CN111029791A - 一种紧耦合偶极子反射天线阵列 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种紧耦合偶极子反射天线阵列,其改进之处在于:包括偶极子单元A和偶极子单元B,偶极子单元A和B均由介质基板以及印刷在介质基板上的偶极子、延迟线和金属贴片组成,但是偶极子单元A和偶极子单元B的偶极子放置方向相反,使两者的交叉极化电场相位相差180°,本发明所公开的天线阵列可以在不影响主极化电场分量的情况下大大降低反射阵列的交叉极化电场分量。
Description
技术领域
本发明属于无线通信领域,特别涉及该领域中的一种高极化纯度的紧耦合偶极子反射天线阵列。
背景技术
随着4G移动通信技术的广泛应用以及5G新纪元的到来,移动终端用户数和新型应用大规模涌现,带宽需求迅猛增长。为支撑剧增的带宽需求,需要大规模建设新的并升级已有的移动基站回程链路。微波链路凭借容量大、传输质量好、组网灵活、成本低、建设速度快等优势,成为当前及未来长时间内更为合适的选择。
为了提高频谱的利用率,在微波回程链路中可以采用交叉极化传输方式,在同一时频通道中发送两路单载波QAM(Quadrature Amplitude Modulation)调制信号,这样频谱利用率能够提高一倍。实现两路QAM信号交叉极化传输的前提是对两路QAM信号进行交叉极化隔离,使得其中一路信号波形的极化方向沿着垂直方向,另一路信号波形的极化方向沿着水平方向。正是由于两信号波形的极化方向相互正交,所以彼此之间不会产生干扰。但是信号在实际传输过程中可能会遇到地面散射、雨雾天气等恶劣情况,导致交叉极化信号极化性减弱,从而对主极化信号造成严重干扰,即交叉极化干扰(Cross PolarizationInterference,XPI)。交叉极化干扰会给接收端的解调工作产生极大影响,甚至根本解调不出原始信号。
所以在现有的紧耦合偶极子反射天线阵列的研究领域内,能够找到一种有效的抑制交叉极化的方式就显得十分必要。
发明内容
本发明所要解决的技术问题就是提供一种高极化纯度的紧耦合偶极子反射天线阵列。
本发明采用如下技术方案:
一种紧耦合偶极子反射天线阵列,其改进之处在于:包括偶极子单元A和偶极子单元B,偶极子单元A和B均由介质基板以及印刷在介质基板上的偶极子、延迟线和金属贴片组成,但是偶极子单元A和偶极子单元B的偶极子放置方向相反,使两者的交叉极化电场相位相差180°;偶极子单元A和偶极子单元B以行或列为单元交替放置在反射天线阵列中,或者在以偶极子单元A为基础的反射天线阵列中插入几行或者几列偶极子单元B,或者在以偶极子单元B为基础的反射天线阵列中插入几行或者几列偶极子单元A。
本发明的有益效果是:
本发明所公开的天线阵列可以在不影响主极化电场分量的情况下大大降低反射阵列的交叉极化电场分量。
附图说明
图1是本发明实施例1所公开偶极子单元A和B的结构示意图;
图2a是本发明实施例1所公开偶极子单元A的交叉极化电场示意图;
图2b是本发明实施例1所公开偶极子单元A的主极化电场示意图;
图3a是本发明实施例1所公开偶极子单元B的交叉极化电场示意图;
图3b是本发明实施例1所公开偶极子单元B的主极化电场示意图;
图4是现有常规形式下紧耦合偶极子反射天线阵列的布局图;
图5是本发明实施例1所公开以行为单位偶极子单元A和B交替排布的紧耦合偶极子天线阵列布局图;
图6是本发明实施例1所公开以行为单位偶极子单元A天线阵列中插入特定行数的偶极子单元B的紧耦合偶极子天线阵列布局图;
图7是三种不同布局形式下紧耦合偶极子天线阵列的交叉极化结果图;
图8是三种不同布局形式下紧耦合偶极子天线阵列的增益结果图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图和实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
实施例1,本实施例公开了一种紧耦合偶极子反射天线阵列,包括偶极子单元A和偶极子单元B,如图1所示,偶极子单元A和B均由介质基板4以及印刷在介质基板上的偶极子1(贴片形式)、延迟线2(达到时延效果)和金属贴片3组成,但是偶极子单元A和偶极子单元B的偶极子放置方向相反(呈180°翻转),使两者的交叉极化电场相位相差180°;偶极子单元A和偶极子单元B以行或列为单元交替放置在反射天线阵列中,或者在以偶极子单元A为基础的反射天线阵列中插入几行或者几列偶极子单元B,或者在以偶极子单元B为基础的反射天线阵列中插入几行或者几列偶极子单元A。
如图2a,2b所示,偶极子单元A在入射波照射下,其产生的交叉极化电场方向朝向纸张上方,主极化电场方向朝向纸张左侧。
如图3a,3b所示,偶极子单元B在入射波照射下,其产生的交叉极化电场方向朝向纸张下方,主极化电场方向朝向纸张左侧。
对比图2a、3a和图2b、3b后,可以看出偶极子单元A和B产生的交叉极化电场方向反向,即它们的交叉极化的电场具有相反的相位;但是偶极子单元A和B产生的主极化电场方向同向,即它们的主极化的电场具有相同的相位。
对于反射阵天线,假设其主波束方向是沿z坐标轴方向,交叉极化和主极化方向分别沿x坐标轴方向和y坐标轴方向。再假如紧耦合偶极子反射阵列中偶极子单元A的紧耦合沿x坐标轴放置,我们将该紧耦合偶极子单元两个振子臂沿其中心翻转180°放置,称之为偶极子单元B,那么可以得到两种不同形式的偶极子单元A和B。
偶极子单元A和B的特征在于它们的交叉极化电场反向,即其电场相位相差180°;而它们的主极化电场同向,即其电场具有相同的相位。
对于一个反射阵列表面的单元而言,满足以下公式:
其中:表示反射阵列单元反射波的交叉极化电场分量,表示反射阵列反射波的主极化电场分量,表示入射波的交叉极化电场分量,表示入射波的主极化电场分量;Γxp-xp表示反射阵列单元的交叉极化分量的反射系数,Γxp-cp表示反射阵列单元的入射主极化分量到反射交叉极化分量的传输系数,Γcp-xp表示反射阵列单元的入射交叉极化分量到反射主极化分量的传输系数,Γcp-cp表示反射阵列单元的主极化分量的反射系数。
可以推断出由于两种不同形式的紧耦合偶极子单元A和B是180°反向放置的,所以Γxp-cp(A)和Γxp-cp(B)具有相反的相位,而Γcp-cp(A)和Γcp-cp(B)具有相同的相位。
如果单元A和B是各项同性材料的话,它们是互易的,即:
Γcp-cp(A)=Γcp-cp(B)
Γxp-cp(A)=-Γxp-cp(B)
Γcp-xp(A)=-Γcp-xp(B)
Γxp-xp(A)=Γxp-xp(B)
将得到的反射系数的公式带入电场等式中得到:
那么容易得到:
从而可以得出:
相似地可以得出:
在得到的新反射阵列电场公式组中可以将其对于单元A和B的公式相加得到:
通过以上公式的推导,经过比较可以看出,比少了一项这是对于交叉极化贡献最大的部分;和是相等的。所以可以得出结论,如果在同一个反射阵列天线中同时存在单元A和单元B的话,交叉极化分量将会被大大地降低而不会影响主极化的分量。
基于此推论,在同一个反射阵列中能够同时存在两种单元A和B,其交叉极化电场分量反相而主极化电场分量同相,就能提高紧耦合偶极子反射天线阵列的极化纯度。一般情况下,在一种反射阵列天线中只存在单元A或者单元B,如图4所示;那么可以按照图5或者图6所示的布局设计反射阵列天线,即单元A和单元B以行或列为单元交替放置在反射阵列中或者在以单元A为基础的反射阵列中插入几行或者几列单元B(反之亦可)。
图4是常规形式下紧耦合偶极子反射天线阵列的布局图,即只有一种偶极子单元A,采用N×N单元的形式排列成一个反射阵列。
图5是以行为单位偶极子单元A、B交替排布的紧耦合偶极子天线阵列布局图,可以看出该反射阵列的第一行全部是偶极子单元B,第二行全部是偶极子单元A,以此类推,向下排列成一个N×N单元的反射阵列。
图6是以行为单位偶极子单元A天线阵列中插入特定行数的偶极子单元B的紧耦合偶极子天线阵列布局图,可以看出该反射阵列的前M行全部是偶极子单元A,接下来第M+1行至第M+3行全部是偶极子单元B,然后第M+4行至第N行全部是偶极子单元A,排列成一个N×N单元的反射阵列。
图7是图4—图6三种不同布局形式下紧耦合偶极子天线阵列的交叉极化结果图。曲线a是图4所示布局下的紧耦合偶极子天线阵列,曲线b是图5所示布局下的紧耦合偶极子天线阵列,曲线c是图6所示布局下的紧耦合偶极子天线阵列。
可以看出,图5和图6展示出的反射阵列偶极子单元布局在入射波照射下一定频率范围内的交叉极化分量要比图4展示出的常规反射阵列偶极子单元布局的交叉极化分量要小的多,即得出结论:图5和图6展示出的反射阵列偶极子单元布局能够大大提升紧耦合偶极子反射阵列天线的极化纯度。
图8是图4—图6三种不同布局形式下紧耦合偶极子天线阵列的增益结果图。可以看出,图5和图6展示出的反射阵列偶极子单元布局在入射波照射下一定频率范围内的增益与图4展示出的常规反射阵列偶极子单元布局的增益相差无几,即得出结论:图5和图6展示出的反射阵列偶极子单元布局在大大提升紧耦合偶极子反射阵列天线的极化纯度的同时并不影响其天线阵列的增益。
Claims (1)
1.一种紧耦合偶极子反射天线阵列,其特征在于:包括偶极子单元A和偶极子单元B,偶极子单元A和B均由介质基板以及印刷在介质基板上的偶极子、延迟线和金属贴片组成,但是偶极子单元A和偶极子单元B的偶极子放置方向相反,使两者的交叉极化电场相位相差180°;偶极子单元A和偶极子单元B以行或列为单元交替放置在反射天线阵列中,或者在以偶极子单元A为基础的反射天线阵列中插入几行或者几列偶极子单元B,或者在以偶极子单元B为基础的反射天线阵列中插入几行或者几列偶极子单元A。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20200417 |
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