CN111107900A - 放射治疗系统和方法 - Google Patents

Abstract

系统包括磁共振成像(MRI)装置(310)，其被配置用于获取关于感兴趣区域(ROI)的MRI数据，以及放射治疗装置(300)，其被配置用于放射治疗感兴趣区域的至少一部分。所述磁共振成像装置(310)包括沿轴线同轴布置的至少两个主磁线圈(401)、沿轴线同轴布置的至少两个磁屏蔽线圈(402)、以及介于至少两个主磁线圈(401)和至少两个磁屏蔽线圈(402)的低温恒温器(403)。

Description

放射治疗系统和方法

技术领域

本申请一般涉及放射治疗系统，更具体地说，涉及结合放射治疗和磁共振成像技术的图像引导放射治疗系统。

背景技术

目前，肿瘤的放射治疗受到跟踪不同治疗期间肿瘤的变化(例如运动)的困难的影响。如今，各种成像技术可用于在每个治疗期之前或之内提供肿瘤的实时图像。例如，磁共振成像(MRI)装置可以与放射治疗装置结合使用以提供肿瘤的MRI图像。MRI装置和放射治疗装置的组合形成治疗装置，在布置MRI装置的组件时可能遇到困难(例如，至少两个主磁线圈，至少两个磁屏蔽线圈)并且在相对紧凑的空间中放射治疗装置(例如，直线加速器)不会引起干扰。因此，可能希望提供一种治疗装置，其提供高治疗质量并且还具有紧凑的结构。

发明内容

在本申请的第一方面，提供了一种放射治疗系统。该系统可包括磁共振成像(MRI)装置和放射治疗装置。MRI装置可以被配置用于获取关于感兴趣的区域(ROI)的MRI数据。磁共振成像装置可包括至少两个主磁线圈、至少两个磁屏蔽线圈，以及环形低温恒温器，其中至少两个主磁线圈和至少两个磁屏蔽线圈沿环形低温恒温器的轴线同轴布置，至少两个磁屏蔽线圈可以布置在距轴线的半径大于至少两个主磁线圈距轴线的半径处。环形低温恒温器可包括围绕轴线同轴的至少一个外壁和至少一个内壁，环形低温恒温器还可包括在至少一个外壁和至少一个内壁之间的环形凹槽，环形凹槽可具有在至少一个外壁上形成的开口。放射治疗装置可以被配置用于放射治疗感兴趣区域的至少一部分。放射治疗装置可包括直线加速器、一个或以上准直组件、第一屏蔽结构和至少一个第二屏蔽结构。直线加速器可以被配置用于加速电子光束中的电子以产生放射治疗的光子束，直线加速器可以至少部分地位于环形低温恒温器的环形凹槽内。一个或以上准直组件被配置用于控制放射治疗的光子束的形状。第一屏蔽结构可以被配置用于为直线加速器和一个或以上准直组件中的至少一个器件提供磁屏蔽。所述至少一个第二屏蔽结构可以与所述第一屏蔽结构基本相同，其中所述第一屏蔽结构和所述至少一个第二屏蔽结构分别位于所述环形凹槽内的选定圆周位置处。

在一些实施例中，至少一个第二屏蔽结构可以位于第一磁屏蔽结构相对于轴线的相对圆周位置。

在一些实施例中，直线加速器可以至少部分地被第一屏蔽结构包围，并且第一磁屏蔽结构可以为直线加速器提供无源磁屏蔽。

在一些实施例中，第一屏蔽结构可以围绕直线加速器的轴形成半闭环。

在一些实施例中，半闭环可包括沿直线加速器的圆周方向布置的至少两个板。

在一些实施例中，放射治疗装置还可包括两个环形磁屏蔽层，并且第一屏蔽结构可至少由两个第一磁屏蔽隔板连接两个环形磁屏蔽层形成。

在一些实施例中，两个环形磁屏蔽层可以围绕轴线同轴。

在一些实施例中，两个环形磁屏蔽层可以沿着环形低温恒温器的轴线排列并且彼此平行。

在一些实施例中，放射治疗装置还可包括内磁屏蔽层和外磁屏蔽层，两者都可连接到两个环形磁屏蔽层。第一屏蔽结构可以由两个环形磁屏蔽层、内磁屏蔽层、外磁屏蔽层、连接两个环形磁屏蔽层的两个第一磁屏蔽隔板组成。

在一些实施例中，外磁屏蔽层可包括至少两个槽，并且至少两个槽中的至少一个槽可位于与两个第一磁屏蔽隔板中的一个板相对应的位置处。

在一些实施例中，所述至少一个第二屏蔽结构可以包括多于两个的第二屏蔽结构，并且所述第一屏蔽结构和所述至少一个第二屏蔽结构可以均匀地分布在所述环形凹槽内。

在一些实施例中，环形低温恒温器可包括至少两个腔室和颈部，所述至少两个腔室通过所述颈部连接并且彼此流体连通，所述环形凹槽至少由所述至少两个腔室和所述颈部限定。

在一些实施例中，环形凹槽可以位于至少两个腔室之间，并且颈部的最外表面可以形成环形凹槽的最内层边界。

在一些实施例中，电子光束可以沿着平行于环形低温恒温器的轴的电子光束路径移动，并且放射治疗装置还可以包括靶，以及光束偏转单元，光束偏转单元被配置用于将电子从电子光束偏转到靶上以产生放射治疗的光子束。

在一些实施例中，环形低温恒温器可包括环形凹面结构，其具有在至少一个内壁处形成的开口。放射治疗装置还可以包括容纳在环形低温恒温器的环形凹面结构中的多叶准直器(MLC)，并且被配置用于控制通过它的放射治疗的光子束的形状。

在一些实施例中，至少两个主磁线圈的一个或以上可以布置成围绕环形凹面结构，并且所述一个或以上的所述主磁线圈距所述轴的半径大于其余的所述主磁线圈距所述轴的半径。

在一些实施例中，多叶准直器可以经由两个或以上杆连接到直线加速器。

在一些实施例中，多叶准直器可以被配置用于沿着滑动结构在环形凹面结构内移动。

在本申请的第二方面，提供了一种放射治疗系统。放射治疗系统可包括磁共振成像(MRI)装置，其被配置用于获取关于感兴趣区域(ROI)的磁共振成像数据；放射治疗装置，被配置用于放射治疗ROI的至少一部分。磁共振成像装置可以包括至少两个主磁线圈、至少两个磁屏蔽线圈、以及环形低温恒温器，其中至少两个主磁线圈和至少两个磁屏蔽线圈可以沿着环形低温恒温器的轴线同轴布置，至少两个磁屏蔽线圈可以布置在距轴线的半径大于至少两个主磁线圈距轴线的半径的位置，该环形低温恒温器包括围绕轴线同轴的至少一个外壁和至少一个内壁，环形低温恒温器还可包括在至少一个外壁和至少一个内壁之间的环形凹槽，并且环形凹槽具有在至少一个外壁处形成的开口。放射治疗装置可以包括直线加速器，用于加速沿着平行于轴的电子光束路径的电子光束中的电子，直线加速器至少部分地位于低温恒温器的环形凹槽内；靶；光束偏转单元，被配置用于将电子从电子光束偏转到靶上以产生放射治疗的光子束。

在一些实施例中，环形低温恒温器可包括沿环形低温恒温器的轴线布置的至少两个腔室，所述至少两个腔室通过颈部连接并且彼此流体连通，所述环形凹槽至少由两个腔室和颈部所限定。

在一些实施例中，环形凹槽可以位于至少两个腔室之间，并且颈部的最外表面可以形成环形凹槽的最内层边界。

在一些实施例中，放射治疗装置可包括第一屏蔽结构，其配置用于为直线加速器提供磁屏蔽，其中，第一屏蔽结构可沿轴线方向连续分布，并沿轴线方向延伸以覆盖直线加速器的两端。

在一些实施例中，放射治疗装置还可包括至少一个与第一屏蔽结构基本相同的第二屏蔽结构，其中第一屏蔽结构和至少一个第二屏蔽结构可分别位于环形凹槽内的选定圆周位置。

在一些实施例中，直线加速器可以至少部分地被第一屏蔽结构围绕，并且第一磁屏蔽结构可以为直线加速器提供无源磁屏蔽。

在一些实施例中，第一屏蔽结构可以围绕直线加速器的轴形成半闭环。

在一些实施例中，半闭环可包括沿直线加速器的圆周方向布置的至少两个板。

在一些实施例中，放射治疗装置还可包括两个环形磁屏蔽层，并且第一屏蔽结构可至少由两个第一磁屏蔽隔板连接两个环形磁屏蔽层形成。

在一些实施例中，两个环形磁屏蔽层可以围绕轴线同轴。

在一些实施例中，两个环形磁屏蔽层可以沿着环形低温恒温器的轴线排列并且彼此平行。

在一些实施例中，放射治疗装置还可以包括内磁屏蔽层和外磁屏蔽层，两者都可以连接到两个环形磁屏蔽层，并且第一屏蔽结构可以由内磁屏蔽层、外磁屏蔽层、两个环形磁屏蔽层、连接两个环形磁屏蔽层的两个第一磁屏蔽隔板组成。

在一些实施例中，外磁屏蔽层可包括至少两个槽，并且至少两个槽中的至少一个槽可位于与两个第一磁屏蔽隔板中的一个板相对应的位置处。

在一些实施例中，第一屏蔽结构和至少一个第二屏蔽结构可以均匀地分布在环形凹槽内。

在一些实施例中，环形低温恒温器可包括环形凹面结构，其具有在至少一个内壁处形成的开口。放射治疗装置可以包括容纳在环形低温恒温器的环形凹面结构中的多叶准直器(MLC)，并且被配置用于控制通过它的放射治疗的光子束的形状。

在一些实施例中，至少两个主磁线圈的一个或以上可以布置成围绕环形凹面结构，并且至少两个主磁线圈的一个或以上可以具有比其余部分距轴的更大的半径。

在一些实施例中，多叶准直器可以经由两个或以上杆连接到直线加速器。

在一些实施例中，多叶准直器可以被配置用于沿着滑动结构在环形凹面结构内移动。

在本申请的第三方面，提供了一种放射治疗系统。放射治疗系统可以包括磁共振成像(MRI)装置，被配置用于获取关于感兴趣区域(ROI)的MRI数据；放射治疗装置，被配置用于放射治疗ROI的至少一部分。MRI装置可包括至少两个主磁线圈、至少两个磁屏蔽线圈和环形低温恒温器，其中至少两个主磁线圈和至少两个磁屏蔽线圈可以沿着环形低温恒温器的轴线同轴地布置，至少两个磁屏蔽线圈可以布置在距轴线的半径大于至少两个主磁线圈距轴线的半径处。环形低温恒温器可包括围绕轴同轴的至少一个外壁和至少一个内壁。环形低温恒温器可包括环形凹槽和环形凹面结构，环形凹槽具有在至少一个外壁上形成的第一开口，环形凹面结构具有在至少一个内壁上形成的第二开口。放射治疗装置可以包括直线加速器，被配置用于加速电子光束中的电子以产生放射治疗的光子束，该直线加速器至少部分地位于低温恒温器的环形凹槽内；多叶准直器(MLC)，容纳在环形低温恒温器的环形凹面结构中，并且用于控制通过它的放射治疗的光子束的形状。

在一些实施例中，至少两个主磁线圈的一个或以上可以布置成围绕环形凹面结构，并且至少两个主磁线圈的一个或以上可以具有比至少两个主磁线圈的其余部分距轴线更大的半径。

在一些实施例中，多叶准直器可以经由两个或以上杆连接到直线加速器。

在一些实施例中，多叶准直器可以被配置用于沿着滑动结构在环形凹面结构内移动。

在一些实施例中，放射治疗装置可以包括用于为直线加速器提供磁屏蔽的第一屏蔽结构，其中第一屏蔽结构沿轴线方向连续分布并且沿轴线方向延伸以覆盖直线加速器的两端。

在一些实施例中，放射治疗装置还可包括至少一个与第一屏蔽结构基本相同的第二屏蔽结构，其中第一屏蔽结构和至少一个第二屏蔽结构分别位于环形凹槽内的选定圆周位置。

在一些实施例中，直线加速器可以至少部分地被第一屏蔽结构围绕，并且第一磁屏蔽结构可以为直线加速器提供无源磁屏蔽。

在一些实施例中，第一屏蔽结构可以围绕直线加速器的轴形成半闭环。

在一些实施例中，半闭环可包括沿直线加速器的圆周方向布置的至少两个板。

在一些实施例中，放射治疗装置还可包括两个环形磁屏蔽层，并且第一屏蔽结构可至少由两个第一磁屏蔽隔板连接两个环形磁屏蔽层形成。

在一些实施例中，两个环形磁屏蔽层可以围绕轴线同轴。

在一些实施例中，两个环形磁屏蔽层可以沿着环形低温恒温器的轴线布置并且彼此平行。

在一些实施例中，放射治疗装置还可包括内磁屏蔽层和外磁屏蔽层，两者都可连接到两个环形磁屏蔽层。第一屏蔽结构可以由两个环形磁屏蔽层、内磁屏蔽层、外磁屏蔽层和连接两个环形磁屏蔽层的两个第一磁屏蔽隔板形成。

在一些实施例中，外磁屏蔽层可包括至少两个槽，并且至少两个槽中的至少一个可位于与两个第一磁屏蔽隔板中的一个相对应的位置处。

在一些实施例中，第一屏蔽结构和至少一个第二屏蔽结构可以均匀地分布在环形凹槽内。

在一些实施例中，环形低温恒温器可包括至少两个腔室和颈部，所述至少两个腔室通过颈部连接并且彼此流体连通，环形凹槽至少由至少两个腔室和颈部部分限定。

在一些实施例中，环形凹槽可以位于至少两个腔室之间，并且颈部的最外表面可以形成环形凹槽的最内层边界。

本申请的一部分附加特性可以在下面的描述中进行说明。通过对以下描述和相应附图的研究或者对实施例的生产或操作的了解，本申请的一部分附加特性对于本领域技术人员是明显的。本申请的特征可以通过对以下描述的具体实施例的各种方面的方法、手段和组合的实践或使用得以实现和达到。

附图说明

本申请将通过示例性实施例进行进一步描述。这些示例性实施例将通过附图进行详细描述。这些实施例是非限制性的示例性实施例，在这些实施例中，各图中相同的编号表示相似的结构，其中：

图1是说明根据本申请的一些实施方案的示例性放射治疗系统的方框图；

图2是说明根据本申请的一些实施例的用于在放射治疗系统中放射治疗的示例性过程的流程图；

图3A说明了根据本申请的一些实施例的示例性治疗装置；

图3B说明了根据本申请的一些实施例的另一示例性治疗装置；

图4A示出了根据本申请的一些实施例的沿X方向观察的示例性治疗装置的横截面图的上部；

图4B示出了根据本申请的一些实施例的沿X方向观察的另一示例性治疗装置的横截面图的上部；

图4C示出了根据本申请的一些实施例的沿X方向观察的另一示例性治疗装置的横截面图的上部；

图4D示出了根据本申请的一些实施例的沿X方向观察的另一示例性治疗装置的横截面图的上部；

图5A示出了根据本申请的一些实施例的沿X方向观察的示例性治疗装置的横截面图的上部；

图5B示出了根据本申请的一些实施例的沿X方向观察的另一示例性治疗装置的横截面图的上部；

图5C示出了根据本申请的一些实施例的沿X方向观察的另一示例性治疗装置的横截面图的上部；

图5D示出了根据本申请的一些实施例的沿X方向观察的另一示例性治疗装置的横截面图的上部；

图6A示出了根据本申请的一些实施例的沿X方向观察的示例性治疗装置的横截面图的上部；

图6B示出了根据本申请的一些实施例的沿X方向观察的另一示例性治疗装置的横截面图的上部；

图7A示出了根据本申请的一些实施例的沿X方向观察的另一示例性治疗装置的横截面图的上部；

图7B示出了根据本申请的一些实施例的沿X方向观察的另一示例性治疗装置的横截面图的上部；

图8A示出了根据本申请的一些实施例的示例性治疗装置的透视图；

图8B示出了根据本申请的一些实施例的示例性治疗装置的透视图；

图9A示出了根据本申请的一些实施例的沿低温恒温器的轴向观察的图8A中描述的治疗装置的横截面视图；

图9B示出了根据本申请的一些实施例的沿着低温恒温器的轴向(即，Z方向)观察的图8B中描述的治疗装置的横截面视图；

图10A示出了根据本申请的一些实施例的图8A中描述的治疗装置的另一截面图；

图10B示出了根据本申请的一些实施例的沿Y方向观察的图8B中描述的治疗装置的横截面图；

图11A示出了根据本申请的一些实施方案的沿X方向观察的示例性治疗装置的横截面视图；

图11B示出了根据本申请的一些实施例的沿X方向观察的具有两个磁屏蔽结构的另一示例性治疗装置；

图12A示出了根据本申请的一些实施例的沿X方向观察的示例性治疗装置的横截面图的上部；

图12B示出了根据本申请的一些实施例的沿X方向观察的另一示例性治疗装置的横截面图的上部；

图12C示出了根据本申请的一些实施例的沿X方向观察的另一示例性治疗装置的横截面图的上部；

图13A示出了根据本申请的一些实施例的沿X方向观察的示例性治疗装置的横截面图的上部；

图13B示出了根据本申请的一些实施例的沿X方向观察的另一示例性治疗装置的横截面图的上部；

图13C示出了根据本申请的一些实施例的沿X方向观察的另一示例性治疗装置的横截面图的上部；

图14A显示了根据本申请的一些实施方案的示例性治疗装置的透视图；

图14B示出了根据本申请的一些实施例的另一示例性治疗装置的透视图；

图15A示出了根据本申请的一些实施例的治疗装置的透视图；

图15B示出了根据本申请的一些实施例的治疗装置的透视图；

图15C示出了根据本申请的一些实施例的另一种治疗装置的透视图；

图15D示出了根据本申请的一些实施例的治疗装置的透视图；

图16A示出了根据本申请的一些实施例的示例性治疗装置的透视图；以及

图16B示出了根据本申请的一些实施例的治疗装置的透视图。

具体实施方式

以下描述是为了使本领域的普通技术人员能够实施和利用本申请，并且该描述是在特定的应用场景及其要求的环境下提供的。对于本领域的普通技术人员而言，显然可以对所公开的实施例作出各种改变，并且在不偏离本申请的原则和范围的情况下，本申请中所定义的普遍原则可以适用于其他实施例和应用场景。因此，本申请并不限于所描述的实施例，而应该被给予与权利要求一致的最广泛的范围。

本申请中所使用的术语仅用于描述特定的示例性实施例，并不限制本申请的范围。如本申请和权利要求书中所示，除非上下文明确提示例外情形，“一”、“一个”、“一种”和/或“该”等词并非特指单数，也可以包括复数。应该被理解的是，本申请中所使用的术语“包括”与“包含”仅提示已明确标识的特征、整数、步骤、操作、元素和/或部件，而不排除可以存在和添加其他一个或以上特征、整数、步骤、操作、元素、部件和/或其组合。

根据以下对附图的描述，本申请的这些和其他的特征、特点以及相关结构元件的功能和操作方法，以及部件组合和制造经济性，可以变得更加显而易见，这些附图都构成本申请说明书的一部分。然而，应当理解的是，附图仅仅是为了说明和描述的目的，并不旨在限制本申请的范围。应当理解的是，附图并不是按比例绘制的。

图1是示出根据本申请的一些实施例的示例性放射治疗系统100的框图。在一些实施例中，放射治疗系统100可以是多模态成像系统，包括例如正电子发射断层扫描放射治疗(PET-RT)系统、磁共振成像放射治疗(MRI-RT)系统等。为了更好地理解本申请，可以将MRI-RT系统描述为放射治疗系统100的示例，并且不旨在限制本申请的范围。

如图1所示，放射治疗系统100可包括治疗装置110、一个或以上处理引擎120、网络130、存储设备140和一个或以上终端设备150。在一些实施例中，治疗装置110、一个或以上处理引擎120、存储设备140和/或终端设备150可以通过无线连接(例如，由网络130提供的无线连接)、有线连接(例如，由网络130提供的有线连接)，或其任何组合，彼此连接和/或通信。

治疗装置110可包括磁共振成像装置(下文称为“MRI装置”)。MRI装置可以通过扫描受试者或受试者的一部分来产生与磁共振成像信号(下文中称为“MRI信号”)相关的图像数据。在一些实施方案中，受试者可包括身体、物质、物体等，或其任何组合。在一些实施方案中，受试者可包括身体的特定部位、特定器官或特定组织，例如头部、脑部、颈部、身体、肩部、手臂、胸部、心脏、胃、血管、软组织、膝盖、脚等，或其任何组合。在一些实施例中，治疗装置110可以经由网络130将图像数据发送到一个或以上处理引擎120、存储设备140和/或终端设备150以进行进一步处理。例如，图像数据可以被发送到一个或以上处理引擎120以生成MRI图像，或者可以存储在存储设备140中。

治疗装置110还可以包括放射治疗组件(下文中称为“放射治疗装置”)。放射治疗装置可以为靶区域(例如，肿瘤)提供放射治疗。这里使用的放射线可以包括粒子射线、光子射线等。粒子射线可包括中子、质子、电子、μ介子、重离子、α射线等，或其任何组合。光子射线可包括X射线、γ射线、紫外线、激光等，或其任何组合。出于说明目的，可以将与X射线相关联的放射治疗装置描述为示例。在一些实施例中，治疗装置110可以在MRI装置提供的图像数据的帮助下产生一定剂量的X射线以执行放射治疗。例如，可以处理图像数据以定位肿瘤和/或确定X射线的剂量。

一个或以上处理引擎120可以处理从治疗装置110、存储设备140和/或终端设备150获取的数据和/或信息。例如，一个或以上处理引擎120可以处理图像数据并基于图像数据重建至少一个MRI图像。并且，一个或以上处理引擎120可以基于至少一个MRI图像确定治疗区域的位置和放射剂量。MRI图像可以提供的益处包括，例如，优良的软组织对比度、高分辨率、几何精度，这可以允许治疗区域的精确定位。MRI图像可以用于在确定治疗计划期间和执行治疗的时间期间检测治疗区域的变化(例如，肿瘤消退或转移)，使得原始治疗计划可以相应调整。可以在治疗开始之前确定原始治疗计划。例如，可以在治疗开始之前至少一天、或三天、或一周、或两周、或一个月等确定原始治疗计划。

在原始或调整的治疗计划中，可以根据例如合成电子密度信息确定放射剂量。在一些实施例中，可以基于MRI图像生成合成电子密度信息。

在一些实施例中，一个或以上处理引擎120可以是单个处理引擎，其与治疗装置110的MRI装置和放射治疗装置通信并处理数据。或者，一个或以上处理引擎120可包括至少两个处理引擎。至少两个处理引擎中的一个引擎可以与治疗装置110的MRI装置通信并处理数据，并且至少两个处理引擎中的另一个引擎可以与治疗装置110的放射治疗装置通信并处理数据。在一些实施例中，一个或以上处理引擎120可包括治疗计划系统。至少两个处理引擎可以彼此通信。

在一些实施例中，一个或以上处理引擎120可以是单个服务器或服务器组。服务器组可以是集中式的或分布式的。在一些实施例中，一个或以上处理引擎120可以位于治疗装置110的本地或远程治疗装置110。例如，一个或以上处理引擎120可以经由网络130从治疗装置110、存储设备140和/或终端设备150访问信息和/或数据。例如，一个或以上处理引擎120可以直接连接到治疗装置110、终端设备150和/或存储设备140以访问信息和/或数据。在一些实施例中，一个或以上处理引擎120可以在云平台上实现。云平台可以包括私有云、公共云、混合云、社区云、分布式云、云间云、多云等，或其任何组合。

网络130可以包括可以促进放射治疗系统100的信息和/或数据交换的任何合适的网络。在一些实施方案中，放射治疗系统100的一个或以上组件(例如，治疗装置110、一个或以上处理引擎120、存储设备140或终端设备150)可以经由网络130与放射治疗系统100的一个或以上其他组件通信以获取信息和/或数据。例如，一个或以上处理引擎120可以经由网络130从治疗装置110获取图像数据。又例如，一个或以上处理引擎120可以经由网络130从终端设备150获取用户指令。网络130可以包括公共网络(例如，因特网)、专用网络(例如，局部区域网络(LAN)、广域网(WAN))、有线网络(例如，以太网网络)、无线网络(例如，802.11网络、Wi-Fi网络)、蜂窝网络(例如，长期演进(LTE)网络)、帧中继网络、虚拟专用网络(“VPN”)、卫星网络、电话网络、路由器、集线器、交换机、服务器计算机等，或其任何组合。在一些实施例中，网络130可以包括一个或以上网络接入点。例如，网络130可以包括有线和/或无线网络接入点，例如基站和/或互联网交换点，放射治疗系统100的一个或以上组件可以通过它们连接到网络130以交换数据和/或信息。

存储设备140可以存储数据、指令和/或任何其他信息。在一些实施例中，存储设备140可以存储从一个或以上处理引擎120和/或终端设备150获取的数据。在一些实施例中，存储设备140可以存储一个或以上处理引擎120可以执行或用于执行本申请中描述的示例性方法的数据和/或指令。在一些实施例中，存储设备140可包括大容量存储设备、可移除存储设备、基于云的存储设备、易失性读写内存、只读内存(ROM)等，或其任何组合。示例性的大容量存储设备可以包括磁盘、光盘、固态磁盘等。示例性可移动存储设备可以包括闪存驱动器、软盘、光盘、内存卡、压缩盘、磁带等。示例性易失性读写存储设备可以包括随机存取内存(RAM)。示例性RAM可包括动态随机存取内存(DRAM)、双倍数据速率同步动态随机存取内存(DDR SDRAM)、静态随机存取内存(SRAM)、晶闸管随机存取内存(T-RAM)和零电容随机存取内存(Z-RAM)等。示例性只读存储设备可以包括掩模型只读内存(MROM)、可编程只读内存(PROM)、可擦除可编程只读内存(EPROM)、电可擦除可编程只读内存(EEPROM)、光盘只读内存(CD-ROM)和数字多功能磁盘只读内存等。在一些实施例中，存储设备140可以在如本申请中其他地方所述的云平台上实现。

在一些实施例中，存储设备140可以连接到网络130以与放射治疗系统100的一个或以上其他组件(例如，一个或以上处理引擎120或终端设备150)通信。放射治疗系统100的一个或以上组件可以经由网络130访问存储设备140中存储的数据或指令。在一些实施例中，存储设备140可以是一个或以上处理引擎120的一部分。

终端设备150可以连接到治疗装置110、一个或以上处理引擎120和/或存储设备140，和/或与治疗装置110通信。例如，一个或以上处理引擎120可以从终端设备150获取扫描协议。又例如，终端设备150可以从治疗装置110和/或存储设备140获取图像数据。在一些实施例中，终端设备150可以包括移动设备151、平板计算机152、膝上型计算机153等，或其任何组合。例如，移动设备151可以包括移动电话、个人数字助理(PDA)、游戏设备、导航设备、销售点(POS)设备、膝上型电脑、平板电脑、台式机等，或其任何组合。在一些实施例中，终端设备150可包括输入设备、输出设备等。输入设备可以包括可以通过键盘输入的字母数字和其他键、触摸屏(例如，具有触觉或触觉反馈)、语音输入、眼睛跟踪输入、大脑监视系统或任何其他类似输入机制。通过输入设备接收的输入信息可以经由，例如总线，发送到一个或以上处理引擎120，以进行进一步处理。其他类型的输入设备可以包括光标控制设备，例如鼠标、轨迹球或光标方向键等。输出设备可包括显示器、扬声器、打印机等，或其任何组合。在一些实施例中，终端设备150可以是一个或以上处理引擎120的一部分。

该描述旨在说明，而不是限制本申请的范围。许多替代、修改和变化对于本领域普通技术人员来说是显而易见的。可以以各种方式组合本文描述的示例性实施例的特征、结构、方法和特性，以获取另外的和/或替代的示例性实施例。例如，存储设备140可以是包括云计算平台的数据存储，例如公共云、私有云、社区、混合云等。在一些实施例中，一个或以上处理引擎120可以集成到治疗装置110中。但是，那些变化与修改不会脱离本申请的范围。

图2是根据本申请的一些实施例的用于通过放射治疗系统施加放射治疗的示例性过程200的流程图。在一些实施例中，图2中所示的过程200的一个或以上操作可以在图1中所示的放射治疗系统100中实现。例如，图2中所示的过程200可以以指令的形式存储在存储设备140中，并由图1中所示的一个或以上处理引擎120调用和/或执行。出于说明目的，在此描述一个或以上处理引擎120中的过程200的实现作为示例。应当注意，过程200也可以类似地在终端设备150中实现。

在202中，一个或以上处理引擎120可以通过MRI装置获取关于感兴趣区域(ROI)的磁共振成像(MRI)数据。MRI数据可以是由来自受试者的RF线圈接收的MR信号。与MR信号有关的更详细的描述可以在本申请的其他地方找到，例如，图3及其描述。

在一些实施方案中，ROI可以指与肿瘤相关的治疗区域。治疗区域可以是受试者的区域(例如，身体、物质、物体)。在一些实施方案中，ROI可以是身体的特定部位、特定器官或特定组织，例如头部、脑部、颈部、身体、肩部、手臂、胸部、心脏、胃、血管、软组织、膝盖、脚等，或其任何组合。

在204中，一个或以上处理引擎120可以基于MRI数据重建与ROI的至少一部分相关的MRI图像。可以基于MRI数据将MRI图像重建为对象内的原子核分布。可以采用用于图像重建过程的不同种类的图像重建技术。示例性图像重建技术可以包括傅里叶重建、约束图像重建和MRI中的正则化图像重建等，或其变体，或其任何组合。

MRI图像可用于确定对肿瘤的放射治疗。例如，一个或以上处理引擎120可以根据MRI图像确定肿瘤的位置和放射剂量。在一些实施例中，可能花费至少几分钟来重建表示大成像区域的MRI图像。在一些实施例中，为了在相对短的时间段(例如，每第二个)期间生成MRI图像，一个或以上处理引擎120可以重建表示较小成像区域的初始图像(例如，ROI的至少一部分)与表示大成像区域的MRI图像的相比，然后将初始图像与表示大成像区域的MRI图像组合。例如，一个或以上处理引擎120可以用初始图像替换表示与ROI相关的大成像区域的MRI图像的一部分。表示大成像区域的MRI图像可以包括ROI附近的非ROI(例如，健康组织)和ROI的信息。在一些实施例中，可以在肿瘤上的放射治疗之前获取并重建表示大成像区域的MRI图像。例如，表示大成像区域的MRI图像可以在不到1天、或半天、或6小时、或3小时、或1小时、或45分钟、或30分钟、或20分钟、或15分钟、或10分钟、或5分钟等的情况下获取，在放射源开始发射用于治疗的放射光束之前。在一些实施例中，表示大成像区域的MRI图像可以从放射治疗系统100中的存储设备获取，例如存储设备140。

在206中，一个或以上处理引擎120可以基于MRI图像确定与ROI的至少一部分的尺寸相关联的参数。在一些实施例中，与ROI的至少一部分的尺寸相关联的参数可包括肿瘤的横截面的尺寸，其具有最大面积并且垂直于照射至少的放射光束的方向。在一些实施例中，与ROI的至少一部分的尺寸相关联的参数可指示肿瘤的横截面的形状。例如，与ROI的至少一部分的尺寸相关联的参数可以指示肿瘤的横截面的形状是圆形，并且还指示圆的直径。在一些实施例中，为了确定与ROI的至少一部分的尺寸相关联的参数，一个或以上处理引擎120可以从MRI图像中提取纹理信息，并且通过识别频繁来确定指示提取的纹理信息中的ROI的纹理特征。然后，一个或以上处理引擎120可以测量包括MRI图像中的纹理特征的区域的尺寸，并确定与ROI的尺寸相关联的参数。

在208中，一个或以上处理引擎120可以根据与ROI的至少一部分的尺寸相关联的参数来生成控制信号。可以基于在不同时间点拍摄的至少两个MRI图像来动态调整控制信号。在一些实施方案中，控制信号可包括与肿瘤上的放射治疗相关的参数。例如，控制信号可以包括X射线的剂量和放射光束的持续时间。又例如，控制信号可以包括多叶准直器(MLC)的参数，其确定投射在对象上的放射光束的形状。MLC可以包括至少两个单独的高原子数材料(例如，钨)叶片，其独立地进出放射光束的路径。在一些实施例中，控制信号可包括与放射治疗装置的一个或以上组件的移动相关联的参数。例如，控制信号可以包括与放射治疗装置的放射源的一个或以上位置相关联的参数(例如，治疗装置110中的放射治疗装置、放射治疗装置300)。又例如，控制信号可包括与放射治疗设备的平台的高度或位置相关联的参数(例如，治疗床330的平台308沿磁体302的轴线的位置)至适当地定位患者，使得患者中的治疗区域(例如，癌性肿瘤或病变)可以适当地接收来自放射治疗装置的放射光束。

在210中，一个或以上处理引擎120可以将控制信号发送到放射治疗装置以使放射治疗装置应用放射治疗。在放射治疗期间，放射治疗装置的放射源可以旋转，并且可以改变X射线的剂量、来自放射源的放射光束的持续时间、MLC的形状和平台的位置。在一些实施例中，仅当放射治疗装置的放射源旋转到某些角度(例如，60度、120度、180度、240度、300度、360度)时，才可以发射放射光束。例如，可以应用强度调制放射治疗(IMRT)。放射源可以间歇地停止旋转。放射源可以旋转到期望的位置，在那里暂停，并发射放射光束，然后恢复旋转。在一些实施例中，放射源可以连续旋转，并且连续地或间歇地发射放射光束。在一些实施例中，放射源可以在旋转的同时连续地发射放射光束。

在一些实施例中，如上所述，可以根据从MRI装置获取的图像数据来确定治疗区域(例如，包括肿瘤的区域)。然后，放射光束可以由放射治疗装置的放射源产生，以执行治疗区域的放射治疗。例如，放射光束的剂量和/或治疗区域的位置可以在MRI装置的帮助下实时确定。

应该注意的是，上述仅出于说明性目的而提供，并不旨在限制本申请的范围。对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本申请的描述，做出各种各样的变化和修改。然而，这些变化和修改不会背离本申请的范围。例如，可以同时执行操作202和204。

图3A说明了根据本申请的一些实施例的示例性治疗装置110。如图3A所示，治疗装置110可包括MRI装置310、放射治疗装置300和治疗床330。在一些实施例中，MRI装置310可以结合如操作202所描述的那样生成MRI数据，并且放射治疗装置300可以结合操作210所描述的进行放射治疗。

MRI装置310可包括孔301、磁体302、一个或以上梯度线圈(未示出)，以及一个或以上射频(RF)线圈(未示出)。MRI装置310可以被配置用于从成像区域获取图像数据。例如，图像数据可以涉及与肿瘤相关的治疗区域。在一些实施例中，根据磁体302的类型，MRI装置310可以是永磁MRI扫描仪、超导电磁MRI扫描仪或电阻电磁MRI扫描仪等。在一些实施例中，根据磁场的强度，MRI装置310可以是高场MRI扫描仪、中场MRI扫描仪和低场MRI扫描仪等。在一些实施例中，MRI装置310可以是闭孔(圆柱形)类型、开孔类型等。

磁体302可以具有环形的形状并且可以产生静磁场B0。磁体302可以是各种类型，包括例如永磁体、超导电磁体、电阻电磁体等。超导电磁铁可包括铌、钒、锝合金等。

一个或以上梯度线圈可以在X、Y和/或Z方向(或轴)上产生到主磁场B0的磁场梯度。在一些实施例中，一个或以上梯度线圈可包括X方向(或轴)线圈、Y方向(或轴)线圈、Z方向(或轴)线圈等。例如，Z方向线圈可以基于圆形(Maxwell)线圈设计、X方向线圈和Y方向线圈可以基于鞍形(Golay)线圈来设计。如这里所使用的，X方向也可以被称为读出(RO)方向(或频率编码方向)，Y方向也可以被称为相位编码(PE)方向，Z方向也可以是被称为切片选择编码方向。在本申请中，读出方向和频率编码方向可以互换使用。

仅作为示例，梯度磁场可包括对应于Z方向的切片选择梯度场、对应于Y方向的相位编码(PE)梯度场和对应于X方向的读出(RO)梯度场等。可以使用不同方向上的梯度磁场来编码MR信号的空间信息。在一些实施例中，梯度磁场还可用于执行流量编码、流量补偿、流量去相位等或其任何组合的至少一个功能。

一个或以上RF线圈可以向被检查的对象(例如，身体、物质、物体)发射RF脉冲和/或从其接收MR信号。如这里所使用的，RF脉冲可以包括激发RF脉冲和重聚焦RF脉冲。在一些实施例中，激发RF脉冲(例如，90度RF脉冲)可以使磁化矢量远离主磁场B0的方向。在一些实施例中，重聚焦脉冲(例如，180度RF脉冲)可以围绕横向平面中的轴旋转分散自旋的旋转，使得磁化矢量可以在稍后的时间重新定相。在一些实施例中，RF线圈可包括RF发射线圈和RF接收线圈。RF发射线圈可以发射RF脉冲信号，该RF脉冲信号可以激发受试者中的核以在拉莫尔频率下谐振。RF接收线圈可以接收从对象发射的MR信号。在一些实施例中，RF发射线圈和RF接收线圈可以集成到单个线圈中，例如发射/接收线圈。RF线圈可以是各种类型中的一种，包括例如商差(QD)正交线圈、相位阵列线圈等。在一些实施例中，不同的RF线圈240可用于扫描被检查身体的不同部位，例如头部线圈、膝关节线圈、颈椎线圈、胸椎线圈、颞下颌关节(TMJ)线圈等。在一些实施例中，根据其功能和/或尺寸，RF线圈可以被分类为体积线圈和局部线圈。例如，体积线圈可包括鸟笼线圈、横向电磁线圈、表面线圈等。又例如，局部线圈可包括螺线管线圈、鞍形线圈、柔性线圈等。

放射治疗装置300可包括滚筒312和基座307。滚筒312可以具有环形的形状。滚筒312可以围绕磁体302设置并且在磁体302的中心区域处沿着孔301的轴线311与磁体302相交。滚筒312可以容纳和支撑放射源，该放射源被配置用于朝向孔301中的处理区域发射放射光束。放射光束可以是X射线光束、电子光束、伽马射线源、质子射线源等。滚筒312与安装在其上的放射源一起能够围绕孔301的轴线311和/或称为等中心的点旋转。仅作为示例，滚筒312与安装在其上的放射源一起可以围绕轴线311旋转任何角度，例如90度、180度、360度、450度、540度。滚筒312可以进一步由基座307支撑。

应该注意的是，上述仅出于说明性目的而提供，并不旨在限制本申请的范围。对于本领域具有普通技能的人，可以在本申请的教导下进行多种变化或修改。例如，放射治疗装置300还可包括用于加速电子、离子或质子的直线加速器、剂量检测设备、温度控制设备(例如，冷却设备)、多层准直器等，或其任何组合。然而，这些变化和修改不会背离本申请的范围。

治疗床330可包括平台308和底座309。在一些实施例中，平台308可沿水平方向移动并进入MRI装置310的孔301。在一些实施例中，平台308可以二维、三维、四维、五维或六维移动。在一些实施例中，平台308可以根据通过例如在治疗期间获取的实时MRI图像估计的肿瘤的变化(例如，位置变化)移动。

在一些实施例中，可以将受试者放置在平台308上并将其发送到MRI设备中。在一些实施方案中，受试者可以是人类患者。人类患者可以仰卧、俯卧、躺在平台308的侧面。

在处理期间，滚筒312可以设定为围绕磁体302旋转。在一些实施例中，磁体302可在其外壁处包括凹槽(未示出)。凹槽可以围绕磁体302的整个圆周设置。例如，凹槽可以具有围绕磁体302的环形形状，从而容纳滚筒312的至少一部分。在一些实施例中，凹槽可以设置在磁体302的圆周的一部分的周围。例如，凹槽可以具有围绕磁体302的一个或以上弧形的形状。

在一些实施例中，放射源可沿凹槽内的整个旋转路径移动。放射源可以根据一个或以上参数产生放射光束。示例性参数可以包括放射光束的参数、放射源的参数或平台308的参数。例如，放射光束的参数可以包括照射强度、照射角度、照射距离、照射区域、照射时间、强度分布等，或其任何组合。放射源的参数可以包括位置、旋转角度、旋转速度、旋转方向、放射源的配置等，或其任何组合。在一些实施例中，放射源产生放射光束可以考虑放射光束的能量损失，这是由于，例如位于放射光束的路径中的磁体302可以吸收至少一部分放射光束。例如，放射光束的照射强度可以设定为大于没有能量损失的情况，因为例如磁体302的吸收因此补偿能量损失，使得放射光束的放射光束特定强度可能影响治疗区域(例如，肿瘤)。

图3B说明了根据本申请的一些实施例的另一示例性治疗装置110’图3A中描述的治疗装置110相比，治疗装置110’可以使用机架306而不是滚筒312。机架306可以设置在磁体302的一侧。治疗头304可以通过治疗臂305安装在机架306上。治疗头304可以容纳放射源。机架306可以能够使治疗头304围绕孔301的轴线311旋转。

如图3B所示，凹槽303可以形成在磁体302的外壁上并且具有环形的形状。凹槽303可以容纳治疗头304的至少一部分并且提供用于治疗头304的旋转的路径。这种布置可以沿着磁体302的径向减小治疗头304与孔301的轴线311之间的距离。在一些实施例中，治疗头304与孔301的轴线311之间的距离减小可以引起可以到达治疗区域(例如，肿瘤)的放射剂量的增加，这导致治疗效率的提高。在一些实施例中，凹槽303沿Z方向(即，磁体302的轴向)的宽度可以不小于治疗头304沿Z方向的宽度。

应当注意上述治疗装置110的描述仅仅是为了说明的目的而提供的，并不意图限制本申请的范围。对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本申请的描述，做出各种各样的变化和修改。例如，治疗装置110的组装和/或功能可根据具体实施方案而变化或改变。在一些实施例中，MRI装置310的磁体302也可相对于治疗头304旋转。例如，放射治疗装置300和MRI装置310可以围绕同一轴(例如，轴线311)同步或异步地旋转。然而，这些变化和修改不会背离本申请的范围。

图4A示出了根据本申请的一些实施例的沿X方向观察的示例性治疗装置400的横截面图的上部。治疗装置400可以包括被配置用于生成MRI数据的MRI装置和被配置用于应用放射治疗的放射治疗装置。

如图4A所示，MRI装置可包括至少两个主磁线圈401、至少两个磁屏蔽线圈402和低温恒温器403。

至少两个主磁线圈401和至少两个磁屏蔽线圈402可以容纳在低温恒温器403中并且在一定条件下保持在超导状态(例如，当两个线圈浸没在低温恒温器403中的冷却介质中时)。

低温恒温器403可以具有带有轴405的环的形状(例如，图3A中的轴311)。当至少两个主磁线圈401沿第一方向传送电流时，至少两个主磁线圈401可以沿轴405同轴布置，以在特定区域内(例如，孔301内的区域)产生均匀的磁场(例如，主磁场B0)。

至少两个磁屏蔽线圈402也可以沿着轴405同轴地布置在距轴405比至少两个主磁线圈401更大的半径处。至少两个磁屏蔽线圈402可以沿着与第一方向相反的第二方向传送电流。至少两个磁屏蔽线圈402可以帮助屏蔽MRI装置外部的区域上的由至少两个主磁线圈401产生的磁场。

如图4A所示，低温恒温器403可包括两个腔室(例如，为了简洁起见，左腔室和右腔室)。两个腔室可以沿轴向方向(即，轴405的方向)位于低温恒温器403的相对侧，并且可以通过两个腔室之间的颈部连接。颈部的径向尺寸可以小于两个腔室。每个腔室可以具有带有不同外壁的环形。在一些实施例中，外壁可以指每个腔室的具有环形状的最外表面。两个腔室和颈部可以共用同一个内壁，即低温恒温器403的内壁。在一些实施例中，内壁可以指每个腔室的最内表面，其也具有环的形状。在一些实施例中，每个腔室可以容纳至少两个主磁线圈401中的至少一个线圈和至少两个磁屏蔽线圈402中的至少一个线圈。例如，至少两个主磁线圈401中的至少一个线圈可以布置在左腔室的内壁附近，并且至少两个磁屏蔽线圈402中的至少一个线圈可以布置在左腔室的外壁附近。间隙406可以形成在布置在左腔室中的主磁线圈和布置在右腔室中的主磁线圈之间，允许由放射治疗装置产生的放射光束穿过。两个腔室可以通过它们之间的颈部彼此流体连通。低温恒温器403可以包含冷却介质，其中至少两个主磁线圈401和至少两个磁屏蔽线圈402浸没在所述冷却介质中以实现超导状态。

低温恒温器403可以在低温恒温器403的内壁和低温恒温器403的不同腔室的外壁之间的径向位置处具有凹槽408。凹槽408可以具有形成在低温恒温器403的两个腔室的外壁之间的开口407。当在透视图中观察时，凹槽408可具有环的形状。环可以在不同的径向位置处具有相同或不同的宽度(即，轴向方向上的尺寸)。凹槽408可以具有深度(即，径向方向上的环的厚度)，其被定义为在径向方向上从低温恒温器403的开口407到颈部的最外表面的距离。

凹槽408可以配置为容纳放射治疗装置的部件。如图4A所示，凹槽408可以容纳放射源，该放射源包括直线加速器409、屏蔽结构411、准直器412、靶404和多叶准直器(MLC)410。

直线加速器409可以被配置用于将带电的亚原子粒子或离子加速到高速。在一些实施例中，直线加速器409可使用微波技术加速电子。例如，直线加速器409可以使用高RF电磁波加速具有4MeV至22MeV之间的能量组的电子光束中的电子。

直线加速器409可以安装到机架或滚筒(例如，机架306或滚筒312)，其能够围绕轴405旋转并且可以使放射光束能够从任意圆周位置发射。如图4A所示，机架或滚筒可以旋转到第一位置，直线加速器409可以位于轴405上方。直线加速器409可包括加速波导(管)，其轴线垂直于轴405。加速波导(管)可以提供线性路径，用于沿垂直于轴405的光束路径加速电子。

直线加速器409的加速波导(管)可以至少部分地被屏蔽结构411围绕。在一些实施例中，屏蔽结构411可以提供与直线加速器409的管的纵向轴线同轴的腔，其中至少一个端部是敞开的以允许从直线加速器409发射的放射光束穿过。在一些实施例中，屏蔽结构411可以具有任何配置。例如，屏蔽结构411可以包括在凹槽的左侧(即，左腔室附近的一侧)上的一个环形空间和在凹槽的右侧(即，右侧腔室附近的一侧)上的一个环形板，其具有板连接两个环。或者，环可以由单独的弧段代替。应当注意屏蔽结构411可以是任何形状，只要屏蔽结构411的至少一端是敞开的，以便从直线加速器409发出的放射光束通过。关于屏蔽结构411的示例性配置的细节可以在本申请的其他地方找到(例如，图8A-16B及其描述)。

在一些实施例中，屏蔽结构411可包括至少两个屏蔽层。至少两个屏蔽层中的至少一个可用于减少MRI装置的一个或以上组件与放射治疗装置之间的磁干扰。例如，屏蔽结构411可以包括被配置的磁屏蔽层，用于屏蔽由MRI装置产生的磁场(例如，主磁线圈、磁屏蔽线圈、梯度线圈)，以防电子受到磁场影响。

另外，至少两个屏蔽层中的至少一个屏蔽层可用于减少MRI装置的一个或以上组件与放射治疗装置之间的RF和/或微波干扰。例如，屏蔽结构411可以包括被配置的电磁屏蔽层，用于屏蔽由MRI装置(例如，RF线圈)产生的RF信号和由放射治疗装置产生的微波。

至少两个屏蔽层可以由相同材料和/或不同材料制成。例如，电磁屏蔽层和磁屏蔽层都可以由高磁化率和磁导率材料(例如，非取向硅钢)制成，或者电磁屏蔽层和磁屏蔽层中的一个屏蔽层由高导电性和导磁率材料制成。在一些实施例中，至少两个屏蔽层可以在它们之间用合适的介电材料(例如空气或塑料)彼此磁性和/或电隔离。

附加地或替代地，至少两个屏蔽层中的至少一个屏蔽层可用于保护MRI装置的一个或以上部件免受直线加速器409产生的放射。例如，至少两个屏蔽层的一个屏蔽层可以由能够吸收由直线加速器409的放射光束产生的放射的材料制成。能够吸收放射的示例性材料可包括用于吸收光子射线的材料和/或用于吸收中子射线的材料。吸收光子射线的材料可以包括钢、铝、铅、钨等。吸收中子射线的材料可包括硼，石墨等。应当注意，在一些实施例中，屏蔽结构411可以仅由放射吸收材料制成，而没有高磁化率和磁导率材料。以这种方式，屏蔽结构411可以仅为MRI装置的一个或以上组件提供放射屏蔽。

靶404可以被配置用于接收加速的带电亚原子粒子或离子(例如，电子光束)以产生用于放射治疗的放射光束。例如，根据轫致辐射效应，电子光束可以与靶404碰撞以产生高能X射线。在一些实施例中，靶404可位于直线加速器409的出射窗附近，以接收加速电子光束。在一些实施例中，靶404可以由包括铝、铜、银、钨等或其任何组合的材料制成。或者，靶404可以由复合材料制成，包括钨和铜、钨和银、钨和铝等，或其任何组合。

来自靶404的放射光束可以穿过准直器412以形成具有特定形状(例如，锥光束)的光束。在一些实施例中，准直器412可包括初级准直器、均整器和至少一个次级准直器。

MLC 410可以被配置用于重塑放射光束。例如，MLC 410可以调整放射光束的照射形状、照射区域等。MLC 410可以放置在放射光束的路径上的任何位置。例如，MLC 410可以靠近直线加速器409放置，如图4A所示。因此，在由MLC 410重新成形之后，放射光束可以进一步穿过低温恒温器403的颈部和至少两个主磁线圈之间的间隙406，以到达治疗区域。例如，MLC 410可以放置在距直线加速器相对较长的距离处(例如，如图6A所示)，使得MLC 410可以更靠近例如待放射的患者。

MLC 410可以相对于直线加速器409保持固定，从而与直线加速器409一起围绕轴405旋转。MLC 410可包括至少两个单独的高原子数材料(例如，钨)叶片，其独立地进出放射光束的路径以便阻挡它。当至少两个单独的叶片移入和移出时，放射光束的形状可以变化，形成不同的槽模拟从放射光束的轴线(即，图4A中所示的垂直虚线416)观察的肿瘤的横截面。在一些实施例中，MLC 410可包括一个或以上的叶层。例如，MLC 410可以仅具有一层叶片，并且MLC 410沿着放射光束的轴的高度可以在7到10厘米之间。又例如，MLC 410可以包括两层，并且MLC 410的高度可以是至少15厘米。

图4B示出了根据本申请的一些实施例的沿X方向观察的示例性治疗装置400’的横截面视图的上部。与图4A中描述的治疗装置400相比，治疗装置400’的直线加速器409的至少一部分可沿低温恒温器403的径向位于凹槽408的外侧。如图4B所示，直线加速器409和沿着放射光束的轴线围绕它的屏蔽结构411可以伸出由低温恒温器403的外壁形成的开口407。在一些实施例中，直线加速器409和屏蔽结构411可以由机架或滚筒(例如，机架306或滚筒312)支撑或安装到机架或滚筒(例如，机架306或滚筒312)，其能够围绕轴405旋转。

图4C示出了根据本申请的一些实施例的沿X方向观察的示例性治疗装置400”的横截面视图的上部。与图4A中描述的治疗装置400相比，治疗装置400”的低温恒温器403’可具有两个独立的腔体。如图4C所示，左腔室403a和右腔室403b可彼此独立，因此在它们之间不建立流体连通。低温恒温器403’可具有用于左腔室403a和右腔室403b的两个不同的内壁。凹槽408的另一个开口413可以形成在两个不同的内壁之间。在由MLC 410重新成形之后，放射光束可以穿过开口413并到达处理区域。

图4D示出了根据本申请的一些实施例的沿X方向观察的另一示例性治疗装置400”’的横截面视图的上部。与图4C中描述的治疗装置400”相比，治疗装置400”’的直线加速器409的至少一部分可沿低温恒温器403’的径向位于凹槽408的外侧。如图4D所示，直线加速器409和沿着放射光束的轴线围绕它的屏蔽结构411可以伸出由低温恒温器403’的外壁形成的开口407。在一些实施例中，直线加速器409和屏蔽结构411可以由机架或滚筒(例如，机架306或滚筒312)支撑或安装到机架或滚筒(例如，机架306或滚筒312)，其能够围绕轴405旋转。

应当注意上述治疗装置400、400’、400”或400”’的描述仅仅是为了说明的目的而提供的，并不意图限制本申请的范围。对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本申请的描述，做出各种各样的变化和修改。例如，准直器412和MLC 410可以集成以形成单个准直器。又例如，低温恒温器403中示出的颈部可以不形成整个环。具体地，颈部可以是连接低温恒温器403的左腔室和右腔室的离散弧。因此，当直线加速器409绕轴405旋转时，颈部可以间歇地出现在放射光束的路径中，以产生放射光束。

图5A示出了根据本申请的一些实施例的沿X方向观察的示例性治疗装置500的横截面视图的上部。如图5A所示，治疗装置500可包括至少两个主磁线圈501，至少两个磁屏蔽线圈502、具有轴的低温恒温器503、靶504、间隙506、开口507、凹槽508、直线加速器509、MLC510、屏蔽结构511、准直器512和偏转单元513。至少两个主磁线圈501、至少两个磁屏蔽线圈502、低温恒温器503、靶504、轴505、间隙506、开口507、凹槽508、MLC 510和准直器512可类似于至少两个主磁线圈401、至少两个磁屏蔽线圈402、低温恒温器403、靶404、轴405、间隙406、开口407、凹槽408、MLC 410和准直器412，这里不再重复其描述。

与直线加速器409不同，直线加速器509的加速波导(管)的轴可以与轴505平行。因此，加速波导(管)可以提供用于沿着平行于轴505的光束路径加速电子的线性路径(也称为“平行光束通过”)。至少两个主磁线圈501和至少两个磁屏蔽线圈502可以产生与轴505平行或基本平行的磁场(也称为“平行磁场”)。应当理解，平行磁场可以对平行光束通道产生最小的影响。因此，直线加速器509可以帮助减小由MRI装置产生的磁场对电子的影响。类似地，直线加速器509的加速波导(管)可以至少部分地被屏蔽结构511围绕。屏蔽结构511可以沿轴505的方向连续分布。在一些实施例中，屏蔽结构511可以沿轴线方向伸展以覆盖直线加速器的两端，这意味着屏蔽结构511可以沿着轴线方向具有比直线加速器509更大的尺寸。屏蔽结构511可以被配置用于进一步减少来自MRI装置产生的磁场的干扰。

偏转单元513可以被配置用于将加速电子从平行光束路径偏转到靶504上。在一些实施例中，偏转的电子可以垂直地撞击在靶504上，因此电子的偏转角可以是90度或270度。在一些实施例中，偏转单元513可包括一个或以上被配置的磁体，用于提供偏转磁场以使加速的电子偏转。

如图5A所示，直线加速器509和偏转单元513都设置在开口507和间隙506之间的凹槽508内。在一些实施例中，没有设置磁屏蔽线圈以沿低温恒温器503的径向“覆盖”直线加速器509和/或偏转单元513。也就是说，至少两个磁屏蔽线圈502的轴向位置与直线加速器509和/或偏转单元513的轴向位置之间没有重叠。此外，低温恒温器503可沿低温恒温器503的径向具有连续体(即，提供连续流体连通的主体)，其容纳至少两个主磁线圈501和至少两个磁屏蔽线圈502。

图5B示出了根据本申请的一些实施例的沿X方向观察的示例性治疗装置500’的横截面视图的上部。与图5A中描述的治疗装置500相比，治疗装置500’的直线加速器509的至少一部分可沿低温恒温器503的径向位于凹槽508的外侧。如图5B所示，直线加速器509、屏蔽结构511和偏转单元513可以至少部分地伸出由低温恒温器503的外壁形成的开口507。在一些实施例中，直线加速器509和屏蔽结构511可以由机架或滚筒(例如，机架306或滚筒312)支撑或安装到机架或滚筒(例如，机架306或滚筒312)，其能够围绕轴505旋转。

图5C示出了根据本申请的一些实施例的沿X方向观察的另一示例性治疗装置500”的横截面视图的上部。与图5A中描述的治疗装置500相比，治疗装置500”的低温恒温器503’可具有两个独立的腔体。如图5C所示，左腔室503a和右腔室503b可彼此独立，因此在它们之间不建立流体连通。低温恒温器503’可具有用于左腔室503a和右腔室503b的两个不同的内壁。凹槽508的另一个开口513可以形成在两个不同的内壁之间。在由MLC 510重新成形之后，放射光束可以穿过开口513并到达处理区域。

图5D示出了根据本申请的一些实施例的沿X方向观察的示例性治疗装置500”’的横截面视图的上部。与图5C中描述的治疗装置500”相比，治疗装置500”’的直线加速器509的至少一部分可沿低温恒温器503’的径向位于凹槽508的外侧。如图5D所示，直线加速器509、屏蔽结构511和偏转单元513可以至少部分地伸出由低温恒温器503’的外壁形成的开口507。在一些实施例中，直线加速器509、屏蔽结构511和偏转单元513可以由机架或滚筒(例如，机架306或滚筒312)支撑或安装到机架或滚筒(例如，机架306或滚筒312)能够围绕轴505旋转。

应当注意上述治疗装置的描述500、500’、500”或500”’仅仅是为了说明的目的而提供的，并不是为了限制本申请的范围。对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本申请的描述，做出各种各样的变化和修改。例如，准直器512和MLC 510可以集成以形成单个准直器。又例如，低温恒温器503中所示的颈部可能不会形成整个环。具体地，颈部可以是连接低温恒温器503的左腔室和右腔室的离散弧。因此，当直线加速器509绕轴505旋转时，颈部可以间歇地出现在放射光束的路径中以产生放射光束。

图6A示出了根据本申请的一些实施例的沿X方向观察的示例性治疗装置600的横截面视图的上部。如图6A所示，治疗装置600可包括至少两个主磁线圈601、至少两个磁屏蔽线圈602、具有轴605的低温恒温器603、靶604、第一开口607、第二开口615、凹槽608、直线加速器609、MLC 610、屏蔽结构611、准直器612和偏转单元613。至少两个主磁线圈601、至少两个磁屏蔽线圈602、靶604、轴605、第一开口607、凹槽608、直线加速器609、准直器612和偏转单元613可类似于至少两个主磁线圈501、至少两个磁屏蔽线圈502、靶504、轴505、开口507、凹槽508、直线加速器509、准直器512和偏转单元513，在此不再重复。

与图5A中所示的MLC 510相比，MLC 610可以位于沿着径向方向远离直线加速器609的位置，使得MLC 610可以更接近例如待放射的治疗区域。应当注意，MLC和治疗区域之间的距离越近，可以通过MLC控制在治疗区域上照射的放射光束的形状越精确。

低温恒温器603可以在低温恒温器603的内壁处具有凹形结构以容纳MLC 610。类似于凹槽608，其具有形成在低温恒温器603的两个腔室的外壁之间的第一开口607，凹形结构可具有形成在低温恒温器603的两个腔室的内壁之间的第二开口615。凹形结构可以具有环形的形状并且可以与凹槽608同轴。凹形结构和凹槽608可以由低温恒温器603的颈部分开。也就是说，颈部的最外表面形成凹槽608的最内边界处，并且颈部的最内表面形成凹结构的最外边界处。凹形结构可以具有沿低温恒温器603的径向方向的深度，该深度大于沿着放射光束的轴线的MLC 610的高度。在一些实施例中，至少两个主磁线圈601(例如，601a)的一个或以上可以布置成沿着轴线605围绕凹形结构。低温恒温器603的左/右室中的主磁线圈601a和剩余主磁线圈可以形成台阶结构。主磁线圈601a可以具有距轴605的半径大于其余主磁线圈距轴605的半径。此外，可以在主磁线圈601a之间形成间隙606，允许放射光束穿过。在一些实施例中，没有主磁线圈布置成沿轴线605围绕凹槽，因此，所有主磁线圈601可以布置成围绕低温恒温器603的内壁并且具有与轴605相同的半径。

图6B示出了根据本申请的一些实施例的沿X方向观察的示例性治疗装置600’的横截面视图的上部。与图6A中描述的治疗装置600相比，治疗装置600’的直线加速器609的至少一部分可沿低温恒温器603的径向位于凹槽608的外侧。如图6B所示，直线加速器609，屏蔽结构611和偏转单元613可以至少部分地伸出由低温恒温器603的外壁形成的开口607。在一些实施例中，直线加速器609、屏蔽结构611和偏转单元613可以由机架或滚筒(例如，机架306或滚筒312)支撑或安装到机架或滚筒(例如，机架306或滚筒312)能够围绕轴605旋转。

图7A示出了根据本申请的一些实施例的沿X方向观察的另一示例性治疗装置600”的横截面视图的上部。与图6A中描述的治疗装置600相比，治疗装置600”的低温恒温器603’可具有两个独立的腔体。低温恒温器603’的凹形结构可以与凹槽608连接，围绕轴线605形成更大的环形空间。在这种情况下，低温恒温器603的任何部分都不位于放射光束的路径中。

在一些实施例中，为了实现直线加速器和MLC的同步旋转，可以使用各种机构。例如，在图6A中，滑动结构(例如，滑轨，未示出)可以安装在MLC 610上。当如上所述通过机架或滚筒旋转直线加速器609时，MLC 610可以通过滑动结构沿低温恒温器603的内壁同步移动，以相对于直线加速器609保持固定。可以根据由一个或以上处理引擎120生成的指令来控制MLC 610的移动。另外，在图7A中，MCL 610可以通过刚性结构(例如，两个或以上杆，一个或以上板，未示出)机械连接到直线加速器609。为了减小凹槽608沿轴线605的方向的宽度，两个或以上杆可以相对于直线加速器609布置在凹槽608的不同圆周位置处。例如，当沿轴线605观察时，两个或以上杆可位于直线加速器609的左侧和右侧。需要说明的是，实现直线加速器和MLC同步旋转的机构不限于上述说明，可以根据不同场景进行任何修改或调整。例如，在图7A中，MLC 610也可以沿滑动结构移动，以实现与直线加速器609的同步旋转。

图7B示出了根据本申请的一些实施例的沿X方向观察的示例性治疗装置600”’的横截面视图的上部。与图7A中描述的治疗装置600”相比，治疗装置600”’的直线加速器609的至少一部分可沿低温恒温器603’的径向位于凹槽608的外侧。如图7B所示，直线加速器609、屏蔽结构611和偏转单元613可以至少部分地伸出由低温恒温器603’的外壁形成的开口607。在一些实施例中，直线加速器609、屏蔽结构611和偏转单元613可以由机架或滚筒(例如，机架306或滚筒312)支撑或安装到机架或滚筒(例如，机架306或滚筒312)能够围绕轴605旋转。

应当注意上述治疗装置600、600’、600”或600”’的描述仅仅是为了说明的目的而提供的，并不意图限制本申请的范围。对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本申请的描述，做出各种各样的变化和修改。例如，低温恒温器603中示出的颈部可以不形成整个环。具体地，颈部可以是连接低温恒温器603的左腔室和右腔室的离散弧。因此，当直线加速器609围绕轴线605旋转时，颈部可以间歇地出现在放射光束的路径中以产生放射光束。

如本申请中其他地方所述，MRI装置和放射治疗装置可能干扰并损害彼此的正确操作。仅作为示例，由MRI装置的主磁线圈和磁屏蔽线圈产生的磁场可能干扰放射治疗装置的直线加速器中电子光束的加速。为了防止这种干扰，上述屏蔽结构可以至少包括磁屏蔽装置，以将直线加速器与磁场隔离。为简洁起见，磁屏蔽装置应至少在直线加速器附近提供一个更容易使磁场通过的通路，使得磁场可以绕过直线加速器。在一些实施例中，磁屏蔽装置可包括一个或以上磁屏蔽结构，其由高磁化率和/或磁导率材料制成。一个或以上磁屏蔽结构可包括沿低温恒温器的轴向连续分布的至少一个磁屏蔽板或层，为磁场穿过提供连续通路。一个或以上磁屏蔽结构可以围绕或基本上围绕直线加速器，使得直线加速器附近的磁场可以通过一个或以上磁屏蔽结构而不是直线加速器所在的空间传导。如本文所用，基本上围绕的可以表示可在一个或以上磁屏蔽结构上形成一个或以上的槽，条件是沿着低温恒温器的轴线存在至少一个连续路径以使磁场通过。关于磁屏蔽装置的配置的更多细节可以在下面描述。

图8A示出了根据本申请的一些实施例的示例性治疗装置800的透视图。

如图8A所示，治疗装置800可包括孔801、具有轴805的环形低温恒温器803、凹槽808、直线加速器809和磁屏蔽装置。低温恒温器803，轴805，凹槽808，直线加速器809可类似于低温恒温器403、403’、503、503’、603或603’，轴405、505或605，凹槽408、508或608，直线加速器409、509或609，这里不再重复描述。

磁屏蔽装置可包括至少两个磁屏蔽结构，包括例如磁屏蔽结构811、磁屏蔽结构831a、磁屏蔽结构831b等。直线加速器809可以被磁屏蔽结构811围绕或基本围绕。磁屏蔽结构811可包括沿凹槽808的圆周方向位于直线加速器809一侧的第一板和沿凹槽808的圆周方向位于直线加速器809的相对侧的第二板。第一板和第二板可以相对于直线加速器809的轴线彼此对称。第一板和第二板可以形成围绕结构以围绕和/或保持直线加速器809。两个板中的每一个可具有类似于符号“工”的形状，其提供沿低温恒温器803的轴向(即，轴805的方向)的连续路径，以使磁场通过。因为磁屏蔽结构811的两个板由高磁化率和/或磁导率材料制成，磁场可以由两个板传导并保持在它们之间形成的区域，从而实现直线加速器809的磁屏蔽。在一些实施例中，两个板中的每一个可围绕轴线805呈辐射状布置，并且两个板中的每一个的至少一侧可指向轴线805。

在一些实施例中，第一板和第二板可以沿着低温恒温器803的轴向在直线加速器809的两侧彼此连接，从而在直线加速器809周围形成闭环。在一些实施例中，第一板和第二板可以在直线加速器809的两侧沿着低温恒温器803的轴向彼此分离，从而形成基本围绕直线加速器809的半闭环。应注意，磁屏蔽结构811的配置不受限制，也可以使用任何其他配置(例如，中空圆柱或具有弯曲侧面的其他形状)来实现磁屏蔽。

另外，磁性屏蔽结构811在MRI装置的磁场内的存在可能对磁场产生影响(例如，使分布变形并导致磁场的不均匀性)。为了校正由磁屏蔽结构811引起的磁场变形，磁屏蔽装置的类似磁屏蔽结构，包括磁屏蔽结构831a、磁屏蔽结构831b等，也可以放置在凹槽808内。在一些实施例中，所有磁屏蔽结构可以彼此相同。例如，磁屏蔽结构831a和磁屏蔽结构831b可以由相同的材料制成，并且具有与磁屏蔽结构811相同的结构。磁屏蔽结构811、磁屏蔽结构831a、磁屏蔽结构831b等可以安装在治疗装置800的机架或滚筒(未示出)上，以实现与直线加速器809的同步旋转。

在一些实施例中，磁屏蔽结构811、磁屏蔽结构831a、磁屏蔽结构831b等可以围绕轴805放置在选定的对称圆周位置。例如，所有磁屏蔽结构可以均匀地分布在凹槽808内。每个磁屏蔽结构可以对应于相对或相对的对应物。每个磁屏蔽结构及其对应部分可以关于轴线805对称。如本文所使用的，如果两个磁屏蔽结构关于轴线805对称，则可以认为两个磁屏蔽结构是相反的或相对的。

图8B示出了根据本申请的一些实施例的示例性治疗装置800’的透视图。与图8A中描述的治疗装置800相比，治疗装置800’的直线加速器809的至少一部分可沿低温恒温器803的径向位于凹槽808的外侧。如图8B所示，直线加速器809和围绕直线加速器809的磁屏蔽结构811可以伸出由低温恒温器803的外壁形成的凹槽808的开口。类似地，磁屏蔽结构831a、831b等也可以从凹槽808的开口伸出，从而保持磁屏蔽结构相对于轴线805的对称性。在一些实施例中，直线加速器809和所有磁性屏蔽结构可以由能够围绕轴线805旋转的机架或滚筒(例如，机架306或滚筒312)支撑或安装到机架或滚筒(例如，机架306或滚筒312)。

图9A示出了根据本申请的一些实施例的沿低温恒温器的轴向(即，Z方向)观察的治疗装置800的横截面图。直线加速器809，准直器812和MLC 810可以类似于直线加速器409、509或609，准直器412、512或612，以及MLC 410、510或610，并且这里不再重复描述。

如图9A所示，磁屏蔽结构811、磁屏蔽结构821和磁屏蔽结构831a、831b、831c、831d可以均匀地分布在凹槽808内并围绕孔801的轴线805。每两个相邻的磁屏蔽结构之间的距离可以相同。磁屏蔽结构821可以是磁屏蔽结构811的相反或相对的对应物。如果磁屏蔽结构821绕轴805顺时针旋转180度到磁屏蔽结构811的位置，则磁屏蔽结构821可以与磁屏蔽结构811相同。所有磁屏蔽结构可以相对于直线加速器809固定，因此可以与直线加速器809同步旋转。

图9B示出了根据本申请的一些实施例的沿低温恒温器的轴向(即Z方向)观察的治疗装置800’的横截面图。如结合图8B所述，如图9B所示，治疗装置800’的直线加速器809的至少一部分可沿低温恒温器803的径向位于凹槽808的外侧。

图10A示出了根据本申请的一些实施例的沿Y方向观察的治疗装置800的剖视图。

图10B示出了根据本申请的一些实施例的沿Y方向观察的治疗装置800’的横截面图。

应注意，磁屏蔽装置中的磁屏蔽结构的数量不受限制。只要实现磁屏蔽结构的对称性，可以在治疗装置中使用任何数量的磁屏蔽结构。图11A示出了根据本申请的一些实施例的沿X方向观察的具有两个磁屏蔽结构的示例性治疗装置1100的剖视图。如图11A所示，治疗装置1100可包括至少两个主磁线圈1101、至少两个磁屏蔽线圈1102、具有轴1105的低温恒温器1103、凹槽1108、直线加速器1109、第一磁屏蔽结构1111、准直器1112、第二磁屏蔽结构1121和孔1113。至少两个主磁线圈1101，至少两个磁屏蔽线圈1102，低温恒温器1103，轴1105，凹槽1108，直线加速器1109和准直器1112可以类似于至少两个主磁线圈401、501或601，至少两个磁屏蔽线圈402、502或602，低温恒温器403、403’、503、503’、603、603’或803，轴405、505、605或805，凹槽408、508、608或808，直线加速器409、509、609、或者809，以及准直器412、512、612或812，这里不再重复描述。

第二磁屏蔽结构1121可以是第一磁屏蔽结构1111的相对或相对的对应物，并且可以被配置用于减小由第一磁屏蔽结构1111的存在引起的场不均匀性。第二磁屏蔽结构1121和第一磁屏蔽结构1111可以在MRI装置的磁场内形成对称结构。也就是说，第二磁屏蔽结构1121可以位于凹槽1108内并且相对于轴1105位于第一磁屏蔽结构1111的相对位置。第二磁屏蔽结构1121可以由与第一磁屏蔽结构1111相同的材料制成，并且具有与第一磁屏蔽结构1111相同的结构。例如，如果第二磁屏蔽结构1121围绕轴1105旋转180度到第一磁屏蔽结构1111的位置，则第二磁屏蔽结构1121可以与第一磁屏蔽结构1111相同。

图11B示出了根据本申请的一些实施例的沿X方向观察的具有两个磁屏蔽结构的示例性治疗装置1100’。与图11A中描述的治疗装置1100相比，治疗装置1100’的直线加速器1109的至少一部分可沿低温恒温器1103的径向位于凹槽1108的外侧。如图11B所示，直线加速器1109、第一磁屏蔽结构1111和第二磁屏蔽结构1121可以至少部分地伸出由低温恒温器1103的外壁形成的凹槽1108的开口。第一磁屏蔽结构1111和第二磁屏蔽结构1121仍然可以关于轴1105对称。在一些实施例中，直线加速器1109、第一磁屏蔽结构1111和第二磁屏蔽结构1121可以由机架或滚筒(例如，机架306或滚筒312)支撑或安装到机架或滚筒(例如，机架306或滚筒312)能够围绕轴1105旋转。

图12A根据一些本申请的实施例示出了沿X轴方向观察的典型治疗装置1200横截面图的上部。如图12A所示，治疗装置1200可包括至少两个主磁线圈1201、至少两个磁屏蔽线圈1202、低温恒温器1203、靶1204、轴1205、间隙1206、凹槽1208、直线加速器1209、MLC1210、磁屏蔽结构1211和准直器1212。至少两个主磁线圈1201，至少两个磁屏蔽线圈1202，低温恒温器1203，靶1204，轴1205，间隙1206，凹槽1208，直线加速器1209，MLC 1210和准直器1212可以类似于至少两个主磁线圈401，至少两个磁屏蔽线圈402，低温恒温器403、503、603、803、或1103，靶404、504或604，轴405、505、605、805、或1105，间隙406、506、或606，凹槽408、508、608、808或1108，直线加速器409、509、609、809或1109，MLC 410、510、610或810，以及准直器412、512、612、812或1112，及其描述在此不再重复。

如图12A所示，磁屏蔽结构1211可包括第一侧板1211a、第二侧板1211b、上侧板1211c和下侧板1211d。第一侧板1211a和第二侧板1211b可以沿低温恒温器1203的轴向(即，沿轴1205的方向)放置在直线加速器1209的相对侧。上侧板1211c和下侧板1211d可以沿直线加速器1209的轴向方向放置在直线加速器1209的相对侧。第一侧板1211a、第二侧板1211b、上侧板1211c和下侧板1211d可以形成围绕直线加速器1209的闭合环。如果每个板由高磁化率和/或磁导率材料制成，则磁场可以绕过直线加速器1209，由上侧板1211c和下侧板1211d沿低温恒温器1203的轴向从低温恒温器1203的一侧传导至低温恒温器1203的另一侧(例如，从左侧到右侧)，从而实现用于直线加速器1209的磁屏蔽。下侧板1211d还可以提供至少一个槽，以允许由直线加速器1209产生的放射光束穿过。

图12B示出了根据本申请的一些实施例的沿X方向观察的示例性治疗装置1200’的横截面视图的上部。与图12A中描述的治疗装置1200相比，治疗装置1200’的直线加速器1209的至少一部分可沿低温恒温器1203的径向位于凹槽1208的外侧。如图12B所示，直线加速器1209和磁屏蔽结构1211可以至少部分地伸出由低温恒温器1203的外壁形成的凹槽1208的开口。具体地，磁屏蔽结构1211的第一侧板1211a、第二侧板1211b和上侧板1211c可以从凹槽1208的开口伸出。在一些实施例中，直线加速器1209和磁屏蔽结构1211可以由机架或滚筒(例如，机架306或滚筒312)支撑或安装到机架或滚筒(例如，机架306或滚筒312)，其能够围绕轴1205旋转。

图12C示出了根据本申请的一些实施例的沿X方向观察的示例性治疗装置1200”的横截面视图的上部。与图12A中描述的治疗装置1200和图12B中描述的治疗装置1200’相比，治疗装置1200”的磁屏蔽结构1211’可形成围绕直线加速器1209、准直器1212以及MLC 1210的闭合环路。如图12C所示，第一侧板1211a’和第二侧板1211b’可以至少沿着径向从MLC1210的最内径向位置延伸到直线加速器1209的最外径向位置。下侧板1211d’可以位于MLC1210的最内侧，并且还提供至少一个槽以允许由直线加速器1209产生的放射光束穿过。因此，磁屏蔽结构1211’可以为直线加速器1209和MLC 1210提供磁屏蔽。

图13A示出了根据本申请的一些实施例的沿X方向观察的示例性治疗装置1300的横截面图的上部。与图12A中描述的磁屏蔽结构1211相比，磁屏蔽结构1211”的侧板1211a”和侧板1211b”都可以具有槽。槽可以是任何形状，例如矩形、椭圆形等。应注意，磁场仍然可以由上侧板1211c”和下侧板1211d”传导，条件是槽足够小以防止磁场通过槽进入直线加速器1209。

图13B示出了根据本申请的一些实施例的沿X轴方向观察的示例性治疗装置1300’的横截面视图的上部。与图13A中描述的治疗装置1300相比，治疗装置1300’的直线加速器1209的至少一部分可沿低温恒温器1203的径向位于凹槽1208的外侧。如图13B所示，直线加速器1209和磁屏蔽结构1211”可以至少部分地伸出由低温恒温器1203的外壁形成的凹槽1208的开口。具体地，磁屏蔽结构1211”的第一侧板1211a”、第二侧板1211b”和上侧板1211c”可以从凹槽1208的开口伸出。在一些实施例中，直线加速器1209和磁屏蔽结构1211”可以由机架或滚筒(例如，机架306或滚筒312)支撑或安装到机架或滚筒(例如，机架306或滚筒312)，其能够围绕轴1205旋转。

图13C示出了根据本申请的一些实施例的沿X方向观察的示例性治疗装置1300”的横截面视图的上部。与图13A中描述的治疗装置1300和图13B中描述的治疗装置1300’相比，治疗装置1300”的磁屏蔽结构1211”’可以围绕直线加速器1209、准直器1212和MLC 1210。如图13C所示，第一侧板1211a”’和第二侧板1211b”’可以至少沿着径向从MLC 1210的最内径向位置延伸到直线加速器1209的最外径向位置。下侧板1211d”’可以位于MLC 1210的最内侧，并且还提供至少一个槽以允许由直线加速器1209产生的放射光束穿过。

图14A示出了根据本申请的一些实施例的示例性治疗装置1400的透视图。治疗装置1400可包括孔1401、磁体1402(与“低温恒温器”类似或相同)、直线加速器1409和磁屏蔽装置。磁屏蔽装置可包括第一磁屏蔽层1421、第二磁屏蔽层1422和至少两个磁屏蔽隔板(例如，1420a、1420b、1420c)。直线加速器1409，孔1401和磁体1402可以类似于直线加速器409、509、609、809、1109或1209，孔301或801，以及磁体302，这里不再重复描述。

如图14A所示，第一磁屏蔽层1421可以位于直线加速器1409和磁体1402的一个腔室之间，第二磁屏蔽层1422可以位于直线加速器1409和磁体1402另一个腔室之间。第一磁屏蔽层1421和第二磁屏蔽层1422可以具有相同的环形形状。第一磁屏蔽层1421和第二磁屏蔽层1422可以彼此平行并与孔1401同轴。第一磁屏蔽层1421的外径可以等于或大于磁体1402的外径。第一磁屏蔽层1421的内径可以大于或等于磁体1402的内径。环的外径和内径之间的差异可以大于或等于直线加速器1409的纵向长度。

至少两个磁屏蔽隔板中的每一个可以位于第一磁屏蔽层1421和第二磁屏蔽层1422之间。至少两个磁屏蔽隔板中的每一个可以连接第一磁屏蔽层1421和第二磁屏蔽层1422。每两个相邻的磁屏蔽隔板(例如，磁屏蔽隔板1420e和磁屏蔽隔板1420f)可以与第一磁屏蔽层1421的一部分和第二磁屏蔽层1422的一部分形成磁屏蔽结构。直线加速器1409可以位于磁屏蔽结构之一内。每个磁屏蔽结构可以具有相反或相对的对应物。每个磁屏蔽结构及其对应部分可以关于孔1401的轴线对称。

至少两个磁屏蔽隔板1420可以均匀地或不均匀地分布在第一磁屏蔽层1421和第二磁屏蔽层1422之间。在一些实施例中，至少两个磁屏蔽隔板1420的数量可以是2的倍数，形成偶数磁屏蔽结构因此减少了由至少两个磁屏蔽隔板1420的存在引起的场不均匀性。

如图14A所示，第一磁屏蔽层1421、第二磁屏蔽层1422和至少两个磁屏蔽隔板可以形成与图8A中描述的磁屏蔽结构类似的磁屏蔽结构。例如，第一磁屏蔽层1421的一部分、第二磁屏蔽层1422的一部分、磁屏蔽隔板1420f和磁屏蔽隔板1420e可以形成类似于磁屏蔽层811的磁屏蔽结构。磁屏蔽隔板1420f和磁屏蔽隔板1420e可以提供沿磁体1402的轴向的连续路径，以使磁场通过。又如第一磁屏蔽层1421的一部分、第二磁屏蔽层1422的一部分、磁屏蔽隔板1420a和磁屏蔽隔板1420b可以形成类似于磁屏蔽层831a的另一磁屏蔽结构。作为又一个例子，第一磁屏蔽层1421的一部分、第二磁屏蔽层1422的一部分、磁屏蔽隔板1420c和磁屏蔽隔板1420d可形成另一磁性屏蔽结构，类似于磁屏蔽层831b。

图14B示出了根据本申请的一些实施例的示例性治疗装置1400’的透视图。与图14A中描述的治疗装置1400相比，治疗装置1400’的直线加速器1409的至少一部分可以沿着磁体1402的径向位于凹槽(未示出)的外侧。如图14B所示，直线加速器1409和磁屏蔽装置可以至少部分地伸出由磁体1402的外壁形成的凹槽的开口。具体地，第一磁屏蔽层1421、第二磁屏蔽层1422和至少两个磁屏蔽隔板(例如，1420a、1420b、1420c)可以从凹槽的开口伸出。在一些实施例中，直线加速器1409和磁屏蔽装置可以由机架或滚筒(例如，机架306或滚筒312)支撑或安装到机架或滚筒(例如，机架306或滚筒312)，其能够围绕磁体1402的轴线旋转。

图15A示出了根据本申请的一些实施例的治疗装置1500的透视图。治疗装置1500可包括孔1501、直线加速器1509和磁屏蔽装置。磁屏蔽装置可包括至少两个磁屏蔽隔板(例如，1520a、1520b、1520c、1520d、1520e、1520f)、内磁屏蔽层1510和外磁屏蔽层1530。直线加速器1509和孔1501可以类似于直线加速器809和孔801，如图9A所示，这里不再重复描述。

如图15A所示，内磁屏蔽层1510和外磁屏蔽层1530可以是共用相同轴的两个中空圆柱。例如，当沿孔1501的轴向观察时，内磁屏蔽层1510、外磁屏蔽层1530和孔1501可以形成同心圆。内磁屏蔽层1510和外磁屏蔽层1530可以放置在本申请中其他地方描述的凹槽中。凹槽可以类似于凹槽408、508或608，并且可以被配置以容纳直线加速器1509。内磁屏蔽层1510可以位于凹陷的最内侧并且具有比外磁屏蔽层1530小的半径。

至少两个磁屏蔽隔板(例如，1520a、1520b、1520c、1520d、1520e、1520f)中的每一个板可以位于内磁屏蔽层1510和外磁屏蔽层1530之间。例如，至少两个磁屏蔽隔板中的每一个板可以连接内磁屏蔽层1510的外表面和外磁屏蔽层1530的内表面。至少两个磁屏蔽隔板可以呈放射状地布置在孔1501周围。在一些实施例中，每个磁屏蔽隔板可以指向孔1501的中心。每两个相邻的磁屏蔽隔板(例如，磁屏蔽隔板1520a和磁屏蔽隔板1520b)可以与内磁屏蔽层1510的一部分和外磁屏蔽层1530的一部分形成磁屏蔽结构。直线加速器1509可以位于磁屏蔽结构之一内。每个磁屏蔽结构可以具有相反或相对的对应物。每个单独的空间及其对应物可以关于孔1501的轴线对称。由至少两个磁屏蔽隔板形成的磁屏蔽结构可以相同或不同。例如，至少两个磁屏蔽隔板可以均匀地分布在内磁屏蔽层1510和外磁屏蔽层1530之间，从而形成至少两个均匀的磁屏蔽结构。

如图15A所示，当直线加速器1509位于由内部磁屏蔽层1510的一部分、外部磁屏蔽层1530的一部分、磁屏蔽隔板1520a和磁屏蔽隔板1520b形成的磁屏蔽结构内部时，磁场可以由内磁屏蔽层1510、外磁屏蔽层1530、磁屏蔽隔板1520a和/或磁屏蔽隔板1520b传导，并且与位于其间的直线加速器1509保持一致，从而实现用于直线加速器1509的磁屏蔽。在一些实施例中，为了通过从直线加速器1509发射的放射光束，内磁屏蔽层1510可以在放射光束的传输路径上具有一个或以上的开口。

在一些实施例中，可以将类似于磁屏蔽层1421的两个以上的磁屏蔽层添加到图15A所示的磁屏蔽布置中。为简洁起见，图14A中描述的第一磁屏蔽层1421和第二磁屏蔽层1422可以在其外侧连接到外磁屏蔽层1530，并且在其内部连接到内磁屏蔽层1510两侧。至少两个磁屏蔽隔板中的每一个可以连接第一磁屏蔽层1421和第二磁屏蔽层1422，形成磁屏蔽结构，其横截面视图可以类似于图12A中所示的横截面视图。外磁屏蔽层1530的直径可以等于或小于磁体1402的外径。内磁屏蔽层1510的直径可以等于或大于磁体1402的内径。外磁屏蔽层1530的直径与内磁屏蔽层1510的直径之间的差可以大于或等于直线加速器1509的纵向长度。

图15B示出了根据本申请的一些实施例的治疗装置1500’的透视图。与图15A中描述的治疗装置1500相比，治疗装置1500’的直线加速器1509的至少一部分可以沿着磁体1502的径向位于凹槽(未示出)的外侧。如图15B所示，直线加速器1509和磁屏蔽装置可以至少部分地伸出由磁体1502的外壁形成的凹槽。具体地，外磁屏蔽层1530可以具有比磁体1502的半径更大的半径。至少两个磁屏蔽隔板(例如，1520a、1520b、1520c、1520d、1520e、1520f)可以从凹槽的开口伸出。在一些实施例中，直线加速器1509和磁屏蔽装置可以由机架或滚筒(例如，机架306或滚筒312)支撑或安装到机架或滚筒(例如，机架306或滚筒312)，其能够围绕磁体1502的轴线旋转。

图15C示出了根据本申请的一些实施例的治疗装置1500”的透视图。与图15A中描述的治疗装置1500相比，治疗装置1500”的磁屏蔽隔板可具有不同的配置。具体地，磁屏蔽隔板1520a’可以具有条带或杆的形状。可以使用至少两个平行条或杆来代替具有板形状的磁屏蔽隔板1520。至少两个平行条或杆可以连接位于直线加速器1509和低温恒温器(未示出)的一个腔室之间的磁屏蔽层1521和位于直线加速器1509和低温恒温器的另一个腔室之间的另一个磁屏蔽层(未示出)。应注意，低温恒温器的每个圆周位置处的条或杆的数量可以是任何合适的整数，例如2、3、4等。至少两个平行的条带或杆也可以提供沿孔1501的轴向方向的连续通道，以使磁场通过。

磁屏蔽层1521还可以在其上具有至少两个槽。每个槽可以具有矩形、椭圆形等形状。或者，至少两个槽可以指向孔1501的轴线。至少两个槽可以帮助更好地消散由MRI装置和/或放射治疗装置产生的热量。当在屏蔽罩隔板1520a’和磁屏蔽隔板1520b’之间设置槽时，磁屏蔽结构可具有类似于图13A所示的横截面。

图15D示出了根据本申请的一些实施例的治疗装置1500”’的透视图。与图15C中描述的治疗装置1500”相比，治疗装置1500”’的直线加速器1509的至少一部分可以沿磁体1502’的径向位于凹槽(未示出)的外侧。如图15D所示，直线加速器1509和磁屏蔽装置可以至少部分地伸出由磁体1502’的外壁形成的凹槽。具体地，外磁屏蔽层1530'可以具有比磁体1502'更大的半径。至少两个磁屏蔽隔板(例如，1520a’、1520b’、1520c’、1520d’、1520e’、1520f’)可以从凹槽的开口伸出。在一些实施例中，直线加速器1509和磁屏蔽装置可以由机架或滚筒(例如，机架306或滚筒312)支撑或安装到机架或滚筒(例如，机架306或滚筒312)，其能够围绕磁体1502’的轴线旋转。

图16A示出了根据本申请的一些实施例的示例性治疗装置1600的透视图。治疗装置1600可包括孔1601、直线加速器1609和磁屏蔽装置。磁屏蔽装置可包括至少两个磁屏蔽隔板(例如，1620a、1620b、1620c、1620d、1620e、1620f)、内磁屏蔽层1610和外磁屏蔽层1630。内磁屏蔽层1610、至少两个磁屏蔽隔板(即，1620a、1620b、1620c、1620d、1620e、1620f)、直线加速器1609和孔1601可以类似于内磁屏蔽层1510、至少两个磁屏蔽隔板(即1520a、1520b、1520c、1520d、1520e、1520f)、直线加速器1509和孔1501，这里不再重复描述。

与外磁屏蔽层1530不同，外磁屏蔽层1630可以不是连续的。如图16A所示，外磁屏蔽层1630可以在外磁屏蔽层1630和至少两个磁屏蔽隔板的接触表面处具有至少两个槽。每个槽沿圆周方向的宽度可以等于或大于磁屏蔽隔板的厚度。至少两个槽可以帮助更好地消散由MRI装置和/或放射治疗装置产生的热量。此外，至少两个插槽也可以用于电缆布局。在一些实施例中，出于相同的目的，类似的槽也可以存在于内磁屏蔽层1610中。

图16B示出了根据本申请的一些实施例的治疗装置1600’的透视图。与图16A中描述的治疗装置1600相比，治疗装置1600’的直线加速器1609的至少一部分可以沿着磁体1602的径向位于凹槽(未示出)的外侧。如图16B所示，直线加速器1609和磁屏蔽装置可以至少部分地伸出由磁体1602的外壁形成的凹槽。具体地，外磁屏蔽层1630可以具有比磁体1602更大的半径。至少两个磁屏蔽隔板(例如，1620a、1620b、1620c、1620d、1620e、1620f)可以从凹槽的开口伸出。在一些实施例中，直线加速器1609和磁屏蔽装置可以由机架或滚筒(例如，机架306或滚筒312)支撑或安装到机架或滚筒(例如，机架306或滚筒312)，其能够围绕磁体1602的轴线旋转。

上文已对基本概念做了描述，显然，对于阅读此申请后的本领域的普通技术人员来说，上述发明披露仅作为示例，并不构成对本申请的限制。虽然此处并未明确说明，但本领域的普通技术人员可能会对本申请进行各种修改、改进和修正。这类修改、改进和修正在本申请中被建议，所以所述类修改、改进、修正仍属于本申请示范实施例的精神和范围。

同时，本申请使用了特定词语来描述本申请的实施例。例如“一个实施例”、“一实施例”、和/或“一些实施例”意指与本申请至少一个实施例相关的某一特征、结构或特性。因此，应当强调并注意的是，本说明书中在不同位置两次或以上提及的“一实施例”或“一个实施例”或“一替代性实施例”并不一定是指同一实施例。此外，本申请的一个或以上实施例中的某些特征、结构或特点可以进行适当的组合。

此外，本领域的普通技术人员可以理解，本申请的各方面可以通过若干具有可专利性的种类或情况进行说明和描述，包括任何新的和有用的过程、机器、产品或物质的组合，或对其任何新的和有用的改进。相应地，本申请的各个方面可以完全由硬件执行、可以完全由软件(包括韧体、常驻软件、微代码等)执行、也可以由硬件和软件组合执行。以上硬件或软件均可被称为“单元”、“模块”或“系统”。此外，本申请的各方面可以采取体现在一个或以上计算机可读介质中的计算机程序产品的形式，其中计算机可读程序代码包含在其中。

此外，除非权利要求中明确说明，本申请所述处理元素和序列的顺序、数字字母的使用、或其他名称的使用，并非用于限定本申请流程和方法的顺序。尽管上述披露中通过各种示例讨论了一些目前认为有用的发明实施例，但应当理解的是，该类细节仅起到说明的目的，附加的权利要求并不仅限于披露的实施例，相反，权利要求旨在覆盖所有符合本申请实施例实质和范围的修正和等价组合。例如，尽管上述各种组件的实现可以体现在硬件设备中，但是它也可以实现为仅软件解决方案，例如，在现有服务器或移动设备上的安装。

同理，应当注意的是，为了简化本申请披露的表述，从而帮助对一个或以上发明实施例的理解，前文对本申请的实施例的描述中，有时会将多种特征归并至一个实施例、附图或对其的描述中。然而，本申请的该方法不应被解释为反映所声称的待扫描对象物质需要比每个权利要求中明确记载的更多特征的意图。相反，发明的主体应具备比上述单一实施例更少的特征。

一些实施例中使用了描述成分、属性数量的数字，应当理解的是，此类用于实施例描述的数字，在一些示例中使用了修饰词“大约”、“近似”或“大体上”来修饰。除非另外说明，“大约”、“近似”或“大体上”表明所述数字允许有±20％的变化。相应地，在一些实施例中，说明书和权利要求中使用的数值参数均为近似值，该近似值根据个别实施例所需特点可以发生改变。在一些实施例中，数值参数应考虑规定的有效数位并采用一般位数保留的方法。尽管本申请一些实施例中用于确认其范围广度的数值域和参数为近似值，在具体实施例中，此类数值的设定在可行范围内尽可能精确。

本文中提及的所有专利、专利申请、专利申请公布和其他材料(如论文、书籍、说明书、出版物、记录、事物和/或类似的东西)均在此通过引用的方式全部并入本文以达到所有目的，与上述文件相关的任何起诉文档记录、与本文件不一致或冲突的任何上述文件或对迟早与本文件相关的权利要求书的广泛范畴有限定作用的任何上述文件除外。举例来说，如果任何并入材料相关的与本文件相关的描述、定义和/或术语使用之间有任何不一致或冲突，那么本文件中的描述、定义和/或术语使用应当优先。

最后，应当理解的是，本申请中所述实施例仅用以说明本申请实施例的原则。其他的变形也可能属于本申请的范围。因此，作为示例而非限制，本申请实施例的替代配置可视为与本申请的教导一致。相应地，本申请的实施例不仅限于本申请明确介绍和描述的实施例。

Claims (53)

1.一个放射治疗系统，包括：

磁共振成像装置，被配置用于获取感兴趣区域的磁共振成像数据，所述磁共振成像装置包括：

至少两个主磁线圈；

至少两个磁屏蔽线圈；以及

环形低温恒温器，其中所述至少两个主磁线圈和所述至少两个磁屏蔽线圈沿所述环形低温恒温器的轴同轴排列，所述至少两个磁屏蔽线圈被安排在比所述至少两个主磁线圈距所述轴更大的半径处，所述环形低温恒温器包括与所述轴同轴的至少一个外壁和至少一个内壁，所述环形低温恒温器还包括介于所述至少一个外壁和所述至少一个内壁之间的环形凹槽，所述环形凹槽具有在所述至少一个外壁上形成的开口；以及

放射治疗装置，被配置用于放射治疗所述感兴趣区域的至少一部分，所述放射治疗装置包括：

直线加速器，被配置用于加速电子光束中的电子以产生放射治疗的光子束，所述直线加速器至少部分位于所述环形低温恒温器的所述环形凹槽内；

一个或以上个准直组件，被配置用于对放射治疗的所述光子束进行适形；

第一屏蔽结构，被配置用于为所述直线加速器和所述一个或以上准直组件中的至少一个提供磁屏蔽；以及

与所述第一屏蔽结构基本相同的至少一个第二屏蔽结构，所述第一屏蔽结构和所述至少一个第二屏蔽结构分别位于所述环形凹槽内的选定圆周位置。

2.根据权利要求1所述的放射治疗系统，其特征在于，所述至少一个第二屏蔽结构位于所述第一磁屏蔽结构相对于所述轴的相对圆周位置处。

3.根据权利要求1所述的放射治疗系统，其特征在于，所述直线加速器至少部分地被所述第一屏蔽结构包围，所述第一磁屏蔽结构为所述直线加速器提供无源磁屏蔽。

4.根据权利要求3所述的放射治疗系统，其特征在于，所述第一屏蔽结构围绕所述直线加速器的轴形成半闭环。

5.根据权利要求4所述的放射治疗系统，其特征在于，所述半闭环包括沿着所述直线加速器的圆周方向布置的至少两个板。

6.根据权利要求3所述的放射治疗系统，其特征在于，所述放射治疗装置还包括两个环形磁屏蔽层，所述第一屏蔽结构至少由两个第一磁屏蔽隔板连接所述两个环形磁屏蔽层形成。

7.根据权利要求6所述的放射治疗系统，其特征在于，所述两个环形磁屏蔽层围绕所述轴同轴。

8.根据权利要求7所述的放射治疗系统，其特征在于，所述两个环形磁屏蔽层沿着所述环形低温恒温器的所述轴排列并且彼此平行。

9.根据权利要求8所述的放射治疗系统，其特征在于，所述放射治疗装置还包括与所述两个环形磁屏蔽层连接的内磁屏蔽层和外磁屏蔽层，所述第一屏蔽结构由所述两个环形磁屏蔽层、所述内磁屏蔽层、所述外磁屏蔽层、连接所述两个环形磁屏蔽层的所述两个第一磁屏蔽隔板组成。

10.根据权利要求9所述的放射治疗系统，其特征在于，所述外磁屏蔽层包括至少两个槽，并且所述至少两个槽中的至少一个槽位于与所述两个第一磁屏蔽隔板之一对应的位置。

11.根据权利要求1所述的放射治疗系统，其特征在于，所述至少一个第二屏蔽结构包括多于两个第二屏蔽结构，并且所述第一屏蔽结构和所述至少一个第二屏蔽结构均匀分布在所述环形凹槽内。

12.根据权利要求1所述的放射治疗系统，其特征在于，所述环形低温恒温器包括至少两个腔室和颈部，所述至少两个腔室通过所述颈部连接并且彼此流体连通，所述环形凹槽至少由所述至少两个腔室和所述颈部所限定。

13.根据权利要求12所述的放射治疗系统，其特征在于，所述环形凹槽位于所述至少两个腔室之间，并且所述颈部的最外表面形成所述环形凹槽的最内层边界。

14.根据权利要求1所述的放射治疗系统，其特征在于，电子光束沿着与所述环形低温恒温器的所述轴平行的电子光束路径移动，并且所述放射治疗装置还包括：

靶；以及

光束偏转单元，被配置用于将所述电子从所述电子光束偏转到所述靶上，以产生所述放射治疗的光子束。

15.根据权利要求1的放射治疗系统，其特征在于，

所述环形低温恒温器包括：

环形凹面结构，具有在所述至少一个内壁处形成的开口；以及

所述放射治疗装置还包括：

多叶准直器，所述多叶准直器容纳在所述环形低温恒温器的所述环形凹面结构，并且被配置用于控制通过它的所述放射治疗的光子束的形状。

16.根据权利要求15所述的放射治疗系统，其特征在于，所述至少两个主磁线圈的一个或以上被布置为包围所述环形凹面结构，并且所述一个或以上的所述主磁线圈距所述轴的半径大于其余的所述主磁线圈距所述轴的半径。

17.根据权利要求15所述的放射治疗系统，其特征在于，所述多叶准直器通过两个或以上杆连接到所述直线加速器。

18.根据权利要求15所述的放射治疗系统，其特征在于，所述多叶准直器被配置用于沿着滑动结构在所述环形凹面结构内移动。

19.一个放射治疗系统，包括：

磁共振成像装置，被配置用于获取关于感兴趣区域的磁共振成像数据，所述磁共振成像装置包括：

至少两个主磁线圈；

至少两个磁屏蔽线圈；以及

环形低温恒温器，其中所述至少两个主磁线圈和所述至少两个磁屏蔽线圈沿所述环形低温恒温器的轴同轴排列，所述至少两个磁屏蔽线圈被安排在比所述至少两个主磁线圈距所述轴更大的半径处，所述环形低温恒温器包括与所述轴同轴的至少一个外壁和至少一个内壁，所述环形低温恒温器还包括介于所述至少一个外壁和所述至少一个内壁之间的环形凹槽，所述环形凹槽具有在所述至少一个外壁上形成的开口；以及

放射治疗装置，被配置用于放射治疗所述感兴趣区域的至少一部分，所述放射治疗装置包括：

直线加速器，被配置用于加速沿着与所述轴平行的电子光束路径的电子光束中的电子，所述直线加速器至少部分位于所述低温恒温器的所述环形凹槽内；

靶；以及

光束偏转单元，被配置用于将所述电子从所述电子光束偏转到所述靶上，以产生放射治疗的光子束。

20.根据权利要求19所述的放射治疗系统，其特征在于，所述环形低温恒温器包括沿所述环形低温恒温器的所述轴布置的至少两个腔室，所述至少两个腔室通过颈部连接并且彼此保持流体连通，所述环形凹槽至少由所述至少两个腔室和所述颈部限定。

21.根据权利要求20所述的放射治疗系统，其特征在于，所述环形凹槽位于所述至少两个腔室之间，并且所述颈部的最外表面形成所述环形凹槽的最内层边界。

22.根据权利要求19所述的放射治疗系统，其特征在于，所述放射治疗装置包括：

第一屏蔽结构，被配置用于为所述直线加速器提供磁屏蔽，其中所述第一屏蔽结构沿所述轴的方向连续分布，并沿所述轴的所述方向延伸以覆盖所述直线加速器的两端。

23.根据权利要求22所述的放射治疗系统，其特征在于，所述放射治疗装置还包括与所述第一屏蔽结构基本相同的至少一个第二屏蔽结构，其中所述第一屏蔽结构和所述至少一个第二屏蔽结构分别位于所述环形凹槽内的选定圆周位置。

24.根据权利要求22所述的放射治疗系统，其特征在于，所述直线加速器至少部分地被所述第一屏蔽结构包围，所述第一磁屏蔽结构为所述直线加速器提供无源磁屏蔽。

25.根据权利要求24所述的放射治疗系统，其特征在于，所述第一屏蔽结构围绕所述直线加速器的轴形成半闭环。

26.根据权利要求25所述的放射治疗系统，其特征在于，所述半闭环包括沿着所述直线加速器的圆周方向布置的至少两个板。

27.根据权利要求24所述的放射治疗系统，其特征在于，所述放射治疗装置还包括两个环形磁屏蔽层，所述第一屏蔽结构至少由两个第一磁屏蔽隔板连接所述两个环形磁屏蔽层形成。

28.根据权利要求27所述的放射治疗系统，其特征在于，所述两个环形磁屏蔽层围绕所述轴同轴。

29.根据权利要求28所述的放射治疗系统，其特征在于，所述两个环形磁屏蔽层沿着所述环形低温恒温器的所述轴排列并且彼此平行。

30.根据权利要求29所述的放射治疗系统，其特征在于，所述放射治疗装置还包括与所述两个环形磁屏蔽层连接的内磁屏蔽层和外磁屏蔽层，所述第一屏蔽结构由所述两个环形磁屏蔽层、所述内磁屏蔽层、所述外磁屏蔽层、连接所述两个环形磁屏蔽层的所述两个第一磁屏蔽隔板组成。

31.根据权利要求30所述的放射治疗系统，其特征在于，所述外磁屏蔽层包括至少两个槽，所述至少两个槽中的至少一个槽位于与所述两个第一磁屏蔽隔板之一对应的位置。

32.根据权利要求22所述的放射治疗系统，其特征在于，所述第一屏蔽结构和所述至少一个第二屏蔽结构均匀地分布在所述环形凹槽内。

33.根据权利要求19所述的放射治疗系统，其特征在于，

所述环形低温恒温器包括：

环形凹面结构，具有在所述至少一个内壁处形成的开口；以及

所述放射治疗装置包括：

多叶准直器，所述多叶准直器容纳在所述环形低温恒温器的所述环形凹面结构，并且被配置用于控制通过它的所述放射治疗的光子束的形状。

34.根据权利要求33所述的放射治疗系统，其特征在于，所述至少两个主磁线圈的一个或以上被设置为围绕所述环形凹面结构，所述一个或以上的所述主磁线圈距所述轴的半径大于其余的所述主磁线圈距所述轴的半径。

35.根据权利要求33所述的放射治疗系统，其特征在于，所述多叶准直器通过两个或以上杆连接到所述直线加速器。

36.根据权利要求33所述的放射治疗系统，其特征在于，所述多叶准直器被配置用于沿着滑动结构在所述环形凹面结构内移动。

37.一个放射治疗系统，包括：

磁共振成像装置，被配置用于获取关于感兴趣区域的磁共振成像数据，所述磁共振成像装置包括：

至少两个主磁线圈；

至少两个磁屏蔽线圈；

环形低温恒温器，其中所述至少两个主磁线圈和所述至少两个磁屏蔽线圈沿所述环形低温恒温器的轴同轴排列，所述至少两个磁屏蔽线圈被安排在比所述至少两个主磁线圈距所述轴更大的半径处，所述环形低温恒温器包括与所述轴同轴的至少一个外壁和至少一个内壁，其中所述环形低温恒温器包括：

环形凹槽，所述环形凹槽具有在所述至少一个外壁上形成的第一开口；以及

环形凹面结构，所述环形凹面结构具有在所述至少一个内壁处形成的第二开口；以及

放射治疗装置，被配置用于放射治疗所述感兴趣区域的至少一部分，所述放射治疗装置，包括：

直线加速器，被配置用于加速电子光束中的电子以产生放射治疗的光子束，所述直线加速器至少部分位于所述低温恒温器的所述环形凹槽内；以及

多叶准直器，所述多叶准直器容纳于所述环形低温恒温器的所述环形凹面结构，并配置用于控制通过它的所述放射治疗的光子束的形状。

38.根据权利要求37所述的放射治疗系统，其特征在于，所述至少两个主磁线圈的一个或以上被布置成包围所述环形凹面结构，并且所述一个或以上的主磁线圈距所述轴的半径大于其余的所述主磁线圈距所述轴的半径。

39.根据权利要求37所述的放射治疗系统，其特征在于，所述多叶准直器通过两个或以上的杆连接到所述直线加速器。

40.根据权利要求37所述的放射治疗系统，其特征在于，所述多叶准直器被配置用于沿着滑动结构在所述环形凹面结构内移动。

41.根据权利要求37所述的放射治疗系统，其特征在于，所述放射治疗装置包括：

第一屏蔽结构，被配置用于为所述直线加速器提供磁屏蔽，其中所述第一屏蔽结构沿所述轴的方向连续分布，并沿所述轴的所述方向延伸以覆盖所述直线加速器的两端。

42.根据权利要求41所述的放射治疗系统，其特征在于，所述放射治疗装置还包括与所述第一屏蔽结构基本相同的至少一个第二屏蔽结构，其中所述第一屏蔽结构和所述至少一个第二屏蔽结构分别位于所述环形凹槽内的选定圆周位置。

43.根据权利要求41所述的放射治疗系统，其特征在于，所述直线加速器至少部分地被所述第一屏蔽结构包围，所述第一磁屏蔽结构为所述直线加速器提供无源磁屏蔽。

44.根据权利要求43所述的放射治疗系统，其特征在于，所述第一屏蔽结构围绕所述直线加速器的轴形成半闭环。

45.根据权利要求44所述的放射治疗系统，其特征在于，所述半闭环包括沿所述直线加速器的圆周方向布置的至少两个板。

46.根据权利要求43所述的放射治疗系统，其特征在于，所述放射治疗装置还包括两个环形磁屏蔽层，所述第一屏蔽结构至少由两个第一磁屏蔽隔板连接所述两个环形磁屏蔽层形成。

47.根据权利要求46所述的放射治疗系统，其特征在于，所述两个环形磁屏蔽层围绕所述轴同轴。

48.根据权利要求47所述的放射治疗系统，其特征在于，所述两个环形磁屏蔽层沿着所述环形低温恒温器的所述轴排列并彼此平行。

49.根据权利要求48所述的放射治疗系统，其特征在于，所述放射治疗装置还包括与所述两个环形磁屏蔽层连接的内磁屏蔽层和外磁屏蔽层，所述第一屏蔽结构由所述两个环形磁屏蔽层、所述内磁屏蔽层、所述外磁屏蔽层、连接所述两个环形磁屏蔽层的所述两个第一磁屏蔽隔板组成。

50.根据权利要求49所述的放射治疗系统，其特征在于，所述外磁屏蔽层包括至少两个槽，所述至少两个槽中的至少一个位于与所述两个第一磁屏蔽隔板之一对应的位置。

51.根据权利要求41所述的放射治疗系统，其特征在于，所述第一屏蔽结构和所述至少一个第二屏蔽结构均匀地分布在所述环形凹槽内。

52.根据权利要求37所述的放射治疗系统，其特征在于，所述环形低温恒温器包括至少两个腔室和颈部，所述至少两个腔室通过所述颈部连接并且彼此流体连通，所述环形凹槽至少由所述至少两个腔室和所述颈部限定。

53.根据权利要求52所述的放射治疗系统，其特征在于，所述环形凹槽位于所述至少两个腔室之间，所述颈部的最外表面形成所述环形凹槽的最内层边界。

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