CN111108499B - Nand存储器装置、相关方法及机器可读媒体 - Google Patents

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Abstract

在一些实例中公开的是用于将存储单元中的数据变得不可读的快速确保NAND存储器装置的数据破坏的安全的系统、方法、存储器装置以及机器可读媒体。所述存储器装置可通过仅进行擦除过程的预编程阶段来去除敏感数据，而不是经历所有擦除阶段。因此，所述NAND不进行所述擦除过程的第二阶段和第三阶段。这快得多且产生无法经重建的数据。在一些实例中，由于未实际上施加擦除脉冲且由于这仅仅是编程操作，所以可在每页层级而不是传统擦除中的每块层级下将数据变得不可读的。

Description

NAND存储器装置、相关方法及机器可读媒体
本申请要求2017年8月31日申请的美国申请第15/692,299号的优先权，所述申请以全文引用的方式并入本文中。
背景技术
通常将存储器装置提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含易失性和非易失性存储器。
易失性存储器要求电力来维持其数据，且包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)或同步动态随机存取存储器(SDRAM)等等。
非易失性存储器可在不被供电时保持所存储的数据，且包含快闪存储器、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、静态RAM(SRAM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电阻可变存储器，例如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)、磁阻式随机存取存储器(MRAM)或3D XPointTM存储器等等。
快闪存储器用作用于广泛范围的电子应用的非易失性存储器。快闪存储器装置通常包含允许高存储器密度、高可靠性和低功耗的单晶体管、浮动栅极或电荷阱存储单元的一或多个群组。
两种常见类型的快闪存储器阵列架构包含NAND和NOR架构，所述架构以每一者的基本存储单元配置所布置的逻辑形式来命名。存储器阵列的存储单元通常布置成矩阵。在实例中，阵列的一行中的每一浮动栅极存储单元的栅极耦合到存取线(例如字线)。在NOR架构中，阵列的一列中的每一存储单元的漏极耦合到数据线(例如位线)。在NAND架构中，阵列的串中的每一存储单元的漏极以源极到漏极方式一起串联耦合在源极线与位线之间。
NOR和NAND架构半导体存储器阵列均通过解码器来存取，所述解码器通过选择耦合到具体存储单元的栅极的字线来激活所述具体存储单元。在NOR架构半导体存储器阵列中，一旦被激活，所选存储单元便使其数据值置于位线上，从而取决于特定单元经编程的状态而使不同电流流动。在NAND架构半导体存储器阵列中，将高偏压电压施加到漏极侧选择栅极(SGD)线。以指定传递电压(例如Vpass)驱动耦合到每一群组的未经选择的存储单元的栅极的字线，以使每一群组的未经选择的存储单元作为传递晶体管操作(例如以不受其所存储的数据值限制的方式传递电流)。电流随后从源极线通过每一串联耦合的群组流动到位线，仅受每一群组中的所选存储单元限制，从而使所选存储单元的当前经编码数据值置于位线上。
NOR或NAND架构半导体存储器阵列中的每一快闪存储单元可个别地或共同地编程到一个或数个经编程状态。举例来说，单层级单元(SLC)可表示两个经编程状态(例如1或0)中的一个，从而表示一个数据位。
然而，快闪存储单元还可表示多于两个经编程状态中的一个，从而允许在不增大存储单元数目的情况下制造较高密度的存储器，因为每一单元可表示多于一个二进制数字(例如多于一个位)。这种单元可称为多状态存储单元、多数字单元或多层级单元(MLC)。在某些实例中，MLC可指每单元可存储两个数据位(例如四个经编程状态中的一个)的存储单元，三层级单元(TLC)可指每单元可存储三个数据位(例如八个经编程状态中的一个)的存储单元，且四层级单元(QLC)可每单元存储四个数据位。MLC在本文中以其较广泛情形使用，可指每单元可存储多于一个数据位(即，可表示多于两个经编程状态)的任何存储单元。
传统存储器阵列是布置在半导体衬底的表面上的二维(2D)结构。为了针对给定面积增大存储器容量且降低成本，已减小个别存储单元的大小。然而，个别存储单元大小的减小存在技术限制，且因此2D存储器阵列的存储器密度也存在技术限制。作为响应，正开发三维(3D)存储器结构，例如3D NAND架构半导体存储器装置，以进一步增大存储器密度且降低存储器成本。
这种3D NAND装置通常包含存储单元串，其串联(例如以漏极到源极方式)耦合于接近源极的一或多个源极侧选择栅极(SGS)与接近位线的一或多个漏极侧选择栅极(SGD)之间。在实例中，SGS或SGD可包含一或多个场效应晶体管(FET)或金属-氧化物半导体(MOS)结构装置等。在一些实例中，所述串将竖直地延伸通过含有相应字线的多个竖直地间隔开的层次。半导体结构(例如多晶硅结构)可邻近于存储单元串而延伸以形成用于所述串的存储单元的沟道。在竖直串的实例中，多晶硅结构可呈竖直延伸柱的形式。在一些实例中串可以“折叠”，且因此相对于U形柱而布置。在其它实例中，多个竖直结构可堆叠于彼此上以形成存储单元串的堆叠阵列。
存储器阵列或装置可组合在一起以形成存储器系统的存储体，例如固态驱动器(SSD)、通用快闪存储(UFSTM)装置、多媒体卡(MMC)固态存储装置、嵌入式MMC装置(eMMCTM)等。SSD可尤其用作计算机的主存储装置，其关于例如性能、大小、重量、强度、操作温度范围和功率消耗而具有优于具有移动部件的传统硬盘驱动器的优点。举例来说，SSD可具有减少的寻道时间、时延或与磁盘驱动器相关联的其它延迟(例如机电等)。SSD使用例如快闪存储单元等非易失性存储单元来避免内部电池电源要求，因此允许驱动器更为多功能且紧凑。
SSD可包含数个存储器装置，包含数个裸片或逻辑单元(例如逻辑单元数字或LUN)，且可包含进行操作存储器装置或与外部系统介接所需的逻辑功能的一或多个处理器或其它控制器。这种SSD可包含一或多个快闪存储器裸片，其上包含数个存储器阵列和外围电路系统。快闪存储器阵列可包含组织成数个物理页的数个存储单元块。在许多实例中，SSD还会包含DRAM或SRAM(或其它形式的存储器裸片或其它存储器结构)。SSD可与存储器操作结合从主机接收命令，所述存储器操作例如在存储器装置与主机之间传送数据(例如用户数据和相关联完整性数据，例如错误数据和地址数据等)的读取或写入操作，或从存储器装置擦除数据的擦除操作。
附图说明
在不一定按比例绘制的附图中，相似标号可以在不同视图中描述类似组件。具有不同字母后缀的相似标号可表示类似组件的不同情况。附图借助于实例而非限制性地总体上说明本文件中所论述的各种实施例。
图1说明包含存储器装置的环境的实例。
图2-3说明3D NAND架构半导体存储器阵列的实例的示意图。
图4说明存储器模块的实例框图。
图5说明根据本公开的一些实例的清除具有经优先级区分的页的NAND装置的方法的流程图。
图6说明根据本公开的一些实例的清除具有经优先级区分的页的NAND装置的方法的流程图。
图7说明根据本公开的一些实例的具有从页和块层级的优先级的清除的实例图。
图8展示根据本公开的一些实例的存储器控制器的图。
图9说明根据本公开的一些实例的主机装置发指令给NAND以进行优先级清除的方法的流程图。
图10是说明其上可实施一或多个实施例的机器的实例的框图。
具体实施方式
在一些实例中公开的是提供用以指定来自NAND装置的数据清除的优先级的方法的方法、系统、存储器装置和机器可读媒体。清除命令垃圾收集且接着永久地擦除所有标记为“无效”的页。标记无效的页是先前使用且尚未被擦除的页。优先级指定将要在其它页之前清除的页以增大其在完成清除的固定时间预算的情况下清除的机率。
例如移动电子装置(例如智能电话、平板计算机等)、用于汽车应用的电子装置(例如汽车传感器、控制单元、驾驶员辅助系统、乘客安全或舒适系统等)和因特网连接的电器或装置(例如物联网(IoT)装置等)的电子装置尤其取决于电子装置的类型、使用环境、性能期望等而具有变化的存储需要。
电子装置可分解为若干主要组件：处理器(例如中央处理单元(CPU)或其它主处理器)；存储器(例如一或多个易失性或非易失性随机存取存储器(RAM)存储器装置，例如动态RAM(DRAM)、移动或低功率双数据速率同步DRAM(DDR SDRAM)等)；和存储装置(例如非易失性存储器(NVM)装置，例如快闪存储器、只读存储器(ROM)、SSD、MMC，或其它存储卡结构或组合件等)。在某些实例中，电子装置可包含用户接口(例如显示器、触摸屏、键盘、一或多个按钮等)、图形处理单元(GPU)、电力管理电路、基带处理器或一或多个收发器电路等。
图1说明包含主机装置105和配置成通过通信接口(主机接口)通信的存储器装置110的环境100的实例。主机装置105或存储器装置110可包含在各种产品150中，例如物联网(IoT)装置(例如冰箱或其它电器、传感器、电机或致动器、移动通信装置、汽车、无人机等)，以支持产品150的处理、通信或控制。
存储器装置110包含存储器控制器115和存储器阵列120，其包含例如数个个别存储器裸片(例如三维(3D)NAND裸片的堆叠)。在3D架构半导体存储器技术中，堆叠竖直结构，从而增大层次、物理页的数目且因此增大存储器装置(例如存储装置)的密度。在实例中，存储器装置110可以是主机装置105的分立存储器或存储装置组件。在其它实例中，存储器装置110可以是与主机装置105的一或多个其它组件堆叠或以其它方式包含的集成电路(例如芯片上系统(SOC)等)的一部分。
可使用一或多个通信接口在存储器装置110与主机装置105的一或多个其它组件之间传送数据，例如串行高级技术附件(SATA)接口、外围组件互连高速(PCIe)接口、通用串行总线(USB)接口、通用快闪存储(UFS)接口、eMMCTM接口，或一或多个其它连接器或接口。主机装置105可包含主机系统、电子装置、处理器、存储卡读卡器，或在存储器装置110外部的一或多个其它电子装置。在一些实例中，主机105可以是具有参考图10的机器1000论述的组件的某一部分或全部的机器。
存储器控制器115可从主机105接收指令，并可与存储器阵列通信，以便将数据传送到存储器阵列的存储单元、平面、子块、块或页中的一或多个(例如写入或擦除)或传送来自前述各项的数据(例如读取)。存储器控制器115可尤其包含电路系统或固件，包含一或多个组件或集成电路。举例来说，存储器控制器115可包含一或多个存储器控制单元、电路或组件，前述各项配置成控制在存储器阵列120上的存取且提供主机105与存储器装置110之间的转换层。存储器控制器115可包含一或多个输入/输出(I/O)电路、线或接口以向存储器阵列120传送数据或传送来自所述存储器阵列的数据。存储器控制器115可包含存储器管理器125和阵列控制器135。
存储器管理器125可尤其包含电路系统或固件，例如与各种存储器管理功能相关联的数个组件或集成电路。出于当前描述的目的，将在NAND存储器的背景下描述实例存储器操作和管理功能。本领域的技术人员将认识到，其它形式的非易失性存储器可具有类似的存储器操作或管理功能。这种NAND管理功能包含损耗均衡(例如垃圾收集或回收)、错误检测或校正、块引退或一或多个其它存储器管理功能。存储器管理器125可将主机命令(例如从主机接收到的命令)解析或格式化成装置命令(例如与存储器阵列的操作相关联的命令等)，或生成用于阵列控制器135或存储器装置110的一或多个其它组件的装置命令(例如以实现各种存储器管理功能)。
存储器管理器125可包含一组管理表130，其配置成维持与存储器装置110的一或多个组件相关联的各种信息(例如与耦合到存储器控制器115的存储器阵列或一或多个存储单元相关联的各种信息)。举例来说，管理表130可包含关于耦合到存储器控制器115的存储单元的一或多个块的块年龄、块擦除计数、错误历史或一或多个错误计数(例如写入操作错误计数、读取位错误计数、读取操作错误计数、擦除错误计数等)的信息。在某些实例中，如果针对错误计数中的一或多个检测到的错误的数目高于阈值，那么位错误可称为不可校正位错误。管理表130可尤其维持可校正或不可校正位错误的计数。
阵列控制器135可尤其包含配置成控制与以下操作相关联的存储器操作的电路系统或组件：向耦合到存储器控制器115的存储器装置110的一或多个存储单元写入数据、从所述存储单元读取数据或擦除所述存储单元。存储器操作可基于例如从主机105接收到或由存储器管理器125在内部生成的主机命令(例如与损耗均衡、错误检测或校正等相关联)。
阵列控制器135可包含错误校正码(ECC)组件140，所述ECC组件可尤其包含ECC引擎或配置成检测或校正与向耦合到存储器控制器115的存储器装置110的一或多个存储单元写入数据或从所述存储单元中读取数据相关联的错误的其它电路系统。存储器控制器115可配置成有效地检测并从与各种操作或数据存储相关联的错误出现(例如位错误、操作错误等)恢复，同时维持在主机105与存储器装置110之间传送的数据的完整性，或维持所存储数据的完整性(例如使用冗余RAID存储等)，且可移除(例如引退)失效存储器资源(例如存储单元、存储器阵列、页、块等)以防止未来错误。
存储器阵列120可包含布置于例如数个装置、平面、子块、块或页中的若干存储单元。作为一个实例，48GB TLC NAND存储器装置可包含每页18,592字节(B)的数据(16,384+2208字节)、每块1536页、每平面548块和每装置4个或更多个平面。作为另一实例，32GB MLC存储器装置(每单元存储两个数据位(即，4个可编程状态))可包含每页18,592字节(B)的数据(16,384+2208字节)、每块1024页、每平面548个块和每装置4个平面，但与对应TLC存储器装置相比所需的写入时间为一半且编程/擦除(P/E)循环为两倍。其它实例可包含其它数目或布置。在一些实例中，存储器装置或其一部分可在SLC模式中或在所需MLC模式(例如TLC、QLC等)中选择性地操作。
在操作中，数据通常以页写入到NAND存储器装置110或从所述NAND存储器装置读取，且以块擦除。然而，可视需要对存储单元的更大或更小群组进行一或多个存储器操作(例如读取、写入、擦除等)。NAND存储器装置110的数据传送大小通常称为页，而主机的数据传送大小通常称为扇区。
尽管数据页可包含数个字节的用户数据(例如包含数个数据扇区的数据有效负载)和其对应的元数据，但页的大小经常仅指代用以存储用户数据的字节的数目。作为实例，具有4KB的页大小的数据页可包含4KB的用户数据(例如假定512B的扇区大小的8个扇区)以及对应于用户数据的数个字节(例如32B、54B、224B等)的元数据，例如完整性数据(例如错误检测或校正代码数据)、地址数据(例如逻辑地址数据等)或与用户数据相关联的其它元数据。
不同类型的存储单元或存储器阵列120可提供不同页大小，或可要求与其相关联的不同量的元数据。举例来说，不同存储器装置类型可具有不同位错误率，其可导致必需要不同量的元数据来确保数据页的完整性(例如具有较高位错误率的存储器装置可要求比具有较低位错误率的存储器装置更多字节的错误校正码数据)。作为实例，多层级单元(MLC)NAND快闪装置可具有比对应的单层级单元(SLC)NAND快闪装置更高的位错误率。因此，MLC装置可要求比对应SLC装置更多的用于错误数据的元数据字节。
图2说明包含数个存储单元串(例如第一到第三A0存储器串205A0-207A0、第一到第三An存储器串205An-207An、第一到第三B0存储器串205B0-207B0、第一到第三Bn存储器串205Bn-207Bn等)的3D NAND架构半导体存储器阵列200的实例示意图，所述存储单元串组织成块(例如块A 201A、块B 201B等)和子块(例如子块A0 201A0、子块An 201An、子块B0 201B0、子块Bn 201Bn等)。存储器阵列200表示通常将在存储器装置的块、装置或其它单元中找到的较大数目的类似结构的一部分。
每一存储单元串包含数个层次的电荷存储晶体管(例如浮动栅极晶体管、电荷捕集结构等)，所述电荷存储晶体管在Z方向上以源极到漏极方式堆叠于源极线(SRC)235或源极侧选择栅极(SGS)(例如第一到第三A0 SGS 231A0-233A0、第一到第三An SGS 231An-233An、第一到第三B0 SGS 231B0-233B0、第一到第三Bn SGS 231Bn-233Bn等)与漏极侧选择栅极(SGD)(例如第一到第三A0 SGD 226A0-228A0、第一到第三An SGD 226An-228An、第一到第三B0 SGD 226B0-228B0、第一到第三Bn SGD 226Bn-228Bn等)之间。3D存储器阵列中的每一存储单元串可沿着X方向布置为数据线(例如位线(BL)BL0-BL2 220-222)，且沿着Y方向布置为物理页。
在物理页内，每一层次表示一行存储单元，且每一存储单元串表示一列。子块可包含一或多个物理页。块可包含数个子块(或物理页)(例如128个、256个、384个等)。尽管本文中说明为具有两个块，每一块具有两个子块，每一子块具有单个物理页，每一物理页具有三个存储单元串，且每一串具有8个层次的存储单元，但在其它实例中，存储器阵列200可包含更多或更少的块、子块、物理页、存储单元串、存储单元或层次。举例来说，每一存储单元串可按需要包含更多或更少层次(例如16个、32个、64个、128个等)，以及电荷存储晶体管(例如选择栅极、数据线等)上方或下方的半导体材料的一或多个额外层次。作为实例，48GBTLC NAND存储器装置可包含每页18,592字节(B)的数据(16,384+2208字节)、每块1536页、每平面548块和每装置4个或更多个平面。
存储器阵列200中的每一存储单元包含耦合到(例如以电或其它操作方式连接到)存取线(例如字线(WL)WL00-WL70 210A-217A、WL01-WL71 210B-217B等)的控制栅极(CG)，所述存取线视需要跨越具体层次或层次的一部分共同地耦合控制栅极(CG)。可使用相应存取线来存取或控制3D存储器阵列中的具体层次且因此存取或受控串中的具体存储单元。可使用各种选择线来存取多组选择栅极。举例来说，可使用A0 SGD线SGDA0 225A0来存取第一到第三A0 SGD 226A0-228A0，可使用An SGD线SGDAn 225An来存取第一到第三An SGD 226An-228An，可使用B0 SGD线SGDB0 225B0来存取第一到第三B0 SGD 226B0-228B0，且可使用Bn SGD线SGDBn 225Bn来存取第一到第三Bn SGD 226Bn-228Bn。可使用栅极选择线SGS0 230A来存取第一到第三A0 SGS 231A0-233A0和第一到第三An SGS 231An-233An，且可使用栅极选择线SGS1 230B来存取第一到第三B0 SGS 231B0-233B0和第一到第三Bn SGS 231Bn-233Bn。
在实例中，存储器阵列200可包含数个层级的半导体材料(例如多晶硅等)，其配置成耦合阵列的相应层次的每一存储单元的控制栅极(CG)或选择栅极(或CG或选择栅极的一部分)。可使用位线(BL)和选择栅极等的组合来存取、选择或控制阵列中的具体存储单元串，且可使用一或多个存取线(例如字线)来存取、选择或控制具体串中的一或多个层次处的具体存储单元。
图3说明NAND架构半导体存储器阵列300的一部分的实例示意图，所述阵列包含布置于串(例如第一到第三串305-307)和层次(例如示出为相应字线(WL)WL0-WL7310-317、漏极侧选择栅极(SGD)线325、源极侧选择栅极(SGS)线330等)的二维阵列中的多个存储单元302和感测放大器或装置360。举例来说，存储器阵列300可说明例如图2中所说明的3D NAND架构半导体存储器装置的存储单元的一个物理页的一部分的实例示意图。
每一存储单元串使用相应源极侧选择栅极(SGS)(例如第一到第三SGS 331-333)耦合到源极线(SRC)，且使用相应漏极侧选择栅极(SGD)(例如第一到第三SGD 326-328)耦合到相应数据线(例如第一到第三位线(BL)BL0-BL2 320-322)。尽管在图3的实例中说明为具有8个层次(例如使用字线(WL)WL0-WL7 310-317)和三个数据线(BL0-BL2 326-328)，但其它实例可视需要包含具有更多或更少层次或数据线的存储单元串。
在例如实例存储器阵列300的NAND架构半导体存储器阵列中，可通过感测与含有所选存储单元的特定数据线相关联的电流或电压变化来存取所选存储单元302的状态。可使用一或多个驱动器(例如通过控制电路、一或多个处理器、数字逻辑等)来存取存储器阵列300。在实例中，一或多个驱动器可通过取决于将需要对具体存储单元或存储单元组进行的操作的类型将特定电位驱动到一或多个数据线(例如位线BL0-BL2)、存取线(例如字线WL0-WL7)或选择栅极来激活具体存储单元或存储单元组。
为了将数据编程或写入到存储单元，可将编程电压(Vpgm)(例如一或多个编程脉冲等)施加到所选字线(例如WL4)，且因此施加到耦合到所选字线的每一存储单元的控制栅极(例如耦合到WL4的存储单元的第一到第三控制栅极(CG)341-343)。编程脉冲可例如在15V处或附近开始，并且在某些实例中，可在每一编程脉冲施加期间增加幅度。在将编程电压施加到所选字线的同时，可将例如接地电位(例如Vss)的电位施加到作为编程的目标的存储单元的数据线(例如位线)和衬底(且因此源极与漏极之间的沟道)，从而导致从沟道到目标存储单元的浮动栅极的电荷转移(例如直接注入或佛勒-诺德海姆(Fowler-Nordheim)(FN)隧穿等)。
相比之下，可将传递电压(Vpass)施加到具有不作为编程的目标的存储单元的一或多个字线，或可将禁止电压(例如Vcc)施加到具有不作为编程的目标的存储单元的数据线(例如位线)，以例如禁止电荷从沟道转移到这种非目标存储单元的浮动栅极。传递电压可例如取决于施加的传递电压与作为编程的目标的字线的接近度而变化。禁止电压可包含电源电压(Vcc)，例如相对于接地电位(例如Vss)来自外部源或电源(例如电池、AC到DC转换器等)的电压。
作为实例，如果将编程电压(例如15V或更高)施加到具体字线，例如WL4，那么可将10V的传递电压施加到一或多个其它字线，例如WL3、WL5等，以禁止非目标存储单元的编程，或保持存储在不作为编程的目标的这种存储单元上的值。随着所施加编程电压与非目标存储单元之间的距离增大，制止对非目标存储单元进行编程所需的传递电压可减小。举例来说，在将15V的编程电压施加到WL4的情况下，可将10V的传递电压施加到WL3和WL5，可将8V的传递电压施加到WL2和WL6，可将7V的传递电压施加到WL1和WL7等。在其它实例中，传递电压或字线的数目等可更高或更低，或更多或更少。
耦合到数据线(例如第一、第二或第三位线(BL0-BL2)320-322)中的一或多个的感测放大器360可通过感测特定数据线上的电压或电流来检测相应数据线中的每一存储单元的状态。
在一或多个编程脉冲(例如Vpgm)的施加之间，可进行验证操作以确定所选存储单元是否已达到其预期经编程状态。如果所选存储单元已达到其预期经编程状态，则可禁止其进一步编程。如果所选存储单元尚未达到其预期经编程状态，则可施加额外编程脉冲。如果所选存储单元在特定数目的编程脉冲(例如最大数目)之后尚未达到其预期经编程状态，那么可将所选存储单元或与这种所选存储单元相关联的串、块或页标记为有缺陷的。
为了擦除存储单元或存储单元群组(例如擦除通常以块或子块进行)，可(例如使用一或多个位线、选择栅极等)将擦除电压(Vers)(例如通常Vpgm)施加到作为擦除的目标的存储单元的衬底(且因此施加到源极与漏极之间的沟道)，同时目标存储单元的字线保持在例如接地电位(例如Vss)的电位，从而导致从目标存储单元的浮动栅极到所述沟道的电荷转移(例如直接注入或佛勒-诺德海姆(FN)隧穿等)。
图4说明存储器装置400的实例框图，所述存储器装置包含具有多个存储单元404的存储器阵列402和一或多个电路或组件以提供与存储器阵列402的通信或对所述存储器阵列进行一或多个存储器操作。存储器装置400可包含行解码器412、列解码器414、感测放大器420、页缓冲器422、选择器424、输入/输出(I/O)电路426和存储器控制单元430。
存储器阵列402的存储单元404可布置于块中，例如第一块402A和第二块402B。每一块可包含子块。举例来说，第一块402A可包含第一子块402A0和第二子块402An，且第二块402B可包含第一子块402B0和第二子块402Bn。每一子块可包含数个物理页，每一页包含数个存储单元404。尽管本文中说明为具有两个块，每一块具有两个子块，且每一子块具有数个存储单元404，但在其它实例中，存储器阵列402可包含更多或更少的块、子块、存储单元等。在其它实例中，存储单元404可布置于数个行、列、页、子块、块中，且使用例如存取线406、第一数据线410或一或多个选择栅极、源极线等来存取。
存储器控制单元430可根据在控制线432上接收到的一或多个信号或指令来控制存储器装置400的存储器操作，所述一或多个信号或指令包含例如指示所需操作(例如写入、读取、擦除等)的一或多个时钟信号或控制信号，或在一或多个地址线416上接收到的地址信号(A0-AX)。在存储装置400外部的一或多个装置可控制控制线432上的控制信号或地址线416上的地址信号的值。在存储器装置400外部的装置的实例可包含但不限于主机、存储器控制器、处理器或图4中未说明的一或多个电路或组件。
存储器装置400可使用存取线406和第一数据线410向(例如写入或擦除)或从(例如读取)存储单元404中的一或多个传送数据。行解码器412和列解码器414可接收和解码来自地址线416的地址信号(A0-AX)，可确定将要存取哪些存储单元404，且可将信号提供到例如上文描述的存取线406(例如多个字线(WL0-WLm)中的一或多个)或第一数据线410(例如多个位线(BL0-BLn)中的一或多个)中的一或多个。
存储器装置400可包含例如感测放大器420的感测电路系统，其配置成使用第一数据线410来确定(例如读取)存储单元404上的数据值，或确定将要写入到所述存储单元的数据值。举例来说，在存储单元404的选定串中，感测放大器420中的一或多个可响应于读取电流在存储器阵列402中穿过选定串流动到数据线410而读取所选存储单元404中的逻辑电平。
在存储器装置400外部的一或多个装置可使用I/O线(DQ0-DQN)408、地址线416(A0-AX)或控制线432来与存储器装置400通信。输入/输出(I/O)电路426可根据例如控制线432和地址线416使用I/O线408将数据值传送到存储器装置400中或从其中传送数据值，例如将数据值传送到页缓冲器422或存储器阵列402中或从其中传送数据值。页缓冲器422可在数据编程到存储器阵列402的相关部分中之前存储从存储器装置400外部的一或多个装置接收到的数据，或可在数据传输到存储器装置400外部的一或多个装置之前存储从存储器阵列402读取的数据。
列解码器414可将地址信号(A0-AX)接收且解码为一或多个列选择信号(CSEL1-CSELn)。选择器424(例如选择电路)可接收列选择信号(CSEL1-CSELn)且选择页缓冲器422中表示将从存储单元404读取或将编程到所述存储单元中的数据值的数据。选定数据可使用第二数据线418在页缓冲器422与I/O电路426之间传送。
存储器控制单元430可从外部源或电源(例如内部或外部电池、AC到DC转换器等)接收正和负电源信号，例如电源电压(Vcc)434和负电源(Vss)436(例如接地电位)。在某些实例中，存储器控制单元430可包含调节器428以内部地提供正或负电源信号。
希望读取、写入或擦除存储器装置中的数据的主机软件发出具有指定用于读取、写入或擦除的一或多个存储器位置(例如存储器页)的一或多个逻辑块地址(LBA)的命令。相比于磁性存储，在NAND装置中，这些不对应于存储器装置中的实际物理位置。实情为，这些LBA由NAND映射到NAND存储单元的一或多个物理页。这一映射的原因是NAND无法修改NAND中的值——其必须擦除所述值且接着写入新的值。使这变复杂的是NAND一次仅可擦除存储器的一块(其具有许多页)。如果删除或修改请求是针对小于存储器的一块，那么为了满足这一请求且保存不应擦除的数据，NAND将必须把所有有效页移动到另一块且接着擦除较旧的块(称为垃圾收集)。这一解决方案较慢，且还降低NAND的寿命，因为NAND存储单元在其不再能够保持电荷之前仅具有有限数目个程序和擦除循环。
因此，当接收删除请求或接收修改存储器中的值的请求时，NAND仅仅把较旧的位置标记为无效，且在修改的情况下，将新的值写入到存储器装置上的新的物理位置(一或多个页)。针对修改请求，NAND接着将其LBA的映射更新到新的物理位置，使得涉及所述LBA的后续请求指向正确的物理位置。
最终NAND释放先前标记的无效页以维持所需存储水平。如先前所指出，NAND一次仅擦除数据的块。由于这个，NAND装置首先进行垃圾收集，其将待擦除的块的有效页中的数据复制到其它块的新的页中。一旦复制数据，那么将待擦除的块的页标记为无效且可擦除所述块。
如可了解，即使有删除数据的主机命令，但数据实际上可能在不确定时间内未删除。使这一问题加重的是以下事实：每次修改数据，都将经修改的值写入到单独页中。因此，NAND可能具有带有先前数据值的修订历史的页的路径。这一数据可能被能够使用专门侦破工具的高度熟练的个人访问。这可能对一些用户和一些应用造成不可接受的安全风险。
NAND装置支持可由主机系统发出的强迫NAND装置进行垃圾收集且删除标记为无效的所有数据的清除命令。一旦清除命令完成，那么可用新的数据重写垃圾收集和删除的存储器位置(例如清除是非破坏性的)。如果存在大量无效块，那么这一命令可能花费较长时间来完成——比用户通常愿意等待的时间更长。就并入NAND的用户设备的初始设备制造商(OEM)来说，其可设定允许清除花费的时间量的上限。一旦时间到期，NAND就终止垃圾收集和擦除。这使得一些页经擦除且其它页未擦除。这一尽力而为的途径使得数据安全具有随机机率。也就是说，取决于沿NAND清除存储单元的程度，可以或可以不擦除未擦除的敏感数据。
在一些实例中公开的是提供用以指定将在NAND清除期间被给予优先级的页且还指定完成清除的时限的方法的方法、系统、存储器装置和机器可读媒体。时限指定允许NAND装置耗费在清除命令上的最大时间量。在一些实例中，NAND装置通过清除将要被给予优先级的页来开始清除。一旦清除了那些页，如果还有时间剩余，就可清除其它页。在一些实例中，可定义多个优先级级别。在这些实例中，NAND装置可首先清除最高优先级页，接着清除下一最高优先级页等等，直到时间到期或清除完成为止(无论哪个事件首先出现)。这一优先级系统确保破坏最高优先级数据。举例来说，存储密码、敏感密码密钥或类似物的NAND页可经优先级区分以用于在清除存储更不敏感信息(例如调试文件、自述文本文件和类似物)的页之前清除。
优先级可表达为由主机供应的逻辑块地址的列表。存储器装置可接着对清除任何未经擦除的物理页(LBA在整个其历史中存储在所述物理页中)进行优先级区分。在一些实例中，可存在单个优先级级别——LBA经优先级区分或未经优先级区分。在其它实例中，可存在多个优先级级别。也就是说，将要首先清除的第一优先级级别、将要在已经成功地清除被给予第一优先级级别的所有页之后清除的第二优先级级别、第三优先级级别等等。举例来说，主机可供应将要被给予第一优先级级别的第一组LBA、将要被给予第二优先级级别的第二组LBA等等。NAND存储器装置开始清除对应于被给予第一优先级级别的LBA的页，且一旦清除了那些页，就移动到清除对应于被给予第二优先级级别的LBA的页上等等，直到到达时限——处理在所述时限点处停止为止。
LBA的优先级可通过主机在发出清除命令时来指定，或可在稍早通过写入或删除命令中的标志来指定。在另外其它实例中，优先级可由单独命令(例如设定优先级命令)建立。在一些实例中，可将优先级硬编码到NAND的固件中。在一些实例中，清除的时限可在硬编码到NAND的固件中的清除命令、不同命令(例如设定清除时限值的命令)和类似物中给定。
图5说明根据本公开的一些实例的清除具有经优先级区分的页的NAND装置的方法500的流程图。在操作510处，NAND存储器装置可接收清除命令。举例来说，可通过例如UFS接口的接口从主机装置接收到清除命令。
在操作520处，NAND存储器装置可确定NAND的第一特定页标记为优先级。举例来说，在操作510中接收到的清除命令可指定将要经优先级区分的一或多个LBA的列表。在其它实例中，当主机向LBA写入数据时所述主机可指示清除优先级。在另外其它实例中，主机可利用单独命令来指定清除优先级。
NAND可基于一或多个LBA来确定第一特定页。举例来说，第一特定页可选自对应于特定LBA的一组一或多个页。接着将给予LBA的优先级级别分配给这一组页。在LBA仍含有有效数据的情况下，出于优先级清除的目的而对应于所述LBA的页包括不再是映射到LBA的物理页但曾经是在过去映射到LBA的物理页的未经擦除的页。在LBA不含有有效数据(例如主机针对其发出删除命令)的情况下，出于优先级清除的目的而对应于所述LBA的页包括当前映射到LBA的未经擦除的页和不再映射到LBA但曾经是在过去映射到LBA的未经擦除的页。
在操作530处，NAND存储器装置可清除NAND，使得在较低优先级的其它页之前清除第一特定页。举例来说，具有第一优先级的页可在第二优先级的页之前清除，且具有第二优先级的页可在第三优先级的页之前清除，等等。系统可通过垃圾收集所述一组页且擦除所述一组页来清除页。系统可尽力按其优先级的顺序在时间到期之前擦除尽可能多的页。因此，具有较高优先级的页比较低优先级的页更可能被删除。
图6说明根据本公开的一些实例的清除具有经优先级区分的页的NAND装置的方法600的流程图。方法600是方法500的实例。在操作610处，NAND存储器装置可接收清除命令。举例来说，可通过例如UFS接口的接口从主机装置接收到清除命令。在操作620处，NAND装置可启动可以是用于完成清除请求的所请求时间的计时器。所请求时间可在清除请求中指定、在通过通信接口的单独消息中指定、可以是NAND装置的固件对象的部分等等。
在操作625处，NAND存储器装置可确定具有最高优先级级别的一组页。举例来说，如果仅存在一个优先级级别，那么NAND可确定标记为优先级的所述一组页(例如对应于标记为优先级的LBA的页)。如果存在多个优先级级别，那么NAND可首先选择最高优先级级别。可(例如在接口规格或类似物中)预定义哪些优先级级别相对于其它优先级级别是最高的。
在操作630处，NAND装置可对含有那些页的块进行垃圾收集，以使得可清除那些页。举例来说，对于在操作625处确定的所述一组页中的每一特定页，系统可将所述特定页中的数据复制到不同块且将所述特定页标记为无效。在操作640处，系统可接着清除所有经垃圾收集的块。在一些实例中，操作630和640可针对每一页依序进行——也就是说，对于每一特定页，所述块可在移动到下一页的垃圾收集上之前经垃圾收集和清除。
如果有时间剩余且存在将清除的额外页，那么系统可针对下一最重要优先级级别重复操作625-640等等，直到不存在将清除的页或时间已到期为止。
图7说明根据本公开的一些实例的具有从页和块层级的优先级的清除的实例图700。如所展示，NAND的块705、710、715和720各自含有十个页。这是示范性的且特定块中可以有更多或更少页。页在图7中以其状态标注。举例来说，标注为“无效”的页是无效且等待擦除的页。这可能已例如响应于来自主机的删除命令、重写命令或类似物而出现。标注为“有效”的页是保持有效值且可由一或多个LBA引用的页。在“无效”标注前面具有前缀的页指示分配给所述页的优先级值。举例来说，“P1：无效”指示这一页具有优先级值1。标记“未使用”的页是不含有值且准备好被写入的页。
在图7的实例中，标注为优先级1(以P1前缀展示——例如页725和730)的页被给予高于标注为优先级2(以P2前缀展示——例如页735和740)的页的清除的优先级。优先级2页具有高于其它无效页的优先级。
在一些实例中，未实施本文中所公开的优先级方案的NAND装置可首先对块705进行垃圾收集。如果在对块710进行垃圾收集之前到达对清除的时限，那么可以不毁坏可驻留在页710、735和730中的敏感数据。实情为，如本文中所公开，NAND装置可确定应首先对块710进行垃圾收集，因为其含有最高优先级页725和730。即使块705具有优先级2页740也是这样。图7的实例中的优先级1页是更高优先级，所以首先对块710进行垃圾收集。在一些实例中，为了进行垃圾收集，NAND装置可将块710中的有效页移动到块715中的未使用页。所述有效页接着标记为无效且可擦除整个块710。
NAND存储器装置可继续擦除含有优先级1页的所有块，直到计时器到期为止或直到已经擦除具有优先级1页的所有块为止。如果已经擦除所有优先级1页且计时器尚未过期，那么NAND装置可开始处理其它优先级级别。举例来说，NAND存储器装置可允许指定优先级的层次结构。因此，优先级级别2可能是下一最重要优先级级别。可接着擦除尚未作为含有P1页(例如图7的页735)的块的擦除的部分而擦除的含有标记为优先级级别2(P2)的块。举例来说，在图7中是页740。因此，块705可经垃圾收集(例如通过将有效页移动到块715或720)且接着擦除。
本文中所论述的优先级方案可通过图1的控制器135或存储器管理器125来实施。图8展示根据本公开的一些实例的存储器控制器815的图。在一些实例中，存储器控制器815可以是存储器控制器115的实例。在一些实例中，管理器825、控制器835、表830和ECC 840可以分别是管理器125、控制器135、表130和ECC 140的实施例。清除控制器832可处理清除消息、(例如在表830中)存储从主机接收到的时限(超时值)、设定具有时限的计时器，且确定具有最高优先级级别的第一组页。举例来说，清除控制器832可访问存储提供对应于特定LBA的存储单元(例如页)的LBA映射和映射历史的数据结构834。清除控制器接着调用垃圾收集器839来对块(第一组中的页是其一部分)进行垃圾收集。一旦垃圾收集器839完成，清除控制器就可调用擦除器837来擦除所述块且使其为新的数据做准备。清除控制器832可接着基于其它优先级级别来清除其它页，如图6中所描述，直到计时器到期为止。一旦计时器到期，清除控制器就可结束清除操作。
图9说明根据本公开的一些实例的主机装置发指令给NAND以进行优先级清除的方法900的流程图。在操作910处，主机装置确定LBA具有敏感数据。举例来说，主机装置可从应用层程序、预定表、列表或类似物接收信息，所述信息上的数据是敏感的。在操作920处，主机可将LBA标示为高于一或多个其它页的清除优先级。主机可通过在通过通信接口传输到NAND的写入命令、重写命令、删除命令中设定字段来做出这一标示。在其它实例中，主机可通过在清除命令中设定字段来做出这一标示。如前所述，优先级可以是二进制的(LBA是优先级或不是优先级)，或可以是多个优先级级别中的一个。在操作930处，主机可将清除命令发送到NAND。
图10说明其上可进行本文中所论述的技术(例如方法)中的任何一或多个的实例机器1000的框图。在替代实施例中，机器1000可操作为独立装置或可连接(例如联网)到其它机器。在联网部署中，机器1000可在服务器-客户端网络环境中以服务机、客户机或两者的容量操作。在实例中，机器1000可充当对等式(P2P)(或其它分布式)网络环境中的对等式机器。机器1000可以是个人计算机(PC)、平板PC、机顶盒(STB)、个人数字助理(PDA)、移动电话、网络电器、IoT装置、汽车系统，或能够执行(依序或以其它方式)指定将由所述机器采取的动作的指令的任何机器。另外，虽然仅说明单个机器，但术语“机器”也将视为包含个别地或共同地执行一(或多个)指令集以进行本文中所论述的方法中的任何一或多种(例如云计算、软件即服务(SaaS)、其它计算机集群配置)的任何机器总集。
如本文所描述，实例可包含逻辑、组件、装置、封装或机构，或可通过逻辑、组件、装置、封装或机构来操作。电路系统是在包含硬件(例如简单电路、门、逻辑等)的有形实体中实施的电路的总集(例如集合)。电路系统成员可随时间推移和基础硬件变化而为灵活的。电路系统包含在操作时可单独或组合地进行具体任务的部件。在实例中，可以不可改变地设计电路系统的硬件以实行具体操作(例如硬连线)。在实例中，电路系统的硬件可以包含可变地连接的物理组件(例如执行单元、晶体管、简单电路等)，所述物理组件包含以物理方式修改(例如不变集中式粒子的磁性、电气可移动放置等)以编码具体操作的指令的计算机可读媒体。在连接物理组件时，硬件构成的基础电性质例如从绝缘体改变成导体或反之亦然。指令使得参与的硬件(例如执行单元或加载机制)能够经由可变连接产生硬件中的电路系统的部件以当在操作中时实行具体任务的部分。因此，当装置操作时计算机可读媒体以通信方式耦合到电路系统的其它组件。在实例中，物理组件中的任一个可用于多于一个电路系统的多于一个部件中。举例来说，在操作下，执行单元可在一个时间点处用于第一电路系统的第一电路中，且由第一电路系统中的第二电路重新使用，或在不同时间处由第二电路系统中的第三电路重新使用。
机器(例如计算机系统)1000(例如主机装置105、存储器装置110等)可包含硬件处理器1002(例如中央处理单元(CPU)、图形处理单元(GPU)、硬件处理器核心或其任何组合，例如存储器控制器115等)、主存储器1004和静态存储器1006，其中的一些或全部可经由互连链路(例如总线)1008彼此通信。机器1000可进一步包含显示单元1010、字母数字输入装置1012(例如键盘)和用户接口(UI)导航装置1014(例如鼠标)。在实例中，显示单元1010、输入装置1012和UI导航装置1014可以是触摸屏显示器。机器1000可另外包含存储装置(例如驱动单元)1021、信号产生装置1018(例如扬声器)、网络接口装置1020和一或多个传感器1016，例如全球定位系统(GPS)传感器、指南针、加速计或其它传感器。机器1000可包含输出控制器1028，例如串行(例如通用串行总线(USB)、并行或其它有线或无线(例如红外(IR)、近场通信(NFC)等)连接以连通或控制一或多个外围装置(例如打印机、读卡器等)。
存储装置1021可包含机器可读媒体1022，体现本文中所描述的技术或功能中的任何一或多个或由其利用的数据结构或指令1024(例如软件)的一或多个集合存储于所述机器可读媒体上。指令1024还可以在其由机器1000执行期间完全或至少部分地驻留于主存储器1004内、静态存储器1006内或硬件处理器1002内。在实例中，硬件处理器1002、主存储器1004、静态存储器1006或存储装置1021中的一个或任何组合可构成机器可读媒体1022。
尽管机器可读媒体1022说明为单个媒体，但术语“机器可读媒体”可包含配置成存储一或多个指令1024的单个媒体或多个媒体(例如集中或分布式数据库，或相关联高速缓冲存储器和服务器)。
术语“机器可读媒体”可包含能够存储、编码或载送用于由机器1000执行的指令且使机器1000进行本公开的技术中的任何一或多个，或能够存储、编码或载送由这种指令使用或与这种指令相关联的数据结构的任何媒体。非限制性机器可读媒体实例可包含固态存储器和光学和磁性媒体。在实例中，集结式机器可读媒体包括具有不变(例如静止)质量的多个粒子的机器可读媒体。因此，集中式机器可读媒体是非暂时性传播信号。集中式机器可读媒体的具体实例可包含：非易失性存储器，例如半导体存储器装置(例如电可编程只读存储器(EPROM)或电可擦除可编程只读存储器(EEPROM))和快闪存储器装置；磁盘，例如内部硬盘和可移动盘；磁光碟；和CD-ROM和DVD-ROM盘。
指令1024(例如软件、程序、操作系统(OS)等)或其它数据存储于存储装置1021上，可由存储器1004存取以供处理器1002使用。存储器1004(例如DRAM)通常是快速但易失性的，且因此是与存储装置1021(例如SSD)不同类型的存储，所述存储装置适合于长期存储，包含在“断开”条件中时的长期存储。供用户或机器1000使用的指令1024或数据通常加载于存储器1004中以供处理器1002使用。当存储器1004已满时，可分配来自存储装置1021的虚拟空间以补充存储器1004；然而，因为存储装置1021通常比存储器1004慢且写入速度通常比读取速度慢至少二分之一，所以虚拟存储器的使用由于存储装置等待时间(相比于存储器1004，例如DRAM)可能极大地降低用户体验。另外，用于虚拟存储器的存储装置1021的使用可极大地减小存储装置1021的可用使用寿命。
相比于虚拟存储器，虚拟存储器压缩(例如
Figure GDA0002813779670000171
内核特征“ZRAM”)使用存储器的部分作为压缩块存储以避免对存储装置1021的分页。在压缩块中进行分页直到有必要将这种数据写入到存储装置1021为止。虚拟存储器压缩增大存储器1004的可用大小，同时减少对存储装置1021的损耗。
针对移动电子装置优化的存储装置或移动存储传统上包含MMC固态存储装置(例如微安全数字(microSDTM)卡等)。MMC装置包含与主机装置的数个并行接口(例如8位并行接口)，且经常是可从主机装置移除和分离的组件。相比之下，eMMCTM装置附接到电路板且视为主机装置的组件，其读取速度堪比基于串行ATATM(串行AT(高级技术)附件，或SATA)的SSD装置。然而，对移动装置性能的需求继续增加，以便完全启用虚拟或扩增现实装置、利用提高的网络速度等。响应于这一需求，存储装置已从并行移位到串行通信接口。包含控制器和固件的通用快闪存储(UFS)装置使用具有专用读取/写入路径的低电压差分信令(LVDS)串行接口与主机装置通信，进一步推进了更大的读取/写入速度。
指令1024可进一步利用数个传送协议中的任一个(例如帧中继、因特网协议(IP)、传输控制协议(TCP)、用户数据报协议(UDP)、超文本传送协议(HTTP)等)经由网络接口装置1020使用传输媒体通过通信网络1026传输或接收。实例通信网络可包含局域网(LAN)、广域网(WAN)、分组数据网络(例如因特网)、移动电话网络(例如蜂窝网络)、简易老式电话(POTS)网络和无线数据网络(例如称为
Figure GDA0002813779670000181
的电气电子工程师学会(IEEE)802.11系列标准、称为
Figure GDA0002813779670000182
的IEEE 802.16系列标准)、IEEE 802.15.4系列标准、对等式(P2P)网络等等。在实例中，网络接口装置1020可包含一或多个物理插口(例如以太网、同轴或电话插口)或一或多个天线以连接到通信网络1026。在实例中，网络接口装置1020可包含多个天线以使用单输入多输出(SIMO)、多输入多输出(MIMO)或多输入单输出(MISO)技术中的至少一个无线地通信。术语“传输媒体”应视为包含能够存储、编码或载送指令用于由机器1000执行的指令的任何无形媒体，且包含数字或模拟通信信号或用以促进这种软件的通信的其它无形媒体。
以上详细描述包含对附图的参考，所述附图形成详细描述的一部分。所述图借助于图示展示可实践本发明的具体实施例。这些实施例在本文中也称为“实例”。这种实例可包含除了所展示或描述的那些元件以外的元件。然而，本发明人还预期其中仅提供所展示或描述的那些元件的实例。此外，本发明人还预期使用关于特定实例(或其一或多个方面)或关于本文所展示或描述的其它实例(或其一或多个方面)而展示或描述的那些元件的任何组合或排列的实例(或其一或多个方面)。
在本文件中，如专利文件中常见，使用术语“一”来包含一个或多于一个，这与“至少一个”或“一或多个”的任何其它情形或使用无关。在本文件中，术语“或”用于指代非排它性或，使得除非另有指示，否则“A或B”可包含“A而非B”、“B而非A”和“A和B”。在所附权利要求书中，术语“包含”和“其中(in which)”用作相应术语“包括”和“其中(wherein)”的通俗等效术语。此外，在所附权利要求书中，术语“包含”和“包括”是开放的，也就是说，包含除了权利要求项中列在这种术语之后的那些要素之外的要素的系统、装置、物件或过程仍被认为处于所述权利要求项的范围内。此外，在所附权利要求书中，术语“第一”、“第二”和“第三”等仅用作标注，且并不意欲对其对象施加数字要求。
在各种实例中，本文中所描述的组件、控制器、处理器、单元、引擎或表可尤其包含存储于物理装置上的物理电路系统或固件。如本文中所使用，“处理器”意指任何类型的计算电路，例如但不限于微处理器、微控制器、图形处理器、数字信号处理器(DSP)或任何其它类型的处理器或处理电路，包含处理器或多核心装置的群组。
如在本文件中所使用的术语“水平”定义为平行于衬底的常规平面或表面的平面，例如在晶片或裸片之下的常规平面或表面，而不管在任何时间点处所述衬底的实际定向如何。术语“竖直”指代垂直于如上文所定义的水平的方向。例如“上”、“之上”和“之下”等介词是关于常规平面或表面在衬底的顶部或暴露表面上而定义，而无论衬底的定向如何；且同时“上”意欲表明一个结构相对于其位于其“上”的另一结构的直接接触(在不存在相反指示的表达的情况下)；术语“之上”和“之下”明确地意欲识别结构(或层、特征等)的相对放置，其明确地包含——但不限于——所识别结构之间的直接接触，除非具体来说如此指示。类似地，术语“之上”和“之下”并不限于水平定向，因为如果一结构在某个时间点处是所论述的构造的最外部分，那么即使这种结构相对于所提及结构竖直地延伸而不是在水平定向上延伸，所述结构也可在所提及结构“之上”。
本文中使用术语“晶片”和“衬底”来大体上指代集成电路形成于其上的任何结构，并且还指代在集成电路制造的各个阶段期间的这种结构。因此，以下详细描述不应以限制性意义来理解，并且各种实施例的范围仅由所附权利要求书连同这些权利要求授权的等效物的完整范围定义。
根据本公开且在本文中描述的各种实施例包含利用存储单元的竖直结构(例如存储单元的NAND串)的存储器。如本文中所使用，将采用相对其上形成有存储单元的衬底的表面的方向性形容词(即，竖直结构将视为远离衬底表面延伸，竖直结构的底端将视为最接近衬底表面的端部，且竖直结构的顶端将视为最远离衬底表面的端部)。
如本文中所使用，方向性形容词，例如水平、竖直、正交、平行、垂直等，可指相对定向，并且除非另外指出，否则并不意欲需要严格遵守具体几何性质。举例来说，如本文中所使用，竖直结构无需严格地垂直于衬底的表面，而是可替代地大体上垂直于衬底的表面，并且可与衬底的表面形成锐角(例如在60度与120度之间等)。
在本文中所描述的一些实施例中，可将不同掺杂配置应用于源极侧选择栅极(SGS)、控制栅极(CG)和漏极侧选择栅极(SGD)，其中的每一个在这一实例中可由多晶硅形成或至少包含多晶硅，结果使得这些层次(例如多晶硅等)可在暴露于蚀刻溶液时具有不同蚀刻速率。举例来说，在3D半导体装置中形成单体柱的过程中，SGS和CG可形成凹陷，而SGD可保持较少凹陷或甚至不凹陷。这些掺杂配置可因此通过使用蚀刻溶液(例如四甲基铵氢氧化物(TMCH))来实现选择性蚀刻到3D半导体装置中的不同层次(例如SGS、CG和SGD)中。
如本文所使用，操作存储单元包含从存储单元读取、对存储单元写入或擦除存储单元。使存储单元置于既定状态中的操作在本文中称为“编程”，且可包含对存储单元写入或从存储单元擦除(例如存储单元可经编程为擦除状态)。
根据本公开的一或多个实施例，位于存储器装置内部或外部的存储器控制器(例如处理器、控制器、固件等)能够确定(例如选择、设定、调节、计算、改变、清理、传达、调适、导出、限定、利用、修改、施加等)一定数量的损耗循环或损耗状态(例如记录损耗循环、当其发生时对存储器装置的操作计数、跟踪其起始的存储器装置的操作、评估对应于损耗状态的存储器装置特性等)。
根据本公开的一或多个实施例，存储器存取装置可配置成为存储器装置提供每一存储器操作的损耗循环信息。存储器装置控制电路系统(例如控制逻辑)可经编程以补偿对应于损耗循环信息的存储器装置性能改变。存储器装置可接收损耗循环信息并且响应于损耗循环信息而确定一或多个操作参数(例如值、特性)。
将理解，当一元件称为“在另一元件上”、“连接到另一元件”或“与另一元件耦合”时，其可直接在另一元件上、与另一元件直接连接或直接耦合，或可存在介入元件。相比之下，当一元件称为“直接”在另一元件“上”、“直接连接到”或“直接耦合到”另一元件时，不存在介入的元件或层。如果两个元件在图中展示为其被线连接，那么除非另外指明，否则所述两个元件可耦合或直接耦合。
本文中所描述的方法实例可至少部分地由机器或计算机实施。一些实例可包含编码有指令的计算机可读媒体或机器可读媒体，所述指令可操作以配置电子装置来进行如在以上实例中所描述的方法。这种方法的实施方案可包含代码，例如微码、汇编语言代码、高级语言代码或类似物。这种代码可包含用于进行各种方法的计算机可读指令。代码可形成计算机程序产品的部分。另外，代码可例如在执行期间或在其它时间有形地存储于一或多个易失性或非易失性有形计算机可读媒体上。这些有形计算机可读媒体的实例可包含但不限于：硬盘、可移动磁盘、可移动光盘(例如压缩光盘和数字视频光盘)、盒式磁带、存储器卡或棒、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、固态驱动器(SSD)、通用快闪存储(UFS)装置、嵌入式MMC(eMMC)装置和类似物。
以上描述意欲为说明性的而非限制性的。举例来说，上述实例(或其一或多个方面)可彼此组合地使用。例如本领域的技术人员在查阅以上描述后可使用其它实施例。应理解，所述实施例将不会用于解释或限制权利要求书的范围或含义。此外，在以上具体实施方式中，可将各种特征分组在一起以简化本公开。不应将这一情况解释为意欲未要求保护的公开特征对任何权利要求来说是必需的。实情为，本发明主题可以在于比特定所公开实施例的所有特征要少。因此，特此将所附权利要求书并入到具体实施方式中，其中每一权利要求作为一单独实施例而独立存在，且预期这些实施例可以各种组合或排列彼此组合。应参考所附权利要求书以及这些权利要求授权的等效物的完整范围确定本发明的范围。
其它注释和实例
实例1是一种方法，所述方法包括：通过主机接口从主机装置接收清除命令；确定NAND存储器装置的第一特定块的第一特定页指示为具有高于所述NAND存储器装置的第二特定页的优先级；以及作为响应，清除所述NAND存储器装置以使得在清除所述第二特定页的任何尝试之前清除所述第一特定页。
在实例2中，根据实例1所述的主题任选地包含：其中所述清除命令包含所述第一特定页具有优先级的指示，且其中所述确定所述第一特定页具有优先级包括识别所述清除命令中的所述指示。
在实例3中，根据实例1-2中的任何一或多个所述的主题任选地包含：其中确定NAND存储器装置的所述第一特定块的所述第一特定页指示为具有高于所述NAND存储器装置的所述第二特定页的优先级包括确定优先级级别。
在实例4中，根据实例1-3中的任何一或多个所述的主题任选地包含：其中先前命令包含所述第一特定页具有优先级的指示，且其中确定所述第一特定页具有优先级包括识别所述NAND的数据结构中的所述指示。
在实例5中，根据实例1-4中的任何一或多个所述的主题任选地包含：其中所述NAND存储器装置的第三特定页指示为具有高于所述NAND存储器装置的所述第一特定页和所述第二特定页的优先级；且其中所述方法包括清除所述NAND以使得在清除所述第一特定页的任何尝试之前清除所述第三特定页。
在实例6中，根据实例1-5中的任何一或多个所述的主题任选地包含：其中清除所述NAND以使得在所述第二特定页之前清除所述第一特定页包括：确定所述第一块中的不同于所述第一特定页的页是有效的，且作为响应，将所述第一特定块中的有效的所述页复制到所述NAND中的第二特定块，且擦除所述第一特定块。
在实例7中，根据实例1-6中的任何一或多个所述的主题任选地包含：其中所述清除命令包含时限，且其中所述清除所述NAND在所述时限到期时停止。
在实例8中，根据实例1-7中的任何一或多个所述的主题任选地包含：其中所述方法包括：在清除所述第一特定页之后，在所述第一特定页中存储一值。
实例9是一种清除NAND存储器装置的方法，所述方法包括：确定逻辑块地址(LBA)含有敏感数据；将所述LBA标示为具有大于另一LBA的优先级；以及作为响应，通过主机接口将清除命令发送到NAND存储器装置，所述NAND存储器装置在尝试清除所述另一LBA之前清除所述LBA。
在实例10中，根据实例9所述的主题任选地包含：其中所述清除命令包含时限，在所述时限到期时所述NAND装置停止清除。
在实例11中，根据实例9-10中的任何一或多个所述的主题任选地包含：其中将所述LBA标示为具有大于所述另一LBA的所述优先级包括：在所述清除命令中将所述LBA识别为具有所述优先级。
在实例12中，根据实例9-11中的任何一或多个所述的主题任选地包含：其中将所述LBA标示为具有大于所述另一LBA的所述优先级包括：在所述清除命令之前在发给所述NAND的命令中将所述LBA识别为具有所述优先级。
在实例13中，根据实例9-12中的任何一或多个所述的主题任选地包含：其中将所述LBA标示为具有大于所述另一LBA的所述优先级包括：将所述LBA标示为具有第一优先级。
在实例14中，根据实例13所述的主题任选地包含：其中将所述LBA标示为具有大于所述另一LBA的所述优先级包括：将所述另一LBA标示为具有第二优先级，所述第二优先级是比所述第一优先级更低的优先级。
在实例15中，根据实例14所述的主题任选地包含：不标示第三LBA，且其中所述NAND存储器装置在尝试清除所述另一LBA之前清除所述LBA且在尝试清除所述第三LBA之前清除所述另一LBA。
实例16是一种机器可读媒体，所述机器可读媒体包括指令，所述指令在由所述机器执行时使得所述机器进行操作，所述操作包括：通过主机接口从主机装置接收清除命令；确定NAND存储器装置的第一特定块的第一特定页指示为具有高于所述NAND存储器装置的第二特定页的优先级；以及作为响应，清除所述NAND存储器装置以使得在清除所述第二特定页的任何尝试之前清除所述第一特定页。
在实例17中，根据实例16所述的主题任选地包含：其中所述清除命令包含所述第一特定页具有优先级的指示，且其中确定所述第一特定页具有优先级的所述操作包括识别所述清除命令中的所述指示的所述操作。
在实例18中，根据实例16-17中的任何一或多个所述的主题任选地包含：其中确定NAND机器可读媒体的所述第一特定块的所述第一特定页指示为具有高于所述NAND机器可读媒体的所述第二特定页的优先级的所述操作包括确定优先级级别的所述操作。
在实例19中，根据实例16-18中的任何一或多个所述的主题任选地包含：其中先前命令包含所述第一特定页具有优先级的指示，且其中确定所述第一特定页具有优先级的所述操作包括识别所述NAND的数据结构中的所述指示。
在实例20中，根据实例16-19中的任何一或多个所述的主题任选地包含：其中所述NAND机器可读媒体的第三特定页指示为具有高于所述NAND机器可读媒体的所述第一特定页和所述第二特定页的优先级；且其中所述操作进一步包括清除所述NAND以使得在清除所述第一特定页的任何尝试之前清除所述第三特定页。
在实例21中，根据实例16-20中的任何一或多个所述的主题任选地包含：其中清除所述NAND以使得在所述第二特定页之前清除所述第一特定页的所述操作包括以下操作：确定所述第一块中的不同于所述第一特定页的页是有效的，且作为响应，将所述第一特定块中的有效的所述页复制到所述NAND中的第二特定块，且擦除所述第一特定块。
在实例22中，根据实例16-21中的任何一或多个所述的主题任选地包含：其中所述清除命令包含时限，且其中清除所述NAND的所述操作在所述时限到期时停止。
在实例23中，根据实例16-22中的任何一或多个所述的主题任选地包含：其中所述操作进一步包括：在清除所述第一特定页之后，在所述第一特定页中存储一值。
实例24是一种机器可读媒体，所述机器可读媒体包括指令，所述指令在由所述机器执行时使得所述机器进行操作，所述操作包括：确定逻辑块地址(LBA)含有敏感数据；将所述LBA标示为具有大于另一LBA的优先级；以及作为响应，通过主机接口将清除命令发送到NAND存储器装置，所述NAND主机装置在尝试清除所述另一LBA之前清除所述LBA。
在实例25中，根据实例24所述的主题任选地包含：其中所述清除命令包含时限，在所述时限到期时所述NAND装置停止清除。
在实例26中，根据实例24-25中的任何一或多个所述的主题任选地包含：其中将所述LBA标示为具有大于所述另一LBA的所述优先级的所述操作包括以下操作：在所述清除命令中将所述LBA识别为具有所述优先级。
在实例27中，根据实例24-26中的任何一或多个所述的主题任选地包含：其中将所述LBA标示为具有大于所述另一LBA的所述优先级的所述操作包括以下操作：在所述清除命令之前在发给所述NAND的命令中将所述LBA识别为具有所述优先级。
在实例28中，根据实例24-27中的任何一或多个所述的主题任选地包含：其中将所述LBA标示为具有大于所述另一LBA的所述优先级的所述操作包括以下操作：将所述LBA标示为具有第一优先级。
在实例29中，根据实例28所述的主题任选地包含：其中将所述LBA标示为具有大于所述另一LBA的所述优先级的所述操作包括以下操作：将所述另一LBA标示为具有第二优先级，所述第二优先级是比所述第一优先级更低的优先级。
在实例30中，根据实例29所述的主题任选地包含：其中所述操作进一步包括不标示第三LBA，且其中所述NAND机器可读媒体在尝试清除所述另一LBA之前清除所述LBA且在尝试清除所述第三LBA之前清除所述另一LBA。
实例31是一种NAND存储器装置，所述NAND存储器装置包括：控制器，其配置成进行操作，所述操作包括：通过主机接口从主机装置接收清除命令；确定NAND存储器装置的第一特定块的第一特定页指示为具有高于所述NAND存储器装置的第二特定页的优先级；以及作为响应，清除所述NAND存储器装置以使得在清除所述第二特定页的任何尝试之前清除所述第一特定页。
在实例32中，根据实例31所述的主题任选地包含：其中所述清除命令包含所述第一特定页具有优先级的指示，且其中确定所述第一特定页具有优先级的所述操作包括识别所述清除命令中的所述指示的所述操作。
在实例33中，根据实例31-32中的任何一或多个所述的主题任选地包含：其中确定NAND存储器装置的所述第一特定块的所述第一特定页指示为具有高于所述NAND存储器装置的所述第二特定页的优先级的所述操作包括确定优先级级别的所述操作。
在实例34中，根据实例31-33中的任何一或多个所述的主题任选地包含：其中先前命令包含所述第一特定页具有优先级的指示，且其中确定所述第一特定页具有优先级的所述操作包括识别所述NAND的数据结构中的所述指示。
在实例35中，根据实例31-34中的任何一或多个所述的主题任选地包含：其中所述NAND存储器装置的第三特定页指示为具有高于所述NAND存储器装置的所述第一特定页和所述第二特定页的优先级；且其中所述操作进一步包括清除所述NAND以使得在清除所述第一特定页的任何尝试之前清除所述第三特定页。
在实例36中，根据实例31-35中的任何一或多个所述的主题任选地包含：其中清除所述NAND以使得在所述第二特定页之前清除所述第一特定页的所述操作包括以下操作：确定所述第一块中的不同于所述第一特定页的页是有效的，且作为响应，将所述第一特定块中的有效的所述页复制到所述NAND中的第二特定块，且擦除所述第一特定块。
在实例37中，根据实例31-36中的任何一或多个所述的主题任选地包含：其中所述清除命令包含时限，且其中清除所述NAND的所述操作在所述时限到期时停止。
在实例38中，根据实例31-37中的任何一或多个所述的主题任选地包含：其中所述操作进一步包括：在清除所述第一特定页之后，在所述第一特定页中存储一值。
实例39是一种主机装置，所述主机装置包括：处理器，其配置成进行操作，所述操作包括：确定逻辑块地址(LBA)含有敏感数据；将所述LBA标示为具有大于另一LBA的优先级；以及作为响应，通过主机接口将清除命令发送到NAND存储器装置，所述NAND主机装置在尝试清除所述另一LBA之前清除所述LBA。
在实例40中，根据实例39所述的主题任选地包含：其中所述清除命令包含时限，在所述时限到期时所述NAND装置停止清除。
在实例41中，根据实例39-40中的任何一或多个所述的主题任选地包含：其中将所述LBA标示为具有大于所述另一LBA的所述优先级的所述操作包括：在所述清除命令中将所述LBA识别为具有所述优先级。
在实例42中，根据实例39-41中的任何一或多个所述的主题任选地包含：其中将所述LBA标示为具有大于所述另一LBA的所述优先级的所述操作包括以下操作：在所述清除命令之前在发给所述NAND的命令中将所述LBA识别为具有所述优先级。
在实例43中，根据实例39-42中的任何一或多个所述的主题任选地包含：其中将所述LBA标示为具有大于所述另一LBA的所述优先级的所述操作包括以下操作：将所述LBA标示为具有第一优先级。
在实例44中，根据实例43所述的主题任选地包含：其中将所述LBA标示为具有大于所述另一LBA的所述优先级的所述操作包括以下操作：将所述另一LBA标示为具有第二优先级，所述第二优先级是比所述第一优先级更低的优先级。
在实例45中，根据实例44所述的主题任选地包含：其中所述操作进一步包括不标示第三LBA，且其中所述NAND主机装置在尝试清除所述另一LBA之前清除所述LBA且在尝试清除所述第三LBA之前清除所述另一LBA。
实例46是一种装置，所述装置包括：构件，其用于通过主机接口从主机装置接收清除命令；构件，其用于确定NAND存储器装置的第一特定块的第一特定页指示为具有高于所述NAND存储器装置的第二特定页的优先级；以及构件，其用于作为响应，清除所述NAND存储器装置以使得在清除所述第二特定页的任何尝试之前清除所述第一特定页。
在实例47中，根据实例46所述的主题任选地包含：其中所述清除命令包含所述第一特定页具有优先级的指示，且其中用于确定所述第一特定页具有优先级的所述构件包括用于识别所述清除命令中的所述指示的构件。
在实例48中，根据实例46-47中的任何一或多个所述的主题任选地包含：其中用于确定NAND存储器装置的所述第一特定块的所述第一特定页指示为具有高于所述NAND存储器装置的所述第二特定页的优先级的所述构件包括用于确定优先级级别的构件。
在实例49中，根据实例46-48中的任何一或多个所述的主题任选地包含：其中先前命令包含所述第一特定页具有优先级的指示，且其中用于确定所述第一特定页具有优先级的构件包括用于识别所述NAND的数据结构中的所述指示的构件。
在实例50中，根据实例46-49中的任何一或多个所述的主题任选地包含：其中所述NAND存储器装置的第三特定页指示为具有高于所述NAND存储器装置的所述第一特定页和所述第二特定页的优先级；且其中所述装置进一步包括用于清除所述NAND以使得在清除所述第一特定页的任何尝试之前清除所述第三特定页的构件。
在实例51中，根据实例46-50中的任何一或多个所述的主题任选地包含：其中用于清除所述NAND以使得在所述第二特定页之前清除所述第一特定页的所述构件包括：构件，其用于确定所述第一块中的不同于所述第一特定页的页是有效的；以及构件，其用于作为响应，将所述第一特定块中的有效的所述页复制到所述NAND中的第二特定块；以及构件，其用于擦除所述第一特定块。
在实例52中，根据实例46-51中的任何一或多个所述的主题任选地包含：其中所述清除命令包含时限，且其中用于清除所述NAND的所述构件在所述时限到期时停止。
在实例53中，根据实例46-52中的任何一或多个所述的主题任选地包含：其中所述装置包括：构件，其用于在清除所述第一特定页之后，在所述第一特定页中存储一值。
实例54是一种装置，所述装置包括：构件，其用于确定逻辑块地址(LBA)含有敏感数据；构件，其用于将所述LBA标示为具有大于另一LBA的优先级；以及构件，其用于作为响应，通过主机接口将清除命令发送到NAND存储器装置，所述NAND存储器装置在尝试清除所述另一LBA之前清除所述LBA。
在实例55中，根据实例54所述的主题任选地包含：其中所述清除命令包含时限，在所述时限到期时所述NAND装置停止清除。
在实例56中，根据实例54-55中的任何一或多个所述的主题任选地包含：其中用于将所述LBA标示为具有大于所述另一LBA的所述优先级的所述构件包括：构件，其用于在所述清除命令中将所述LBA识别为具有所述优先级。
在实例57中，根据实例54-56中的任何一或多个所述的主题任选地包含：其中用于将所述LBA标示为具有大于所述另一LBA的所述优先级的所述构件包括：构件，其用于在所述清除命令之前在发给所述NAND的命令中将所述LBA识别为具有所述优先级。
在实例58中，根据实例54-57中的任何一或多个所述的主题任选地包含：其中用于将所述LBA标示为具有大于所述另一LBA的所述优先级的所述构件包括：构件，其用于将所述LBA标示为具有第一优先级。
在实例59中，根据实例58所述的主题任选地包含：其中用于将所述LBA标示为具有大于所述另一LBA的所述优先级的所述构件包括：构件，其用于将所述另一LBA标示为具有第二优先级，所述第二优先级是比所述第一优先级更低的优先级。
在实例60中，根据实例59所述的主题任选地包含用于不标示第三LBA的构件，且其中所述NAND存储器装置在尝试清除所述另一LBA之前清除所述LBA且在尝试清除所述第三LBA之前清除所述另一LBA。

Claims (18)

1.一种NAND存储器装置，其包括：
控制器，其配置成进行操作，所述操作包括：
通过主机接口从主机装置接收清除命令，其中针对所述NAND存储器装置分配指定最大时间量以完成所述清除；
确定NAND存储器装置的第一特定块的第一特定页指示为具有高于所述NAND存储器装置的第二特定页的优先级；以及
作为响应，仅执行所述指定最大时间量的所述清除命令，且其中执行所述清除命令包括在执行对所述第二特定页的所述清除的任何尝试之前首先清除所述第一特定页，所述清除命令对标记为无效的所有数据进行垃圾收集和删除。
2.根据权利要求1所述的NAND存储器装置，其中所述清除命令包含所述第一特定页具有优先级的指示，且其中确定NAND存储器装置的所述第一特定块的所述第一特定页指示为具有高于所述NAND存储器装置的所述第二特定页的优先级的所述操作包括识别所述清除命令中的所述指示的所述操作。
3.根据权利要求1所述的NAND存储器装置，其中确定NAND存储器装置的所述第一特定块的所述第一特定页指示为具有高于所述NAND存储器装置的所述第二特定页的优先级的所述操作包括确定优先级级别的所述操作。
4.根据权利要求1所述的NAND存储器装置，其中先前命令包含所述第一特定页具有优先级的指示，且其中确定NAND存储器装置的所述第一特定块的所述第一特定页指示为具有高于所述NAND存储器装置的所述第二特定页的优先级的所述操作包括识别所述NAND存储器装置的数据结构中的所述指示。
5.根据权利要求1所述的NAND存储器装置，其中所述NAND存储器装置的第三特定页指示为具有高于所述NAND存储器装置的所述第一特定页和所述第二特定页的优先级；且其中所述操作进一步包括执行所述清除命令以使得在清除所述第一特定页的任何尝试之前清除所述第三特定页。
6.根据权利要求1所述的NAND存储器装置，其中执行所述清除命令的所述操作包括以下操作：
确定所述第一特定块中的不同于所述第一特定页的页是有效的，且作为响应，将所述第一特定块中的有效的所述页复制到所述NAND存储器装置中的第二特定块，且擦除所述第一特定块。
7.根据权利要求1所述的NAND存储器装置，其中所述操作进一步包括：
在清除所述第一特定页之后，在所述第一特定页中存储一值。
8.一种非暂时性机器可读媒体，其包括指令，所述指令在由机器执行时使得所述机器进行操作，所述操作包括：
通过主机接口从主机装置接收清除命令，其中针对NAND存储器装置分配指定最大时间量以完成所述清除；
确定所述NAND存储器装置的第一特定块的第一特定页指示为具有高于所述NAND存储器装置的第二特定页的优先级；以及
作为响应，仅执行所述指定最大时间量的所述清除命令，且其中执行所述清除命令包括在执行对所述第二特定页的所述清除的任何尝试之前首先清除所述第一特定页，所述清除命令对标记为无效的所有数据进行垃圾收集和删除。
9.根据权利要求8所述的非暂时性机器可读媒体，其中所述清除命令包含所述第一特定页具有优先级的指示，且其中确定所述NAND存储器装置的所述第一特定块的所述第一特定页指示为具有高于所述NAND存储器装置的所述第二特定页的优先级的所述操作包括识别所述清除命令中的所述指示的所述操作。
10.根据权利要求8所述的非暂时性机器可读媒体，其中确定所述NAND存储器装置的所述第一特定块的所述第一特定页指示为具有高于所述NAND存储器装置的所述第二特定页的优先级的所述操作包括确定优先级级别的所述操作。
11.根据权利要求8所述的非暂时性机器可读媒体，其中先前命令包含所述第一特定页具有优先级的指示，且其中确定所述NAND存储器装置的所述第一特定块的所述第一特定页指示为具有高于所述NAND存储器装置的所述第二特定页的优先级的所述操作包括识别所述NAND存储器装置的数据结构中的所述指示。
12.根据权利要求8所述的非暂时性机器可读媒体，其中所述NAND存储器装置的第三特定页指示为具有高于所述NAND存储器装置的所述第一特定页和所述第二特定页的优先级，且
其中所述操作进一步包括执行所述清除命令以使得在清除所述第一特定页的任何尝试之前清除所述第三特定页。
13.根据权利要求8所述的非暂时性机器可读媒体，其中执行所述清除命令的所述操作包括以下操作：
确定所述第一特定块中的不同于所述第一特定页的页是有效的，且作为响应，将所述第一特定块中的有效的所述页复制到所述NAND存储器装置中的第二特定块，且擦除所述第一特定块。
14.根据权利要求8所述的非暂时性机器可读媒体，其中所述操作进一步包括：
在清除所述第一特定页之后，在所述第一特定页中存储一值。
15.一种通过NAND存储器装置来进行的方法，所述方法包括：
通过主机接口从主机装置接收清除命令，其中针对所述NAND存储器装置分配指定最大时间量以完成所述清除；
确定NAND存储器装置的第一特定块的第一特定页指示为具有高于所述NAND存储器装置的第二特定页的优先级；以及
作为响应，仅执行所述指定最大时间量的所述清除命令，且其中执行所述清除命令包括在执行对所述第二特定页的所述清除的任何尝试之前首先清除所述第一特定页，所述清除命令对标记为无效的所有数据进行垃圾收集和删除。
16.根据权利要求15所述的方法，其中所述清除命令包含所述第一特定页具有优先级的指示，且其中所述确定所述NAND存储器装置的所述第一特定块的所述第一特定页指示为具有高于所述NAND存储器装置的所述第二特定页的优先级包括识别所述清除命令中的所述指示。
17.根据权利要求15所述的方法，其中确定所述NAND存储器装置的所述第一特定块的所述第一特定页指示为具有高于所述NAND存储器装置的所述第二特定页的优先级包括确定优先级级别。
18.根据权利要求15所述的方法，其中先前命令包含所述第一特定页具有优先级的指示，且其中所述确定所述NAND存储器装置的所述第一特定块的所述第一特定页指示为具有高于所述NAND存储器装置的所述第二特定页的优先级包括识别所述NAND存储器装置的数据结构中的所述指示。
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