CN111025786B - 像素结构及其制造方法 - Google Patents

Abstract

一种像素结构包含基板、栅极线、数据线、开关元件、第一导电结构及第二导电结构。数据线具有第一部分及第二部分，且第一与第二部分之间夹钝角。第一导电结构包含第一主干部、第二主干部及第一分支部。第一及第二主干部各自具有第一及第二部分，且第一及第二部分分别在第三及第四方向上延伸。第一分支部连接第一及第二主干部，且第一分支部的宽度由第一主干部至第二主干部逐渐减小。第二导电结构包含第三主干部、第四主干部、第二分支部及第三分支部。第三及第四主干部分别与第一及第二主干部重叠。第二及第三分支部连接第三及第四主干部。

Description

像素结构及其制造方法

技术领域

本发明是有关于一种像素结构及像素结构的制造方法。

背景技术

随着电竞市场的崛起，使用者对于显示屏幕的画面品质及画面切换的响应速度锱铢必较。为因应目前市场的需求，业者致力于发展广视角及快速响应的显示屏幕，以满足使用者在视觉上的体验。

在使用者对于显示屏幕的规格及产品数量的需求不断提升的情况下，有效缩短产品的开发时间显得格外重要。然而，在显示屏幕的生产过程中，一套全新的光罩从开发至产出需耗费数个月的时间，使得显示屏幕在产品开发及产能上受到严重的限制。因此，如何同时满足使用者的需求并有效缩短产品的开发时间及增加产能是目前亟需解决的课题。

发明内容

本发明发一技术方案为一种像素结构。

根据本发明一实施方式，一种像素结构包含基板、栅极线、数据线、开关元件、第一导电结构及第二导电结构。栅极线位于基板上方且具有栅极线延伸方向。数据线位于基板上方且与栅极线交错，且数据线具有第一部分及第二部分。数据线的第一部分在第一方向上延伸，数据线的第二部分在第二方向上延伸，且第一部分与第二部分之间夹钝角。开关元件位于基板上方，且与栅极线及数据线电性连接。第一导电结构位于栅极线及数据线上方，且第一导电结构包含第一主干部、第二主干部及第一分支部。第一主干部具有第一部分及第二部分，第一主干部的第一部分在第三方向上延伸，第一主干部的第二部分在第四方向上延伸，且第三方向与第四方向不同。第二主干部具有第一部分及第二部分，第二主干部的第一部分在第三方向上延伸，且第二主干部的第二部分在第四方向上延伸。第一分支部连接第一主干部及第二主干部，且第一分支部在垂直栅极线延伸方向上的宽度由第一主干部至第二主干部逐渐减小。第二导电结构位于第一导电结构上方，且与第一导电结构分离。第一导电结构或第二导电结构与开关元件电性连接，且第二导电结构包含第三主干部、第四主干部、第二分支部及第三分支部。第三主干部及第四主干部在垂直基板方向上分别与第一主干部及第二主干部重叠。第二分支部及第三分支部连接第三主干部及第四主干部。

在本发明一实施方式中，第二分支部具对称轴，且第二分支部的对称轴的延伸方向与第一方向垂直，且第二分支部在垂直对称轴的延伸方向上的宽度由第三主干部至第四主干部逐渐减小又逐渐增加。

在本发明一实施方式中，钝角大于等于150°且小于等于170°。

在本发明一实施方式中，第三方向平行第一方向，且第四方向平行第二方向。

在本发明一实施方式中，第一分支部具有对称轴，且第一分支部的对称轴延伸通过钝角的顶点。

在本发明一实施方式中，第一导电结构更包含第四分支部，且第四分支部连接第一主干部及第二主干部，且在平行基板方向上第二分支部位于第一分支部与第四分支部之间，且第四分支部具对称轴，且第四分支部在垂直第四分支部的对称轴的延伸方向的宽度由第一主干部至第二主干部逐渐增加又逐渐减少。

在本发明一实施方式中，第一分支部位于第二分支部与第三分支部之间，且第一分支部面对第二分支部的侧边平行于第二分支部面对第一分支部的侧边，且第一分支部面对第三分支部的侧边平行于第三分支部面对第一分支部的侧边。

在本发明一实施方式中，第二导电结构更包含第五分支部，且第五分支部位于第二分支部或第三分支部与栅极线之间，且连接第三主干部及第四主干部，且第五分支部具有对称轴垂直延伸通过数据线。

在本发明一实施方式中，第五分支部在垂直第五分支部的对称轴的延伸方向的宽度由第三主干部至第四主干部逐渐减小又逐渐增加。

在本发明一实施方式中，第五分支部在垂直第五分支部的对称轴的延伸方向的宽度由第三主干部至第四主干部维持不变。

在本发明一实施方式中，第一导电结构或第二导电结构为透明导电层，且像素结构更包含遮罩层，遮罩层位于基板与开关元件之间，且遮罩层与透明导电层重叠。

在本发明一实施方式中，第一导电结构或第二导电结构为金属层。

本发明的一技术方案为一种像素结构的制造方法。

根据本发明一实施方式，一种像素结构的制造方法包含：使用光罩组形成开关元件、栅极线和数据线于基板上方，且栅极线与开关元件电性连接，且数据线与栅极线交错并与开关元件电性连接；于第一驱动模式时，使用第一像素电极光罩形成第一模式像素电极于栅极线、数据线及开关元件上方；以及于第二驱动模式时，使用第二像素电极光罩形成第二模式像素电极于栅极线、数据线及开关元件上方。

在本发明一实施方式中，数据线具有第一部分及第二部分，且第一部分在第一方向上延伸，且第二部分在第二方向上延伸，且第一部分与第二部分之间夹钝角。

在本发明一实施方式中，形成第一模式像素电极包含：使用第一光罩形成第一导电结构，其中第一导电结构位于栅极线及数据线上方；以及使用第二光罩形成第二导电结构，其中第二导电结构位于第一导电结构上方并与第一导电结构分离，且第一导电结构或第二导电结构与开关元件电性连接。第一导电结构包含第一主干部、第二主干部及第一分支部。第一主干部具有第一部分及第二部分，第一主干部的第一部分在第三方向上延伸，第一主干部的第二部分在第四方向上延伸，且第三方向与第四方向不同。第二主干部具有第一部分及第二部分，第二主干部的第一部分在第三方向上延伸，且第二主干部的第二部分在第四方向上延伸。第一分支部连接第一主干部及第二主干部，且第一分支部在垂直栅极线延伸方向上的宽度由第一主干部至第二主干部逐渐减小。第二导电结构包含第三主干部、第四主干部、第二分支部及第三分支部。第三主干部及第四主干部在垂直基板方向上分别与第一主干部及第二主干部重叠。第二分支部及第三分支部连接第三主干部及第四主干部。

在本发明一实施方式中，形成第二模式像素电极包含：使用第三光罩形成第一导电结构，其中第一导电结构位于栅极线及数据线上方，且第一导电结构具有第一部分及第二部分，且第一导电结构的第一部分在第三方向上延伸，且第一导电结构的第二部分在第四方向上延伸，且第三方向与第四方向不同；以及使用第四光罩形成第二导电结构，其中第二导电结构位于第一导电结构上方并与第一导电结构分离，且第一导电结构或第二导电结构与开关元件电性连接，且第二导电结构包含多个主干部，且主干部在平行基板方向上排列，且主干部具有第一部分及第二部分，且主干部的第一部分在第三方向上延伸，且主干部的第二部分在第四方向上延伸，且主干部之间具有多个间隙，且第一导电结构由间隙显露。

根据本揭露上述实施方式，像素结构的数据线具有第一部分及第二部分，数据线的第一部分在第一方向上延伸，数据线的第二部分在第二方向上延伸，且第一部分与第二部分之间夹钝角。此外，像素结构还具有蜂巢状(honeycomb)的第一导电结构及第二导电结构交错排列在栅极线与数据线上方。结合上述特征的像素结构可使液晶往多个特定方向旋转，进而将液晶分成多个定义域(domain)，以提升对比度及减少色彩偏差，并提升像素结构的反应速度。此外，由于在制造具有上述特征的像素结构时，可共用大部分目前量产的光罩，不需重新设计一整套全新的光罩，因此大量减少制造光罩的成本与时间以及制程换线的产能，达到光罩精简化的目的。如此一来，便可同时达到满足使用者的需求并有效缩短产品的开发时间及增加产能的目的。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1为根据本发明一实施方式的像素结构的上视图。

图2为图1的像素结构的局部放大图。

图3为图1的像素结构的局部放大图。

图4为根据本发明一实施方式的两个像素结构的上视图。

图5为图1的像素结构的一实施方式的剖面图。

图6为图1的像素结构的另一实施方式的剖面图。

图7为根据本发明的像素结构的另一实施方式的局部放大图。

图8为根据本发明的像素结构的另一实施方式的剖面图。

图9为根据本发明的像素结构的另一实施方式的剖面图。

图10为根据本发明另一实施方式的像素结构的上视图。

图11为图10的像素结构的局部放大图。

图12为图10的像素结构的一实施方式的剖面图。

图13为图10的像素结构的另一实施方式的剖面图。

图14为根据本发明另一实施方式的像素结构的上视图。

图15为根据本发明一实施方式的像素结构的制造方法的流程图。

图16A、图16B、图16C为根据本发明一实施方式的像素结构的制造方法在不同步骤的示意图。

图17A、图17B、图17C为根据本发明一实施方式的像素结构的制造方法在不同步骤的示意图。

其中，附图标记：

100、100a：像素结构

120：基板

130：开关元件

130P：通道层

130S：源极

130G：栅极

130D：漏极

140：第一导电结构

140a：第一主干部

140aa：第一部分

140ab：第二部分

140b：第二主干部

140ba：第一部分

140bb：第二部分

140c：第一分支部

140d：第四分支部

140e：第五主干部

140ea：第一部分

140eb：第二部分

150：第二导电结构

150a：第三主干部

150b：第四主干部

150c：第二分支部

150d：第三分支部

200：像素结构

230：开关元件

230P：通道层

230S：源极

230G：栅极

230D：漏极

240：第一导电结构

240a：第一部分

240b：第二部分

250：第二导电结构

252：主干部

252a：第一部分

252b：第二部分

D1、D1'：第一方向

D2、D2'：第二方向

D3、D3'：第三方向

D4、D4'：第四方向

L1～L4：对称轴

W1～W5：宽度

S1～S8：侧边

θ、θ'：钝角

P：顶点

M1：第一驱动模式

M2：第二驱动模式

R1、R2：区域

GL、GL'：栅极线

DL、DL'：数据线

DL1、DL'1：第一部分

DL2、DL'2：第二部分

GD：栅极线延伸方向

HD：水平方向

SM：遮罩层

BL：缓冲层

GI：栅极介电层

ID：介电层

PL：钝化层

BP：绝缘层

S100、S100a、S100aa、S100ab、S200、S200a、S200aa、S200ab：步骤

具体实施方式

下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述：

以下将以附图揭露本发明多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些习知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示。

应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件「上」或「连接至」另一元件时，其可以直接在另一元件上或与另一元件连接，或者中间元件可以也存在。相反，当元件被称为「直接在另一元件上」或「直接连接至」另一元件时，不存在中间元件。如本文所使用的，「连接"可以指物理和/或电性连接。再者，「电性连接」或「耦合」可为二元件间存在其它元件。

应当理解，尽管术语「第一」、「第二」、「第三」等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。因此，下面讨论的「第一元件」、「部件」、「区域」、「层」或「部分」可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分而不脱离本文的教导。

此外，诸如「下」或「底部」和「上」或「顶部」的相对术语可在本文中用于描述一个元件与另一元件的关系，如图所示。应当理解，相对术语旨在包括除了图中所示的方位之外的装置的不同方位。例如，如果一个附图中的装置翻转，则被描述为在其他元件的「下」侧的元件将被定向在其他元件的「上」侧。因此，示例性术语「下」可以包括「下」和「上」的取向，取决于附图的特定取向。类似地，如果一个附图中的装置翻转，则被描述为在其它元件「下方」或「下方」的元件将被定向为在其它元件「上方」。因此，示例性术语「下面」或「下面」可以包括上方和下方的取向。

图1为根据本发明一实施方式发像素结构100的上视图。图2为图1的像素结构100的区域R1的局部放大图。应了解到，为了清楚起见，图1的像素结构100省略部分元件，而仅示出栅极线GL、数据线DL、开关元件130、第一导电结构140及第二导电结构150。参阅图1，像素结构100包含基板120(未于图1中示出)、栅极线GL、数据线DL、开关元件130、第一导电结构140及第二导电结构150。栅极线GL位于基板120上方且具有栅极线延伸方向GD。数据线DL位于基板120上方且与栅极线GL交错。开关元件130位于基板120上方，且与数据线DL及栅极线GL电性连接。第二导电结构150位于第一导电结构140上方。具体来说，开关元件130可包含通道层130P(包含通道区、源极掺杂区及漏极掺杂区)、源极130S、漏极130D及栅极130G，且数据线DL可电性连接至开关元件130的源极130S，而栅极线GL可电性连接至开关元件130的栅极130G。

同时参阅图1及图2，数据线DL具有第一部分DL1及第二部分DL2。数据线DL的第一部分DL1在第一方向D1上延伸，数据线DL的第二部分DL2在第二方向D2上延伸，且第一部分DL1与第二部分DL2之间夹钝角θ。在本实施方式中，钝角θ大于等于150°且小于等于170°，但并不用以限制本发明。在较佳的实施方式中，钝角θ大于等于160°且小于等于170°。

同时参阅图1及图2，第一导电结构140包含第一主干部140a、第二主干部140b及第一分支部140c。第一主干部140a具有第一部分140aa及第二部分140ab，且第二主干部140b也具有第一部分140ba及第二部分140bb。第一主干部140a的第一部分140aa及第二主干部140b的第一部分140ba在第三方向D3上延伸，第一主干部140a的第二部分140ab及第二主干部140b的第二部分140bb在第四方向D4上延伸，且第三方向D3与第四方向D4不同。在本实施方式中，第三方向D3平行于第一方向D1，且第四方向D4平行于第二方向D2。也就是说，第一主干部140a的第一部分140aa与第二部分140ab之间所夹的角度及第二主干部140b的第一部分140ba与第二部分140bb之间所夹的角度可与钝角θ相同，但并不用以限制本发明。在其他实施方式中，第一方向D1、第二方向D2、第三方向D3及第四方向D4可各自为不同方向。

同时参阅图1及图2，第一分支部140c连接第一主干部140a及第二主干部140b，且第一分支部140c具有对称轴L1，且对称轴L1延伸通过数据线DL的第一部分DL1及第二部分DL2所夹之钝角θ的顶点P。此外，对称轴L1的延伸方向平行于栅极线延伸方向GD。在本实施方式中，第一分支部140c在垂直栅极线延伸方向GD(即垂直对称轴L1的延伸方向)上的宽度W1由第一主干部140a至第二主干部140b部逐渐减小。也就是说，在垂直栅极线延伸方向GD上，第一分支部140c在对称轴L1的延伸方向的两侧具有相同的宽度，且两侧的宽度皆由第一主干部140a至第二主干部140b逐渐减小。

同时参阅图1及图2，在本实施方式中，第一导电结构140还可包含第四分支部140d，且第四分支部140d连接第一主干部140a及第二主干部140b。第四分支部140d具对称轴L2，且对称轴L2的延伸方向与第一方向D1垂直。第四分支部140d在垂直对称轴L2之延伸方向上的宽度W2由第一主干部140a至第二主干部140b逐渐增加又逐渐减少。此外，第一分支部140c面对第四分支部140d的侧边S1平行于第四分支部140d背对第一分支部140c的侧边S2。

同时参阅图1及图2，第二导电结构150包含第三主干部150a、第四主干部150b、第二分支部150c及第三分支部150d。第三主干部150a及第四主干部150b在垂直基板方向上分别与第一主干部140a及第二主干部140b重叠。应了解到，此处的「垂直基板方向」是指由图1的视角(即上视角度)所观察的方向。也就是说，若从侧视角度(即垂直于上视角度的角度)观察，可见第三主干部150a位于第一主干部140a的正上方，而第四主干部150b位于第二主干部140b的正上方。在本实施方式中，第三主干部150a于基板120上的垂直投影面积小于第一主干部140a于基板120上的垂直投影面积，而第四主干部150b于基板120上的垂直投影面积与第二主干部140b于基板120上的垂直投影面积完全重叠，但并不用以限制本揭露。在其他实施方式中，第一主干部140a、第二主干部140b、第三主干部150a及第四主干部150b于基板120上的垂直投影面积可依设计者的需求而定。

同时参阅图1及图2，第二分支部150c及第三分支部150d连接第三主干部150a及第四主干部150b。第一分支部140c在平行基板方向上位于第二分支部150c与第三分支部150d之间，且第二分支部150c在平行基板方向上位于第一分支部140c与第四分支部140d之间。应了解到，此处的「平行基板方向」是指垂直于图1的视角(即侧视角度)并由数据线DL之第一部分DL1至数据线DL的第二部分DL2的方向。也就是说，在平行基板方向上，第二分支部150c及第三分支部150d分别位于第一分支部140c的对称轴L1的延伸方向的相对两侧。此外，第二分支部150c具有对称轴L3，且对称轴L3的延伸方向与第一方向D1垂直，且第二分支部150c在垂直对称轴L3的延伸方向上的宽度W3由第三主干部150a至第四主干部150b逐渐减小又逐渐增加。类似于第二分支部150c的结构配置，第三分支部150d具有对称轴L4，且对称轴L4的延伸方向与第二方向D2垂直，且第二分支部150c在垂直对称轴L4的延伸方向上的宽度W4由第三主干部150a至第四主干部150b逐渐减小又逐渐增加。

同时参阅图1及图2，第一分支部140c面对第二分支部150c的侧边S3(在本实施方式中，等同于第一分支部140c面对第四分支部140d的侧边S1，即S1＝S3)平行于第二分支部150c面对第一分支部140c的侧边S4，且第一分支部140c面对第三分支部150d的侧边S5平行于第三分支部150d面对第一分支部140c的侧边S6。此外，第二分支部150c面对第四分支部140d的侧边S7平行于第四分支部140d面对第二分支部150c的侧边S8。

同时参阅图1及图2，第一导电结构140还可包含位于第一主干部140a与第二主干部140b之间的第五主干部140e。第五主干部140e的延伸方向平行于第一主干部140a与第二主干部140b的延伸方向。也就是说，第五主干部140e可包含第一部分140ea及第二部分140eb，第一部分140ea沿第三方向D3延伸，且第二部分140eb沿第四方向D4延伸。在本实施方式中，由于第三方向D3平行于第一方向D1，且第四方向D4平行于第二方向D2，因此第五主干部140e的第一部分140ea平行于数据线DL的第一部分DL1，而第五主干部140e的第二部分140eb平行于数据线DL的第二部分DL2。也就是说，第五主干部140e的延伸方向除了平行于第一主干部140a与第二主干部140b的延伸方向之外，还平行于数据线DL的延伸方向，但并不用以限制本发明。在其他实施方式中，第五主干部140e的延伸方向可仅平行于第一主干部140a与第二主干部140b的延伸方向，而不平行于数据线DL的延伸方向。

同时参阅图1及图2，在本实施方式中，第一分支部140c在垂直栅极线延伸方向GD上的宽度W1由第一主干部140a至第五主干部140e以较小的幅度逐渐减小；而在第一分支部140c通过第五主干部140e后，第一分支部140c在垂直栅极线延伸方向GD上的宽度W1由第五主干部140e至第二主干部140b以较大的幅度逐渐减小。然而，在其他实施方式中，第一分支部140c在垂直栅极线延伸方向GD上的宽度W1可由第一主干部140a至第二主干部140b等幅度逐渐减小，不因通过第五主干部140e而改变宽度W1减小的幅度。

同时参阅图1及图2，当以图1的视角(即上视角度)观察时，可见第二分支部150c在垂直对称轴L3的延伸方向上的宽度W3由第三主干部150a(第一主干部140a)至第五主干部140e逐渐减小，而第二分支部150c在垂直对称轴L3的延伸方向上的宽度W3由第五主干部140e至第四主干部150b(第二主干部140b)又逐渐增加。同理，第二分支部150c在垂直对称轴L4的延伸方向上的宽度W4由第三主干部150a(第一主干部140a)至第五主干部140e逐渐减小，而第二分支部150c在垂直对称轴L4的延伸方向上的宽度W4由第五主干部140e至第四主干部150b(第二主干部140b)又逐渐增加。

图3为图1的像素结构100的区域R2的局部放大图。同时参阅图1及图3，在本实施方式中，第二导电结构150还可包含第五分支部150e，且第五分支部150e位于第二分支部150c或第三分支部150d与栅极线GL之间。也就是说，相对于第一分支部140c，栅极线GL可设置于与第二分支部150c同一侧的位置和/或与第三分支部150d同一侧的位置。具体来说，当栅极线GL设置在相对于第一分支部140c与第二分支部150c同一侧的位置时，第五分支部150e可位于第二分支部150c与栅极线GL之间；当栅极线GL设置在相对于第一分支部140c与第三分支部150d同一侧的位置时，第五分支部150e可位于第三分支部150d与栅极线GL之间。此外，当第五分支部150e位于第二分支部150c与栅极线GL之间时，第五分支部150e也同时位于第四分支部140d与栅极线GL之间。

同时参阅图1及图3，在本实施方式中，第五分支部150e连接第三主干部150a及第四主干部150b，且第五分支部150e具有对称轴L5，且对称轴L5延伸通过数据线DL。在本实施方式中，第五分支部150e在垂直对称轴L5的延伸方向的宽度W5由第三主干部150a至第四主干部150b维持不变。在其他实施方式中，第五分支部150e在垂直对称轴L5的延伸方向的宽度W5可类似于第二分支部150c的宽度W3(参见图2)及第三分支部150d的宽度W4(参见图2)，即宽度W5由第三主干部150a(第一主干部140a)至第五主干部140e逐渐减小，而由第五主干部140e至第四主干部150b(第二主干部140b)又逐渐增加。

图4为根据本发明一实施方式的两个像素结构100的上视图。同时参阅图3及图4，在本发明另一实施方式中，栅极线GL的栅极线延伸方向GD可实质上与第五分支部150e的对称轴L5的延伸方向平行。也就是说，当两个以上的像素结构100沿水平方向HD排列时，栅极线GL延伸经过多个像素结构100而随着第五分支部150e的对称轴L5的延伸方向延伸，以形成锯齿状(zigzag)的结构配置(参见图4的栅极线GL)，但并不用以限制本发明，例如栅极线GL也可始终在水平方向HD上延伸。

图5为根据本发明一实施方式的图1的像素结构100沿线段a-a的剖面图。同时参阅图1与图5，像素结构100包含基板120、遮罩层SM、缓冲层BL、栅极介电层GI、介电层ID、钝化层PL及绝缘层BP。遮罩层SM设置于基板120上方，且缓冲层BL覆盖遮罩层SM。开关元件130的通道层130P设置于基板120与缓冲层BL上方。栅极线GL(栅极130G)设置于基板120上方。通道层130P中被栅极130G覆盖的区域为通道区。栅极介电层GI设置于开关元件130的通道层130P与栅极130G之间。介电层ID覆盖栅极线GL(栅极130G)。数据线DL及开关元件的源极130S与漏极130D设置于介电层ID上方。钝化层PL覆盖数据线DL及开关元件的源极130S与漏极130D。第一导电结构140设置于钝化层PL上方，且第二导电结构150位于第一导电结构140上方并与第一导电结构140分离。此外，栅极介电层GI、介电层ID、钝化层PL及绝缘层BP设有一个以上的通孔，以使得第一导电结构140或第二导电结构150电性连接至开关元件130的漏极130D。在图5的像素结构100中，第一导电结构140与开关元件130的漏极130D电性连接，此时第一导电结构140为像素电极，而第二导电结构150为共通电极。

图6为本发明另一实施方式的图1的像素结构100的剖面图，其剖面位置同图1中的线段a-a。同时参阅图1与图6，在图6的像素结构100中，第二导电结构150与开关元件130的漏极130D电性连接，此时第一导电结构140为共通电极，而第二导电结构150为像素电极。在本实施方式中，共通电极电性连接至共通电位源(例如接地电位)以提供稳定的电压。此外，可在第一导电结构140与第二导电结构150之间设置绝缘层BP，以电性绝缘第一导电结构140与第二导电结构150。应了解到，在本实施方式中，像素结构100可省略部分上述的层或实质上包含更多层，依设计者的需求而定，并不用以限制本发明。

图7为根据本发明的像素结构100a的另一实施方式的局部放大图，其位置同图1的区域R1。图8为根据本发明一实施方式的图1的像素结构100a的另一实施方式的剖面图，其剖面位置同图1中的线段a-a。图7与图8发像素结构100a与前述的像素结构100的差异主要在于：像素结构100的遮罩层SM至少与第一导电结构140于垂直基板方向上重叠，而像素结构100a的遮罩层SM至少与第二导电结构150于垂直基板方向上重叠。图9为本发明的像素结构100a又一实施方式的剖面图，其与图8的像素结构100a的差异主要在于：图8的像素结构100a的开关元件130的漏极130D与第一导电结构140电性连接，而图9的像素结构100a的开关元件130的漏极130D与第二导电结构150电性连接。也就是说，图8的像素结构100a的遮罩层SM与图9的像素结构100a的遮罩层SM皆至少与第二导电结构150于垂直基板方向上重叠。

在图7至图9的实施方式中，第一导电结构140或第二导电结构150可为透明导电层，例如透明导电氧化物(transparent conductive oxide,TCO)。举例来说，透明导电氧化物可为金属氧化物(例如铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、其他合适的氧化物或上述至少两者的堆叠)。当第一导电结构140或第二导电结构150为透明导电层时，像素结构100的遮罩层SM至少与第一导电结构140或第二导电结构150重叠，遮罩层SM位于基板120与开关元件130之间且具有遮光的功能。举例来说，当第一导电结构140为透明导电层时，遮罩层SM至少与第一导电结构140于垂直基板方向上重叠(如像素结构100)；当第二导电结构150为透明导电层时，遮罩层SM至少与第二导电结构150于垂直基板方向上重叠(如像素结构100a)。如此一来，便可防止像素结构100、100a产生漏光的现象，以提升色彩纯度与色泽的对比度。在本实施方式中，遮罩层SM可由包含金属的材料制成，但并不用以限制本发明。

藉由以上结构配置，像素结构100、100a具有蜂巢状(honeycomb)的第一导电结构140及第二导电结构150交错排列在栅极线GL与数据线DL上方。藉由对称结构及蜂巢状结构的配置，第一导电结构140与第二导电结构150之间的电场可使液晶往多个特定方向旋转，进而将液晶分成多个定义域(domain)，以提升对比度及减少色彩偏差，并提升像素结构100的反应速度，以满足使用者的需求。

图10为根据本发明另一实施方式发像素结构100b的上视图。图11为图10的像素结构100b的区域R1的局部放大图。类似于图1，为了清楚起见，图10的像素结构100b省略部分元件，而仅示出栅极线GL、数据线DL、开关元件130(包含通道层130P、源极130S、漏极130D及栅极130G)、第一导电结构140及第二导电结构150。同时参阅第图10及图11，像素结构100b与像素结构100、100a的差异在于：像素结构100b的遮罩层SM仅至少与通道层130P的通道区于垂直基板方向上重叠。

图12为根据本发明一实施方式的图10的像素结构100b沿线段b-b的剖面图。图13为根据本发明另一实施方式的图10的像素结构100b的剖面图，其剖面位置同图10中的线段b-b。同时参阅图12及图13，在像素结构100b中，第一导电结构140或第二导电结构150为金属层。由于金属层本身除了具有驱动液晶及导电功能外，还可达到遮光的效果，因此当第一导电结构140或第二导电结构150为金属层时，像素结构100b的遮罩层SM仅至少与通道层130P的通道区于垂直基板方向上重叠，也就是说，可省去位于基板120与开关元件130之间且与第一导电结构140或第二导电结构150重叠部分的遮罩层SM。在本实施方式中，由于金属层的阻抗小于透明导电层，因此像素结构100b可具有较佳的电性表现，使得液晶的反应速度得以提升。此外，由于省去了部分的遮罩层SM，因此可减少制作遮罩层SM所需的光罩的成本与时间以及制程换线的产能，以达到光罩精简化的目的。

图14为根据本发明另一实施方式的像素结构200的上视图。像素结构200与像素结构100同样具有基板、开关元件230(包含通道层230P、源极230S、漏极230D及栅极230G)、栅极线GL'及数据线DL'，且其结构配置与像素结构100相同，于此便不重复赘述。此外，数据线DL'同样具有第一部分DL'1及第二部分DL'2，且第一部分在DL'1第一方向D1'上延伸，且第二部分DL'2在第二方向D2'上延伸，且第一部分DL'1与第二部分DL'2之间夹钝角θ'。在本实施方式中，数据线DL'的第一部分DL'1及第二部分DL'2可实质等同于像素结构100中的数据线DL的第一部分DL1及第二部分DL2，第一方向D1'及第二方向D2'可实质等同于第一方向D1及第二方向D2，且钝角θ可实质等同于钝角θ'，但并不用以限制本发明。

参阅图14，像素结构200与像素结构100相异之处在于第一导电结构240及第二导电结构250的结构配置。第一导电结构240具有第一部分240a及第二部分240b，且第一导电结构240的第一部分240a在第三方向D3'上延伸，且第一导电结构240的第二部分240b在第四方向D4'上延伸，且第三方向D3'及第四方向D4'不同。在本实施方式中，第三方向D3'及第四方向D4'可实质等同于第三方向D3及第四方向D4，但并不用以限制本发明。此外，第二导电结构250位于第一导电结构240上方并与第一导电结构240分离。第一导电结构240或第二导电结构250与开关元件230电性连接，且第二导电结构250包含多个主干部252，在平行基板方向上排列。主干部252具有第一部分252a及第二部分252b，第一部分252a在第三方向D3'上延伸，且第二部分252b在第四方向D4'上延伸。主干部252之间具有多个间隙D，且第一导电结构240由间隙D显露。

应了解到，已叙述过的元件连接关系、材料与功效将不再重复赘述，合先叙明。在以下叙述中，将说明像素结构100、200的制造方法。

图15为根据本发明一实施方式发像素结构100、200的制造方法的流程图。图16A为根据本发明一实施方式的像素结构100的制造方法在步骤S100的示意图。图17A为根据本发明一实施方式的像素结构200的制造方法在步骤S100的示意图。同时参阅图15、图16A及图17A，在本实施方式中，像素结构100(200)的制造方法始于步骤S100：使用光罩组形成开关元件130(230)、栅极线GL(GL')、数据线DL(DL')、遮罩层SM、缓冲层BL、栅极介电层GI、介电层ID、钝化层PL及绝缘层BP于基板上方(为了清楚起见，于图16A至图17C中省略遮罩层SM、缓冲层BL、栅极介电层GI、介电层ID、钝化层PL、绝缘层BP及基板)。栅极线GL(GL')与开关元件130(230)电性连接，且数据线DL(DL')与栅极线GL(GL')交错并与开关元件130(230)电性连接。

在本实施方式中，用以形成开关元件130(230)、栅极线GL(GL')、数据线DL(DL')、遮罩层SM、缓冲层BL、栅极介电层GI、介电层ID、钝化层PL及绝缘层BP的光罩组可为现有量产的光罩组。换句话说，在步骤S100中，尚不需使用重新开发新的光罩，即可于基板上方制成开关元件130(230)、具有第一部分DL1(DL'1)与第二部分DL2(DL'2)的数据线DL(DL')、与数据线DL(DL')交错的栅极线GL(GL')、遮罩层SM、缓冲层BL、栅极介电层GI、介电层ID、钝化层PL及绝缘层BP。

参阅图15，在执行步骤S100后，接着执行步骤S102：选择第一驱动模式M1或第二驱动模式M2。若在步骤S102中选择第一驱动模式M1，将进入步骤S110(包含步骤S112及步骤S114)：于一第一驱动模式M1时，使用第一像素电极光罩(包含第一光罩与第二光罩)形成第一模式像素电极(即第一导电结构140与第二导电结构150)于栅极线GL、数据线DL及开关元件130上方。

图16B为根据本发明一实施方式的像素结构100的制造方法在步骤S112的示意图。同时参阅图15及图16B，首先执行步骤S112：使用第一光罩形成第一导电结构140，第一导电结构140于栅极线GL及数据线DL上方，且第一导电结构140包含第一主干部140a、第二主干部140b及第一分支部140c。在本实施方式中，第一主干部140a具有第一部分140aa及第二部分140ab，第一部分140aa在第三方向D3上延伸，第二部分140ab在第四方向D4上延伸，且第三方向D3与第四方向D4不同。此外，第二主干部140b具有第一部分140ba及第二部分140bb，第一部分140ba在第三方向D3上延伸，且第二部分140bb在第四方向D4上延伸。另外，第一分支部140c连接第一主干部140a及第二主干部140b，且第一分支部140c在垂直栅极线延伸方向GD上的宽度W1由第一主干部140a至第二主干部140b逐渐减小。

图16C为根据本发明一实施方式的像素结构100的制造方法在步骤S114的示意图。同时参阅图15及图16C，在执行步骤S112后，接着执行步骤S114：使用第二光罩形成第二导电结构150，第二导电结构150位于第一导电结构140上方并与第一导电结构140分离，且第一导电结构140或第二导电结构150与开关元件130电性连接。在本实施方式中，第二导电结构150包含第三主干部150a、第四主干部150b、第二分支部150c及第三分支部150d。第三主干部150a及第四主干部150b在垂直基板方向上分别与第一主干部140a及第二主干部140b重叠。此外，第二分支部150c及第三分支部150d连接第三主干部150a及第四主干部150b。在执行步骤S114后，可形成如图16C(图1)所示的像素结构100。

回头参阅图15并回到步骤S102：选择第一驱动模式M1或第二驱动模式M2。若在步骤S102中选择第二驱动模式M2，将进入步骤S120(包含步骤S122及步骤S124)：于第二驱动模式M2时，使用第二像素电极光罩(包含第三光罩及第四光罩)形成第二模式像素电极(即第一导电结构240与第二导电结构250)于栅极线GL'、数据线DL'及开关元件230上方。

图17B为根据本发明一实施方式的像素结构200的制造方法在步骤S122的示意图。同时参阅图15及图17B，首先执行步骤S122：使用第三光罩形成第一导电结构240，且第一导电结构240位于栅极线GL'及数据线DL'上方。第一导电结构240具有第一部分240a及第二部分240b，第一部分240a在第三方向D3'上延伸，第二部分240b在第四方向D4'上延伸，且第三方向D3'与第四方向D4'不同。

图17C为根据本发明一实施方式发像素结构200的制造方法在步骤S124的示意图。同时参阅图15及图17C，在执行步骤S122后，接着执行步骤S124：使用第四光罩形成第二导电结构250，且第二导电结构250位于第一导电结构240上方并与第一导电结构240分离。第一导电结构240或第二导电结构250与开关元件230电性连接，且第二导电结构250包含多个主干部252。主干部252在平行基板方向上排列。主干部252具有第一部分252a及第二部分252b，第一部分252a在第三方向D3'上延伸，且第二部分在第四方向D4'上延伸。主干部252之间具有多个间隙D，且第一导电结构240由间隙D显露。在执行步骤S124后，可形成如图17C(图14)所示的像素结构200。

在本实施方式中，由于像素结构100的栅极线GL、数据线DL及开关元件130与像素结构200的栅极线GL'、数据线DL'及开关元件230相同，因此用以形成像素结构100的栅极线GL、数据线DL及开关元件130的光罩组与用以形成像素结构200的栅极线GL'、数据线DL'及开关元件230的光罩组也相同。如此一来，设计者可依使用者的需求决定所欲执行的后续步骤。若选择第一驱动模式M1，设计者可执行步骤S110并使用第一光罩及第二光罩以得到像素结构100；若选择第二驱动模式M2，设计者可执行步骤S120并使用第三光罩及第四光罩以得到像素结构200。如此一来，设计者在制作栅极线GL(GL')、数据线DL(DL')及开关元件130(230)时可共用大部分目前量产的光罩，而仅需于后续依第一导电结构140(240)及第二导电结构150(250)的结构配置需求重新设计部分光罩，因此大量减少制造光罩的成本与时间以及制程换线的产能，以达到光罩精简化的目的。

根据本发明上述实施方式，像素结构的数据线具有第一部分及第二部分，数据线的第一部分在第一方向上延伸，数据线的第二部分在第二方向上延伸，且第一部分与第二部分之间夹钝角。此外，像素结构还具有蜂巢状(honeycomb)的第一导电结构及第二导电结构交错排列在栅极线与数据线上方。结合上述特征的像素结构可使液晶往多个特定方向旋转，进而将液晶分成多个定义域(domain)，以提升对比度及减少色彩偏差，并提升像素结构的反应速度。此外，由于在制造具有上述特征的像素结构时，可共用大部分目前量产的光罩，不需重新设计一整套全新的光罩，因此大量减少制造光罩的成本与时间以及制程换线的产能，达到光罩精简化的目的。如此一来，便可同时达到满足使用者的需求并有效缩短产品的开发时间及增加产能的目的。

当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (15)

1.一种像素结构，其特征在于，包含：

一基板；

一栅极线，位于该基板上方，且具有一栅极线延伸方向；

一数据线，位于该基板上方且与该栅极线交错，其中该数据线具有一第一部分及一第二部分，且该第一部分在一第一方向上延伸，且该第二部分在一第二方向上延伸，且该第一部分与该第二部分之间夹一钝角；

一开关元件，位于该基板上方，且与该栅极线及该数据线电性连接；

一第一导电结构，位于该栅极线及该数据线上方，且该第一导电结构包含：

一第一主干部，具有一第一部分及一第二部分，且该第一主干部的该第一部分在一第三方向上延伸，且该第一主干部的该第二部分在一第四方向上延伸，且该第三方向与该第四方向不同；

一第二主干部，具有一第一部分及一第二部分，且该第二主干部的该第一部分在该第三方向上延伸，且该第二主干部的该第二部分在该第四方向上延伸；以及

一第一分支部，连接该第一主干部及该第二主干部，其中该第一分支部在垂直该栅极线延伸方向上的宽度由该第一主干部至该第二主干部逐渐减小；以及

一第二导电结构，位于该第一导电结构上方，且与该第一导电结构分离，其中该第一导电结构或该第二导电结构与该开关元件电性连接，且该第二导电结构包含：

一第三主干部及一第四主干部，在垂直该基板方向上分别与该第一主干部及该第二主干部重叠；以及

一第二分支部及一第三分支部，连接该第三主干部及该第四主干部。

2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第二分支部具有一对称轴，且该第二分支部的该对称轴的一延伸方向与该第一方向垂直，且该第二分支部在垂直该对称轴的该延伸方向上的宽度由该第三主干部至该第四主干部逐渐减小又逐渐增加。

3.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该钝角大于等于150°且小于等于170°。

4.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第三方向平行该第一方向，且该第四方向平行该第二方向。

5.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一分支部具有一对称轴，且该第一分支部的该对称轴延伸通过该钝角的顶点。

6.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一导电结构更包含一第四分支部，且该第四分支部连接该第一主干部及该第二主干部，且在平行该基板方向上该第二分支部位于该第一分支部与该第四分支部之间，且该第四分支部具一对称轴，且该第四分支部在垂直该第四分支部的该对称轴的一延伸方向的宽度由该第一主干部至该第二主干部逐渐增加又逐渐减少。

7.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一分支部位于该第二分支部与该第三分支部之间，且该第一分支部面对该第二分支部的侧边平行于该第二分支部面对该第一分支部的侧边，且该第一分支部面对该第三分支部的侧边平行于该第三分支部面对该第一分支部的侧边。

8.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第二导电结构更包含一第五分支部，且该第五分支部位于该第二分支部或该第三分支部与该栅极线之间，且连接该第三主干部及该第四主干部，且该第五分支部具有一对称轴垂直延伸通过该数据线。

9.如权利要求8所述的像素结构，其特征在于，该第五分支部在垂直该第五分支部的该对称轴的一延伸方向的宽度由该第三主干部至该第四主干部逐渐减小又逐渐增加。

10.如权利要求8所述的像素结构，其特征在于，该第五分支部在垂直该第五分支部的该对称轴的一延伸方向的宽度由该第三主干部至该第四主干部维持不变。

11.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一导电结构或该第二导电结构为一透明导电层，且该像素结构更包含一遮罩层，该遮罩层位于该基板与该开关元件之间，且该遮罩层至少与该透明导电层重叠。

12.如权利要求1所述的像素结构，其中该第一导电结构或该第二导电结构为一金属层。

13.一种像素结构的制造方法，其特征在于，包含：

使用一光罩组形成一开关元件、一栅极线及一数据线于一基板上方，且该栅极线与该开关元件电性连接，且该数据线与该栅极线交错并与该开关元件电性连接；

于一第一驱动模式时，使用一第一像素电极光罩形成一第一模式像素电极于该栅极线、该数据线及该开关元件上方；

于一第二驱动模式时，使用一第二像素电极光罩形成一第二模式像素电极于该栅极线、该数据线及该开关元件上方；

形成该第二模式像素电极包含：

使用一第一光罩形成一第一导电结构，其中该第一导电结构位于该栅极线及该数据线上方，且该第一导电结构包含：

一第一主干部，具有一第一部分及一第二部分，且该第一主干部的该第一部分在一第三方向上延伸，且该第一主干部的该第二部分在一第四方向上延伸，且该第三方向与该第四方向不同；

一第二主干部，具有一第一部分及一第二部分，且该第二主干部的该第一部分在该第三方向上延伸，且该第二主干部的该第二部分在该第四方向上延伸；以及

一第一分支部，连接该第一主干部及该第二主干部，其中该第一分支部在垂直该栅极线延伸方向上的宽度由该第一主干部至该第二主干部逐渐减小；以及

使用一第二光罩形成一第二导电结构，其中该第二导电结构位于该第一导电结构上方，且与该第一导电结构分离，且该第一导电结构或该第二导电结构与该开关元件电性连接，且该第二导电结构包含：

一第三主干部及一第四主干部，在垂直该基板方向上分别与该第一主干部及该第二主干部重叠；以及

一第二分支部及一第三分支部，连接该第三主干部及该第四主干部。

14.如权利要求13所述的像素结构的制造方法，其特征在于，该数据线具有一第一部分及一第二部分，且该第一部分在一第一方向上延伸，且该第二部分在一第二方向上延伸，且该第一部分与该第二部分之间夹一钝角。

15.如权利要求13所述的像素结构的制造方法，其特征在于，形成该第一模式像素电极包含：

使用一第三光罩形成一第一导电结构，其中该第一导电结构位于该栅极线及该数据线上方，且该第一导电结构具有一第一部分及一第二部分，且该第一导电结构的该第一部分在一第三方向上延伸，且该第一导电结构的该第二部分在一第四方向上延伸，且该第三方向与该第四方向不同；以及

使用一第四光罩形成一第二导电结构，其中该第二导电结构位于该第一导电结构上方，且与该第一导电结构分离，且该第一导电结构或该第二导电结构与该开关元件电性连接，且该第二导电结构包含：

多个主干部，在平行该基板方向上排列，其中每一该些主干部具有一第一部分及一第二部分，且每一该些主干部的该第一部分在该第三方向上延伸，且每一该些主干部的该第二部分在该第四方向上延伸，且该些主干部之间具有多个间隙，且该第一导电结构由该些间隙显露。

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