CN111055555B - 电子设备、电子设备的壳体及其加工方法 - Google Patents

电子设备、电子设备的壳体及其加工方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开一种电子设备的壳体加工方法，包括：在壳体基材上设置膜层，所述膜层包括逐层叠置的至少三层子膜层，相邻的两层所述子膜层的折射率不同，且低折射率的所述子膜层与高折射率的所述子膜层交替层叠设置，各所述子膜层的厚度为λ/4，其中，380nm≤λ≤780nm；依据设置有所述膜层的所述壳体基材制备所述壳体。本发明公开一种电子设备的壳体及电子设备。上述方案能解决目前的电子设备存在美观性能较差的问题。

Description

电子设备、电子设备的壳体及其加工方法
技术领域
本发明涉及壳体加工技术领域，尤其涉及一种电子设备、电子设备的壳体及其加工方法。
背景技术
随着技术的发展，电子设备的性能越来越优良，各大生产厂商的竞争日趋激烈，相应地，越来越新颖的电子设备层出不穷。目前，用户越来越重视电子设备的美观性能，因此对电子设备的美观性能的要求越来越高。
目前的电子设备的壳体在制造的过程中通常会用到彩色镀膜工艺，但是观众在不同角度观察壳体时壳体的色彩比较呆板。可见，目前的电子设备的壳体仍然存在美观性较差的问题。
发明内容
本发明公开一种电子设备的壳体加工方法，以解决目前的电子设备存在美观性能较差的问题。
为了解决上述问题，本发明采用下述技术方案：
第一方面，本发明实施例公开一种电子设备的壳体加工方法，包括：
在壳体基材上设置膜层，所述膜层包括逐层叠置的至少三层子膜层，相邻的两层所述子膜层的折射率不同，且低折射率的所述子膜层与高折射率的所述子膜层交替层叠设置，各所述子膜层的厚度为λ/4，其中，380nm≤λ≤780nm；
依据设置有所述膜层的所述壳体基材制备所述壳体。
第二方面，本发明实施例公开一种电子设备的壳体，所述壳体由上文所述的壳体加工方法制备而成。
第三方面，本发明实施例公开一种电子设备，所述电子设备包括上文所述的壳体。
本发明采用的技术方案能够达到以下有益效果：
本发明实施例公开的壳体加工方法中，在壳体基材上设置膜层，使得膜层包括逐层叠置的至少三层子膜层，由于相邻的两层子膜层的折射率不同，因此在光的干涉作用下，能够使得膜层形成变幻的光学色彩，从而能够丰富壳体的视觉表现能力，使得用户在不同的视角下观察壳体，则能够观察到壳体的颜色的变化。相比于目前通过渐变色镀膜的方式而言，本发明实施例公开的壳体加工方法充分利用子膜层的折射率之间的差异，进而通过光的干涉形成灵活的颜色渐变效果，这无疑能够提高电子设备的美观性。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1为本发明实施例公开的电子设备的壳体加工方法的流程示意图；
图2为本发明实施例公开的电子设备的壳体的结构示意图。
附图标记说明：
100-壳体基材、200-膜层、210-子膜层、300-遮光油墨层。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明具体实施例及相应的附图对本发明技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
以下结合附图，详细说明本发明各个实施例公开的技术方案。
请参考图1和图2，本发明实施例公开一种电子设备的壳体加工方法，所涉及的壳体可以为电子设备的壳体。所公开的壳体加工方法，包括：
S101、在壳体基材100上设置膜层200。
壳体基材100为所制备的壳体的主体部分，壳体基材100能够为其他结构提供设置位置及支撑。在本发明实施例中，壳体基材100的种类可以有多种，具体的，壳体基材100可以为透光基材，也可以为非透光基材。壳体基材100可以是金属基材，也可以是非金属基材。一种具体的实施方式中，壳体基材100可以是透明基材，例如玻璃基材。当然，壳体基材100还可以是非金属基材，具体的，壳体基材100可以是高分子透明树脂基材，例如PET片。
在本发明实施例中，膜层200包括逐层叠置的至少三层子膜层210，相邻的两层子膜层210的折射率不同，而且，低折射率的子膜层210与高折射率的子膜层210交替层叠设置。在通常情况下，相邻的两层子膜层210的材质不同，从而实现折射率之间的差异。当然，也可以通过设置具体的微结构，从而实现折射率的不同。在本发明实施例中，各子膜层210的厚度为λ/4，其中，380nm≤λ≤780nm。
需要说明的是，在本发明实施例中，低折射率与高折射率为相对概念，本发明实施例不限制相邻的两层子膜层210的折射率的具体数值。
在可选的方案中，至少三层子膜层210的厚度可以在远离壳体基材100的方向上递增或递减，从而能够实现对更多可见光波段的反射，在子膜层210的数量足够的前提下，厚度递减或递增的子膜层210能够实现全波段可见光更高的反射率。
一种具体的实施方式中，膜层200的最外层的子膜层210可以为低折射率的子膜层210，在此情况下，能够提升整个膜层200的亮度，最终使得制备的壳体具有较高的亮度。
S102、依据设置有膜层200的壳体基材100制备壳体。
膜层200设置在壳体基材100上，最终形成制备壳体的原基材，然后可以根据壳体的设计，利用配置有膜层200的壳体基材100进行制备。在通常情况下，可以将较大面积的原基材(即配置有膜层200的壳体基材100)通过切割(例如CNC加工)、折弯或热压等工艺，最终制备处壳体。具体的，本步骤中通过设置有膜层200的壳体基材100进行壳体的制备过程为公知技术，在此不再赘述。
本发明实施例公开的壳体加工方法中，在壳体基材100上设置膜层200，使得膜层200包括逐层叠置的至少三层子膜层210，由于相邻的两层子膜层210的折射率不同，因此在光的干涉作用下，能够使得膜层200形成变幻的光学色彩，从而能够丰富壳体的视觉表现能力，使得用户在不同的视角下观察壳体，则能够观察到壳体的颜色的变化。相比于目前通过渐变色镀膜的方式而言，本发明实施例公开的壳体加工方法充分利用子膜层210的折射率的差异，进而通过光的干涉形成灵活的颜色渐变效果，这无疑能够提高电子设备的美观性。
如上文所述，相邻的两层子膜层210的折射率不同，可以通过使相邻的两层子膜层210的材料不同实现。可选的方案中，低折射率的子膜层210的材质可以为二氧化硅、氟化镁等。高折射率的子膜层210的材质可以为五氧化二锂、五氧化三钛或二氧化锆，本发明实施例不限制低折射率的子膜层210和高折射率的子膜层210的具体材质。
在本发明实施例中，在壳体基材100上设置膜层200的方式有多种，具体的，可以采用印刷的方式将膜层200设置在壳体基材100上，也可以通过涂抹的方式将膜层200设置在壳体基材100上。本发明实施例不限制膜层200在壳体基材100上的具体设置方式。一种可选的方案中，在壳体基材100上设置膜层200，可以包括：通过光学镀膜机进行PVD镀膜，以形成膜层200，真空度为3.0E～5Torr，低折射率的子膜层210的镀膜速度为4nm/s，高折射率的子膜层210的镀膜速度为0.2nm/s，蒸发方式为电子枪蒸发或磁控溅射蒸发。
本发明实施例公开的壳体加工方法还可以在壳体基材100设置膜层200与制备壳体之间(即在上文所述的S101与S102之间)，还可以包括：在膜层200上背离壳体基材100的一侧设置遮光油墨层300，在此种情况下，壳体基材200为透明基材。在此种情况下，壳体基材200用于作为最终成型的壳体的最外层，膜层200设置在壳体基材200的内侧，膜层200用于形成壳体的内腔。遮光油墨层300能够起到遮光的作用，能够使得最终成型的壳体为不透光结构件，进而能够避免电子设备的内部结构被用户看到，达到遮丑的目的。
遮光油墨层300的设置方式可以有多种。一种可选的方案中，在膜层200上背离壳体基材100的一侧设置遮光油墨层300，可以包括：
步骤A1、在膜层200上设置白色油墨层；
步骤A2、在白色油墨层上设置黑色油墨层，白色油墨层和黑色油墨层均包括至少两层叠置的丝印子层。
在此种情况下，遮光油墨层300包括白色油墨层和黑色油墨层，白色油墨层能够使得最终成型的壳体的底色为白色，由于白色油墨层的遮光性较差，黑色油墨层的厚度可以大于白色油墨层的厚度，以增加遮光油墨层300的整体遮光性能。在此种情况下，遮光油墨层的厚度较大，可选的方案中，遮光油墨层300的厚度为33μm-37μm。
在另一种可选的方案中，在膜层200上背离壳体基材100的一侧设置有遮光油墨层300，可以包括：在膜层200上背离壳体基材100的一侧设置黑色油墨层，具体的，黑色油墨层可以包括两层叠置的丝印子层。在此种情况下，遮光油墨层300包括两层叠置的丝印子层，进而能够使得最终成型的壳体的底色为黑色，达到较好的遮光效果。可选的方案中，遮光油墨层300的厚度可以为18μm-22μm。
基于本发明实施例公开的壳体加工方法，本发明实施例公开一种电子设备的壳体，所公开的电子设备的壳体由上文实施例所述的壳体加工方法加工而成。
基于本发明实施例公开的电子设备的壳体，本发明实施例公开一种电子设备，所公开的电子设备包括上文所述的电子设备的壳体。
本发明实施例公开的电子设备可以是智能手机、平板电脑、电子书阅读器、可穿戴设备(例如智能手表)、车载导航仪、游戏机等设备，本发明实施例不限制电子设备的具体种类。
本发明上文实施例中重点描述的是各个实施例之间的不同，各个实施例之间不同的优化特征只要不矛盾，均可以组合形成更优的实施例，考虑到行文简洁，在此则不再赘述。
以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明。对于本领域技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的权利要求范围之内。

Claims (9)

1.一种电子设备的壳体加工方法，其特征在于，包括：
在壳体基材上设置膜层，所述膜层包括逐层叠置的至少三层子膜层，相邻的两层所述子膜层的折射率不同，且低折射率的所述子膜层与高折射率的所述子膜层交替层叠设置，各所述子膜层的厚度为λ/4，其中，380nm≤λ≤780nm；
在所述膜层上背离所述壳体基材的一侧设置遮光油墨层，所述壳体基材为透明基材，
依据设置有所述膜层的所述壳体基材制备所述壳体。
2.根据权利要求1所述的壳体加工方法，其特征在于，在所述膜层上背离所述壳体基材的一侧设置遮光油墨层，包括：
在所述膜层上设置白色油墨层；
在所述白色油墨层上设置黑色油墨层，所述白色油墨层和所述黑色油墨层均包括至少两层叠置的丝印子层。
3.根据权利要求2所述的壳体加工方法，其特征在于，所述遮光油墨层的厚度为33μm-37μm。
4.根据权利要求1所述的壳体加工方法，其特征在于，在所述膜层上背离所述壳体基材的一侧设置遮光油墨层，包括：
在所述膜层上背离所述壳体基材的一侧设置黑色油墨层，所述黑色油墨层包括至少两层叠置的丝印子层。
5.根据权利要求4所述的壳体加工方法，其特征在于，所述遮光油墨层的厚度为18μm-22μm。
6.根据权利要求1所述的壳体加工方法，其特征在于，在壳体基材上设置膜层，包括：
通过光学镀膜机进行PVD镀膜，以形成所述膜层，真空度为3.0E～5Torr，低折射率的所述子膜层的镀膜速度为4nm/s，高折射率的所述子膜层的镀膜速度为0.2nm/s，蒸发方式为电子枪蒸发或磁控溅射蒸发。
7.根据权利要求1所述的壳体加工方法，其特征在于：
所述壳体基材为玻璃基材或高分子透明树脂基材；
低折射率的所述子膜层的材质为二氧化硅或氟化镁；
所述高折射率的所述子膜层的材质为五氧化二锂、五氧化三钛或二氧化锆。
8.一种电子设备的壳体，其特征在于，所述壳体由权利要求1至7中任一项所述的壳体加工方法制备而成。
9.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括权利要求8所述的壳体。
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