被挑选并叠代地执行反向微影技术，自随机初始优化开始，经历过数次叠代以达到遮罩布局的目标优化。由于各群组内的热点相同于或类似于该群组的种子，反向微影技术可以叠代地执行在该群组的剩余的热点上，并以相同于该群组的种子的目标优化值作为初始优化开始执行。因此，在部分实施例中，对该群组的剩余的热点执行反向微影技术的叠代次数是少于对该群组的种子执行反向微影技术的叠代次数。在部分实施例中，透过相似性把热点分配到不同群组，再运用相似性来叠代地执行反向微影技术，这种作法可以对热点进行较快速的校正。在部分实施例中，邻近的热点被结合在一个热点区域，而相似的热点被分组至一热点群组。因此，种子可以为一个热点群组内的一个热点区域。反向微影技术可以叠代地对各热点群组内的种子(例如种子区域)执行，接着根据上述的做法继续对其他热点区域内的热点群组叠代地执行反向微影技术。在部分实施例中，可以针对不同热点群组定义一个或多个特征，且可根据每个热点定义相似的测量。因此，热点的相似测量经过计算，使得热点可以根据相似测量的结果进行排序。在部分实施例中，热点群组的特征为热点的长度、宽度，及/或面积。在部分实施例中，热点的特征包括热点内的布局线的密度及/或被布局线所覆盖的热点区域的比例。

图1为本揭露的部分实施例的范例集成电路制造流程100的示意图。集成电路制造流程100为集成电路制造流程的一个范例，其使用了后光学邻近校正验证技术(post OPCverification technique)，其中后光学邻近校正验证技术是透过机器学习方法来应用于遮罩布局的分类。

集成电路制造流程100开始于集成电路设计模块102，集成电路设计模块102提供了用于集成电路生产的遮罩布局M。集成电路设计模块102产生不同的遮罩布局，例如几何图案，遮罩布局是根据集成电路制造的规范所设计，且不同遮罩布局是用于集成电路制造的不同步骤。在部分实施例中，遮罩布局M为一个或多个数据文件，这些数据文件包括几何图案的信息。在部分实施例中，遮罩布局M被生产为几何图案的光罩。集成电路制造流程100包括遮罩优化器104。如接下来在图2中会有更进一步的讨论，遮罩优化器104在部分实施例中执行光学邻近校正以及后光学邻近校正缺陷探测(post-OPC defect detection)。在部分实施例中，后光学邻近校正缺陷探测是在光学邻近校正之后进一步的对遮罩布局进行校正。遮罩优化器104产生优化遮罩布局M”。在部分实施例中，优化遮罩布局M”为一个或多个数据文件，这些数据文件包括优化的几何图案的信息。在部分实施例中，优化遮罩布局M”被生产为优化的几何图案的光罩。

集成电路制造流程100还包括遮罩投影系统106。在部分实施例中，遮罩投影系统106自数据文件中产生优化遮罩布局M”，并将优化遮罩布局M”光学地投影在晶圆108上以在晶圆108上形成集成电路。在部分实施例中，遮罩投影系统106可以使用优化遮罩布局M”的数据文件并透过，例如电子束，将优化遮罩布局M”投影在涂布有光阻的空白遮罩(未图示)以产生用于集成电路的光罩。

图2为本揭露的部分实施例的用于改善光罩布局的范例遮罩优化器104的示意图。遮罩优化器104的部分实施例包括了光学邻近校正优化器122，其接收来自集成电路设计模块102产生的遮罩布局M，并产生经过光学邻近校正的遮罩布局M’。如上述所提及，光学邻近校正是用来校正或优化遮罩布局M，以对集成电路设计模块102绘制的原始布局进行重制，借以产生优化的投影效果。例如，光学邻近校正可以用来补偿光学绕射所产生的投影变形。在部分实施例中，遮罩布局M中为具有几何图案信息的数据文件，这些信息将用于形成于晶圆108上，而光学邻近校正优化器122调整数据文件，并产生校正后的数据文件，而校正后的数据文件即代表校正遮罩布局M’。

接着，遮罩投影器130应用在校正遮罩布局M’上并产生投影遮罩布局138于晶圆上。在部分实施例中，校正遮罩布局M’为数据文件，而遮罩投影器130模拟校正遮罩布局M’在晶圆上的投影，并产生投影遮罩布局138。遮罩优化器104的缺陷探测器132检查投影遮罩布局138，并找出投影遮罩布局138上的缺陷区域136。虽然，校正遮罩布局M’是已经经过光学邻近校正的，但校正遮罩布局M’被投影到晶圆108上的时候会产生缺陷区域。缺陷区域将会在图3A及图3B中讨论。

在部分实施例中，遮罩优化器104的缺陷校正器134接收缺陷区域136和校正遮罩布局M’，并在校正遮罩布局M’上执行进一步的校正，例如优化，借以产生优化遮罩布局M”。缺陷校正器134将会在图5中更深入讨论。在部分实施例中，缺陷探测器132可以和缺陷校正器134结合形成一个缺陷探测及校正系统133，缺陷探测及校正系统133接收投影遮罩布局138和校正遮罩布局M’，接着产生优化遮罩布局M”。

图3A为本揭露的部分实施例的具有两个缺陷区域302及304的范例布局轮廓300。如此处所讨论，布局轮廓300可以通过遮罩投影器130产生，且是当校正遮罩布局M’(已经经过光学邻近校正)被投影到晶圆108的时候产生。如图所示，缺陷区域302、304均具有桥接312、314(短路)，其中桥接312、314为缺陷区域302、304中间部分两个布局线的连接部分。缺陷区域302、304可回投影至校正遮罩布局M’的对应热点上。在部分实施例中，各缺陷区域对应到校正遮罩布局M’的一个热点。由于缺陷区域302、304为邻近的缺陷区域，因此其对应的热点也为邻近的热点，故可以被结合为单一热点区域。

图3B为本揭露的部分实施例的具有两个缺陷区域352及354的范例布局轮廓350。如此处所讨论，布局轮廓350可以通过遮罩投影器130产生，且是当校正遮罩布局M’(已经经过光学邻近校正)被投影到晶圆108的时候产生。如图所示，缺陷区域352、354均具有夹断362、364(开路)，其中夹断362、364为缺陷区域352、354中间部分布局线的断掉部分。缺陷区域352、354可回投影至校正遮罩布局M’的对应热点上。在部分实施例中，各缺陷区域对应到校正遮罩布局M’的一个热点。由于缺陷区域302、304为邻近的缺陷区域，因此其对应的热点也为邻近的热点，故可以被结合为单一热点区域。

图4为本揭露的部分实施例的用于优化遮罩布局的范例系统的示意图。图4图示初始系统400，其包括热点收集器142。热点收集器142接收缺陷区域136和校正遮罩布局M’(例如:经过光学邻近校正)。热点收集器142确认校正遮罩布局M’中对应至缺陷区域136的热点。热点收集器142将邻近的热点结合为热点区域152，并产生(或将其辨识为)校正遮罩布局M’的多个热点区域152。因此，在部分实施例中，热点区域152在投影至晶圆108的时候将产生一个或多个邻近缺陷区域。

在部分实施例中，分类器144接收校正遮罩布局M’的多个热点区域152，并将多个热点区域152分类(或群组化)为多个热点群组154。多个热点区域152可被群组，使得相同或相似的热点区域152可被分类至相同的热点群组154。分类器144可以根据热点区域152的一个或多个特征来分类热点区域。在部分实施例中，分类器144跟据形成在晶圆上的缺陷区域种类，例如夹断、桥接等等，来分类热点区域152。

在部分实施例中，种子选择器146接收多个热点群组154，其中每个热点群组154包括一个或多个热点区域152，如图4所示。在部分实施例中，种子选择器146选择热点区域152的其中一个做为种子。因此，种子选择器146可以产生多个种子156，其中每个种子156对应到一个热点群组154。在部分实施例中，每个热点群组154的种子156的挑选是根据用于将热点区域152分类至热点群组154的特征所选择的。在部分实施例中，根据特征的参数，每个热点群组154的种子156被选择使得种子156相较于其他热点区域152更靠近热点群组154的特征的参数的平均值。

在部分实施例中，布局校正器148接收欲优化的种子156(作为输入)，并产生种子的布局优化158作为输出。如此处所讨论，种子156为热点群组154的热点区域152，而这些热点区域152在投影至晶圆108上会产生一个或多个缺陷区域。在部分实施例中，布局校正器148校正(或优化)校正遮罩布局M’的多个热点群组154的种子156，并产生热点群组154的种子156的布局优化158。因此，在部分实施例中，优化后的种子(即种子156结合了布局优化158)将不会在投影至晶圆108时产生缺陷区域。在部分实施例中，热点群组154的热点区域152的每个种子156的布局优化158将被储存在储存器150中。在部分实施例中，热点收集器142、分类器144、种子选择器146，和布局校正器148结合在初始系统400中，其中初始系统400接收校正遮罩布局M’(经过光学邻近校正)、缺陷区域136，以及布局校正器148的预定初始优化IE，并产生热点群组154的每个种子156的布局优化158。在部分实施例中，布局校正器148使用叠代制程以产生种子156的布局优化158。叠代制程起始于各种子的预定初始优化IE，其可为相同的随机初始优化。布局校正器148将在图6中讨论。

图5为本揭露的部分实施例的范例缺陷校正器134的示意图。缺陷校正器134包括图4的初始系统400，初始系统400接收校正遮罩布局M’、缺陷区域136，以及热点群组154的每个种子156的预定初始优化IE。初始系统400产生热点群组154的每个种子156的布局优化158。如前述所提及，在部分实施例中，热点群组154的每个种子156的布局优化158被储存在缺陷校正器134的储存器150中。初始系统400亦产生热点群组154，其中在部分实施例中，各热点群组154包括一个或多个热点区域152。

缺陷校正器134亦包括布局校正器160，布局校正器160与图4的布局校正器148一致。布局校正器160自初始系统400接收热点群组154。在部分实施例中，布局校正器160接收热点群组154的热点区域152，但不包括热点群组154的种子156。在部分实施例中，对于热点群组154的热点区域152，布局校正器160自储存器150中提取热点群组154的种子156所对应的布局优化158。布局校正器160使用热点群组154的种子156所对应的布局优化158作为初始优化，借以校正热点群组154的热点区域152。因此，对于每个热点群组154，热点群组154的种子156所对应的布局优化158存在于储存器150中。接着，布局校正器160使用对应于每个热点群组154的种子156的布局优化158来校正热点群组154的其他热点区域152。布局校正器160产生布局优化164作为输出，布局优化164包括每个热点群组154的每个热点区域152(包括种子156)的布局优化。类似于种子156，通过合并布局优化164至热点区域152，优化后的热点区域将不会在投影至晶圆108时产生缺陷区域。

缺陷校正器134亦包括遮罩混合器162。在部分实施例中，遮罩混合器162接收布局优化164并合并布局优化164至校正遮罩布局M’以提供优化遮罩布局M”。在部分实施例中，布局校正器160使用叠代制程以产生热点群组154的其他热点区域152的布局优化164。布局校正器160使用每个热点群组154的种子156的布局优化158作为叠代制程的起始优化，以校正热点群组154的其他热点区域152。在部分实施例中，缺陷校正器134接收布局遮罩M而不是校正布局遮罩M’，而初始系统400在布局遮罩M被投影至晶圆108时接收缺陷区域。布局校正器160可提供布局遮罩M的布局优化，且遮罩混合器162可将布局优化合并至布局遮罩M。布局校正器160与布局校正器148一致，并将在图6中进一步讨论。

在部分实施例中，多个热点区域152被分组至多个热点群组154，使得每个热点群组154具有相同或相似的热点区域152。接着，在每个热点群组154中，通过图4的种子选择器146选择种子156，种子156通过图4的布局校正器148进行校正，以产生热点群组154的种子156的布局优化158。接着，热点群组154的种子156的布局优化158被储存在储存器150中。再下一步骤中，对于每个热点群组154，布局校正器160自储存器150中提取热点群组154的种子156所对应的布局优化158，并使用同群组内的种子156的布局优化158来校正相同群组内的其他热点区域152。当每个热点群组154内的种子156相同于或类似于相同热点群组154内的其他热点区域152，则相同热点群组154内的其他热点区域152的校正将可快速地被执行。

图6为本揭露的部分实施例的用于执行反向微影技术的范例布局校正器160的示意图。布局校正器160执行叠代制程。布局校正器160包括反向微影技术优化器602，其接收初始优化IE以及一个或多个热点区域152。被输入至反向微影技术优化器602的热点区域152可为热点群组154的种子156或是热点群组154内的其他热点区域152。在部分实施例中，当热点群组154的种子156是反向微影技术优化器602输入时，初始优化IE为一预定初始优化或随机初始优化。在部分实施例中，当热点群组154的其他热点区域152(不同于种子156的区域)是反向微影技术优化器602输入时，初始优化IE为种子156的布局优化，此布局优化与布局优化158一致。接着，反向微影技术优化器602对接收到的热点区域152执行初始优化IE，并产生叠代结果612。叠代结果612通过遮罩投影器604投影在晶圆108上以产生投影遮罩布局608。在部分实施例中，遮罩投影器604执行模拟的投影。投影遮罩布局608被反向微影技术验证器606检查是否具有缺陷区域。验证结果618在步骤610中被测试，如果验证结果618没有成功，例如具有缺陷，则在反向微影技术优化器602内通过持续叠代的方式调整布局优化。叠代持续到验证结果618是成功的，投影遮罩布局608中不具有任何缺陷区域。当验证结果618是成功，输出模块614输出叠代结果612和输入热点区域152的差异。输出模块614输出叠代结果612和输入热点区域152的差异就是布局校正器160所提供的布局优化164。

在部分实施例中，多个热点区域152在校正遮罩布局M’被投影至晶圆108上的时候产生多个缺陷区域。相反地，在部分实施例中，优化遮罩布局M”在被投影至晶圆108上的时候则不会产生缺陷区域。

图7为本揭露的部分实施例的校正遮罩布局的范例制程的流程图700。方法包括操作S702，接收遮罩布局的多个热点区域。例如，图4中的分类器144接收校正遮罩布局M’的热点区域152。接着，操作S704中，多个热点区域被分类为二个或多个热点群组。例如，图4中的分类器144将热点区域152分类为热点群组154。在部分实施例中，相同或相似的热点区域152被分类至相同的热点群组154。操作S706中，第一热点群组内的第一热点区域被校正，以产生第一热点群组内的第一热点区域的优化。例如，第一热点群组154内的第一热点区域152被种子选择器146挑选并作为种子156。接着，图4的布局校正器148产生种子156的优化，借以提供种子156的布局优化158。操作S708中，第一热点群组内的其他热点区域被校正。例如，第一热点群组154内的其他热点区域152使用同一群组内的156的布局优化158进行校正。

图8A及图8B为本揭露的部分实施例的光罩数据产生机构。图8A为计算机系统的示意图，其根据上述的一个或多个实施例执行光罩数据产生制程。前述的所有或部分制程、方法及/或操作可通过计算机系统上的计算机硬件和计算机程序来实现。操作包括了光学邻近校正优化、遮罩投影、缺陷检查，以及缺陷校正。图8A中，计算机系统800被提供具有计算机801，其包括光盘(例如，CD-ROM或DVD-ROM)驱动器805，以及磁盘驱动器806、键盘802、鼠标803，和显示器804。

图8B为计算机系统800的内部配置示意图。在图8B中，计算机801除了光盘驱动器805和及磁盘驱动器806之外，还提供有一个或多个处理器，例如微处理器MPU(microprocessing unit)811、储存有开机程序的只读记忆体(ROM)812、连接至微处理器811的随机存取记忆体(RAM)813(其中包括了暂存的应用程序的指令以及暂存区)、硬盘814(其储存了应用程序、系统程序，以及数据)，以及排线815(其连接了微处理器811、只读记忆体812和类似者)。应注意计算机801可包括网络卡(未图示)以提供区域网络(LAN)连接。

计算机系统800所执行前述实施例所提及的光罩数据产生和混合机构的程序可以储存在光盘821或磁盘822中，其可分别被插入至光盘驱动器805和磁盘驱动器806中，并传输至硬盘814。或者，这些程序可以通过网络(未图示)传输至计算机801并储存至硬盘814。在执行的时候，程序被读取至随机存取记忆体813。程序可以自光盘821或磁盘822，或直接自网络读取。此程序不需要具有例如操作系统(operating system；OS)或第三方程序来让计算机801执行前述实施例所提及的光罩数据产生和混合机构。此程序可仅包括指令部分，以呼唤适当的程序(模块)在控制的状态下得到所欲的结果。

根据本揭露的部分实施例，相同的或类似的遮罩图案热点被群组至一起，接着第一热点区域被校正。第一热点区域的校正结果接着被用于校正相同或类似的缺陷区域，借此减少执行遮罩布局热点区域的校正的反复时间。在部分实施例中，使用反向微影技术来校正遮罩布局热点区域。在部分实施例中，校正第一热点区域的结果包括用一个或多个参数，这些参数用于相同热点群组的其他热点区域。

在部分实施例中，光罩布局的邻近热点被集合成一个热点区域。使用模糊匹配(fuzzy match)操作来分类热点。相似的热点被分类至同一群组。各热点群组的一种子区(例如，一个热点区域)被挑选。使用第一反向微影技术以校正每个被选择的种子。第一反向微影技术的结果会被储存在记忆体中，例如图4和图5的储存器150。接着，将第一反向微影技术的结果作为初始校正，对相同群组内的其他热点区域执行第二反向微影技术。在部分实施例中，第一反向微影技术和第二反向微影技术的所有结果被结合至光罩布局。在每个热点群组中，热点区域相同于或相似于同一群组内的种子热点区域。因此，第二反向微影技术的叠代次数可以大幅地降低。

在部分实施例中，在光学邻近校正操作后执行光罩布局的检测。在部分实施例中，在检测中辨识热点。热点包括，在光学邻近校正后，那些图案特征之间不具有充足间隙的区域。在部分实施例中，校正操作包括，在光学邻近校正后，调整光罩布局内的布局图案。在部分实施例中，热点对应至缺陷区域，例如夹断或桥接，其中缺陷区域是在当光罩布局背投影至图1的晶圆上时所产生的。在部分实施例中，光罩布局投影为一模拟投影。

如此处所讨论，在部分实施例中，使用反向微影技术校正光罩是在光学邻近校正后执行的。在部分实施例中，可以使用分散式处理(distributed processing)来操作反向微影技术，使得每个热点群组可以由分开的处理器进行处理，以降低操作反复时间。

在部分实施例中，可使用模糊匹配来分组相似的热点。模糊匹配可使用模糊逻辑来分组相似的热点。

应了解并非所有的优点都须要在此处说明，并非所有实施例或范例都有特定的优点，且其他实施例或范例亦可提供其他优点。

根据部分实施例，用于生产半导体元件的方法包括，接收对应于该半导体元件的遮罩图案的多个热点区域。方法包括将多个热点区域分类为二个或更多热点群组，使得相同或相似的热点区域被分类至相同的热点群组，热点群组包括具有至少两热点区域的第一热点群组。方法包括校正第一热点群组的第一热点区域，以产生第一热点群组的第一热点区域的优化。方法进一步包括使用第一热点群组的第一热点区域的优化来校正第一热点群组的其他热点区域，以产生第一热点群组的其他热点区域的优化。二个或更多热点群组包括具有至少两热点区域的第二热点群组，此方法还包括校正第二热点群组的第一热点区域以产生第二热点群组的第一热点区域的优化，以及使用第二热点群组的第一热点区域的优化来校正第二热点群组的其他热点区域，以产生第二热点群组的其他热点区域的优化，以及将第一和第二热点群驵的热点区域的优化合并至遮罩布局以产生优化遮罩布局。当遮罩图案被投影至晶圆上时，多个热点区域产生多个缺陷区域。晶圆上的缺陷区域包括夹断、桥接，或两者。方法进一步包括将遮罩投影至晶圆，探测晶圆上的投影遮罩图案以确认多个缺陷区域，确认遮罩布局的多个热点对应于多个缺陷区域，并结合邻近的热点至一热点区域。使用模糊匹配操作来分类相同或相似的热点区域至相同热点群组。使用反向微影技术来校正热点区域。方法进一步包括以第一预定优化作为初始优化来执行第一热点群组的第一热点区域的叠代校正，执行叠代校正直到预定的目标达到为止并产生第一热点群组的第一热点区域的优化，以及以第一热点群组的第一热点区域的优化作为初始优化，对第一热点群组的其他热点区域进行叠代校正，对第一热点群组的其他热点区域执行叠代校正直到预定的目标达到为止并产生第一热点群组的其他热点区域的优化。方法进一步包括将第一热点群组的第一热点区域的优化存在储存记忆体，并从储存记忆体中提取第一热点群组的第一热点区域的优化并作为执行第一热点群组的其他热点区域执行叠代校正的初始优化。

根据部分实施例，用于生产半导体元件的方法包括，接收对应于该半导体元件的光罩布局。方法包括对光罩布局执行光学邻近校正以产生第一校正光罩，并将第一校正光罩布局投影至晶圆上以产生第一投影光罩布局。方法亦包括检测晶圆上的第一投影光罩布局以确认多个缺陷区域，确认对应至多个缺陷区域的第一校正光罩布局的多个热点。方法包括将多个热点区域分类为二个或更多热点群组，使得相同或相似的热点区域被分类至相同的热点群组，热点群组包括具有至少两热点区域的第一热点群组。方法包括校正第一热点群组的第一热点区域，以产生第一热点群组的第一热点区域的优化，以及使用第一热点群组的第一热点区域的优化来校正第一热点群组的其他热点区域，以产生第一热点群组的其他热点区域的优化。方法也包括将第一热点群组的热点区域的优化合并至第一校正光罩布局，以产生第二优化光罩布局。二个或更多热点群组包括具有至少两热点区域的第二热点群组，此方法还包括校正第二热点群组的第一热点区域以产生第二热点群组的第一热点区域的优化，以及使用第二热点群组的第一热点区域的优化来校正第二热点群组的其他热点区域，以产生第二热点群组的其他热点区域的优化，以及将第二热点群驵的热点区域的优化合并至第二优化光罩布局。将第一校正光罩布局投影至晶圆上唯一模拟投影。使用模糊匹配操作来分类相同或相似的热点区域至相同热点群组。

根据部分实施例，用于生产半导体元件的方法包括，接收对应于该半导体元件的遮罩图案的多个热点区域。方法包括将多个热点区域分类为二个或更多热点群组，使得相同或相似的热点区域被分类至相同的热点群组。方法包括执行每一个热点群组的第一热点区域的叠代校正。叠代校正使用对应于每个热点群组的第一热点区域的第一优化作为初始优化，并执行叠代校正直到达成目标，并产生每个热点群组的第一热点区域的优化。方法进一步包括使用每个热点群组的第一热点区域的优化作为初始优化，对每个热点群组的其他热点区域进行叠代校正。执行叠代校正直到达成目标。在达到目标后，产生每个热点群组的其他热点区域的优化。

根据部分实施例，一种布局探测及校正系统包括热点收集器，热点收集器辨识遮罩布局中的多个热点区域。布局探测及校正系统包括分类器以将遮罩布局中的多个热点区域分类为热点群组。相同或相似的热点区域被分类至相同的热点群组。布局探测及校正系统亦包括布局校正器，以校正第一热点群组内的辨识到的第一热点区域，以产生第一热点群组内的第一热点区域的优化。布局校正器使用第一热点群组内的第一热点区域的优化来校正第一热点群组内的其他热点区域，以产生第一热点群组内的其他热点区域的优化。布局校正器校正第二热点群组内的辨识到的第一热点区域，以产生第二热点群组内的第一热点区域的优化，并使用第二热点群组内的第一热点区域的优化来校正第二热点群组内的其他热点区域，以产生第二热点群组内的其他热点区域的优化。布局探测及校正系统还包括储存记忆体以储存第一热点群组内的第一热点区域的优化和第二热点群组内的第一热点区域的优化。布局探测及校正系统还包括遮罩混合器，以将第一热点群组内的热点区域的优化和第二热点群组内的热点区域的优化合并至遮罩布局，以产生优化遮罩布局。分类器使用模糊匹配操作以将相同或相似的热点区域分类至相同热点群组。布局校正器使用反向微影技术来校正热点区域。布局探测及校正系统还包括缺陷探测器，以检测晶圆上的投影遮罩布局以检测多个缺陷区域，热点收集器辨识遮罩布局中的多个热点区域对应至多个缺陷区域，且热点收集器将邻近的热点合并为多个热点区域。

上文概述了若干实施例的特征，以便本领域熟悉此项技艺者可更好地理解本揭示案的实施例的态样。本领域熟悉此项技艺者应当了解到他们可容易地使用本揭示案的实施例作为基础来设计或者修改其他制程及结构，以实行相同目的及/或实现相同优势的。本领域熟悉此项技艺者亦应当了解到，此类等效构造不脱离本揭示案的实施例的精神及范畴，以及在不脱离本揭示案的实施例的精神及范畴的情况下，其可对本文进行各种改变、取代及变更。

Claims

1.一种半导体元件的光罩的制造方法，其特征在于，包含：

接收对应于该半导体元件的一遮罩图案的多个热点区域；

将该些多个热点区域分类为二个或更多热点群组。该些热点群组包含至少两热点区域的一第一热点群组，其中相同或相似的该些热点区域被分类至相同的该些热点群组；

校正该第一热点群组的一第一热点区域，以产生该第一热点群组的该第一热点区域的一优化；以及

使用该第一热点群组的该第一热点区域的该优化来校正该第一热点群组的其他热点区域，以产生该第一热点群组的该些其他热点区域的多个优化。