CN111101098B - 一种蒸镀控制方法及蒸镀控制系统 - Google Patents
一种蒸镀控制方法及蒸镀控制系统 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111101098B CN111101098B CN201811261805.6A CN201811261805A CN111101098B CN 111101098 B CN111101098 B CN 111101098B CN 201811261805 A CN201811261805 A CN 201811261805A CN 111101098 B CN111101098 B CN 111101098B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- evaporation
- crystal oscillator
- compensator
- evaporated
- replacement
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
- C23C14/545—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material
- C23C14/546—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material using crystal oscillators
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明公开了一种蒸镀控制方法及蒸镀控制系统,涉及显示技术领域。在本发明实施例中,通过在蒸镀控制系统中增加补偿器,可以在确定当前处于更换晶振片的时段时,补偿器对微天平发送的检测信号进行补偿,以使蒸镀控制器可以根据补偿后的检测信号,控制蒸发部件中待蒸镀材料当前的实际蒸发速率,与更换晶振片之前待蒸镀材料的实际蒸发速率相同,避免了因晶振片的更换而引起实际蒸发速率的波动,提高了在晶振片的更换过程中待蒸镀材料的实际蒸发速率的稳定性,从而提高蒸镀工艺的生产效率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤指一种蒸镀控制方法及蒸镀控制系统。
背景技术
为了满足各种显示装置的需求,以及实现量产效率最大化,通常使用基于大面积玻璃的量产工艺,在制作过程中最重要的工艺为有机薄膜及无机薄膜的蒸镀工艺,如真空蒸镀工艺,在该种蒸镀工艺中,通常是将待蒸镀材料放置在坩埚中,通过发热丝加热使得待蒸镀材料产生热蒸发,从而蒸发到基板上形成薄膜层。其中,在蒸镀过程中,待蒸镀材料的实际蒸发速率的稳定性,是评价蒸镀工艺的一项重要指标。
目前,在蒸镀工艺中,通常采用石英晶体微天平(Quartz Crystal Microbalance,QCM)检测实际蒸发速率。石英晶体微天平中包含用于监控实际蒸发速率的晶振片,晶振片具有自有振动频率;当待蒸镀材料沉积在晶振片上时,会降低晶振片的振动频率,通过振动频率的变化,可以反映出待蒸镀材料的实际蒸发速率。
在实际使用过程中,每个晶振片均具有一定的使用寿命,所以一般情况下采用包含有多个晶振片的QCM(即多头QCM),以提高蒸镀工艺的效率。然而,在一个晶振片使用完毕切换至另一个晶振片时,待蒸镀材料的实际蒸发速率是保持不变的,但因为晶振片本身存在的差异,使得晶振片在切换前后生成的检测蒸发速率出现明显差异,这种差异会造成蒸镀控制系统误判而导致实际蒸发速率发生波动,从而降低稳定性。
基于此,如何提高在晶振片的更换过程中待蒸镀材料的实际蒸发速率的稳定性,是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明实施例提供了一种蒸镀控制方法及蒸镀控制系统,用以提高在晶振片的更换过程中待蒸镀材料的实际蒸发速率的稳定性。
第一方面,本发明实施例提供了一种蒸镀控制系统,包括:蒸镀控制器、以及分别与所述蒸镀控制器电连接的蒸发部件和微天平;所述蒸发部件中设置有待蒸镀材料;所述微天平包括多个晶振片;所述蒸镀控制系统还包括:连接于所述微天平与所述蒸镀控制器之间的补偿器,以及分别与所述补偿器和所述微天平电连接的计算机;
所述微天平,用于通过所述晶振片检测到所述待蒸镀材料的实际蒸发速率后生成检测蒸发速率,并将用于表示所述检测蒸发速率的检测信号发送至所述补偿器;
所述补偿器,用于根据接收到的所述计算机发送的晶振片更换信号,确定更换晶振片的时段;在确定当前处于更换晶振片的时段时,对当前接收到的检测信号进行补偿后发送至所述蒸镀控制器,以使所述蒸镀控制器控制所述蒸发部件中所述待蒸镀材料当前的实际蒸发速率,与更换晶振片之前所述待蒸镀材料的实际蒸发速率相同。
第二方面,本发明实施例还提供了一种蒸镀控制方法,采用如本发明实施例提供的上述蒸镀控制系统实现;所述方法包括:
补偿器在接收到微天平发送的用于表示检测蒸发速率的检测信号时,根据接收到的计算机发送的晶振片更换信号,确定当前是否处于更换晶振片的时段;其中,所述检测蒸发速率为:所述微天平通过晶振片检测到待蒸镀材料的实际蒸发速率后生成的;
若是,所述补偿器对当前接收到的检测信号进行补偿后发送至蒸镀控制器;
所述蒸镀控制器根据补偿后的检测信号,控制蒸发部件中所述待蒸镀材料的当前实际蒸发速率,与更换晶振片之前所述待蒸镀材料的实际蒸发速率相同。
本发明有益效果如下:
本发明实施例提供的一种蒸镀控制方法及蒸镀控制系统,通过在蒸镀控制系统中增加补偿器,可以在确定当前处于更换晶振片的时段时,补偿器对微天平发送的检测信号进行补偿,以使蒸镀控制器可以根据补偿后的检测信号,控制蒸发部件中待蒸镀材料当前的实际蒸发速率,与更换晶振片之前待蒸镀材料的实际蒸发速率相同,避免了因晶振片的更换而引起实际蒸发速率的波动,提高了在晶振片的更换过程中待蒸镀材料的实际蒸发速率的稳定性,从而提高蒸镀工艺的生产效率。
附图说明
图1为本发明实施例中提供的微天平的剖视图;
图2为本发明实施例中提供的蒸镀控制系统的结构示意图;
图3至图5分别为本发明实施例中提供的蒸镀控制系统的具体结构示意图;
图6为本发明实施例提供的蒸镀控制方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合附图,对本发明实施例提供的一种蒸镀控制方法及蒸镀控制系统的具体实施方式进行详细地说明。需要说明的是,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
为了清楚地描述本发明实施例,首先,对本发明实施例中提及的术语进行解释。
1、微天平。本发明实施例中提及的微天平可以为石英晶体微天平,英文简写为QCM;其中,微天平可以根据包括的晶振片的个数而划分为单头微天平和多头微天平。顾名思义,单头微天平包括一个晶振片,多头微天平包括多个晶振片。
2、实际蒸发速率。本发明实施例中提及的实际蒸发速率,可以理解为待蒸镀材料在实际的蒸镀过程中的蒸发速率,该速率可以被微天平中的晶振片监测到。
3、检测蒸发速率。本发明实施例中提及的检测蒸发速率,可以理解为微天平向补偿器发送的蒸发速率,以反映待蒸镀材料的实际蒸发速率。
需要说明的是,微天平中的晶振片性能良好,在连续蒸镀过程中,由于晶振片具有一定的使用寿命,所以需要进行晶振片的更换,以保证蒸镀过程的正常进行。在更换晶振片前后,晶振片相对于蒸发部件的位置需要是固定不变的,只是改变了晶振片而已。
具体地,微天平的剖视图如图1所示,包括:密封外罩10、晶振片(斜线填充区域)(20或a)、以及开口30;其中,密封外罩10用于保护处于非开口处的晶振片a免受污染,而开口30的形状可以设置为与晶振片(20或a)的形状相同,如图1所示的圆形,开口30的直径可以设置为大于或等于晶振片(20或a)的直径,以保证晶振片(20或a)被旋转至开口30处时,晶振片(20或a)可以暴露出来且可以在表面沉积待蒸镀材料,以确定检测蒸发速率。而晶振片的更换,可以理解为将标记为20的晶振片从开口30处移开,将标记为a的晶振片旋转至开口30处。
为了提高在晶振片的更换过程中待蒸镀材料的实际蒸发速率的稳定性,本发明实施例提供了一种蒸镀控制系统,如图2至图5所示,可以包括:蒸镀控制器40、以及分别与蒸镀控制器40电连接的蒸发部件50和微天平60;蒸发部件50中设置有待蒸镀材料51;微天平60包括多个晶振片20;并且,蒸镀控制系统还包括:连接于微天平60与蒸镀控制器40之间的补偿器70,以及分别与补偿器70和微天平60电连接的计算机80;
微天平60,用于通过晶振片20检测到待蒸镀材料51的实际蒸发速率S后生成检测蒸发速率J,并将用于表示检测蒸发速率J的检测信号Jx发送至补偿器70;
补偿器70,用于根据接收到的计算机80发送的晶振片更换信号,确定更换晶振片20的时段;在确定当前处于更换晶振片20的时段时,对当前接收到的检测信号Jx进行补偿后发送至蒸镀控制器40,以使蒸镀控制器40控制蒸发部件50中待蒸镀材料51当前的实际蒸发速率S,与更换晶振片20之前待蒸镀材料51的实际蒸发速率S相同。
在晶振片20更换过程中,待蒸镀材料51的实际蒸发速率S其实是没有改变的,但因晶振片20本身的差异,会使得微天平60生成的检测蒸发速率J与更换前的检测蒸发速率J不同;如果将更换过程中生成的检测蒸发速率J对应的检测信号Jx发送至蒸镀控制器40中时,蒸镀控制器40发现与更换前接收到的检测信号Jx不同,则蒸镀控制器40会进行调整,导致更换晶振片20前后待蒸镀材料51的实际蒸发速率S发生改变而造成波动,影响蒸镀过程的稳定性。
通过在蒸镀控制系统中增加补偿器70,可以在确定当前处于更换晶振片20的时段时,补偿器70对微天平60发送的检测信号Jx进行实时补偿,以使蒸镀控制器40可以根据补偿后的检测信号Jxb,控制蒸发部件50中待蒸镀材料51当前的实际蒸发速率S,与更换晶振片20之前待蒸镀材料51的实际蒸发速率S相同,避免了因晶振片20的更换而引起实际蒸发速率S的波动,提高了在晶振片20的更换过程中待蒸镀材料51的实际蒸发速率S的稳定性,从而提高蒸镀工艺的生产效率。
在具体实施时,补偿器70除了在更换晶振片20时段,对接收到的检测信号Jx进行补偿之外,在本发明实施例中,补偿器70,还用于在确定当前未处于更换晶振片20的时段时,将接收到的检测信号Jx传输至蒸镀控制器40,以使蒸镀控制器40根据该检测信号Jx,控制蒸发部件50中待蒸镀材料51的实际蒸发速率S。
也就是说,补偿器70在整个蒸镀过程中主要包括三个作用;第一,在更换晶振片20时段,对微天平60发送的检测信号Jx进行补偿,以使蒸镀控制器40控制蒸发部件50中的待蒸镀材料51的实际蒸发速率S在更换晶振片20前后保持一致;第二,就是在更换晶振片20之前,或更换晶振片20之后,将微天平60发送的检测信号Jx直接传输至蒸镀控制器40中,以使蒸镀控制器40根据该检测信号Jx,对待蒸镀材料51的实际蒸发速率S进行控制;第三,根据计算机80发送的晶振片更换信号,确定何时更换晶振片20。
因此,在本发明实施例中,在增加补偿器70之后,在未处于晶振片20的更换时段时,补偿器70进行的是简单的数据传输过程,所以并不会对整个蒸镀过程产生影响;而在处于晶振片20的更换时段时,此时补偿器70进行的并不是简单的数据传输过程,而是要对接收到的数据进行补偿处理后再发送出去,即对接收到的检测信号Jx进行补偿后发送至蒸镀控制器40,以减少因晶振片20的更换而引起的实际蒸发速率S的波动,提高蒸镀过程的稳定性。
需要说明的是,在整个蒸镀过程中,对于实际蒸发速率S而言,一般会经历三个阶段,如上升阶段、稳定阶段和下降阶段。而上升阶段可以理解为待蒸镀材料51的实际蒸发速率S从零上升至预设的目标速率的过程,该过程一般为蒸镀控制系统的开启过程;而稳定阶段可以理解为待蒸镀材料51的实际蒸发速率S保持为目标速率的过程;而下降阶段可以理解为待蒸镀材料51的实际蒸发速率S下降的过程,该过程一般为蒸镀控制系统准备暂时停止工作的过程。
对于更换晶振片20的时段,一般发生在稳定阶段,而在上升阶段和下降阶段,待蒸镀材料51的实际蒸发速率S本来就不稳定,而此时更换晶振片20会增加实际蒸发速率S的波动,不利于对实际蒸发速率S的控制。
例如,在稳定阶段更换晶振片20时,由于待蒸镀材料51的实际蒸发速率S已经稳定在目标速率,即当前处于稳定的蒸镀过程,此时更换晶振片20,需要通过补偿器70的补偿作用,保证在更换晶振片20前后,待蒸镀材料51的实际蒸发速率S依然稳定在目标速率,才能够保证蒸镀过程的正常进行,避免影响蒸镀的生产效率。
因此,补偿器70在对检测信号Jx进行补偿时,在本发明实施例中,补偿器70,具体用于根据晶振片20更换前接收到的检测信号Jx,对当前接收到的检测信号Jx进行补偿。也就是说,在更换晶振片20前后,通过补偿器70的补偿作用,以使蒸镀控制器40控制待蒸镀材料51的实际蒸发速率S保持一致。
在具体实施时,补偿器70为了能够确定出何时为更换晶振片20的时段,在本发明实施例中,补偿器70,具体用于在接收到计算机80发送的更换起始信号时,确定晶振片更换开始;在接收到计算机80发送的更换结束信号时,确定晶振片更换结束;
其中,更换起始信号为:计算机80在确定晶振片更换开始时向补偿器70发送的,更换结束信号为:计算机80在确定晶振片更换结束时向补偿器70发送的。
在实际的操作过程中,晶振片的更换其实是人为操作的,所以在需要更换晶振片时,可以人为地向计算机80输入更换晶振片的信息,该信息至少包括:即将被更换掉的晶振片(如图1中的20)的信息、以及待更换的晶振片(如图1中的a)的信息等,并且计算机80会将上述信息存储,以便于在下次更换晶振片时提供参考信息,避免更换后的晶振片是之前使用过的晶振片,以提高晶振片更换的效率。
其中,上述提及的人为更换晶振片,可以理解为:在微天平60与计算机80之间设置有机械部件(图中未示出),或者该机械部件设置在微天平的内部,该机械部件在接收到计算机80发送的更换信息后,可以更换微天平60中的晶振片;所以在更换晶振片的过程中,只需要人为地向计算机80输入更换请求信息,使得计算机80向机械部件发送更换信息,以完成晶振片的更换。如此设置,可以在更换晶振片时避免打开密封的蒸镀腔室,从而避免对待蒸镀材料51,以及基板的污染。
当然,计算机80可以设置有操作界面,如触控显示屏或操作按键,以便于人为地向计算机80输入信息。
由于人为地向计算机80输入更换晶振片的信息,所以此时计算机80可以确定出晶振片何时开始更换;具体地,可以在计算机80的操作界面设置开始更换按钮或开始更换提示对话框等,通过人为地点击操作,告知计算机80开始更换晶振片,此时计算机80可以向补偿器70发送更换起始信号,以使补偿器70确定当前正处于更换晶振片的时段,进而补偿器70会对该时段内接收到的检测信号Jx进行实时补偿,然后将补偿后的检测信号Jxb发送至蒸镀控制器40中。
同理,还可以在计算机80的操作界面设置结束更换按钮或结束更换提示对话框等,在晶振片更换结束后,通过人为地点击操作,告知计算机80结束更换晶振片,此时计算机80可以向补偿器70发送更换结束信号,以使补偿器70确定更换晶振片的时段结束,进而补偿器70会将接收到的检测信号Jx直接发送至蒸镀控制器40中。
可选地,在计算机80的操作界面还可以设置有目标速率的输入按钮或对话框等,以便于人为地输入所需的目标速率;并且,如图3至图5所示,计算机80还可以与蒸镀控制器40电连接,以使计算机80向蒸镀控制器40告知目标速率,使得蒸镀控制器40可以控制待蒸镀材料51的实际蒸发速率S达到目标速率,保证蒸镀过程的正常进行。
可选地,在本发明实施例中,补偿器70可以为复杂可编辑逻辑器件(ComplexProgrammable Logic Device,CPLD),或现场可编辑门阵列(Field-Programmable GateArray,FPGA),或者其他可以实现补偿器70功能的处理器,在此并不限定。
在具体实施时,在本发明实施例中,如图3至图5所示,蒸发部件50可以包括:用于放置待蒸镀材料的坩埚52;并且,坩埚52可以包括至少一个喷嘴52a,待蒸镀材料从喷嘴52a中蒸发出去,以便于蒸发出去的待蒸镀材料可以沉积在基板上,形成薄膜。
可选地,在本发明实施例中,如图3所示,坩埚52可以包括一个喷嘴52a,此时坩埚52为点型坩埚;或者,如图4和图5所示,坩埚52包括多个喷嘴52a,坩埚52为线型坩埚(如图4所示)或T型坩埚(如图5所示)。
并且,在本发明实施例中,如图3至图5所示,蒸发部件50还可以包括:用于加热坩埚52的加热丝53、以及电源单元54;其中,电源单元54连接于加热丝53与蒸镀控制器40之间;
电源单元54,用于在蒸镀控制器40发送的控制信号的控制下,向加热丝53输出电压或电流,以使加热丝53产生热量为坩埚52加热,使坩埚52内的待蒸镀材料蒸发;
加热丝53的结构可以根据坩埚52的形状而定,例如,坩埚52为线型坩埚时,加热丝53为线型加热丝,如图4所示;坩埚52为点型坩埚时,加热丝53为点型加热丝,如图3所示;坩埚52为T型坩埚时,加热丝53依然可以为点型加热丝,如图5所示。
具体地,电源单元54向加热丝53输出的一般为直流电,且待蒸镀材料稳定地从喷嘴52a中蒸发的过程中,加热丝53为坩埚52提供的热量也是稳定的。
因此,在前述提及的上升阶段,且无需进行晶振片更换时,在蒸镀控制器40确定接收到的检测信号Jx不是预设的且用于表示目标速率的目标信号时,可能是检测蒸发速率J小于预设的目标速率,此时蒸镀控制器40向电源单元54发送用于指示增加输出电压或电流的控制信号,以使电源单元54向加热丝53输出的电压或电流增加,使得加热丝53为坩埚52提供的热量也增加,进而待蒸镀材料的实际蒸发速率S也增加,直至蒸镀控制器40确定接收到的检测信号Jx为目标信号为止,即上升阶段完成。
随着实际蒸发速率S的稳定,以及待蒸镀材料的连续蒸发,微天平60中的晶振片需要更换。此时,补偿器70会对微天平60发送的检测信号Jx进行实时补偿,如果当前的检测信号Jx不是目标信号时,可能是当前的检测蒸发速率J大于目标速率,此时补偿器70对当前的检测信号Jx进行补偿时,可以理解为对当前的检测蒸发速率J进行负补偿;当然,如果当前的检测信号Jx不是目标信号时,还有可能是当前的检测蒸发速率J小于目标速率,此时补偿器70对当前的检测信号Jx进行补偿时,可以理解为对当前的检测蒸发速率J进行正补偿;如果当前的检测信号Jx等于目标信号,此时补偿器70对当前的检测信号Jx进行补偿时,可以理解为对当前的检测蒸发速率J进行零补偿,即无需补偿;补偿器70将补偿后的检测信号Jxb发送至蒸镀控制器40之后,因蒸镀控制器40在更换时段接收到的检测信号Jxb与更换前接收到的目标速率相同,所以蒸镀控制器40向电源单元54发送的控制信号没有变化,使得电源单元54向加热丝53提供的电压或电源也没有变化,进而使得加热丝53为坩埚52提供的热量也没有变化,从而待蒸镀材料的实际蒸发速率S也不会发生变化,实现了在更换晶振片前后待蒸镀材料的实际蒸发速率S保持一致,提高了蒸镀过程的稳定性。
在本发明实施例中,对于蒸镀控制器40和电源单元54,均可以采用本领域所公知的任何可以实现其功能的结构所实现,在此并不限定。
基于同一发明构思,本发明实施例还提供了一种蒸镀控制方法,该方法采用如本发明实施例提供的上述蒸镀控制系统所实现;并且,该蒸镀控制方法的工作原理与前述一种蒸镀控制系统的工作原理类似,所以该蒸镀控制方法的具体实施方式可参见前述一种蒸镀控制系统的具体实施例,重复之处不再赘述。
具体地,本发明实施例提供的一种蒸镀控制方法,如图6所示,可以包括:
S601、补偿器接收微天平发送的用于表示检测蒸发速率的检测信号;
其中,检测蒸发速率为:微天平通过晶振片检测到待蒸镀材料的实际蒸发速率后生成的。
S602、补偿器根据接收到的计算机发送的晶振片更换信号,确定当前是否处于更换晶振片的时段;若是,则执行步骤S603;若否,则执行步骤S605;
S603、补偿器对当前接收到的检测信号进行补偿后发送至蒸镀控制器;
S604、蒸镀控制器根据补偿后的检测信号,控制蒸发部件中待蒸镀材料的当前实际蒸发速率,与更换晶振片之前待蒸镀材料的实际蒸发速率相同;结束流程;
S605、补偿器将当前接收到的检测信号发送至蒸镀控制器;
S606、蒸镀控制器根据检测信号,控制蒸发部件中待蒸镀材料的实际蒸发速率。
在具体实施时,为了实现对检测信号的补偿,在本发明实施例中的步骤S603补偿器对检测信号进行补偿,可以具体包括:
补偿器根据晶振片更换前接收到的检测信号,对当前接收到的检测信号进行补偿。
具体地,为了确定当前是否处于更换晶振片的时段,在蒸镀控制系统包括计算机时,在本发明实施例中的步骤S602补偿器确定当前是否处于更换晶振片的时段,可以具体包括:
补偿器确定是否接收到计算机发送的更换起始信号;其中,更换起始信号为:计算机在确定晶振片更换开始时向补偿器发送的;
若接收到,则补偿器确定晶振片更换开始;
补偿器确定是否接收到计算机发送的更换结束信号;其中,更换结束信号为:计算机在确定晶振片更换结束时向补偿器发送的;
若接收到,则补偿器确定晶振片更换结束。
本发明实施例提供了一种蒸镀控制方法及蒸镀控制系统,通过在蒸镀控制系统中增加补偿器,可以在确定当前处于更换晶振片的时段时,补偿器对微天平发送的检测信号进行补偿,以使蒸镀控制器可以根据补偿后的检测信号,控制蒸发部件中待蒸镀材料当前的实际蒸发速率,与更换晶振片之前待蒸镀材料的实际蒸发速率相同,避免了因晶振片的更换而引起实际蒸发速率的波动,提高了在晶振片的更换过程中待蒸镀材料的实际蒸发速率的稳定性,从而提高蒸镀工艺的生产效率。
显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (10)
1.一种蒸镀控制系统,包括:蒸镀控制器、以及分别与所述蒸镀控制器电连接的蒸发部件和微天平;所述蒸发部件中设置有待蒸镀材料;所述微天平包括多个晶振片;其特征在于,所述蒸镀控制系统还包括:连接于所述微天平与所述蒸镀控制器之间的补偿器,以及分别与所述补偿器和所述微天平电连接的计算机;
所述微天平,用于通过所述晶振片检测到所述待蒸镀材料的实际蒸发速率后生成检测蒸发速率,并将用于表示所述检测蒸发速率的检测信号发送至所述补偿器;
所述补偿器,用于在确定当前未处于更换晶振片的时段时,将接收到的所述检测信号传输至所述蒸镀控制器,以使所述蒸镀控制器根据所述检测信号,控制所述蒸发部件中所述待蒸镀材料的实际蒸发速率;在接收到所述计算机发送的晶振片更换信号时,确定更换晶振片的时段;在确定当前处于更换晶振片的时段时,对当前接收到的所述检测信号进行补偿后发送至所述蒸镀控制器,以使所述蒸镀控制器控制所述蒸发部件中所述待蒸镀材料当前的实际蒸发速率,与更换晶振片之前所述待蒸镀材料的实际蒸发速率相同;
还包括机械部件,设置在所述微天平内部,或所述计算机与所述微天平之间,用于在接收到所述计算机发送的晶振片更换信号时,更换所述微天平中的晶振片。
2.如权利要求1所述的蒸镀控制系统,其特征在于,
所述计算机,还用于向所述蒸镀控制器告知目标速率,使得所述蒸镀控制器控制所述待蒸镀材料的实际蒸发速率达到目标速率。
3.如权利要求1所述的蒸镀控制系统,其特征在于,所述补偿器,具体用于在接收到所述计算机发送的更换起始信号时,确定晶振片更换开始;在接收到所述计算机发送的更换结束信号时,确定晶振片更换结束;
其中,所述更换起始信号为:所述计算机在确定晶振片更换开始时向所述补偿器发送的,所述更换结束信号为:所述计算机在确定晶振片更换结束时向所述补偿器发送的。
4.如权利要求1所述的蒸镀控制系统,其特征在于,
所述补偿器,具体用于根据晶振片更换前接收到的检测信号,对当前接收到的检测信号进行补偿。
5.如权利要求1所述的蒸镀控制系统,其特征在于,所述补偿器为复杂可编辑逻辑器件或现场可编辑门阵列。
6.如权利要求1-5任一项所述的蒸镀控制系统,其特征在于,所述蒸发部件包括:用于放置所述待蒸镀材料的坩埚;
所述坩埚包括一个喷嘴,所述坩埚为点型坩埚;或者,所述坩埚包括多个所述喷嘴,所述坩埚为线型坩埚或T型坩埚;
其中,所述待蒸镀材料从所述喷嘴中蒸发出去。
7.一种蒸镀控制方法,其特征在于,采用如权利要求1-6任一项所述的蒸镀控制系统实现;所述方法包括:
补偿器在接收到微天平发送的用于表示检测蒸发速率的检测信号时,根据接收到的计算机发送的晶振片更换信号,确定当前是否处于更换晶振片的时段;其中,所述检测蒸发速率为:所述微天平通过晶振片检测到待蒸镀材料的实际蒸发速率后生成的;
若是,所述补偿器对当前接收到的检测信号进行补偿后发送至蒸镀控制器;
所述蒸镀控制器根据补偿后的检测信号,控制蒸发部件中所述待蒸镀材料的当前实际蒸发速率,与更换晶振片之前所述待蒸镀材料的实际蒸发速率相同。
8.如权利要求7所述的蒸镀控制方法,其特征在于,所述方法还包括:
所述补偿器在确定当前未处于更换晶振片的时段时,将接收到的检测信号发送至所述蒸镀控制器;
所述蒸镀控制器根据所述检测信号,控制所述蒸发部件中所述待蒸镀材料的实际蒸发速率。
9.如权利要求7所述的蒸镀控制方法,其特征在于,所述补偿器对所述检测信号进行补偿,具体包括:
所述补偿器根据晶振片更换前接收到的检测信号,对当前接收到的检测信号进行补偿。
10.如权利要求7-9任一项所述的蒸镀控制方法,其特征在于,所述补偿器根据接收到的计算机发送的晶振片更换信号,确定当前是否处于更换晶振片的时段,具体包括:
所述补偿器确定是否接收到所述计算机发送的更换起始信号;其中,所述更换起始信号为:所述计算机在确定晶振片更换开始时向所述补偿器发送的;
若接收到,则所述补偿器确定晶振片更换开始;
所述补偿器确定是否接收到所述计算机发送的更换结束信号;其中,所述更换结束信号为:所述计算机在确定晶振片更换结束时向所述补偿器发送的;
若接收到,则所述补偿器确定晶振片更换结束。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811261805.6A CN111101098B (zh) | 2018-10-26 | 2018-10-26 | 一种蒸镀控制方法及蒸镀控制系统 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811261805.6A CN111101098B (zh) | 2018-10-26 | 2018-10-26 | 一种蒸镀控制方法及蒸镀控制系统 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111101098A CN111101098A (zh) | 2020-05-05 |
CN111101098B true CN111101098B (zh) | 2021-11-16 |
Family
ID=70419192
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811261805.6A Active CN111101098B (zh) | 2018-10-26 | 2018-10-26 | 一种蒸镀控制方法及蒸镀控制系统 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111101098B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111663105A (zh) * | 2020-05-26 | 2020-09-15 | 南方科技大学 | 超高真空电子束蒸发器、电子束镀膜装置 |
CN111682079B (zh) * | 2020-06-01 | 2021-12-14 | 大连理工大学 | 一种中/远红外透明导电材料体系及其制备导电薄膜的方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03204705A (ja) * | 1990-01-08 | 1991-09-06 | Hitachi Metals Ltd | マスフローコントローラの制御回路 |
CN104165573A (zh) * | 2014-05-13 | 2014-11-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种测量装置及镀膜设备 |
CN104593729A (zh) * | 2014-12-24 | 2015-05-06 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 防止蒸镀材料喷溅及塞孔的坩埚 |
CN107190236A (zh) * | 2017-07-27 | 2017-09-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 坩埚、蒸镀装置及蒸镀方法 |
CN107385406A (zh) * | 2017-05-22 | 2017-11-24 | 茆胜 | 镀膜系统及其膜厚监控装置和镀膜方法及其膜厚监控方法 |
CN206706203U (zh) * | 2017-05-15 | 2017-12-05 | 成都西沃克真空科技有限公司 | 一种晶振探头用控制系统 |
-
2018
- 2018-10-26 CN CN201811261805.6A patent/CN111101098B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03204705A (ja) * | 1990-01-08 | 1991-09-06 | Hitachi Metals Ltd | マスフローコントローラの制御回路 |
CN104165573A (zh) * | 2014-05-13 | 2014-11-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种测量装置及镀膜设备 |
CN104593729A (zh) * | 2014-12-24 | 2015-05-06 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 防止蒸镀材料喷溅及塞孔的坩埚 |
CN206706203U (zh) * | 2017-05-15 | 2017-12-05 | 成都西沃克真空科技有限公司 | 一种晶振探头用控制系统 |
CN107385406A (zh) * | 2017-05-22 | 2017-11-24 | 茆胜 | 镀膜系统及其膜厚监控装置和镀膜方法及其膜厚监控方法 |
CN107190236A (zh) * | 2017-07-27 | 2017-09-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 坩埚、蒸镀装置及蒸镀方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111101098A (zh) | 2020-05-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN111101098B (zh) | 一种蒸镀控制方法及蒸镀控制系统 | |
CN109596959B (zh) | 晶体振荡器的寿命判定方法、膜厚测定装置、成膜方法、成膜装置以及电子器件制造方法 | |
KR101890540B1 (ko) | 수정 진동자의 교환 방법 및 막후 모니터 | |
CN110777350A (zh) | 蒸发率测定装置、蒸发率测定装置的控制方法、成膜装置、成膜方法及电子设备的制造方法 | |
KR102008046B1 (ko) | 수정 발진식 막두께 모니터에 의한 막두께 제어 방법 | |
KR20120112202A (ko) | 플라즈마 처리 장치, 플라즈마 처리 방법 및 기억 매체 | |
KR102066984B1 (ko) | 막 두께 모니터 및 막 두께 측정 방법 | |
JP4764552B2 (ja) | 半導体製造装置、半導体製造装置の制御プログラム提供システム、半導体製造装置の制御プログラム提供方法、半導体製造装置の制御プログラム管理サーバ、半導体製造装置のコントローラ及び半導体デバイスの製造方法 | |
JP2013168131A (ja) | 処理装置及びバルブ動作確認方法 | |
KR20180063369A (ko) | 성막 장치, 유기막의 막후 측정 방법 및 유기막용 막후 센서 | |
CN105463377A (zh) | 真空蒸镀装置 | |
KR20150131975A (ko) | 수정 발진식 막두께 계기 | |
CN109616569B (zh) | Saw器件及制造方法以及包括其的电子电路和电子器件 | |
JP2016181468A (ja) | 有機el表示装置の製造方法、膜厚測定器 | |
KR101899722B1 (ko) | 막 두께 측정 장치 | |
CN113699501B (zh) | 蒸镀监控方法及装置、存储介质、电子设备 | |
KR101107170B1 (ko) | 스퍼터링 시스템 및 스퍼터링 방법 | |
JP2019131859A (ja) | 蒸着装置及び蒸着方法 | |
JP2009149919A (ja) | 膜厚モニタ装置及びこれを備える成膜装置 | |
JP2019099870A (ja) | 蒸着装置及び蒸着方法 | |
JP7022419B2 (ja) | 膜厚監視装置、成膜装置及び膜厚監視方法 | |
JP2014055335A (ja) | 真空成膜装置とその蒸発源の温度制御方法及び装置 | |
JP7509926B2 (ja) | イオンミリング装置 | |
KR101450662B1 (ko) | 플라즈마 챔버의 부하 임피던스 측정 장치 | |
KR102217755B1 (ko) | 박막 증착 방법 및 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 230013 Southwest District of Hefei City, Anhui Province Patentee after: Hefei xinyihua Intelligent Machine Co.,Ltd. Address before: 230013 Southwest District of Hefei City, Anhui Province Patentee before: HEFEI SINEVA INTELLIGENT MACHINE Co.,Ltd. |
|
CP01 | Change in the name or title of a patent holder |