CN111123578B - 发光装置 - Google Patents

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Abstract

一种发光装置，包括一第一发光单元和一第二发光单元。第一发光单元发射一第一光谱，所述第一光谱在525纳米和585纳米之间具有一主波峰，且在400纳米和470纳米之间具有一第一子波峰。第二发光单元发射一第二光谱，所述第二光谱在595纳米和775纳米之间具有一主波峰，且在400纳米和470纳米之间具有一第二子波峰。所述第一子波峰的积分与所述第二子波峰的积分不同。

Description

发光装置
技术领域
本发明涉及一种发光装置，特别是涉及一种包括光转换元件的发光装置。
背景技术
在传统的发光装置中，常利用混合绿光和红光的方式来产生其他颜色的光(例如黄光)。然而，在传统发光装置，对于观察者而言，所述光线(例如黄光)的颜色的明视觉偏蓝。因此，本发明提供一种可减少上述问题的发光装置。
发明内容
在一些实施例中，一种发光装置包括发射一光谱的一发光单元，所述光谱在520纳米(nm)和780纳米之间具有一主波峰，且在400纳米和470纳米之间具有一子波峰。所述光谱的一第二子波峰积分大于所述光谱的一第一子波峰积分。
在一些实施例中，一种发光装置包括一第一发光单元和一第二发光单元。第一发光单元发射一第一光谱，第一光谱在525纳米和585纳米之间具有一主波峰，且在400纳米和470纳米之间具有一第一子波峰。第二发光单元发射一第二光谱，第二光谱在595纳米和775纳米之间具有一主波峰，且在400纳米和470纳米之间具有一第二子波峰。第一子波峰的积分与第二子波峰的积分不同。
附图说明
图1为本发明第一实施例的发光装置的剖视示意图。
图2为第一实施例的第一发光单元或第二发光单元所发射的出射光的光谱的示意图。
图3为第一实施例的第一发光单元和第二发光单元所发射的出射光的光谱的示意图。
图4为CIE 1931的色度坐标图。
图5为图4所示的区域G的放大图和显示出第一发光单元所发射的不同出射光的点。
图6为图4所示的区域R的放大图和显示出第二发光单元所发射的不同出射光的点。
图7为第二实施例的发光装置的剖视示意图。
图8为第三实施例的发光装置的剖视示意图。
附图标记说明：10-发光装置；100-第一基板；102-第二基板；1041-间隙物；1042-光调变层；106-遮蔽结构；1081、1082-偏光片；110-光学膜；112、122-光源；114-导光板；116-光学层；118-隔离结构；120-平坦层；AP-开口；BF-阻挡结构；BL-背光模块；CE-色度图边界；CGL-电荷产生层；CL1、CL2-光线；DP-面板；EIL2、EIL1-电子注入层；EL1-第一电极；EL2-第二电极；ETL2、ETL1-电子传输层；G、R、Y、CS-区域；G0、G1、G2、G3、R0、R1、R2、R3、R4-点；HIL2、HIL1-电洞注入层；HTL2、HTL1-电洞传输层；I1、I2-强度；IL1、IL2-入射光；LA-光吸收材料；LCE1、LCE2、LCE3-光转换元件；LE-发光元件；LE1-第一发光元件；LE2-第二发光元件；LE3-第三发光元件；LEL2、LEL1-发光结构；LS-光谱；LS1-第一光谱；LS2-第二光谱；LU1-第一发光单元；LU2-第二发光单元；LU3-第三发光单元；MI-强度积分；MP1、MP2-主波峰；MW、MW1、MW2-主波；OL1-第一光线；OL2-第二光线；OL3-第三光线；PDL-像素定义层；PL-保护层；QD1-量子点；SI1、SI11、SI12-第一子波峰积分；SI2、SI21、SI22-第二子波峰积分；SI3-第三子波峰积分；SI4-第四子波峰积分；SI51、SI52-第五子波峰积分；SI61、SI62-第六子波峰积分；SP1-第一子波峰；SP2-第二子波峰；SU-基板；SW、SW1、SW2-子波；V-法线方向；Wm、W1、W2、W3、W4、W5、W11、W12-波长。
具体实施方式
通过参考以下的详细描述并结合附图可理解本发明，须注意的是，为了使读者能容易了解及图式的简洁，本发明中的多张图式只绘出电子装置的一部分，且图式中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本发明。
本发明通篇说明书与后附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可以不同的名称来指称相同的元件。在下文说明书与权利要求书中，「含有」与「包括」等词为开放式词语，因此其应被解释为「含有但不限定为…」之意。
应了解到，当元件或膜层被称为在另一个元件或膜层「上」或「连接至」另一个元件或膜层时，它可直接在此另一元件或膜层上或直接连接至此另一元件或层，或者两者之间存在有插入的元件或膜层(非直接情况)。相反地，当元件被称为「直接」在另一个元件或膜层「上」或「直接连接至」另一个元件或膜层时，两者之间不存在有插入的元件或膜层。
术语「大约」、「基本上」、「等于」或「相同」通常代表在给定值或范围的20％范围内，或代表在给定值或范围的10％、5％、3％、2％、1％或0.5％范围内。
虽然术语第一、第二、第三…可用以描述多种组成元件，但组成元件并不以此术语为限。此术语仅用于区别说明书内单一组成元件与其他组成元件。权利要求中可不使用相同术语，而依照权利要求中元件宣告的顺序以第一、第二、第三…取代。因此，在下文说明书中，第一组成元件在权利要求中可能为第二组成元件。
须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本发明的精神下，可将数个不同实施例中的技术特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。
请参考图1，图1为本发明第一实施例的发光装置的剖视示意图。发光装置可包括显示设备、电子装置、可挠曲装置或其他适合的装置，但不以此为限。在一些实施例中，发光装置可应用于拼接装置(tiled device)。举例来说，发光装置10可为显示设备，其可包括面板DP和背光模块BL，面板DP相对于背光模块BL设置。面板DP可包括第一基板100、第二基板102和设置在第一基板100与第二基板102之间的光调变层1042。第一基板100可设置在光调变层1042与背光模块BL之间。第一基板100和/或第二基板102可包括透明基板，例如包括刚性基板(例如玻璃基板、石英基板)、可挠曲基板(例如塑料基板)或上述的组合，但不以此为限。塑料基板的材料可例如包括聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)或聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)，但不以此为限。在一实施例中，发光装置包括液晶面板，光调变层1042可包括液晶层，且第一基板100和第二基板102之间可设置一些间隙物1041。此外，面板DP可包括配向层(例如聚酰亚胺层)、电极(例如像素电极或共同电极)或遮蔽结构106，但不以此为限。第一基板100可包括阵列基板。第二基板102可包括彩色滤光层基板或保护基板，但不以此为限。举例来说，晶体管、信号线、扫描线、数据线或绝缘层可设置在第一基板100上，但不以此为限。举例来说，遮蔽结构106可设置在第二基板102和第一基板100之间。遮蔽结构106可包括多个开口，且光转换元件LCE1、光转换元件LCE2或光转换元件LCE3可设置在遮蔽结构106的所对应的开口中。遮蔽结构106的材料可包括黑色光阻、黑色印刷油墨、黑色树脂或其他适合的材料或上述材料的组合，但不以此为限。
面板DP还可包括偏光片1081及/或偏光片1082。偏光片1081可设置在第一基板100和背光模块BL之间，偏光片1082可设置在光转换元件(例如光转换元件LCE1、光转换元件LCE2或光转换元件LCE3)和光调变层1042之间。然而，偏光片1081和偏光片1082的设置位置并不以上述为限。在一些实施例中，发光装置具有光调变层1042(例如液晶)，光调变层1042可设置在上述偏光片1081及偏光片1082之间以调整灰阶，而光转换元件并未设置在上述两个偏光片之间。在一些实施例中，偏光片1081和/或偏光片1082设置在第一基板100和第二基板102之间，偏光片1081和/或偏光片1082可包括金属导线，即金属线栅偏极片(wiregrid polarizer，WGP)，但并不以此为限。金属导线的材料包括金属、金属合金、其他适合的材料或上述材料的组合，但不以此为限。在一些实施例中，第一基板100和第二基板102可设置在偏光片1081和偏光片1082之间，偏光片1081和偏光片1082的材料可包括保护膜、纤维素三醋酸酯(triacetate cellulose，TAC)、聚乙烯醇(polyvinyl alcohol，PVA)、压敏胶(pressure sensitive adhesive，PSA)或离型膜，但不以此为限。此外，面板DP还可包括至少一个设置在面板DP和背光模块BL之间的光学膜110。在一些实施例中，光学膜110包括反射式偏光增光片(duel brightness enhancement film，DBEF)、棱镜膜、其他适合的光学膜或上述材料的组合，但不以此为限。
背光模块BL可包括光源112和导光板114。如图1所示，背光模块BL可包括侧光式的背光模块，光源112可邻近导光板114的至少一侧壁设置，但不以此为限。光源112可包括发光二极管(light emitting diode，LED)、微型发光二极管(micro LED)、次毫米发光二极管(mini LED)、有机发光二极管(organic LED，OLED)、荧光材料、磷光材料、其他适合的光源或上述材料的组合，但不以此为限。在一实施例中，背光模块BL可发射蓝光或紫外光，但不以此为限。
如图1所示，发光装置10可包括第一发光单元LU1、第二发光单元LU2及/或第三发光单元LU3。第一发光单元LU1包括第一发光元件LE1和第一光转换元件LCE1，第二发光单元LU2包括第二发光元件LE2和第二光转换元件LCE2，第三发光单元LU3包括第三发光元件LE3和第三光转换元件LCE3。上述发光单元中的其中一个可例如对应至发光装置10中的一部分的垂直堆栈的层(或元件)的结构。举例来说，上述发光单元中的其中一个可为发射一种颜色光(例如红色、绿色或蓝色，但不以此为限)的发光装置10的一部分。上述发光单元中的其中一个可对应至遮蔽结构106中的其中一个开口。在其中一个发光单元中，光转换元件可设置在发光元件上。举例来说，第一光转换元件LCE1设置在第一发光元件LE1上，第二光转换元件LCE2设置在第二发光元件LE2上，第三光转换元件LCE3设置在第三发光元件LE3上。此外，光调变层1042可设置在发光元件和光转换元件之间。
图1中，在法线方向V上，背光模块BL所对应至第一光转换元件LCE1的一部分(例如导光板114的一部分)可视为第一发光元件LE1；在法线方向V上，背光模块BL所对应至第二光转换元件LCE2的一部分可视为第二发光元件LE2；在法线方向V上，背光模块BL所对应至第三光转换元件LCE3的一部分可视为第三发光元件LE3。法线方向V例如与第一基板100互相垂直。
第一光转换元件LCE1、第二光转换元件LCE2或第三光转换元件LCE3可包括量子点、荧光材料、磷光材料、彩色滤光层、其他适合的材料或上述材料的组合，但不以此为限。量子点可由半导体纳米晶体结构所形成，可包括硒化镉(CdSe)、硫化镉(CdS)、碲化镉(CdTe)、硒化锌(ZnSe)、碲化锌(ZnTe)、硫化锌(ZnS)、碲化汞(HgTe)、砷化铟(InAs)、合金(Cd1-xZnxSe1-ySy)、硒化镉/硫化锌、磷化铟(InP)和砷化镓(GeAs)，但不以此为限。量子点可具有1纳米(nm)至30纳米之间、1纳米至20纳米之间或1纳米至10纳米之间的粒径。在一实施例中，量子点可被背光模块BL所发射的入射光激发，入射光可被量子点转换为具有不同波长的发射光。发射光的颜色可藉由量子点的材料及/或大小所调整。在另一实施例中，量子点可发射具有适当颜色的光线，量子点可包括圆球颗粒、圆柱颗粒或具有其他任何适合形状的颗粒。
如图1所示，第一光转换元件LCE1可包括量子点QD1，量子点QD1可被入射光IL1的一部分激发，且所述部分的入射光IL1可被量子点QD1转换为光线CL1。由于量子点的转换效率可能不为100％，因此入射光IL1的另一部分可例如不被转换成光线CL1，第一光线OL1例如为光线CL1和未被转换的入射光IL1的混合光。第一光线OL1可为第一发光单元LU1所发射的出射光。在本发明中，出射光可例如为从发光装置10所发射出并被观察者所看见的最终可视光。
如图1所示，第二光转换元件LCE2可包括量子点QD2，量子点QD2可被入射光IL2的一部分激发，且所述部分的入射光IL2可被量子点QD2转换为光线CL2。量子点QD2可与量子点QD1不同。第二光线OL2可为光线CL2和未被转换的入射光IL2的混合光。第二光线OL2可为第二发光单元LU2所发射的出射光。
在一实施例中，第三发光单元LU3所发射的第三光线OL3可为蓝光。由于第三发光元件LE3发射蓝光，因此第三光转换元件LCE3可选择性被替换成透明层，其中透明层可不具有量子点。透明层可包括透明介电材料，但不以此为限。在一些实施例中，第三光转换元件LCE3可包括蓝色的彩色滤光层。在一些实施例中，第三电子单元EU3可不包括第三光转换元件LCE3。在一些实施例中，第三光转换元件LCE3可包括适合类型的量子点以调整第三光线OL3的波长。
在一些实施例中，第一光转换元件LCE1和/或第二光转换元件LCE2中可设置多个光吸收材料LA。在一些实施例中，光吸收材料LA可设置在第一光转换元件LCE1和/或第二光转换元件LCE2上，举例来说，光吸收材料LA可混合在第一光转换元件LCE1和/或第二光转换元件LCE2上的适合的膜层中，光吸收材料LA可用于吸收一部分未被转换的入射光IL1(和/或一部分未被转换的入射光IL2)，可减少未被转换的入射光IL1(和/或入射光IL2)的量。光吸收材料LA可包括苯并三唑(benzotriazole)、二氧化钛(TiO2)、二氧化锆(ZrO2)、其他适合的材料或上述材料的组合，但不以此为限。苯并三唑、二氧化钛或二氧化锆可吸收波长小于450纳米或小于400纳米的光线，但不以此为限。
举例来说，光吸收材料LA中苯并三唑的含量比的范围可介于0.1％至20.2％之间(0.1％≤含量比≤20.2％)，光吸收材料LA中二氧化钛的含量比的范围可介于0.2％至19.6％之间(0.2％≤含量比≤19.6％)。在此情形下，光吸收材料LA对于波长为450纳米的光线的穿透率的范围可介于86.5％至91.2％之间(86.5％≤穿透率≤91.2％)，光吸收材料LA对于波长为400纳米的光线的穿透率的范围可介于1.66％至11.8％之间(1.66％≤穿透率≤11.8％)，且光吸收材料LA对于波长为380纳米的光线之穿透率的范围可介于0.0005％至0.005％之间(0.0005％≤穿透率≤0.005％)。可根据需求调整不同材料的含量比。
此外，光吸收材料LA可包括黄色颜料(Y-颜料)、黄色染料(Y-染料)、钇铝石榴石(yttrium aluminum garnet，YAG)磷光材料、其他适合的材料或上述材料的组合，但不以此为限。Y-颜料可包括C16H12Cl2N4O4、Y184、Y185、Y189、Y194、Y213、Y120、Y128、Y138、Y139、Y150或Y151。Y-染料可包括C26H18N4Na2O8S2。钇铝石榴石磷光材料可包括YAG:Ce3+、Y3Al5O12:Ce3+、或其他商用的钇铝石榴石磷光材料，但不以此为限。
请参考图2，图2为第一实施例的第一发光单元或第二发光单元所发射的出射光的光谱的示意图。第一光线OL1和第二光线OL2的光谱可具有相似的特征或特性。下述的光谱LS的特征可应用至第一发光单元LU1和第二发光单元LU2。
在图2中，光谱LS可包括主波MW和子波SW。主波MW可代表藉由第一光转换元件LCE1(或第二光转换元件LCE2)所转换的光线CL1(或光线CL2)。主波MW的主波峰可对应至波长Wm，且波长Wm的范围可介于520纳米至780纳米之间。「主波的主波峰」可被定义为主波MW的波峰。在其他光谱中，「主波的主波峰」也可如上述的方式所定义。此外，入射光的一部分可被第一光转换元件LCE1(或第二光转换元件LCE2)转换，主波MW的主波峰的强度大于子波SW的子波峰的强度。
子波SW可代表第一光线OL1中未被转换的入射光IL1(或第二光线OL2中未被转换的入射光IL2)。值得注意的是，子波SW是对应至未被转换的入射光。子波SW的子波峰对应至范围介于400纳米至470纳米的波长W1，因此子波SW可对应至蓝光。「子波的子波峰」被定义为子波SW的波峰。在其他光谱中，「子波的子波峰」也可如上述的方式所定义。在一些实施例中，光吸收材料LA对于较短波长(例如小于或等于400纳米，但不以此为限)的光可具有较大的吸光率，且子波SW的波形可为不对称的。如图2中子波SW的放大图(a)所示，光谱LS的第一子波峰积分SI1为子波SW的波形的一部分的强度积分。第一子波峰积分SI1是透过从波长W1减20纳米(W1(nm)-20nm)至波长W1所迭加计算而得。此外，光谱LS的第二子波峰积分SI2为子波SW的波形的另一部分的强度积分。第二子波峰积分SI2是透过从波长W1至波长W1加20纳米(W1(nm)+20nm)所迭加计算而得。子波SW的波形可为不对称，第二子波峰积分SI2可与第一子波峰积分SI1不同，且第二子波峰积分SI2可大于第一子波峰积分SI1。第一子波峰积分SI1对第二子波峰积分SI2的比值(SI1/SI2)的范围介于20％至98％之间(20％≤SI1/SI2≤98％)。
此外，主波MW的强度积分MI可从521纳米至780纳米迭加计算而得。第一子波峰积分SI1对主波MW的强度积分MI的比值的范围可介于0.05％至2％之间(0.05％≤SI1/MI≤2％)，且第二子波峰积分SI2对主波MW的强度积分MI的比值的范围可介于0.05％至10％之间(0.05％≤SI2/MI≤10％)。
如图2中子波SW的放大图(b)所示，子波SW的子波峰可对应至强度I1，波长W2和波长W3分别对应至强度I2(强度I1的一半强度)，其中波长W2小于波长W3。从波长W4至波长W2所迭加计算出的光谱LS的子波SW的强度积分可被定义为第三子波峰积分SI3，其中波长W4等于波长W2减20纳米(W4(nm)＝W2(nm)-20nm)。从波长W3至波长W5所迭加计算出的光谱LS的子波SW的另一个强度积分可被定义为第四子波峰积分SI4，其中波长W5等于波长W3加20纳米(W5(nm)＝W3(nm)+20nm)。第三子波峰积分SI3与第四子波峰积分SI4不同，且第三子波峰积分SI3对第四子波峰积分SI4的比值(SI3/SI4)的范围介于4％至30％之间(4％≤SI3/SI4≤30％)。
请参考图3，图3为第一实施例的第一发光单元和第二发光单元所发射的出射光的光谱的示意图。在图3的光谱图(a)中，第一发光单元LU1所发射的第一光线OL1具有包括主波MW1和子波SW1的第一光谱LS1，且第二发光单元LU2所发射的第二光线OL2具有包括主波MW2和子波SW2的第二光谱LS2。主波MW1和主波MW2可分别对应至图1中的光线CL1和光线CL2，主波MW1在525纳米和585纳米之间可具有主波峰MP1，主波MW2在595纳米和775纳米之间可具有主波峰MP2，如图3的光谱图(a)所示。子波SW1和子波SW2可分别对应至图1中未被转换的入射光IL1和未被转换的入射光IL2。如图3的光谱图(a)所示，子波SW1在400纳米和470纳米之间可具有第一子波峰SP1，且子波SW2在400纳米和470纳米之间可具有第二子波峰SP2。第一子波峰SP1的强度可与第二子波峰SP2的强度不同。举例来说，第一子波峰SP1的强度可大于第二子波峰SP2的强度，但并不以此为限。
如图3的子波SW1和子波SW2的放大图(b)所示，与上述的内容相似，第一光谱LS1中的子波SW1可具有第一子波峰积分SI11和第二子波峰积分SI21，且第二光谱LS2中的子波SW2可具有第一子波峰积分SI12和第二子波峰积分SI22。第一光谱LS1的第一子波峰SP1可对应至波长W11，第二光谱LS2的第二子波峰SP2可对应至波长W12，其中图3中的波长W11和波长W12可为相同的，但不以此为限。在一些实施例中，波长W11和波长W12可为不同的。第一子波峰积分SI11可从波长W11减20纳米(W11(nm)-20nm)至波长W11迭加计算而得，第二子波峰积分SI21可从波长W11至波长W11加20纳米(W11(nm)+20nm)迭加计算而得。举例来说，第一子波峰积分SI11可由算式
Figure BDA0002226998260000101
所计算，第二子波峰积分SI21可由算式
Figure BDA0002226998260000102
所计算，其中I为子波SW1的强度，且λ为波长。第一子波峰积分SI12可从波长W12减20纳米(W12(nm)-20nm)至波长W12迭加计算而得，且第二子波峰积分SI22可从波长W12至波长W12加20纳米(W12(nm)+20nm)迭加计算而得。举例来说，第一子波峰积分SI12可由算式
Figure BDA0002226998260000103
所计算，第二子波峰积分SI22可由算式
Figure BDA0002226998260000111
所计算，其中I为子波SW2的强度，且λ为波长。在一些实施例中，第一光谱LS1的第一子波峰积分SI11对第二子波峰积分SI21的比值(SI11/SI21)与第二光谱LS2的第一子波峰积分SI12对第二子波峰积分SI22的比值(SI12/SI22)不同。
如图3的子波SW1和子波SW2的放大图(c)所示，第一光谱LS1的子波SW1的第五子波峰积分SI51可从380纳米至第一子波峰SP1的波长W11迭加计算而得，第一光谱LS1的子波SW1的第六子波峰积分SI61可从第一子波峰SP1的波长W11至520纳米迭加计算而得。举例来说，第五子波峰积分SI51可由算式
Figure BDA0002226998260000112
所计算，第六子波峰积分SI61可由算式
Figure BDA0002226998260000113
所计算，其中I为子波SW1的强度，且λ为波长。此外，第二光谱LS2的子波SW2的第五子波峰积分SI52可从380纳米至第二子波峰SP2的波长W12迭加计算而得，第二光谱LS2的子波SW2的第六子波峰积分SI62可从第二子波峰SP2的波长W12至520纳米迭加计算而得。举例来说，第五子波峰积分SI52可由算式
Figure BDA0002226998260000114
所计算，第六子波峰积分SI62可由算式
Figure BDA0002226998260000115
所计算，其中I为子波SW2的强度，且λ为波长。在一些实施例中，第五子波峰积分SI51对第六子波峰积分SI61的比值(SI51/SI61)与第五子波峰积分SI52对第六子波峰积分SI62的比值(SI52/SI62)不同。
在一些实施例中，第一光线OL1可为绿光，第二光线OL2可为红光，且第三光线可为蓝光，但不以此为限。在一些实施例中，发光装置10可包括可发射与第一光线OL1、第二光线OL2和第三光线OL3不同颜色的光线的其他发光单元。在一些实施例中，发光装置10可包括可发射具有不同波长的光线的其他发光单元。
请参考图4至图6，图4为CIE 1931的色度坐标图，图5为图4所示的区域G的放大图并显示出第一发光单元所发射出的不同出射光的点(色度点)，图6为图4所示的区域R的放大图并显示出第二发光单元所发射出的不同出射光的点(色度点)。色域通常可由图4的CIE1931的色度坐标图中的区域表示。沿着色度图边界CE标示的数字可代表波长。在图4中，具有位于区域Y中的x-y坐标的光线的颜色可为黄色或偏黄色。
在图5中，区域CS代表发光装置10的色彩空间，其中点(色度点)G0可代表绿原色，点(色度点)G1、点(色度点)G2及/或点(色度点)G3可对应为一些实施例中的第一发光单元LU1所发射的第一光线OL1的x-y坐标，但并不以此为限。点G0、点G1、点G2及点G3的x-y坐标可如下所示：G0xy＝(0.17,0.797)，G1xy＝(0.26,0.705)，G2xy＝(0.27,0.699)，G3xy＝(0.275,0.698)。将点G1、点G2及/或点G3与点G0相比，可获得第一光线OL1的颜色例如朝向区域Y作调整，且第一光线OL1中蓝光的强度可降低，使第一光线OL1的颜色可更黄，或于同样强度的绿光下，人眼可感受到更高的亮度。在一些实施例中，第一光线OL1中蓝光的强度降低可因引入光吸收材料LA所造成。在一些实施例中，第一光线OL1的x-y坐标可落在色度坐标图的区域G中。举例来说，发光装置10在CIE 1931色域中的绿色x坐标值的范围介于0.17至0.29之间(0.17≤x≤0.29)，且发光装置10在CIE 1931色域中的绿色y坐标值的范围介于0.675至0.797之间(0.675≤y≤0.797)。
如图6所示，点R0代表红原色，且点(色度点)R1、点(色度点)R2、点(色度点)R3及/或点(色度点)R4可对应至一些实施例中的第二发光单元LU2所发射的第二光线OL2的x-y坐标。点R0、点R1、点R2、点R3及点R4的x-y坐标可如下所示：R0xy＝(0.708,0.292)，R1xy＝(0.693,0.303)，R2xy＝(0.6915,0.3035)，R3xy＝(0.687,0.3045)，R4xy＝(0.684,0.3082)。将点R1、点R2、点R3及/或点R4与点R0相比，可获得第二光线OL2的颜色例如朝向区域Y作调整，且第二光线OL2中的蓝光的强度可降低，使第二光线OL2的颜色可更黄，或于同样强度的红光下，人眼可感受到更高的亮度。在一些实施例中，第二光线OL2中的蓝光的强度降低可透过加入光吸收材料LA所获得。在一些实施例中，第二光线OL2的x-y坐标可位在色度坐标图的区域R中。举例来说，发光装置10在CIE 1931色域中的红色x坐标值的范围介于0.68至0.708之间(0.68≤x≤0.708)，且红色y坐标值的范围介于0.292至0.31之间(0.292≤y≤0.31)。
由于第一光线OL1和第二光线OL2中的蓝光(即光谱LS中的子波SW)降低，或透过第一光线OL1和/或第二光线OL2所混合的光朝蓝色区域而移向的机会降低，使发光装置10可获得或提供具有黄色或偏黄色的光线。在一些实施例中，发光装置10中可选择性不需要设置黄色的发光单元。当发光装置10的色彩空间被调整时(例如降低蓝光)，可改善观察者的视觉感受。
光谱可例如藉由分光辐射器(spectroradiometer)测量。在进行测量时，分光辐射器可设置在发光装置10的远离背光模块BL或发光元件的一侧。在进行测量时，发光装置10可例如开启至少一个第一发光单元LU1(或至少一个第二发光单元LU2)，且发光装置10可发射第一光线OL1(或第二光线OL2)。在进行测量时，第一发光单元LU1或第二发光单元LU2可例如在最大灰阶下操作。分光辐射器可包括CA-210、CS 1000T、CA-310、CA410、CS 2000或其他适合的仪器，但不以此为限。
本发明的不同实施例中的技术特征可被替换、重组或混合。为了方便比较这些实施力的差异，下述内容将会详细说明不同实施例之间的差异，至于相同的技术特征则不再赘述。
请参考图7，图7为第二实施例的发光装置的剖视示意图。与第一实施例不同的是，光转换元件(例如第一光转换元件LCE1、第二光转换元件LCE2和第三光转换元件LCE3)可设置在背光模块BL中。在一些实施例中，光转换元件(例如第一光转换元件LCE1、第二光转换元件LCE2和第三光转换元件LCE3)可设置在光学层116和面板DP之间。在一些实施例中，光转换元件可设置在光学层116上，并藉由隔离结构118所分隔以形成光学结构，其可例如被称为「导光板上量子点彩色滤光片」结构。在一些实施例中，光转换元件可被平坦层120覆盖，但不以此为限。在一些实施例中，光学层116可包括导光板、扩散板或其他光学膜层(或板)。隔离结构118的材料和平坦层120的材料可包括透明材料、绝缘材料、其他适合的材料或上述材料的组合，但不以此为限。在图7中，背光模块BL可包括直下式背光模块或侧光式背光模块。在一实施例中，背光模块BL为直下式背光模块，且背光模块BL可包括设置在光学层116下的多个光源122。
在一些实施例中，多个阻挡结构BF可例如分别设置在第一光转换元件LCE1上和第二光转换元件LCE2上，且光吸收材料LA可设置在阻挡结构BF中，如图7所示。在一些实施例中，光吸收材料LA可设置在发光元件(例如第一发光元件LE1和第二发光元件LE2)上和/或光转换元件(例如第一光转换元件LCE1和第二光转换元件LCE2)上。在一些实施例中，阻挡结构BF可与第一光转换元件LCE1(和/或第二光转换元件LCE2)的顶表面(或其他表面)接触，但不以此为限。在一些实施例中，阻挡结构BF可包括黄色、红色或绿色彩色滤光片，但不以此为限。须注意的是，阻挡结构BF可包括主材料和设置在主材料中的至少一个阻挡材料(或光吸收材料LA)，但不以此为限。阻挡结构BF的主材料可包括透明材料、绝缘材料、其他适合的材料或上述材料的组合，但不以此为限。阻挡材料可例如遮挡或过滤至少部分的蓝光，但不以此为限。阻挡材料可相似于光吸收材料LA，故在此不再重复说明。在一些实施例中，阻挡结构BF可设置在第一发光单元LU1和/或第二发光单元LU2的遮蔽结构106的开口AP中，但不以此为限。
根据一些实施例(如图7)，在法线方向V上，对应至第一光转换元件LCE1的光源122的一部分和光学层116的一部分可视为第一发光元件LE1。此外，第二发光元件LE2和第三发光元件LE3也可藉由上述方法所定义。在一些实施例中，第三光转换元件LCE3可包括量子点QD3，量子点QD3可例如被第三发光元件LE3所发射的至少一部分入射光所激发，并藉由量子点QD3将所述部分的入射光转换为具有不同主波峰波长的蓝光。
请参考图8，图8为第三实施例的发光装置的剖视示意图。在一些实施例中，发光装置10可包括有机发光二极管(organic LED，OLED)。发光元件(例如第一发光元件LE1、第二发光元件LE2和第三发光元件LE3)例如共享一个发光元件LE，但不以此为限。共同发光元件LE可包括至少一个发光结构。举例来说，如图8所示，在法线方向V上，发光元件LE包括依序堆栈在薄膜晶体管基板上的多个第二电极EL2、电洞注入层HIL2、电洞传输层HTL2、发光结构LEL2、电子传输层ETL2、电子注入层EIL2、电荷产生层CGL、电洞注入层HIL1、电洞传输层HTL1、发光结构LEL1、电子传输层ETL1、电子注入层EIL1和第一电极EL1，但不以此为限。
发光结构LEL1和发光结构LEL2可包括有机发光材料或量子点、其他适合的材料或上述材料的组合，但不以此为限。第二电极EL2可为阴极或阳极中的其中一个，且第一电极EL1可为阴极或阳极中的另外一个。第二电极EL2例如分隔设置在对应的发光单元中。第二电极EL2可设置在保护层PL上，且像素定义层PDL(pixel definition layer，PDL)可设置在第二电极EL2上。像素定义层PDL的开口中的其中一个可对应至第二电极EL2中的其中一个，且部分的第二电极EL2可藉由像素定义层PDL的开口而暴露。第二电极EL2中的其中一个可例如穿过保护层PL以与发光单元的晶体管电连接。在一些实施例中，发光结构LEL1和发光结构LEL2可分别对应至第一发光单元LU1、第二发光单元LU2和第三发光单元LU3，但不以此为限。在一些实施例中，发光结构LEL1和发光结构LEL2之间可选择性设置其他元件。在一些实施例中，发光结构LEL1的材料和发光结构LEL2的材料可相同或不同。此外，第一光转换元件LCE1、第二光转换元件LCE2和第三光转换元件LCE3可设置在基板SU上，且基板SU可相对于阵列基板(未示出)设置，但不以此为限。在一些实施例中，第一光转换元件LCE1、第二光转换元件LCE2和第三光转换元件LCE3可与发光元件LE设置于相同的基板上，且第一光转换元件LCE1、第二光转换元件LCE2和第三光转换元件LCE3可设置在发光元件LE上，而基板SU可为保护层或保护膜，但不以此为限。在一些实施例中，上述膜层(或元件)可根据状况增加或减少，并不以上述内容为限。
此外，发光元件LE的堆栈结构可视为多个发光元件的整合，其中发光元件可例如以串联方式电性连接。在一些实施例中，发光元件可例如为横向并排设置，电荷产生层可例如不设置在发光元件中，且发光元件可以并联方式电性连接。
在一些实施例中，发光单元中的其中一个(例如第一发光单元LU1、第二发光单元LU2或第三发光单元LU3)可包括设置在发光元件(例如第一发光元件LE1、第二发光元件LE2或第三发光元件LE3)中的至少一个光源。光源可包括发光二极管、微型发光二极管、次毫米发光二极管或量子点发光二极管，但不以此为限。在一些实施例中，光转换元件中的其中一个(例如第一光转换元件LCE1、第二光转换元件LCE2或第三光转换元件LCE3)可设置在对应的光源的顶表面上。在一些实施例中，光转换元件中的其中一个(例如第一光转换元件LCE1、第二光转换元件LCE2或第三光转换元件LCE3)可设置在(或覆盖在)对应的光源的顶表面及/或侧壁上。
综上所述，根据发光装置所发射的第一光线和第二光线的光谱，由于第一光线和第二光线中的蓝光(光谱中的子波)被降低，可减少第一光线和第二光线的混合光移向蓝光区域的现象。当使用第一光线和第二光线产生颜色混合的光线时，可藉由发光装置获得或提供具有黄色或偏黄色的光线，且可不需在发光装置中设置额外的黄色发光单元。当发光装置的色彩空间被调整(例如降低蓝光可用以保护眼睛)，其可保留色彩空间中的黄色区域，或有益于用户的视觉感受。
以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种发光装置，其特征在于，包括：
一发光单元，发射一光谱，所述光谱在520纳米和780纳米之间具有一主波峰，且在400纳米和470纳米之间具有一子波峰对应至一波长；
其中所述光谱从所述波长减20纳米到所述波长之间包括一第一子波峰积分，所述光谱从所述波长到所述波长加20纳米之间包括一第二子波峰积分，且所述光谱的所述第二子波峰积分大于所述光谱的所述第一子波峰积分。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第一子波峰积分对所述第二子波峰积分的比值的范围介于20％至98％之间。
3.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第一子波峰积分对具有所述主波峰的一主波强度积分的比值的范围介于0.05％至2％之间。
4.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第二子波峰积分对具有所述主波峰的一主波强度积分的比值的范围介于0.05％至10％之间。
5.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述发光装置在CIE1931色域中的一红色x坐标值的范围介于0.68至0.708之间。
6.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述发光装置在CIE1931色域中的一红色y坐标值的范围介于0.292至0.31之间。
7.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述发光装置在CIE1931色域中的一绿色x坐标值的范围介于0.17至0.29之间。
8.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述发光装置在CIE1931色域中的一绿色y坐标值的范围介于0.675至0.797之间。
9.一种发光装置，其特征在于，包括：
一第一发光单元，发射一第一光谱，所述第一光谱在525纳米和585纳米之间具有一主波峰，且在400纳米和470纳米之间具有一第一子波峰；以及
一第二发光单元，发射一第二光谱，所述第二光谱在595纳米和775纳米之间具有一主波峰，且在400纳米和470纳米之间具有一第二子波峰；
其中所述第一子波峰的积分与所述第二子波峰的积分不同。
10.根据权利要求9所述的发光装置，其特征在于，所述第一光谱的所述第一子波峰对应至一第一波长，所述第二光谱的所述第二子波峰对应至一第二波长，所述第一光谱从所述第一波长减20纳米到所述第一波长之间包括一第一子波峰积分，所述第一光谱从所述第一波长到所述第一波长加20纳米之间包括一第二子波峰积分，所述第二光谱从所述第二波长减20纳米到所述第二波长之间包括一第一子波峰积分，所述第二光谱从所述第二波长到所述第二波长加20纳米之间包括一第二子波峰积分，所述第一光谱的所述第一子波峰积分对所述第一光谱的所述第二子波峰积分的比值不同于所述第二光谱的所述第一子波峰积分对所述第二光谱的所述第二子波峰积分的比值。
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