CN111010810A - 次毫米发光二极管的基板处理方法、其装置及其处理方法 - Google Patents

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Abstract

本揭示提供一种次毫米发光二极管的基板处理方法、其装置及其处理方法。所述次毫米发光二极管的基板处理方法包括提供基板，所述基板包括基底和设置在所述基底上的铜膜层以及对所述铜膜层的表面进行粗糙化处理。通过本揭示能提升所述铜膜层的所述表面的粗糙度，利于所述次毫米发光二极管焊接到所述铜膜层的所述表面上。

Description

次毫米发光二极管的基板处理方法、其装置及其处理方法
【技术领域】
本揭示涉及一种显示技术领域，特别涉及一种次毫米发光二极管的基板处理方法、其装置及其处理方法。
【背景技术】
在现有技术中，目前发光二极管装置的焊接方法的良率不佳。发光二极管焊接在基板上，但是基板的膜层的表面光滑，不利于所述发光二极管焊接到所述基板的所述膜层的所述表面上。
故，有需要提供一种次毫米发光二极管的基板处理方法、次毫米发光二极管装置及其处理方法，以解决现有技术存在的问题。
【发明内容】
为解决上述技术问题，本揭示的目的在于提供次毫米发光二极管的基板处理方法、次毫米发光二极管装置及其处理方法，其能提升所述基板的铜膜层的表面的粗糙度，利于所述次毫米发光二极管焊接到所述铜膜层的所述表面上。
为达成上述目的，本揭示提供次毫米发光二极管的基板处理方法。所述次毫米发光二极管的基板处理方法包括提供基板，所述基板包括基底和设置在所述基底上的铜膜层以及对所述铜膜层的表面进行粗糙化处理。
于本揭示其中的一实施例中，当对所述铜膜层的表面进行粗糙化处理后，所述铜膜层的所述表面的粗糙度从纳米级变化成微米级。
于本揭示其中的一实施例中，所述粗糙化处理是使用大气压等离子体对所述铜膜层的所述表面进行轰击，使所述铜膜层的所述表面的裸漏铜晶粒大小变化，提升所述铜膜层的所述表面的粗糙度。
于本揭示其中的一实施例中，所述大气压等离子体的功率范围在1KW和1000KW之间。
于本揭示其中的一实施例中，所述大气压等离子体的功率与所述铜膜层的面积为正相关关系。
于本揭示其中的一实施例中，所述大气压等离子体是在流通的惰性气体环境下，对所述铜膜层的所述表面进行轰击。
于本揭示其中的一实施例中，所述大气压等离子体对所述铜膜层的所述表面进行轰击的时间范围在10秒和600秒之间。
于本揭示其中的一实施例中，所述铜膜层的所述表面的裸漏铜晶粒大小变化是从纳米级变化成微米级。
本揭示还提供次毫米发光二极管装置的处理方法。所述次毫米发光二极管装置的处理方法包括根据如上所述的次毫米发光二极管的基板处理方法以及通过表面贴装技术将次毫米发光二极管焊接到粗糙化处理后的所述铜膜层的所述表面上。
本揭示还提供次毫米发光二极管装置。所述次毫米发光二极管装置包括基板以及次毫米发光二极管。所述基板包括基底和设置在所述基底上的铜膜层。所述次毫米发光二极管设置在所述铜膜层的表面上。其中所述铜膜层的所述表面的粗糙度是微米级。
由于本揭示的实施例中的次毫米发光二极管的基板处理方法、次毫米发光二极管装置及其处理方法中，所述次毫米发光二极管的基板处理方法包括提供基板，所述基板包括基底和设置在所述基底上的铜膜层以及对所述铜膜层的表面进行粗糙化处理。通过本揭示实施例能提升所述铜膜层的所述表面的粗糙度，利于所述次毫米发光二极管焊接到所述铜膜层的所述表面上。本揭示实施例还能降低所述次毫米发光二极管的基板制作成本，提升生产良率和提高所述次毫米发光二极管在所述铜膜层的所述表面上的焊锡抓力。
为让本揭示的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：
【附图说明】
图1显示根据本揭示的一实施例的次毫米发光二极管的基板的结构示意图。
图2显示根据本揭示的一实施例的次毫米发光二极管的基板处理方法的流程示意图。
图3显示根据本揭示的一实施例的次毫米发光二极管的基板的铜膜层的表面粗糙化处理前的示意图。
图4显示根据本揭示的一实施例的次毫米发光二极管的基板的铜膜层的表面粗糙化处理后的示意图。
图5显示根据本揭示的一实施例的次毫米发光二极管装置的结构示意图。
图6显示根据本揭示的一实施例的次毫米发光二极管装置的处理方法的流程示意图。
【具体实施方式】
为了让本揭示的上述及其他目的、特征、优点能更明显易懂，下文将特举本揭示优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。再者，本揭示所提到的方向用语，例如上、下、顶、底、前、后、左、右、内、外、侧层、周围、中央、水平、横向、垂直、纵向、轴向、径向、最上层或最下层等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本揭示，而非用以限制本揭示。
在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
参照图1和图2，本揭示实施例提供一种次毫米发光二极管的基板及其处理方法。所述处理方法200包括步骤210，提供基板10，所述基板10包括基底12和设置在所述基底12上的铜膜层14以及步骤220，对所述铜膜层14的表面进行粗糙化处理。通过本揭示实施例能提升所述铜膜层14的所述表面的粗糙度，利于次毫米发光二极管焊接到所述铜膜层14的所述表面上。本揭示实施例还能降低所述次毫米发光二极管的基板10制作成本，提升生产良率和提高所述次毫米发光二极管在所述铜膜层14的所述表面上的焊锡抓力。
具体地，于本揭示其中的一实施例中，当对所述铜膜层14的表面进行粗糙化处理后，所述铜膜层14的所述表面的粗糙度从纳米级变化成微米级。例如如图3所示，当对所述铜膜层14的表面进行粗糙化处理前，所述铜膜层14的所述表面的粗糙度为纳米级。所述铜膜层14的所述表面的粗糙度例如为0.85nm。例如如图4所示，当对所述铜膜层14的表面进行粗糙化处理后，所述铜膜层14的所述表面的粗糙度为微米级。
具体地，于本揭示其中的一实施例中，所述基板10是经过薄膜晶体管(thin filmtransistor,TFT))制程形成的玻璃基板。所述铜膜层14铜是通过物理气相沉积的方式镀到所述基底12上。
具体地，于本揭示其中的一实施例中，所述粗糙化处理是使用大气压等离子体(atmospheric pressure plasma,AP plasma)对所述铜膜层14的所述表面进行轰击，使所述铜膜层14的所述表面的裸漏铜晶粒大小变化，提升所述铜膜层14的所述表面的粗糙度。具体地，于本揭示其中的一实施例中，所述大气压等离子体的功率范围在1KW和1000KW之间。具体地，于本揭示其中的一实施例中，所述大气压等离子体的功率与所述铜膜层14的面积为正相关关系。例如，所述铜膜层14的面积愈大，所述大气压等离子体的功率愈大。例如，所述铜膜层14的面积愈小，所述大气压等离子体的功率愈小。
具体地，于本揭示其中的一实施例中，所述大气压等离子体是在流通的惰性气体环境下，对所述铜膜层14的所述表面进行轰击。所述惰性气体例如为N2或Ar。具体地，于本揭示其中的一实施例中，所述大气压等离子体对所述铜膜层14的所述表面进行轰击的时间范围在10秒和600秒之间。具体地，于本揭示其中的一实施例中，所述大气压等离子体对所述铜膜层14的所述表面进行轰击的时间与所述铜膜层14的面积为正相关关系。例如，所述铜膜层14的面积愈大，所述大气压等离子体对所述铜膜层14的所述表面进行轰击的时间愈大。例如，所述铜膜层14的面积愈小，所述大气压等离子体对所述铜膜层14的所述表面进行轰击的时间愈小。
具体地，于本揭示其中的一实施例中，所述铜膜层14的所述表面的裸漏铜晶粒大小变化是从纳米级变化成微米级。例如如图3所示，当对所述铜膜层14的表面进行粗糙化处理前，所述铜膜层14的所述表面的粗糙度为纳米级。所述铜膜层14的所述表面的粗糙度例如为0.85nm。例如如图4所示，当对所述铜膜层14的表面进行粗糙化处理后，所述铜膜层14的所述表面的粗糙度为微米级。
参照图5和图6，本揭示实施例还提供次毫米发光二极管装置的处理方法。所述次毫米发光二极管装置的处理方法300包括步骤310，根据如上所述的次毫米发光二极管的基板处理方法200，以及步骤320，通过表面贴装技术将次毫米发光二极管20焊接到粗糙化处理后的所述铜膜层14的所述表面上。
具体地，于本揭示其中的一实施例中，所述处理方法200包括步骤210，提供基板10，所述基板10包括基底12和设置在所述基底12上的铜膜层14，以及步骤220，对所述铜膜层14的表面进行粗糙化处理。通过本揭示实施例能提升所述铜膜层14的所述表面的粗糙度，利于次毫米发光二极管焊接到所述铜膜层14的所述表面上。本揭示实施例还能降低所述次毫米发光二极管的基板10制作成本，提升生产良率和提高所述次毫米发光二极管在所述铜膜层14的所述表面上的焊锡抓力。
具体地，于本揭示其中的一实施例中，当对所述铜膜层14的表面进行粗糙化处理后，所述铜膜层14的所述表面的粗糙度从纳米级变化成微米级。例如如图3所示，当对所述铜膜层14的表面进行粗糙化处理前，所述铜膜层14的所述表面的粗糙度为纳米级。所述铜膜层14的所述表面的粗糙度例如为0.85nm。例如如图4所示，当对所述铜膜层14的表面进行粗糙化处理后，所述铜膜层14的所述表面的粗糙度为微米级。
具体地，于本揭示其中的一实施例中，所述基板10是经过薄膜晶体管(thin filmtransistor,TFT))制程形成的玻璃基板。所述铜膜层14铜是通过物理气相沉积的方式镀到所述基底12上。
具体地，于本揭示其中的一实施例中，所述粗糙化处理是使用大气压等离子体(atmospheric pressure plasma,AP plasma)对所述铜膜层14的所述表面进行轰击，使所述铜膜层14的所述表面的裸漏铜晶粒大小变化，提升所述铜膜层14的所述表面的粗糙度。具体地，于本揭示其中的一实施例中，所述大气压等离子体的功率范围在1KW和1000KW之间。具体地，于本揭示其中的一实施例中，所述大气压等离子体的功率与所述铜膜层14的面积为正相关关系。例如，所述铜膜层14的面积愈大，所述大气压等离子体的功率愈大。例如，所述铜膜层14的面积愈小，所述大气压等离子体的功率愈小。
具体地，于本揭示其中的一实施例中，所述大气压等离子体是在流通的惰性气体环境下，对所述铜膜层14的所述表面进行轰击。所述惰性气体例如为N2或Ar。具体地，于本揭示其中的一实施例中，所述大气压等离子体对所述铜膜层14的所述表面进行轰击的时间范围在10秒和600秒之间。具体地，于本揭示其中的一实施例中，所述大气压等离子体对所述铜膜层14的所述表面进行轰击的时间与所述铜膜层14的面积为正相关关系。例如，所述铜膜层14的面积愈大，所述大气压等离子体对所述铜膜层14的所述表面进行轰击的时间愈大。例如，所述铜膜层14的面积愈小，所述大气压等离子体对所述铜膜层14的所述表面进行轰击的时间愈小。
具体地，于本揭示其中的一实施例中，所述铜膜层14的所述表面的裸漏铜晶粒大小变化是从纳米级变化成微米级。例如如图3所示，当对所述铜膜层14的表面进行粗糙化处理前，所述铜膜层14的所述表面的粗糙度为纳米级。所述铜膜层14的所述表面的粗糙度例如为0.85nm。例如如图4所示，当对所述铜膜层14的表面进行粗糙化处理后，所述铜膜层14的所述表面的粗糙度为微米级。通过本揭示实施例能提升所述铜膜层14的所述表面的粗糙度，利于次毫米发光二极管焊接到所述铜膜层14的所述表面上。
参照图5，本揭示实施例还提供次毫米发光二极管装置30(mini light emittingdiode device,mini LED device)。所述次毫米发光二极管装置30包括基板10以及次毫米发光二极管20。所述基板10包括基底12和设置在所述基底12上的铜膜层14。所述次毫米发光二极管20设置在所述铜膜层12的表面上。所述铜膜层14的所述表面的粗糙度是微米级。由于本揭示实施例的所述铜膜层14的所述表面的粗糙度为微米级，利于次毫米发光二极管20焊接到所述铜膜层14的所述表面上。本揭示实施例还能降低所述次毫米发光二极管20的基板10制作成本，提升生产良率和提高所述次毫米发光二极管20在所述铜膜层14的所述表面上的焊锡抓力。
次毫米发光二极管装置30在显示上主要有两种应用，一种应用是作为自发光LED显示，同小间距LED类似，由于封装形式上不需要打金线，相比于小间距LED，即使在同样的芯片尺寸上次毫米发光二极管装置30也可以做更小的点间距显示。另外一种应用是在背光上的应用。相比于现有的背光LED模组，Mini LED背光模组将采用更加密集的芯片排布来减少混光距离，做到超薄的光源模组。另外配合局部调光(local dimming)控制，Mini LED背光模组将有更好的对比度和高动态范围图像(high-dynamic range,HDR)显示效果。
次毫米发光二极管装置30在显示的基本要素包括功耗，成本，寿命，点间距，亮度和对比度等上均具有良好性能。
综上所述，由于本揭示的实施例中的次毫米发光二极管的基板处理方法、次毫米发光二极管装置及其处理方法中，所述次毫米发光二极管的基板处理方法包括提供基板，所述基板包括基底和设置在所述基底上的铜膜层以及对所述铜膜层的表面进行粗糙化处理。通过本揭示实施例能提升所述铜膜层的所述表面的粗糙度，利于所述次毫米发光二极管焊接到所述铜膜层的所述表面上。本揭示实施例还能降低所述次毫米发光二极管的基板制作成本，提升生产良率和提高所述次毫米发光二极管在所述铜膜层的所述表面上的焊锡抓力。
尽管已经相对于一个或多个实现方式示出并描述了本揭示，但是本领域技术人员基于对本说明书和附图的阅读和理解将会想到等价变型和修改。本揭示包括所有这样的修改和变型，并且仅由所附权利要求的范围限制。特别地关于由上述组件执行的各种功能，用于描述这样的组件的术语旨在对应于执行所述组件的指定功能(例如其在功能上是等价的)的任意组件(除非另外指示)，即使在结构上与执行本文所示的本说明书的示范性实现方式中的功能的公开结构不等同。此外，尽管本说明书的特定特征已经相对于若干实现方式中的仅一个被公开，但是这种特征可以与如可以对给定或特定应用而言是期望和有利的其他实现方式的一个或多个其他特征组合。而且，就术语“包括”、“具有”、“含有”或其变形被用在具体实施方式或权利要求中而言，这样的术语旨在以与术语“包含”相似的方式包括。
以上仅是本揭示的优选实施方式，应当指出，对于本领域普通技术人员，在不脱离本揭示原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本揭示的保护范围。

Claims (10)

1.一种次毫米发光二极管的基板处理方法，其特征在于，所述次毫米发光二极管的基板处理方法包括：
提供基板，所述基板包括基底和设置在所述基底上的铜膜层；以及
对所述铜膜层的表面进行粗糙化处理。
2.根据权利要求1所述的次毫米发光二极管的基板处理方法，其特征在于，当对所述铜膜层的表面进行粗糙化处理后，所述铜膜层的所述表面的粗糙度从纳米级变化成微米级。
3.根据权利要求1所述的次毫米发光二极管的基板处理方法，其特征在于，所述粗糙化处理是使用大气压等离子体对所述铜膜层的所述表面进行轰击，使所述铜膜层的所述表面的裸漏铜晶粒大小变化，提升所述铜膜层的所述表面的粗糙度。
4.根据权利要求3所述的次毫米发光二极管的基板处理方法，其特征在于，所述大气压等离子体的功率范围在1KW和1000KW之间。
5.根据权利要求3所述的次毫米发光二极管的基板处理方法，其特征在于，所述大气压等离子体的功率与所述铜膜层的面积为正相关关系。
6.根据权利要求3所述的次毫米发光二极管的基板处理方法，其特征在于，所述大气压等离子体是在流通的惰性气体环境下，对所述铜膜层的所述表面进行轰击。
7.根据权利要求3所述的次毫米发光二极管的基板处理方法，其特征在于，所述大气压等离子体对所述铜膜层的所述表面进行轰击的时间范围在10秒和600秒之间。
8.根据权利要求3所述的次毫米发光二极管的基板处理方法，其特征在于，所述铜膜层的所述表面的裸漏铜晶粒大小变化是从纳米级变化成微米级。
9.一种次毫米发光二极管装置的处理方法，其特征在于，所述次毫米发光二极管装置的处理方法包括：
根据权利要求1-8任一项所述的次毫米发光二极管的基板处理方法；以及
通过表面贴装技术将次毫米发光二极管焊接到粗糙化处理后的所述铜膜层的所述表面上。
10.一种次毫米发光二极管装置，其特征在于，所述次毫米发光二极管装置包括：
基板，所述基板包括基底和设置在所述基底上的铜膜层；以及
次毫米发光二极管，所述次毫米发光二极管设置在所述铜膜层的表面上；
其中所述铜膜层的所述表面的粗糙度是微米级。
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