CN110896086B - 电子装置 - Google Patents

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Abstract

一种电子装置，包括一第一电子单元和一第二电子单元。所述第一电子单元发射具有一第一光谱的一第一光线。所述第一光谱的主波峰对应到一第一波长，其中，所述第一波长的范围为461纳米至473纳米。所述第二电子单元发射具有一第二光谱的一第二光线，其中，所述第二光谱与所述第一光谱不同。所述第二光谱的子波峰对应到一第二波长，其中，所述第二波长的范围为300纳米至460纳米。所述第一波长与所述第二波长之间的差距大于或等于5纳米。

Description

电子装置
技术领域
本发明涉及一种电子装置，特别是涉及一种包括光转换层的电子装置。
背景技术
显示设备可整合到电子装置中。色域所参考的是国家电视系统委员会(NationalTelevision System Committee,NTSC)色域。Rec.2020色域为应用到电子装置(例如显示设备)的一种色域。为了提高显示质量，如何提供更纯的色光(例如红色、绿色或蓝色)以符合广色域应用中Rec.2020的需求对制造商来说是很重要的议题。
发明内容
在一些实施例中，一种电子装置包括一第一电子单元和一第二电子单元。第一电子单元发射具有一第一光谱的一第一光线，且第一光谱的一主波峰对应到范围为461纳米至473纳米的一第一波长。第二电子单元发射具有一第二光谱的一第二光线，其中第二光谱与第一光谱不同，第二光谱的一子波峰对应到范围为300纳米至460纳米的一第二波长，且第一波长与第二波长之间的差距大于或等于5纳米。
附图说明
图1为本发明第一实施例的电子装置的示意图。
图2为第一实施例的输入光的输入光谱的示意图。
图3为第一实施例的输出光的输出光谱的示意图。
图4为本发明第二实施例的输出光的输出光谱的示意图。
图5为本发明第三实施例的电子装置的示意图。
图6为本发明第四实施例的电子装置的示意图。
图7为本发明第五实施例的电子装置的示意图。
图8为本发明第六实施例的电子装置的示意图。
图9为本发明第七实施例的电子装置的剖视示意图。
图10为本发明第八实施例的发光元件的剖视示意图。
图11为本发明第九实施例的电子装置的剖视示意图。
附图标记说明：101-主动层；103-闸极；105a-源极；105b-汲极；AM-主动矩阵层；CGL-电荷产生层；CL2、CL3-光线；DP-显示设备；ED-电子装置；EIL2、EIL1、EIL-电子注入层；EL1-第一电极；EL2-第二电极；ETL2、ETL1-电子传输层；EU1-第一电子单元；EU2-第二电子单元；EU3-第三电子单元；HIL2、HIL1、HIL-电洞注入层；HTL2、HTL1、HTL-电洞传输层；IL1-第三光线；IL2-第四光线；IL3-第五光线；IS1-第三光谱；IS2-第四光谱；IW1-第三波长；IW2-第四波长；LC-液晶层；LCL1-第一光转换层；LCL2-第二光转换层；LCL3-第三光转换层；LEL11、LEL12、LEL21、LEL22、LEL31、LEL32、LEL1、LEL2、LEL3-发光层；LU-共同发光元件；LU1-第一发光元件；LU2-第二发光元件；LU3-第三发光元件；MW1、MW2-主波；OL1-第一光线；OL2-第二光线；OL3-第六光线；OS1-第一光谱；OS2-第二光谱；OS3-第六光谱；OW1-第一波长；OW21-第二波长；OW22、OW31-波长；OW32-第六波长；PDL-像素定义层；PL-保护层；QD2、QD3、QD1-量子点；SL-防护层；SU-基板；SW1、SW2-子波；Tr-晶体管；V-基板的法线方向。
具体实施方式
通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本发明。为了使读者能容易了解及图式的简洁，本发明中的多张图式只绘出电子装置的一部分，且图式中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本发明的范围。
本发明通篇说明书与后附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求书中，“含有”、”具有”与“包括”等词为开放式词语，因此其应被解释为“含有但不限定为…”之意。
当元件或膜层被称为在另一个元件或膜层“上”或“连接到”另一个元件或膜层时，它可以直接在此另一元件或膜层上或直接连接到此另一元件或层，或者两者之间存在有插入的元件或膜层(非直接情况)。相反地，当元件被称为“直接”在另一个元件或膜层“上”或“直接连接到”另一个元件或膜层时，两者之间不存在有插入的元件或膜层。
术语“大约”、“大致上”、“等于”或“相同”通常代表落在给定数值或范围的20％范围内，或代表落在给定数值或范围的10％、5％、3％、2％、1％或0.5％范围内。
虽然术语第一、第二、第三…可用以描述多种组成元件，但组成元件并不以此术语为限。此术语仅用于区别说明书内单一组成元件与其他组成元件。权利要求中可不使用相同术语，而依照权利要求中元件宣告的顺序以第一、第二、第三…取代。因此，在下文说明书中，第一组成元件在权利要求中可能为第二组成元件。
须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本发明的精神下，将数个不同实施例中的技术特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。
图1为第一实施例的电子装置的示意图，图2为第一实施例的输入光的输入光谱的示意图，图3为第一实施例的输出光的输出光谱的示意图。电子装置ED可为显示设备DP、感测装置、发光装置，但不以此为限。电子装置ED可包括第一电子单元EU1(包括第一发光元件LU1和第一光转换层LCL1)、第二电子单元EU2(包括第二发光元件LU2和第二光转换层LCL2)以及第三电子单元EU3(包括第三发光元件LU3和第三光转换层LCL3)。在一实施例中，第一发光元件LU1、第二发光元件LU2或第三发光元件LU3可包括有机发光二极管(organiclight emitting diodes，OLED)、发光二极管(light emitting diodes，LED)，例如毫米型发光二极管(mini LED)、微型发光二极管(micro LED)、量子点(quantum dots，QDs)、量子点发光二极管(quantum dots LED，QLEDs或QD-LEDs)、荧光材料、磷光材料、其他合适的材料或上述材料的组合，但不以此为限。在一些实施例中，发光层可包括多量子井(multiplequantum well，MQW)。在一些实施例中，电子装置可为液晶显示(liquid crystal display)装置，且上述的发光元件可为背光源，但不以此为限。
第一光转换层LCL1可设置在第一发光元件LU1上，第二光转换层LCL2可设置在第二发光元件LU2上，且第三光转换层LCL3可设置在第三发光元件LU3上。在一些实施例中，第一光转换层LCL1、第二光转换层LCL2或第三光转换层LCL3可包括多个量子点、荧光材料、磷光材料、彩色滤光层或上述材料的组合，但不以此为限。量子点可例如由半导体纳米晶体结构形成，且可包括硒化镉(CdSe)、硫化镉(CdS)、碲化镉(CdTe)、硒化锌(ZnSe)、碲化锌(ZnTe)、硫化锌(ZnS)、碲化汞(HgTe)、砷化铟(InAs)、合金(Cd1-xZnxSe1-ySy)、硒化镉/硫化锌(CdSe/ZnS)、磷化铟(InP)和砷化镓(GaAs)，但不以此为限。量子点的粒子大小的范围通常为1纳米(nm)至30纳米、1纳米至20纳米或1纳米至10纳米。当量子点被输入光激发时，输入光会被量子点转换成具有其他颜色的发射光。发射光的颜色可由量子点的材料或大小所调整。在其他实施例中，量子点可包括圆球粒子、棒状粒子或具有其他合适形状的粒子使量子点可发射具有合适颜色的光。在一实施例中，第一光转换层LCL1可被替换成透明层，其中透明层内可不具有量子点。透明层可包括透明的介电材料，但不以此为限。在一些实施例中，第一光转换层LCL1可不包括于第一电子单元EU1中。
第一发光元件LU1可发射具有第三光谱IS1(如图2所示)的第三光线IL1。第三光线IL1可为第一光转换层LCL1的输入光。第三光谱IS1的主波峰可对应第三波长IW1，且第三波长IW1的范围可为461纳米(nm)至473纳米(461纳米≤第三波长IW1≤473纳米)。举例来说，如图2所示，第三波长IW1大约为467纳米。第三光线IL1可为蓝光。如图1和图3所示，第一电子单元EU1可发射具有第一光谱OS1的第一光线OL1，且第一光谱OS1的主波峰可对应到第一波长OW1，其中第一波长OW1的范围为461纳米至473纳米(461纳米≤第一波长OW1≤473纳米)。第一光线OL1可例如为从第一电子单元EU1发射的输出光(例如蓝光)。第三光线IL1与第一光线OL1的关系会在之后说明。在一些实施例，第一光转换层LCL1可被替换为透明层或从第一电子单元EU1中被移除，且第三光线IL1与第一光线OL1可例如具有相同的光谱。举例来说，如图3所示，第一波长OW1的范围可为461纳米至473纳米(461纳米≤第一波长OW1≤473纳米)，第一波长OW1大约为467纳米。
第二发光元件LU2可发射第四光线IL2，且第三发光元件LU3可发射第五光线IL3。第四光线IL2可为第二光转换层LCL2的输入光。第五光线IL3可为第三光转换层LCL3的输入光。如图2所示，第四光线IL2具有第四光谱IS2，且第五光线IL3具有与第四光谱IS2相同的第五光谱(未示出)。第四光谱IS2的主波峰对应到第四波长IW2，第四波长IW2的范围可为300纳米至460纳米(300纳米≤第四波长IW2≤460纳米)。在一实施例中，第四波长IW2的范围为440纳米至460纳米(440纳米≤第四波长IW2≤460纳米)，例如大约为图2所示的450纳米。在一实施例中，第三波长IW1可与第四波长IW2不同。在一实施例中，第三波长IW1可大于第四波长IW2。在一些实施例，第二发光元件LU2与第三发光元件LU3可包括相同类型的发光元件或相同的发光材料，但第一发光元件LU1的发光元件或发光材料的类型可与第二发光元件LU2和/或第三发光元件LU3不同。在本发明中，上述的输出光例如为电子装置ED的最终可视光，输出光可例如被使用者(观察者)看见。
在第二电子单元EU2中，第四光线IL2可被转换为第二光线OL2，第二光线OL2例如具有图3所示的第二光谱OS2。第二光转换层LCL2可包括量子点QD2，量子点QD2可被部分第四光线IL2所激发，且部分第四光线IL2可被量子点QD2(图1所示)转换为光线CL2。须注意的是，量子点QD2的转换效率可能非为100％，至少部分的第四光线IL2例如不被转换为光线CL2，第二光线OL2可例如为光线CL2与上述至少部分的未被转换的第四光线IL2所组成的混合光。第二光线OL2可为第二电子单元EU2所发射的输出光。
如图3所示，第二光谱OS2与第一光谱OS1不同。第二光谱OS2可包括主波MW1与子波SW1。子波SW1可大致代表未被转换的第四光线IL2。第二光谱OS2的子波SW1的子波峰可对应到第二波长OW21，其中第二波长OW21的范围为300纳米至460纳米(300纳米≤第二波长OW21≤460纳米)。“子波SW1的子波峰”是由子波SW1的波峰所定义。同样地，在本发明中，光谱内其他子波的子波峰也可以上述方式被定义。在一实施例中，第二波长OW21的范围为440纳米至460纳米(440纳米≤第二波长OW21≤460纳米)，例如约为图3所示的450纳米。第一波长OW1与第二波长OW21之间的差距大于或等于5纳米，且小于或等于167纳米，例如约为图3所示的17纳米。第一波长OW1大于第二波长OW21。第二光谱OS2的子波峰的强度对第一光谱OS1的主波峰的强度的比值的范围可为0.06％至10％(0.06％≤比值≤10％)，例如0.64％至9.6％。
第二光谱OS2的主波MW1可大致代表经由第二光转换层LCL2所转换的光线CL2。第二光谱OS2的主波MW1的主波峰可对应到波长OW22，其中，波长OW22的范围为522纳米至542纳米(522纳米≤波长OW22≤542纳米)，例如图3所示的532纳米。“主波MW1的主波峰”是由主波MW1的波峰所定义。同样地，在本发明中，其他主波的主波峰也可以上述方式被定义。在一些实施例中，大部分的第四光线IL2可经由第二光转换层LCL2被转换，且第二光谱OS2的主波MW1的主波峰的强度可大于第二光谱OS2的子波SW1的子波峰的强度。
在第三电子单元EU3中，光转换的概念或方法与第二电子单元EU2相似。第三电子单元EU3可发射具有第六光谱OS3的第六光线OL3，其中，第六光谱OS3与第一光谱OS1不同。第六光谱OS3的子波峰可对应到第六波长OW31，其中，第六波长OW31的范围为300纳米至460纳米(300纳米≤第六波长OW31≤460纳米)。第一波长OW1与第六波长OW31之间的差距大于或等于5纳米。
第六光线OL3可为第三电子单元EU3所发射的输出光。第三光转换层LCL3可包括量子点QD3。量子点QD3可被部分第五光线IL3所激发，且该部分第五光线IL3可被量子点QD3转换为光线CL3，其中，光线CL3的颜色与第五光线IL3的颜色不同。光线CL3和未被转换的第五光线IL3可例如彼此混合以产生第六光线OL3。
如图3所示，第六光谱OS3可包括主波MW2和子波SW2。子波SW2可大致代表未被转换的第五光线IL3。第六光谱OS3的子波SW2的子波峰可对应到波长OW31，其中，波长OW31的范围为300纳米至460纳米(300纳米≤波长OW31≤460纳米)。在一实施例中，波长OW31的范围为440纳米至460纳米(300纳米≤波长OW31≤460纳米)，例如图3所示的450纳米，且第二波长OW21与波长OW31可大致上相同。第二波长OW21与波长OW31之间的差距可小于或等于2纳米。第六光线OL3的第六光谱OS3与第一光谱OS1和第二光谱OS2不同。
如图3所示，第一波长OW1与波长OW31(或第二波长OW21)之间的差距大约为17纳米。第六光谱OS3的子波峰的强度对第一光谱OS1的主波峰的强度的比值的范围可为0.06％至10.0％(0.06％≤比值≤10.0％)，例如为0.064％至9.6％)。
另一方面，主波MW2可大致代表经由第三光转换层LCL3被转换的光线CL3。第六光谱OS3的主波MW2的主波峰可对应到第六波长OW32，其中，第六波长OW32的范围可为620纳米至640纳米(620纳米≤第六波长OW32≤640纳米)，例如图3所示的630纳米)此外，由于部分第五光线IL3可被第三光转换层LCL3转换，因此第六光谱OS3的主波峰的强度大于第六光谱OS3的子波峰的强度。
在一些实施例中，第一光线OL1可为蓝光，第二光线OL2可为绿光，且第六光线OL3可为红光。在一些实施例中，电子装置可包括其他可发射光线的电子单元，且这些电子单元可发射与第一光线OL1、第二光线OL2和第六光线OL3的颜色不同的光。
光谱(例如第一光谱OS1、第二光谱OS2或第六光谱OS3)可由能侦测色度的仪器所测量，例如光传感器、色彩分析仪CA-210、分光放射亮度计CS1000T或分光放射亮度计CS2000，但不以此为限。光谱(例如第一光谱OS1、第二光谱OS2或第六光谱OS3)可分别由其所对应的电子单元所测量，在测量的过程中，至少一个对应的电子单元可为开启的，且并未拆卸电子装置。
此外，光谱(例如第三光谱IS1或第四光谱IS2)可由光致发光(photoluminescence，PL)测量系统所测量。光谱(例如第三光谱IS1或第四光谱IS2)可从发光元件的表面测量。举例来说，发光元件和光转换层可被分离，且从第一发光元件LU1、第二发光元件LU2或第三发光元件LU3所发射的光可由光致发光测量系统所测量。在一些实施例中，所述光谱(例如第一光谱OS1、第二光谱OS2、第六光谱OS3、第三光谱IS1或第四光谱IS2)可由其他合适的方法或仪器所测量。
在一些电子装置中，不同电子单元可具有相同种类或产生相同光谱的光源(例如发光元件)，且在发光元件所发射的蓝光的光谱中，主波峰可具有相同的波长(约为450纳米)。举例来说，波长为455纳米的蓝色光在色度坐标的X轴的值(Bx)为0.143，波长为460纳米的蓝色光在色度坐标的X轴的值(Bx)为0.141，且Rec.2020的蓝原色在色度坐标的X轴的值(Bx)为0.131，但不限于此。因此，从蓝色像素发射出的蓝色光与Rec.2020的蓝原色之间的Bx值的差异(可记为ΔBx)大于或等于0.01。然而，根据本发明，第一发光元件LU1与第二发光元件LU2和第三发光元件LU3不同，且从第一电子单元EU1发射出的蓝色光的光谱的主波峰代表蓝色像素具有大约为467纳米的波长。例如，波长为467纳米的蓝色光在色度坐标的X轴的值(Bx)为0.131，且波长为461纳米的蓝色光在色度坐标的X轴的值(Bx)为0.134，两者之间的差值(ΔBx)可小于0.004。如上述，在广色域应用中，从第一电子单元EU1发射的蓝色光的颜色可与Rec.2020的蓝原色更加接近。
不同实施例中的技术特征可进行替换、重组或混合。为了方便比较不同实施例与变化实施例之间的差异，下文会详述不同实施例与变化实施例之间的差异，至于相同的技术特征则不再赘述。
表1示出了第一电子单元EU1、第二电子单元EU2和第三电子单元EU3的不同变化形。藉由参考图1到图3和下文的叙述内容，可了解此些变化实施例的内容。在本发明中，第一电子单元EU1可使用变化实施例B1到B5的任何变化形，第二电子单元EU2(和/或第三电子单元EU3)可使用变化实施例A1到A5的任何变化形。使用变化实施例B1到B5的任何变化形的第一电子单元EU1可具有与第一光谱OS1相似的光谱。使用变化实施例A1到A5的任何变化形的第二电子单元EU2(和/或第三电子单元EU3)可具有与第二光谱OS2(和/或第六光谱OS3)相似的光谱。
表1
Figure BDA0002168133180000091
在变化实施例A1中，第二发光元件LU2所发射的第四光线IL2具有第四光谱IS2，且此光谱的主波峰对应到的一波长的范围为440纳米至460纳米(440纳米≤波长≤460纳米)。在变化实施例A1中，第三发光元件LU3所发射的第五光线IL3具有一光谱，且此光谱的主波峰所对应到的一波长的范围为440纳米至460纳米(440纳米≤波长≤460纳米)。
在变化实施例A2中，第二发光元件LU2所发射的第四光线IL2具有第四光谱IS2，且第四光谱IS2的主波峰对应到的一波长的范围为461纳米至473纳米(461纳米≤波长≤473纳米)。在变化实施例A2中，第三发光元件LU3所发射的第五光线IL3可具有一光谱，且此光谱的主波峰所对应到的一波长的范围为461纳米至473纳米(461纳米≤波长≤473纳米)。
在变化实施例A3中，第二发光元件LU2(和/或第三发光元件LU3)发射紫外光。紫外光的光谱的主波峰可对应到的一波长的范围为300纳米至450纳米(300纳米≤波长≤450纳米)。在一些实施例(实施例A3)中，第二光转换层LCL2(和/或第三光转换层LCL3)可包括量子点，量子点可例如将部分紫外光转换成红光(和/或绿光)，而残留部分的紫外光未被转换。在一些实施例(实施例A3)中，第二光转换层LCL2(和/或第三光转换层LCL3)可包括两种量子点以产生一部分的红光(和/或绿光)与一部分的蓝光，上述一部分的蓝光的波长范围为440纳米至460纳米(440纳米≤波长≤460纳米)。当第二发光元件LU2(和/或第三发光元件LU3)发射少量的蓝光时，可降低人眼对黄光的敏感度，但不以此为限。
在变化实施例A4中，第二发光元件LU2(和/或第三发光元件LU3)可发射混合光。混合光可例如以混合具有范围为461纳米至473纳米的主波峰(461纳米≤主波峰≤473纳米)的蓝光和具有范围为440纳米至460纳米的主波峰(440纳米≤主波峰≤460纳米)的另一蓝光所组合形成。举例来说，发光元件可包括两个发光元件(例如发光层)，其中一个发光元件可发射主波峰约为450纳米的蓝光，且另一个发光元件可发射主波峰约为467纳米的蓝光。这些发光元件可垂直堆栈或水平设置(例如并排设置)在一个电子单元中。在一些实施例中，发光元件可包括多个发光元件。
在变化实施例A5中，第二发光元件LU2(和/或第三发光元件LU3)可包括可发射主波峰约为532纳米的绿光(或主波峰约为630纳米的红光)的量子点发光二极管。在变化实施例A5中，第二光转换层LCL2(和/或第三光转换层LCL3)可不需设置在第二电子单元EU2(或/和第三电子单元EU3)中。在一些实施例中，上述的量子点发光二极管还可包括少量的量子点以转换波峰约为450纳米的少量蓝光。
在变化实施例B1中，第三光线IL1的第三光谱OS1的主波峰的范围为440纳米至460纳米(440纳米≤主波峰的范围≤460纳米)。第一光转换层LCL1需设置在第一电子单元EU1中以转换第三光线IL1，第一电子单元EU1可发射具有第一光谱OS1的第一光线OL1，且第一光谱OS1的主波的主波峰可对应到范围为461纳米至473纳米的第一波长OW1(461纳米≤第一波长OW1≤473纳米)。在广色域应用中，第一电子单元EU1的第一光线OL1的颜色可与Rec.2020的蓝原色更加接近。
在变化实施例B2中，第三光线IL1的第三光谱OS1的主波峰的范围为461纳米至473纳米(451纳米≤主波峰的范围≤473纳米)。第一光转换层LCL1可不需设置在第一电子单元EU1中。
在变化实施例B3中，第一发光元件LU1发射紫外光。第一光转换层LCL1需设置在第一电子单元EU1中以转换紫外光。第一电子单元EU1会发射具有第一光谱OS1的第一光线OL1，且第一光谱OS1的主波的主波峰可对应到范围为461纳米至473纳米的第一波长OW1(461纳米≤第一波长OW1≤473纳米)。在广色域应用中，第一电子单元EU1的第一光线OL1的颜色可与Rec.2020的蓝原色更加接近。
在变化实施例B4中，第一发光元件LU1可发射混合光。混合光是以混合具有范围为461纳米至473纳米的主波峰(461纳米≤主波峰≤473纳米)的蓝光和具有范围为440纳米至460纳米的主波峰(440纳米≤主波峰≤460纳米)的另一蓝光所形成。在一些实施例中(实施例B4)，发光元件中的发光层可包括一部分可发射主波峰约为450纳米的蓝光的发光材料(例如有机发光二极管或量子点发光二极管)和另一部分可发射主波峰约为467纳米的蓝光的发光材料(例如有机发光二极管或量子点发光二极管)。根据一些变化实施例B4，第一光转换层LCL1需设置在第一电子单元EU1中以转换混合光。第一电子单元EU1会发射具有第一光谱OS1的第一光线OL1，且第一光谱OS1的主波的主波峰可对应到范围为461纳米至473纳米的第一波长OW1(461纳米≤第一波长OW1≤473纳米)。在广色域应用中，第一电子单元EU1的第一光线OL1的颜色可与Rec.2020的蓝原色更加接近。在上述的实施例B4中，第一光转换层LCL1可包括量子点QD1(图5所示)，量子点QD1可将混合光转换为第一光线OL1。在上述的实施例B4中，第一光转换层LCL1可包括蓝色的彩色滤光片，其可将具有范围为440纳米至460纳米的主波峰(440纳米≤主波峰≤460纳米)的蓝光转换成具有范围为461纳米至473纳米的主波峰(461纳米≤主波峰≤473纳米)的蓝光。
根据变化实施例B5，变化实施例B5与变化实施例B1之间的差距在于变化实施例B5的第一光转换层LCL1包括蓝色的彩色滤光片，其可将具有范围为440纳米至460纳米的主波峰(440纳米≤主波峰≤460纳米)的蓝光转换成具有范围为461纳米至473纳米的主波峰(461纳米≤主波峰≤473纳米)的蓝光。
图4为第二实施例的输出光的输出光谱的示意图。第二电子单元EU2和第三电子单元EU3可使用变化实施例A3的概念，第一电子单元EU1可使用变化实施例B1到变化实施例B5中的任何结构。第二发光元件LU2和第三发光元件LU3可发射具有范围为300纳米至450纳米的主波峰(300纳米≤主波峰≤450纳米)的紫外光，且光谱(例如第二光谱OS2、第六光谱OS3)的子波峰的波长(例如第二波长OW21、波长OW31)约为300纳米。第一波长OW1与波长OW31(或第二波长OW21)之间的差距约为167纳米。第一波长OW1与第二波长OW21之间的差距约为167纳米。
图5为本发明第三实施例的电子装置的示意图。如图5所示，第一发光元件LU1可与第二发光元件LU2接触，且第二发光元件LU2可与第三发光元件LU3接触。因此，在基板SU的法线方向V上，共同(common)发光元件LU对应到第一光转换层LCL1的部分可被视为第一发光元件LU1，其中，基板SU的法线方向V与第一发光元件LU1(或共同发光元件LU)的表面垂直。在法线方向V上，共同发光元件LU对应到第二光转换层LCL2的部分可被视为第二发光元件LU2，且在基板SU的法线方向V上，共同发光元件LU对应到第三光转换层LCL3的部分可被视为第三发光元件LU3。因此，第三光线IL1、第四光线IL2和第五光线IL3可具有相同的光谱。第三波长IW1、第四波长IW2和第五波长可为相同的。
在一些实施例中(图5所示)，共同发光元件LU可发射具有范围为440纳米至460纳米的主波峰(440纳米≤主波峰≤460纳米)的蓝光。在一些实施例中(图5所示)，共同发光元件LU可发射具有范围为300纳米至450纳米的主波峰(300纳米≤主波峰≤450纳米)的紫外光。在一些实施例中(图5所示)，第一光转换层LCL1需设置在第一电子单元EU1中。第一光转换层LCL1可将紫外光转换成具有范围为461纳米至473纳米的主波峰(461纳米≤主波峰≤473纳米)的蓝光，且在广色域应用中，第一电子单元EU1的颜色可与Rec.2020的蓝原色更加接近。共同发光元件LU可包括有机发光二极管、量子点发光二极管或上述材料的组合，但不以此为限。
图6为第四实施例的电子装置的示意图。第四实施例与第三实施例的差异在于第四实施例的电子装置ED为液晶装置。在一些实施例中，液晶层LC设置在共同发光元件LU与光转换层(例如第一光转换层LCL1、第二光转换层LCL2和第三光转换层LCL3)之间，但不以此为限。在一些实施例中，光转换层(例如第一光转换层LCL1、第二光转换层LCL2和第三光转换层LCL3)可设置在液晶层LC与共同发光元件LU之间。共同发光元件LU可为背光源，并可发射具有范围为440纳米至460纳米)的主波峰(440纳米≤主波峰≤460纳米)的蓝光。此外，第一光转换层LCL1可包括彩色滤光层或量子点，彩色滤光层或量子点可将具有范围为440纳米至460纳米(440纳米≤主波峰≤460纳米)的主波峰的蓝光转变为具有范围为461纳米至473纳米的主波峰(461纳米≤主波峰≤473纳米)的蓝光。因此，在广色域应用中，第一电子单元EU1的颜色可与Rec.2020的蓝原色更加接近。
在一些实施例中，第一发光元件LU1或第二发光元件LU2包括一层或多层的发光层。
图7为第五实施例的电子装置的示意图。如图7所示，第一发光元件LU1、第二发光元件LU2和第三发光元件LU3可分别包括两层发光层(或多于两层发光层)。举例来说，第一发光元件LU1中的发光层LEL11和发光层LEL12皆可发射具有范围为461纳米至473纳米的主波峰(461纳米≤主波峰≤473纳米)的蓝光。因此，第一光转换层LCL1可被透明层替换，或不需设置第一光转换层LCL1。第二发光元件LU2中的发光层LEL21和发光层LEL22例如发射具有范围为440纳米至460纳米(440纳米≤主波峰≤460纳米)的主波峰的蓝光。第三发光元件LU3中的发光层LEL31和发光层LEL32可发射具有范围为440纳米至460纳米的主波峰(440纳米≤主波峰≤460纳米)的蓝光。在一些实施例中，当发光层的数量大于或等于2时，发光层(例如有机发光二极管或量子点发光二极管)在基板SU的法线方向V上可为交替设置的。
图8为第六实施例的电子装置的示意图。第六实施例与第五实施例的差异在于第六实施例的第一发光元件LU1、第二发光元件LU2和第三发光元件LU3共享发光层LEL1和发光层LEL2。发光层LEL1和发光层LEL2可发射具有范围为440纳米至460纳米的主波峰的光线(440纳米≤主波峰≤460纳米)。第一光转换层LCL1需设置在第一电子单元EU1中，藉此在广色域应用中使第一电子单元EU1的颜色与Rec.2020的蓝原色更加接近。
在一些实施例中，第一发光元件LU1可包括两层发光层、一层电洞注入层和两层电洞传输层。电洞注入层设置在两层发光层之间，其中，两层电洞传输层的其中一层设置在两层发光层的其中一层与电洞注入层之间，且两层电洞传输层的另外一层设置在两层发光层的另外一层与电洞注入层之间。
图9为第七实施例的电子装置的剖视示意图。举例来说，如图9所示，第一发光元件LU1、第二发光元件LU2和第三发光元件LU3共享共同发光元件LU。共同发光元件LU包括在基板SU的法线方向V上按顺序堆栈的多个第二电极EL2、电洞注入层HIL2、电洞传输层HTL2、发光层LEL2、电子传输层ETL2、电子注入层EIL2、电荷产生层CGL、电洞注入层HIL1、电洞传输层HTL1、发光层LEL1、电子传输层ETL1、电子注入层EIL1和第一电极EL1。发光层LEL1和发光层LEL2可包括有机发光材料或量子点。第二电极EL2可为阴极或阳极的其中一个，且第一电极EL1可为阴极或阳极的另外一个。第二电极EL2可设置在保护层PL上，且第二电极EL2的其中一个可设置在由像素定义层PDL所形成的对应的开口中，因此第二电极EL2可个别设置在对应的电子单元中。此外，第二电极EL2的其中一个可穿过保护层PL，并电连接到电子单元中的晶体管。发光层LEL1和发光层LEL2可例如于相同的制程中所形成，且例如形成一整面的膜层(即发光层LEL1和发光层LEL2彼此间无间断)，但不以此为限。此外，第一光转换区LCL1、第二光转换区LCL2和第三光转换区LCL3可设置在基板SU上，但不以此为限。在其他实施例中，可根据情况的不同增加或移除上述膜层，并不以此为限。
共同发光元件LU的堆栈结构可视为是由不同发光元件所整合，其中，发光元件可彼此以串联方式电连接。在一些实施例中，发光元件可横向并排设置，电荷产生层可不设置在发光元件中，且发光元件可彼此以并联方式电连接。
图10为第八实施例的发光元件的剖视示意图。第八实施例与第七实施例的差异在于第八实施例的共同发光元件LU包括电洞注入层HIL。电洞注入层HIL设置在发光层LEL1与发光层LEL2之间，并可作为电荷产生层CGL。共同发光元件LU包括在基板SU的法线方向V上按顺序堆栈的第二电极EL2、电子注入层EIL2、电子传输层ETL2、发光层LEL2、电洞传输层HTL、电洞注入层HIL1、电洞传输层HTL1、发光层LEL1、电子传输层ETL1、电子注入层EIL1和第一电极EL1。此外，电洞注入层HIL可电连接到可提供载子给该电洞注入层HIL的电极。
在一些实施例中，共同发光元件LU可包括电子注入层EIL。电子注入层EIL可设置在发光层LEL1和发光层LEL2之间，并可作为电荷产生层CGL。共同发光元件LU包括在基板SU的法线方向V上按顺序堆栈的第二电极EL2、电洞注入层HIL2、电洞传输层HTL2、发光层LEL2、电子传输层ETL2、电子注入层EIL、电子传输层ETL1、发光层LEL1、电洞传输层HTL1和电洞注入层HIL1。此外，电子注入层EIL可电连接到可提供载子给该电子注入层EIL的电极。
图11为第九实施例的电子装置的剖视示意图。如图11所示，主动矩阵层AM设置在发光元件(例如第一发光元件LU1、第二发光元件LU2和第三发光元件LU3)与基板SU之间。像素定义层PDL包括多个凹槽。第一发光元件LU1和第一光转换层LCL1可设置在凹槽的其中一个之中，第二发光元件LU2和第二光转换层LCL2可设置在凹槽的另外一个之中，第三发光元件LU3和第三光转换层LCL3可设置在凹槽的又另外一个之中。发光层LEL1、发光层LEL2和发光层LEL3可设置在第一电极EL1与第二电极EL2之间。
主动矩阵层AM可包括晶体管Tr、讯号线或绝缘层。第二电极EL2可藉由通孔电连接到对应的晶体管Tr。晶体管Tr可包括主动层101、闸极103、源极105a和汲极105b。此外，保护层SL可设置在光转换层(第一光转换层LCL1、第二光转换层LCL2和第三光转换层LCL3)和第一电极EL1上以减少元件暴露于水气或氧气。
综上所述，根据电子装置所发射的输出光的光谱，第一光谱的主波的主波峰可对应到第一光线，其中，第一光线的波长范围为461纳米至473纳米(461纳米≤波长≤473纳米)。光谱的子波的子波峰可对应到第二光线，其中，第二光线的波长范围为300纳米至460纳米(300纳米≤波长≤460纳米)。第一光线的主波峰与第二光线的子波峰之间的波长的差距大于或等于5纳米，且小于或等于167纳米。第一电子单元所发射的蓝光的Bx值与Rec.2020的蓝原色光的Bx值的差距可小于0.004，因此在广色域应用中，第一电子单元所发射的蓝光的颜色可与Rec.2020的蓝原色光更加接近。
以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (14)

1.一种电子装置，其特征在于，包括：
一第一电子单元，发射具有一第一光谱的一第一光线，所述第一光谱的一主波峰对应到一第一波长，且所述第一波长是在461纳米至473纳米的范围内；以及
一第二电子单元，发射具有一第二光谱的一第二光线，所述第二光谱与所述第一光谱不同，所述第二光谱的一子波峰对应到一第二波长，且其中，所述第二波长是在300纳米至460纳米的范围内；
其中，所述第一波长与所述第二波长之间的一差距大于或等于5纳米。
2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一波长与所述第二波长之间的所述差距小于或等于167纳米。
3.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述子波峰的波峰强度对所述主波峰的波峰强度的比值范围为0.06％至10.0％。
4.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一电子单元包括一第一发光元件，所述第二电子单元包括一第二发光元件，所述第一发光元件发射具有一第三光谱的一第三光线，所述第三光谱的一主波峰对应到一第三波长，所述第二发光元件发射具有一第四光谱的一第四光线，且所述第四光谱的一主波峰对应到一第四波长，其中所述第三波长与所述第四波长不同。
5.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，所述第三波长大于所述第四波长。
6.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，所述第三波长是在461纳米至473纳米的范围内，且所述第四波长是在440纳米到460纳米的范围内。
7.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一电子单元包括一第一发光元件，所述第二电子单元包括一第二发光元件，所述第一发光元件发射具有一第三光谱的一第三光线，所述第三光谱的一主波峰对应到一第三波长，所述第二发光元件发射具有一第四光谱的一第四光线，且所述第四光谱的一主波峰对应到一第四波长，其中，所述第三波长与所述第四波长相同。
8.根据权利要求7所述的电子装置，其特征在于，所述第三波长与所述第四波长是在440纳米至460纳米的范围内。
9.根据权利要求7所述的电子装置，其特征在于，所述第三波长与所述第四波长是在461纳米至473纳米的范围内。
10.根据权利要求7所述的电子装置，其特征在于，所述第三波长与所述第四波长是在300纳米至450纳米的范围内。
11.根据权利要求7所述的电子装置，其特征在于，所述第一电子单元包括一第一光转换层，设置在所述第一发光元件上，且所述第一光转换层包括多个量子点、一荧光材料、一磷光材料、一彩色滤光层或上述材料的组合。
12.根据权利要求7所述的电子装置，其特征在于，所述第一发光元件与所述第二发光元件接触。
13.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一电子单元包括一第一发光元件，所述第二电子单元包括一第二发光元件，
其中所述第一发光元件或所述第二发光元件包括两层发光层、一电洞注入层和两层电洞传输层，所述电洞注入层设置在所述两层发光层之间，所述两层电洞传输层的其中一层设置在所述两层发光层的其中一层与所述电洞注入层之间，且所述两层电洞传输层的另一层设置在所述两层发光层的另一层与所述电洞注入层之间。
14.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括一第三电子单元，所述第三电子单元发射具有一第六光谱的一第六光线，所述第六光谱与所述第一光谱不同，所述第六光谱的一子波峰对应到一第六波长，且其中所述第六波长是在300纳米至460纳米的范围内，其中所述第一波长与所述第六波长之间的一差距大于或等于5纳米，且所述第一光线为蓝光，且所述第六光线为红光。
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