CN111049489A - 具有叠置单元的半导体结构及制造方法、电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及具有叠置单元的半导体结构，包括：保护层，具有上表面与下表面；多个单元，在保护层的下表面沿保护层的厚度方向依次叠置，每一个单元包括基底，最上侧单元的基底与保护层之间限定第一容纳空间，相邻叠置的上、下单元的基底之间限定第二容纳空间，至少一个单元的基底设置有芯片，所述芯片位于对应的容纳空间内；和多个导电通孔，每个导电通孔自保护层的上表面穿过保护层沿保护层的厚度方向向下延伸而与对应的单元电连接，且所述多个导电通孔包括穿过保护层和至少一个单元的基底的多个跨层导电通孔。本发明还涉及叠置单元的半导体结构的制造方法及具有该结构的电子设备。

Description

具有叠置单元的半导体结构及制造方法、电子设备
技术领域
本发明的实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体结构及其制造方法，以及一种具有该半导体结构的电子设备。
背景技术
随着当今无线通讯技术的飞速发展，小型化便携式终端设备的应用也日益广泛，因而对于高性能、小尺寸的射频前端模块和器件的需求也日益迫切。近年来，以例如为薄膜体声波谐振器(Film Bulk Acoustic Resonator，简称FBAR)为基础的滤波器、双工器等滤波器件越来越为市场所青睐。一方面是因为其插入损耗低、过渡特性陡峭、选择性高、功率容量高、抗静电放电(ESD)能力强等优异的电学性能，另一方面也是因为其体积小、易于集成的特点所致。
不过，现实中对于滤波器件的尺寸存在进一步减小的需要。
发明内容
为缓解或解决使用现有技术中的上述问题的至少一个方面，提出本发明。
根据本发明的实施例的一个方面，提出了一种具有叠置单元的半导体结构，包括：
保护层，保护层具有上表面与下表面；
多个单元，在保护层的下表面沿保护层的厚度方向依次叠置，每一个单元包括基底，所述多个单元的最上侧单元的基底与保护层之间限定第一容纳空间，相邻叠置的上单元与下单元的基底之间限定第二容纳空间，至少一个单元的基底设置有芯片，所述芯片位于对应的容纳空间内；和
多个导电通孔，每个导电通孔自所述保护层的上表面穿过所述保护层沿保护层的厚度方向向下延伸而与对应的单元电连接，且所述多个导电通孔包括穿过保护层和至少一个单元的基底的多个跨层导电通孔。
本发明的实施例还涉及一种具有叠置单元的半导体结构的制造方法，包括步骤：
提供保护层，保护层具有穿过其的多个保护层通孔，保护层具有上表面与下表面；
在保护层的下表面在所述保护层的厚度方向上依次叠置多个单元，每一个单元包括基底，所述多个单元的最上侧单元的基底与保护层之间限定第一容纳空间，相邻叠置的上单元与下单元的基底之间限定第二容纳空间，至少一个单元的基底设置有芯片，所述芯片位于对应的容纳空间内；
在保护层与对应单元的基底之间形成多个连接通孔，所述多个连接通孔与对应的保护层通孔同轴相通布置；以及
在保护层的上表面的一侧使用导电材料填充所述保护层通孔以及连接通孔以形成多个导电通孔，每个导电通孔与对应单元电连接，且所述多个导电通孔包括穿过保护层和至少一个单元的基底的多个跨层导电通孔。
本发明的实施例还涉及一种电子设备，具有上述的半导体结构。
附图说明
以下描述与附图可以更好地帮助理解本发明所公布的各种实施例中的这些和其他特点、优点，图中相同的附图标记始终表示相同的部件，其中：
图1为根据本发明的一个示例性实施例的声波双工器的示意性剖视图；
图2A-2F为示例性示出图1中的声波双工器的制造过程的示意图；
图2G为示例性示出图1中的声波双工器的跨层导电通孔内导电金属的结构的示意图；
图3为根据本发明的一个示例性实施例的声波四工器的示意性剖视图；
图4A为说明滤波器功率容量增加的示意图；
图4B为实现滤波器功率容量增加的声波双工器的一个示例性剖视图；
图4C为实现滤波器功率容量增加的声波四工器的一个示例性剖视图；
图5A为声波滤波器的一种组成网络的示例性示意图；
图5B为根据本发明的一个实施例的声波滤波器的一个示例性剖视图；
图5C为说明基于图5B中的声波滤波器与传统声波滤波器的抑制度的比较的频率-抑制度曲线图。
具体实施方式
下面通过实施例，并结合附图，对本发明的技术方案作进一步具体的说明。在说明书中，相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。下述参照附图对本发明实施方式的说明旨在对本发明的总体发明构思进行解释，而不应当理解为对本发明的一种限制。
在本发明中，以声波滤波器为例说明半导体结构。声波滤波器可采用多基底的方式，进行垂直方向电连接，可以降低滤波器、双工器、四工器等面积达30％以上。作为滤波器基础的谐振器将不受同一基底上的工艺限制，从而提升滤波器的插损性能。
本发明中，可以将一个滤波器的多个谐振器放置在二个或更多基底上，并通过电学通孔引线和金属键合的方式将多个谐振器连接而形成滤波器。在本发明中，也可以将多个滤波器放置在二个或更多的基底上，并通过电学通孔引线和金属键合的方式将多个滤波器组成多工滤波器器或其他器件。
在本发明中，整体对外的电学输入输出均在作为半导体结构的最顶层的保护层10(后面提及)的上表面，相应的半导体结构的下表面不需要设置起电学引线作用的通孔，例如在图2F中，位于半导体结构的下侧的基底20并未设置导电通孔，导电通孔以及导电焊盘(pad)120设置在保护层10的上表面。
相邻基底之间相互键合的金属可以有两种作用，一是保证电学连接，二是保证密封性，在图中，仅示出了起到电学连接作用的金属键合结构。
此外，每个基底上的滤波器的放置方向无特殊要求，可以同向放置，即均位于基底的正面或上表面(对外电学引线)，也可以异向放置(即一个或更多位于基底正面或上表面，一个或更多位于基底背面或下表面)，但最下层基底的滤波器必须位于基底正面或上表面。
在本发明中，以保护层10作为半导体结构的最上层基底。例如，在图中，在半导体结构中，各个基底朝上的表面为上表面，各个基底朝下的表面为下表面。
图1为根据本发明的一个示例性实施例的声波双工器的示意性剖视图。在图1中，各附图标记表示的部件如下：
10：保护层或保护密封层，可选材料为单晶硅、砷化镓、蓝宝石、石英等。
20：第一基底，可选材料为单晶硅、砷化镓、蓝宝石、石英等。
30：第二基底，可选材料为单晶硅、砷化镓、蓝宝石、石英等。
40：第一单元，例如为设置在第一基底的上表面的单个声波谐振器或多个声波谐振器电学连接结构。其中，声波谐振器包含但不限于：声学镜，可为空腔，也可采用布拉格反射层及其他等效形式；顶电极(电极引脚)，材料可选钼、钌、金、铝、镁、钨、铜，钛、铱、锇、铬或以上金属的复合或其合金等；压电薄膜层，可选氮化铝，氧化锌，PZT等材料并包含上述材料的一定原子比的稀土元素掺杂材料；顶电极(电极引脚)，材料可选钼、钌、金、铝、镁、钨、铜，钛、铱、锇、铬或以上金属的复合或其合金等。
50：第二单元，例如为设置在第二基底的上表面的单个声波谐振器或多个声波谐振器电学连接结构。其中声波谐振器包含但不限于：声学镜，可为空腔，也可采用布拉格反射层及其他等效形式；底电极(电极引脚)，材料可选钼、钌、金、铝、镁、钨、铜，钛、铱、锇、铬或以上金属的复合或其合金等；压电薄膜层，可选氮化铝，氧化锌，PZT等材料并包含上述材料的一定原子比的稀土元素掺杂材料；顶电极(电极引脚)，材料可选钼、钌、金、铝、镁、钨、铜，钛、铱、锇、铬或以上金属的复合或其合金等。
60：保护层的电学连接孔。
70：第二基底上的电学连接孔。
80：第二基底的下表面形成的键合用凸起结构。在本发明中，基底的下表面与单个声波谐振器或多个声波谐振器电学连接结构所在的基底的上表面在基底的厚度方向上分别为基底的上侧面和下侧面。
90：第二基底的下表面的键合金属，材料可选钼、钌、金、铝、镁、钨、铜，钛、铱、锇、铬或以上金属的复合或其合金等。
110：电学连接金属，材料可选钼、钌、金、铝、镁、钨、铜，钛、铱、锇、铬或以上金属的复合或其合金等。如本领域技术人员能够理解的，连接孔60与70中填充电学连接金属110可以形成导电通孔。
120：对外金属焊盘(Pad)，材料可选钼、钌、金、铝、镁、钨、铜，钛、铱、锇、铬或以上金属的复合或其合金等。
在图1中，示出了穿过保护层10、第二基底30而与第一基底20上的键合结构电连接的导电通孔(在图1中为处于外侧的通孔，其与第一单元40电连接)，以及穿过保护层10而与第二基底30上的键合结构电连接的导电通孔(在图1中为处于内侧的通孔，其与第二单元50电连接)。
如图1所示，在保护层10的下表面在保护层通孔或电学连接孔60的下方设置有保护层键合结构；在第二基底30的上表面设置有第二基底上键合结构，在第二基底30的下表面设置有第二基底上键合结构；在第一基底20的上表面设置有第一基底上键合结构。在保护层10、第二基底30和第一基底20叠置时，相应的键合结构彼此键合。如图1所示，导电通孔或电学连接金属110穿过对应的键合结构直至与对应基底(导电通孔所要电连接的单元所在的基底)上的键合结构电连接。换言之，如本领域技术人员能够理解的，相邻层(包括保护层与单元层之间以及单元层之间)的键合经由相邻层之间的键合结构实现，此外，相邻层之间设置的连接通孔可以由键合结构形成。
如图1所示，导电通孔的上端开口于或者位于保护层10的上表面。如图1所示，导电焊盘120在保护层10的上表面与导电通孔的上端电连接。
下面参照附图2A-2F，示例性说明采用垂直叠层工艺形成声波双工器的方法。
如图2A所示，在第二基底30上设置接收滤波器，对应于第二单元50，形成连接孔70，用于将发射滤波器的电信号引出。
如图2B所示，将图2A形成的结构与保护层10进行键合(第一次键合操作)。如图2B所示，保护层10上设置有电学连接孔60，在图2B中，处于外侧的电学连接孔60与电学连接孔70彼此同轴贯通，处于内侧的电学连接孔60则与第二基底30上表面上的键合结构形成电连接从而与接收滤波器电连接。
如图2C所示，将第二基底30进行反面(即下表面)减薄，并形成键合用凸起结构80，此结构可以定义第二次键合的位置及大小，而不受键合金属形成工艺的影响。通常的键合金属图形化会将掩膜保护外的金属以湿法刻蚀去除，在此过程中侧向刻蚀不易控制，但是使用凸起结构80可有效解决此问题。如图2C所示，凸起结构80为与减薄后的第二基底30形成为一体的凸起，且连接孔70贯穿凸起结构80。
如图2D所示，在第二基底30的下表面形成键合结构90，其宽度大于凸起结构80的宽度1um及以上，以保证键合大小由凸起结构80定义，如图2D所示，连接孔70延伸穿过键合结构90。
如图2E所示，将图2D中的结构与带有发射滤波器(对应于第一单元40)的第一基底20键合，此时保护层10的电学连接孔60以及第二基底30上的电学连接孔70同轴贯通。
如图2F所示，从保护层10的上表面将保护层10减薄，露出保护层10的电学连接孔60，从而连接孔60贯穿保护层10。保护层10的电学连接孔60及第二基底30的电学连接孔70贯穿。利用电镀工艺一次性使保护层10的电学连接孔60及第二基底30的电学连接孔70中形成有效电连接(即形成导电通孔)。此一次性填充电学连接孔60、70，可有效解决或缓解电学连接孔70单独填充时带来的第二次键合效果不佳、密封性差的问题，同时电学导通性能更佳，也节省了工艺步骤。最后，可形成金属焊盘120。
图2G为示例性示出图1中的声波双工器的跨层导电通孔内导电金属的结构的示意图。从图2G可以看出，基于一次性填充成型，通孔中的导电金属柱的壁厚总体上从上而下逐渐降低。
在本发明中，导电柱一体成型表示导电柱基于一次填充导电材料而一体形成，而非两个导电通孔分别填充后、再执行键合操作而使得两个导电通孔导通。因为导电柱为一体成型，所以在本发明中，导电柱不存在所谓的因为键合操作而导致的两次金属填充接触处易形成孔洞、虚连接、沾污缺陷等问题。
图3为根据本发明的一个示例性实施例的声波四工器的示意性剖视图。
可以在图2F所示的制程前，将图2B-图2E所示的制程重复3次，其中：将中间的三个基底的厚度减薄，将保护层减薄，最后将最下侧基底(对应于第一基底20)的厚度减薄。
图4A为说明滤波器功率容量增加的示意图。如图4A所示，采用二个相同滤波器A(Device A)并联的形式，将通过任一滤波器的能量减小一半，可以将滤波器的功率容量增加约1倍。同理，如果将N个相同滤波器并联，则滤波器的功率容量将增加到单一滤波器的约N倍。
图4B为实现滤波器功率容量增加的声波双工器的一个示例性剖视图。传统方法中，增加一个相同的滤波器，则整体面积要大于原来的两倍。而采用垂直层叠的方法可以在不增加面积的情况下增加功率容量。如图4B所示，因最下面的滤波器的导电焊盘与中间的滤波器共用，因此面积没有变化，同时功率容量增加到约2倍。
图4C为实现滤波器功率容量增加的声波四工器的一个示例性剖视图。如图4C所示，四个相同的滤波器并联，因所有的滤波器共用导电焊盘，所以面积没有变化，同时功率容量增加到约4倍。同理，在需求允许的情况下(滤波器高度限制)，采用此方法可以继续增加功率容量。
图5A为声波滤波器的一种组成网络的示例性示意图，图5B为根据本发明的一个实施例的声波滤波器的一个示例性剖视图，图5C为说明基于图5B中的声波滤波器与传统声波滤波器的抑制度的比较的频率-抑制度曲线图。
图5A所示为声波滤波器的一种组成网络。按照传统制造方法，其中的串联谐振器S21\S22\S23\S24与并联谐振器P21\P22\P23在同一基底上形成。因成本及工艺复杂度的限制，串联与并联谐振器的底电极、压电层、顶电极的厚度分别相同，通过一个选择性的质量负载层使串联与并联谐振频率不同，从而实现滤波效果。
如图5B所示，将串联谐振器在中间基底形成，并联谐振器在下层基底形成，因此串并联谐振器各层厚度均可不同，可以独自优化。具体的，同一滤波器的串联谐振器的顶电极、压电层、底电极、钝化层的厚度中的至少一个厚度不同于所述同一滤波器的并联谐振器的顶电极、压电层、底电极、钝化层的厚度中的对应的厚度。需要指出的是，这里的“钝化层”并非表示谐振器一定具有钝化层，而是表示在谐振器具有钝化层的情况下，可以使得串联谐振器的钝化层与并联谐振器的钝化层的厚度不同。
在图5B中，Device A：series表示谐振器A串联，Device A：shunt，表示谐振器A并联。优化效果如图5C所示，虚线为传统滤波器的抑制度曲线，实线为采用图5B结构的抑制度曲线，可以看到，实线中，通带右侧抑制度有明显提升。
需要指出的是，一个滤波器的所有串联谐振器需要安排在同一个基底上，这样可以保证串联谐振器之间的电学阻抗尽量小，避免滤波器插入损耗恶化；而滤波器的并联谐振器则可以安排到不同的基底上。
基于以上，本发明提出了如下技术方案：
1、一种具有叠置单元的半导体结构，包括：
保护层，保护层具有上表面与下表面；
多个单元，在保护层的下表面沿保护层的厚度方向依次叠置，每一个单元包括基底，所述多个单元的最上侧单元的基底与保护层之间限定第一容纳空间，相邻叠置的上单元与下单元的基底之间限定第二容纳空间，至少一个单元的基底设置有芯片，所述芯片位于对应的容纳空间内；和
多个导电通孔，每个导电通孔自所述保护层的上表面穿过所述保护层沿保护层的厚度方向向下延伸而与对应的单元电连接，且所述多个导电通孔包括穿过保护层和至少一个单元的基底的多个跨层导电通孔。
2、根据1所述的半导体结构，其中：
所述多个导电通孔包括穿过所述上单元的基底而电连接到所述下单元的跨层导电通孔，和/或包括穿过所述上单元与下单元的基底而与所述下单元下方的对应单元电连接的跨层导电通孔。
3、根据2所述的半导体结构，其中：
相邻叠置的上单元与下单元的一个单元为包括多个串联谐振器的串联谐振器单元，且相邻叠置的上单元与下单元的另一个单元为包括多个并联谐振器的并联谐振器单元；
所述多个导电通孔包括与串联谐振器单元电连接的导电通孔以及与并联谐振器单元电连接的导电通孔。
4、根据3所述的半导体结构，其中：
所述串联谐振器的压电层、顶电极、底电极、钝化层的厚度中的至少一个厚度不同于所述并联谐振器的压电层、顶电极、底电极、钝化层的厚度中的对应的厚度。
5、根据2所述的半导体结构，其中：
相邻叠置的上单元与下单元的一个单元为接收滤波器单元，且相邻叠置的上单元与下单元的另一个单元为发射滤波器单元。
6、根据1所述的半导体结构，其中：
所述多个导电通孔包括穿过保护层而仅与最上层单元电连接的单层导电通孔。
7、根据1-6中任一项所述的半导体结构，其中：
每个跨层导电通孔仅与保护层下方一个对应的单元电连接。
8、根据7所述的半导体结构，其中：
所述多个单元仅包括自上而下依次叠置的第一单元与第二单元；且
每个跨层导电通孔仅与第二单元电连接。
9、根据7所述的半导体结构，其中：
所述多个单元仅包括自上而下依次叠置的第一单元、第二单元、第三单元和第四单元；且
所述跨层导电通孔包括仅与第二单元电连接的跨层导电通孔，仅与第三单元电连接的跨层导电通孔，以及仅与第四单元电连接的跨层导电通孔。
10、根据1所述的半导体结构，其中：
至少一个跨层导电通孔与至少两个单元同时电连接。
11、根据10所述的半导体结构，其中：
所述多个导电通孔中的每一个为与每一个单元均电连接的跨层导电通孔。
12、根据11所述的半导体结构，其中：
所述多个单元仅包括自上而下依次叠置且相同的四个单元，每个单元为滤波器单元；或者
所述多个单元仅包括自上而下依次叠置且相同的二个单元，每个单元为滤波器单元。
13、根据1所述的半导体结构，其中：
单元均设置在对应基底的上表面。
14、根据1所述的半导体结构，其中：
对于在半导体结构的厚度方向上相邻的两个单元，在径向方向上，与上单元电连接的导电通孔处于与下单元电连接的导电通孔的内侧。
15、根据1所述的半导体结构，其中：
所述半导体结构包括至少一个滤波器，同一滤波器的所有串联谐振器均布置在一个基底上，所述同一滤波器的并联谐振器布置在不同于所述一个基底的其他基底上。
16、根据1所述的半导体结构，其中：
所述半导体结构包括至少一个滤波器，同一滤波器的串联谐振器的顶电极、压电层、底电极、钝化层的厚度中的至少一个厚度不同于所述同一滤波器的并联谐振器的顶电极、压电层、底电极、钝化层的厚度中的对应的厚度。
17、根据1-16中任一项所述的半导体结构，其中：
所述半导体结构还包括设置在保护层的上表面而与导电通孔电连接的导电焊盘。
18、根据1-16中任一项所述的半导体结构，其中：
所述跨层导电通孔内的导电柱为一体成型导电柱。
19、根据18所述的半导体结构，其中：
所述一体成型导电柱为壁厚从上到下逐渐变细的导电柱。
20、一种具有叠置单元的半导体结构的制造方法，包括步骤：
提供保护层，保护层具有穿过其的多个保护层通孔，保护层具有上表面与下表面；
在保护层的下表面在所述保护层的厚度方向上依次叠置多个单元，每一个单元包括基底，所述多个单元的最上侧单元的基底与保护层之间限定第一容纳空间，相邻叠置的上单元与下单元的基底之间限定第二容纳空间，至少一个单元的基底设置有芯片，所述芯片位于对应的容纳空间内；
在保护层与对应单元的基底之间形成多个连接通孔，所述多个连接通孔与对应的保护层通孔同轴相通布置；以及
在保护层的上表面的一侧使用导电材料填充所述保护层通孔以及连接通孔以形成多个导电通孔，每个导电通孔与对应单元电连接，且所述多个导电通孔包括穿过保护层和至少一个单元的基底的多个跨层导电通孔。
21、根据20所述的方法，其中：
步骤“提供保护层”中，所述保护层设置有从保护层的下表面延伸进入保护层的一部分厚度的保护层孔；且
所述方法还包括步骤：刻蚀所述保护层的上表面以露出所述保护层孔，使得所述保护层孔为保护层通孔。
22、根据20或21所述的方法，其中：
所述导电通孔包括穿过上单元与所述下单元电连接的跨层导电通孔或者穿过下单元的基底而与所述下单元下方的单元电连接的跨层导电通孔。
23、根据20所述的方法，其中：
所述半导体结构包括至少一个滤波器，还包括步骤：将同一滤波器的所有串联谐振器均布置在一个基底上，所述同一滤波器的并联谐振器布置在不同于所述一个基底的其他基底上。
24、根据20所述的方法，其中：
所述半导体结构包括至少一个滤波器，还包括步骤：使得同一滤波器的串联谐振器的顶电极、压电层、底电极、钝化层的厚度中的至少一个厚度不同于所述同一滤波器的并联谐振器的顶电极、压电层、底电极、钝化层的厚度中的对应的厚度。
25、根据20-24中任一项所述的方法，其中：
在形成多个导电通孔的步骤中，所述跨层导电通孔内的金属柱为一体成型导电柱。
26、根据25所述的方法，其中：
所述一体成型导电柱为壁厚从上到下逐渐变细的导电柱。
27、一种电子设备，包括根据1-19中任一项所述的半导体结构或根据20-27中任一项所述的方法制造的半导体结构。
在本发明中，半导体结构可以是滤波器，例如如图5B所示；可以是双工器，例如如图1所示；可以是四工器，例如如图3所示。如能理解的，基于单元设置的芯片的不同，半导体结构也可以是其他结构。在本发明中，芯片可以包括半导体器件，如微机电器件、有源或无源半导体器件等。
这里的电子设备，包括但不限于射频前端、滤波放大模块等中间产品，以及手机、WIFI、无人机等终端产品。
在本发明中，跨层导电通孔穿过至少一个单元的基板而与叠置的芯片中的另外的单元电连接；单层导电通孔仅与最上层的单元电连接。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行变化，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (27)

1.一种具有叠置单元的半导体结构，包括：
保护层，保护层具有上表面与下表面；
多个单元，在保护层的下表面沿保护层的厚度方向依次叠置，每一个单元包括基底，所述多个单元的最上侧单元的基底与保护层之间限定第一容纳空间，相邻叠置的上单元与下单元的基底之间限定第二容纳空间，至少一个单元的基底设置有芯片，所述芯片位于对应的容纳空间内；和
多个导电通孔，每个导电通孔自所述保护层的上表面穿过所述保护层沿保护层的厚度方向向下延伸而与对应的单元电连接，且所述多个导电通孔包括穿过保护层和至少一个单元的基底的多个跨层导电通孔。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中：
所述多个导电通孔包括穿过所述上单元的基底而电连接到所述下单元的跨层导电通孔，和/或包括穿过所述上单元与下单元的基底而与所述下单元下方的对应单元电连接的跨层导电通孔。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中：
相邻叠置的上单元与下单元的一个单元为包括多个串联谐振器的串联谐振器单元，且相邻叠置的上单元与下单元的另一个单元为包括多个并联谐振器的并联谐振器单元；
所述多个导电通孔包括与串联谐振器单元电连接的导电通孔以及与并联谐振器单元电连接的导电通孔。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中：
所述串联谐振器的压电层、顶电极、底电极、钝化层的厚度中的至少一个厚度不同于所述并联谐振器的压电层、顶电极、底电极、钝化层的厚度中的对应的厚度。
5.根据权利要求2所述的半导体结构，其中：
相邻叠置的上单元与下单元的一个单元为接收滤波器单元，且相邻叠置的上单元与下单元的另一个单元为发射滤波器单元。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中：
所述多个导电通孔包括穿过保护层而仅与最上层单元电连接的单层导电通孔。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的半导体结构，其中：
每个跨层导电通孔仅与保护层下方一个对应的单元电连接。
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其中：
所述多个单元仅包括自上而下依次叠置的第一单元与第二单元；且
每个跨层导电通孔仅与第二单元电连接。
9.根据权利要求7所述的半导体结构，其中：
所述多个单元仅包括自上而下依次叠置的第一单元、第二单元、第三单元和第四单元；且
所述跨层导电通孔包括仅与第二单元电连接的跨层导电通孔，仅与第三单元电连接的跨层导电通孔，以及仅与第四单元电连接的跨层导电通孔。
10.根据权利要求1所述的半导体结构，其中：
至少一个跨层导电通孔与至少两个单元同时电连接。
11.根据权利要求10所述的半导体结构，其中：
所述多个导电通孔中的每一个为与每一个单元均电连接的跨层导电通孔。
12.根据权利要求11所述的半导体结构，其中：
所述多个单元仅包括自上而下依次叠置且相同的四个单元，每个单元为滤波器单元；或者
所述多个单元仅包括自上而下依次叠置且相同的二个单元，每个单元为滤波器单元。
13.根据权利要求1所述的半导体结构，其中：
单元均设置在对应基底的上表面。
14.根据权利要求1所述的半导体结构，其中：
对于在半导体结构的厚度方向上相邻的两个单元，在径向方向上，与上单元电连接的导电通孔处于与下单元电连接的导电通孔的内侧。
15.根据权利要求1所述的半导体结构，其中：
所述半导体结构包括至少一个滤波器，同一滤波器的所有串联谐振器均布置在一个基底上，所述同一滤波器的并联谐振器布置在不同于所述一个基底的其他基底上。
16.根据权利要求1所述的半导体结构，其中：
所述半导体结构包括至少一个滤波器，同一滤波器的串联谐振器的顶电极、压电层、底电极、钝化层的厚度中的至少一个厚度不同于所述同一滤波器的并联谐振器的顶电极、压电层、底电极、钝化层的厚度中的对应的厚度。
17.根据权利要求1-16中任一项所述的半导体结构，其中：
所述半导体结构还包括设置在保护层的上表面而与导电通孔电连接的导电焊盘。
18.根据权利要求1-16中任一项所述的半导体结构，其中：
所述跨层导电通孔内的导电柱为一体成型导电柱。
19.根据权利要求18所述的半导体结构，其中：
所述一体成型导电柱为壁厚从上到下逐渐变细的导电柱。
20.一种具有叠置单元的半导体结构的制造方法，包括步骤：
提供保护层，保护层具有穿过其的多个保护层通孔，保护层具有上表面与下表面；
在保护层的下表面在所述保护层的厚度方向上依次叠置多个单元，每一个单元包括基底，所述多个单元的最上侧单元的基底与保护层之间限定第一容纳空间，相邻叠置的上单元与下单元的基底之间限定第二容纳空间，至少一个单元的基底设置有芯片，所述芯片位于对应的容纳空间内；
在保护层与对应单元的基底之间形成多个连接通孔，所述多个连接通孔与对应的保护层通孔同轴相通布置；以及
在保护层的上表面的一侧使用导电材料填充所述保护层通孔以及连接通孔以形成多个导电通孔，每个导电通孔与对应单元电连接，且所述多个导电通孔包括穿过保护层和至少一个单元的基底的多个跨层导电通孔。
21.根据权利要求20所述的方法，其中：
步骤“提供保护层”中，所述保护层设置有从保护层的下表面延伸进入保护层的一部分厚度的保护层孔；且
所述方法还包括步骤：刻蚀所述保护层的上表面以露出所述保护层孔，使得所述保护层孔为保护层通孔。
22.根据权利要求20或21所述的方法，其中：
所述导电通孔包括穿过上单元与所述下单元电连接的跨层导电通孔或者穿过下单元的基底而与所述下单元下方的单元电连接的跨层导电通孔。
23.根据权利要求20所述的方法，其中：
所述半导体结构包括至少一个滤波器，还包括步骤：将同一滤波器的所有串联谐振器均布置在一个基底上，所述同一滤波器的并联谐振器布置在不同于所述一个基底的其他基底上。
24.根据权利要求20所述的方法，其中：
所述半导体结构包括至少一个滤波器，还包括步骤：使得同一滤波器的串联谐振器的顶电极、压电层、底电极、钝化层的厚度中的至少一个厚度不同于所述同一滤波器的并联谐振器的顶电极、压电层、底电极、钝化层的厚度中的对应的厚度。
25.根据权利要求20-24中任一项所述的方法，其中：
在形成多个导电通孔的步骤中，所述跨层导电通孔内的金属柱为一体成型导电柱。
26.根据权利要求25所述的方法，其中：
所述一体成型导电柱为壁厚从上到下逐渐变细的导电柱。
27.一种电子设备，包括根据权利要求1-19中任一项所述的半导体结构或根据权利要求20-27中任一项所述的方法制造的半导体结构。
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