CN111010110A - 考虑距离的薄膜封装的mems器件组件及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种MEMS器件组件，包括：MEMS器件，具有功能部件、声学镜和封装表面，所述声学镜具有边界，所述功能部件与所述声学镜在器件的厚度方向上至少部分重叠；封装薄膜，设置于所述封装表面，用于形成封装所述MEMS器件的功能部件的封装空间，所述封装空间具有封装边缘，其中：所述封装边缘与所述边界之间的横向距离在0.5微米‑20微米的范围内。该MEMS器件可以为薄膜体声波谐振器。本发明还涉及一种具有上述MEMS器件组件的电子设备。
Description
技术领域
本发明的实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种MEMS器件组件，以及一种具有该组件的电子设备。
背景技术
基于半导体微加工的MEMS器件具有体积小、功耗低、集成性强、耐用性好、价格低廉、性能稳定等优点。作为体声波(BAW)谐振器的一种，薄膜体声波谐振器(Film BulkAcoustic Resonator，简称FBAR)作为MEMS器件的重要成员正在通信领域发挥着重要作用，特别是FBAR滤波器在射频滤波器领域市场占有份额越来越大，FBAR滤波器由于具有尺寸小(um级)、谐振频率高(GHz)、品质因数高(1000)、功率容量大、滚降效应好等优良特性，在2-10GHz频段已逐步取代传统的声表面波(SAW)滤波器。
对于BAW谐振器，目前商业化的主要有两种结构：空腔型结构(Film BulkAcoustic Wave,FBAR)和固体装配型结构(Solidly Mounted Resonator,SMR)。这两种体声波谐振器的原理相同，主要区别就是谐振能量的限制方式。FBAR谐振器通过下部空腔将压电薄膜的主体部分悬于硅基底上，谐振时能量就被限制在这部分中。SMR谐振器是在电极下面形成对声波起反射作用的“镜面”，这些“镜面”被称为布拉格反射层，由一些声阻抗相差很大的膜层交替构成，如W和SiO2(约4：1的阻抗比)，AlN和SiO2(约3：1的阻抗比)，可以将声波反射回核心的谐振部分，起到了限制能量耗散的作用。
通常，BAW谐振器要求特定的应用环境，例如，特定范围的湿度或压力或在惰性气体中。此外，有的体声波谐振器对特定污染源敏感。因此，需要对BAW谐振器封装。
薄膜封装是对MEMS器件进行封装的一种方式，其有助于获得缩小封装尺寸、简化封装工艺步骤、节省封装成本、提高密封强度等中的至少一个方面的优点。
薄膜封装也可以用于体声波谐振器，下面以薄膜体声波谐振器的封装进行简单说明。
图1示出了现有技术中薄膜体声波谐振器的薄膜封装。在图1中，10为谐振器的底部空腔，11为谐振器的底电极，12为谐振器的压电层，13为谐振器的顶电极；14为薄膜封装层，15为薄膜封装层14上的释放孔，16为薄膜封装层14的密封层；17为薄膜封装层形成的位于谐振器顶部的封装空间。
从图1中可以看出，一般的薄膜封装方式会存在一直角结构18，而在直角结构处，应力会发生聚集，如果应力过大，很容易造成边界处应力集中的地方即直角结构18开裂，导致器件密封失效。另外，应力太大会造成多层膜的粘附性变差，机械性能降低。此外，应力过大会造成晶格不匹配，导致成膜质量变差。
此外，从图1中也可以看出，封装结构的尺寸较大，不利于器件的小型化。
发明内容
为缓解或解决现有技术中的上述问题中的至少一个方面，提出本发明。
根据本发明的实施例的一个方面，提出了一种MEMS器件组件，包括：
MEMS器件，具有功能部件、声学镜和封装表面，所述声学镜具有边界，所述功能部件与所述声学镜在器件的厚度方向上至少部分重叠；
封装薄膜，设置于所述封装表面，用于形成封装所述MEMS器件的功能部件的封装空间，所述封装空间具有封装边缘，
其中：
所述封装边缘与所述边界之间的横向距离在0.5微米-20微米的范围内，可选的，为2-5微米。
可选的，所述功能部件与所述封装薄膜的内侧的最短纵向距离在0.1微米-10微米的范围内。
可选的，所述功能部件包括构成三明治结构的顶电极、压电层和底电极；且所述顶电极与所述封装薄膜的内侧的最短纵向距离在0.1微米-10微米的范围内。
或者可选的，所述功能部件包括构成三明治结构的顶电极、压电层和底电极，所述顶电极设置有悬翼结构；且所述悬翼结构与所述封装薄膜的内侧的最短纵向距离在0.1微米-10微米的范围内。
或者可选的，所述功能部件包括构成三明治结构的顶电极、压电层和底电极，所述顶电极设置有形成桥部结构的电连接部；且所述桥部结构与所述封装薄膜的内侧的最短纵向距离在0.1微米-10微米的范围内。进一步的，所述桥部结构的空腔边缘与所述封装边缘之间的距离在0.5微米-10微米的范围内。
或者可选的，所述功能部件包括构成三明治结构的顶电极、压电层和底电极，所述顶电极的一侧设置有悬翼结构，另一侧设置有形成桥部结构的电连接部；且所述桥部结构以及所述悬翼结构与所述封装薄膜的内侧的最短纵向距离均在0.1微米-10微米的范围内。进一步的，所述桥部结构的空腔边缘与所述封装边缘之间的距离在0.5微米-10微米的范围内。
或者可选的，所述功能部件包括设置于其上的附加结构；所述功能部件的附加结构与所述封装薄膜的内侧的最短纵向距离在0.1微米-10微米的范围内。可选的，所述附加结构包括凸起结构、凸凹结构或附加涂层。
可选的，所述封装空间为弧形空间，所述封装薄膜与所述封装表面形成的夹角在5度-60度的范围内。
可选的，所述声学镜为空腔结构，所述MEMS器件设置有与所述空腔结构相通的第一释放孔，所述第一释放孔位于所述封装空间内；所述封装薄膜设置有与封装空间相通的第二释放孔，第二释放孔中填充有密封材料；且在垂直投影中，至少一个所述第二释放孔与对应的第一释放孔之间的水平间距小于20um。
可选的，在垂直投影中，所述第二释放孔与对应的第一释放孔重合或者部分重合。
可选的，所述声学镜为空腔结构，所述MEMS器件设置有与所述空腔结构相通的第一释放孔，所述第一释放孔位于所述封装空间的外侧；所述封装薄膜设置有与封装空间相通的第二释放孔，第二释放孔中填充有密封材料。
可选的，所述MEMS器件为体声波谐振器。所述谐振器可为薄膜体声波谐振器。
根据本发明的实施例的另一方面，提出了一种电子设备，包括上述的MEMS器件组件。
附图说明
以下描述与附图可以更好地帮助理解本发明所公布的各种实施例中的这些和其他特点、优点，图中相同的附图标记始终表示相同的部件，其中：
图1为示出现有技术的薄膜体声波谐振器的封装的剖面示意图；
图2为根据本发明的一个示例性实施例的已经进行了薄膜封装的薄膜体声波谐振器的示意性剖视图；
图3为根据本发明的一个示例性实施例的已经进行了薄膜封装的薄膜体声波谐振器的示意性剖视图，其中示出了悬翼结构；
图4为根据本发明的一个示例性实施例的已经进行了薄膜封装的薄膜体声波谐振器的示意性剖视图，其中示出了桥部结构；
图5为根据本发明的一个示例性实施例的已经进行了薄膜封装的薄膜体声波谐振器的示意性剖视图，其中示出了桥翼结构与桥部结构；
图6为根据本发明的一个示例性实施例的已经进行了薄膜封装的薄膜体声波谐振器的俯视示意图；
图7为沿图6中的A-A向截得的示意性剖视图；
图8为根据本发明的一个示例性实施例的已经进行了薄膜封装的薄膜体声波谐振器的俯视示意图。
具体实施方式
下面通过实施例，并结合附图，对本发明的技术方案作进一步具体的说明。下述参照附图对本发明实施方式的说明旨在对本发明的总体发明构思进行解释，而不应当理解为对本发明的一种限制。
下面参照附图2-7，以薄膜体声波谐振器的封装为例，示例性描述根据本发明的实施例的MEMS器件的薄膜封装。在示例中，通过控制封装薄膜的边缘与空气隙结构(空腔)之间的距离，来缩小封装结构的尺寸面积，从而便于MEMS器件的集成应用。在本发明中以薄膜体声波谐振器为例说明其封装方式，但是对于其他的MEMS器件如表面声波谐振器(SAW)等来说都适用。
图2为根据本发明的一个示例性实施例的已经进行了薄膜封装的薄膜体声波谐振器的示意性剖视图，其中30为谐振器底部的声学镜结构，其可以为在基底中刻蚀出的空腔结构或者为向上凸起的空腔结构，也可以为由高声阻抗材料和低声阻抗材料交替形成的布拉格反射结构等声波反射形式，在图3中为在基底中刻蚀出的空腔结构。31为谐振器的底部电极，32为平坦层位于底部电极31的两侧，加入的平坦层与底部电极31的两端面齐平，从而形成平整光滑的表面，这样有利于在底部电极31与平坦层32的连接处上沉积有良好C-轴取向的压电薄膜。平坦层可以采用二氧化硅、氮化硅、碳化硅等合适的介质材料。33为谐振器的压电层，34为谐振器的顶电极。35为封装薄膜，36为封装薄膜上的开孔。37为密封层，用于气密性密封封装薄膜上的开孔36以形成密闭的封装空间38。
薄膜体声波谐振器(FABR)底电极、压电层、顶电极和声学镜在垂直方向上重叠的区域为谐振器的有效区域。
在本实施例中，如图2所示，封装薄膜35的边缘与谐振器底部空腔的边界之间的距离为d1、d2，其典型的距离可以为0.5um-20um，除了端点值之外，例如还可以为0.5um、2um、8um、10um等。所述距离一般大于谐振器谐振波长的二分之一(谐振频率为几GHz的谐振器波长约在1um左右)，距离过小将导致封装薄膜结构对谐振器本身振动的影响，进而影响谐振器电学性能。同时封装薄膜在边缘处有一角度α，其典型的角度范围可以为：5°-60°，例如可以为5°、20°和60°等。此外，如图2所示，封装薄膜与顶电极之间的竖直距离为d3，其典型的范围可以为0.1um-10um，例如0.1um、2um、8um、10um等。如果封装薄膜的边缘位于谐振器的顶电极，则会影响谐振器的振动，会导致谐振器中垂直方向上的体声波，通过与封装薄膜接触的部分泄露出去，导致谐振器的Q值降低，使其性能变差；如果封装薄膜边缘位于顶电极边缘和底部空腔边界之间，封装薄膜会将外部受力(如封装填料压力、封装薄膜内部应力等)传导至谐振器薄膜，导致谐振器性能漂移(如谐振频率改变等)、可靠性降低(如悬空薄膜的破裂等)；如果封装薄膜的边缘距离谐振器底部空腔边界处的距离过远，则会导致谐振器的封装尺寸面积过大，不利于谐振器的集成应用。因此，在本发明中，通过控制封装薄膜的边缘与谐振器底部空腔边界之间具有一合适的距离，以在保证谐振器性能不受影响的情况下，将封装面积尺寸减小到最小，能够使在相同区域范围内，集成更多的器件。
在本发明中，虽然以谐振器的底部空腔为例进行说明，但是，仍然可以应用到其他的声学镜结构。
图3为根据本发明的一个示例性实施例的已经进行了薄膜封装的薄膜体声波谐振器的示意性剖视图。图3所示的实施例与图2不同在于设置有悬翼结构。
在图3所示的实施例中，在悬翼结构处由于空气隙的存在使其声阻抗与谐振器的有效区域内声阻抗不匹配，会使得声波在边界处传输不连续，因此在边界处，一部分声能就会耦合且反射到有效激励区域中，并且转换成与压电层表面垂直的活塞声波模式，从而使得谐振器的Q因子得到提高。同时，封装薄膜35的边界处与谐振器底部空腔之间的距离为d1、d2，其典型的距离可以为0.5um-10um。同时封装薄膜在边界处有一角度α，其典型的角度范围可以为：5°-60°，且与顶电极之间的距离为d3，其典型的范围可以为0.1um-10um。如果封装薄膜的边缘位于谐振器的悬翼结构，则会影响谐振器的振动，会导致谐振器中垂直方向上的体声波，通过与封装薄膜接触的部分泄露出去，导致谐振器的Q值降低，使其性能变差。而如果封装薄膜的边缘处距离谐振器底部空腔边界处的距离过远，则会导致谐振器的封装尺寸面积过大，不利于谐振器的集成应用。因此，在本发明中，通过控制封装薄膜的边缘与谐振器底部空腔边界之间具有一合适的距离，能够在保证谐振器性能不受影响的情况下，将封装面积尺寸减小到最小，能够使在相同区域范围内，集成更多的器件。
图4为根据本发明的一个示例性实施例的已经进行了薄膜封装的薄膜体声波谐振器的示意性剖视图。图4所示的实施例与图2不同在于设置有桥部结构。
在图4的实施例中，谐振器在厚度方向上依次包括：声学镜30，此声学镜位于基底的上表面或嵌于基底的内部或者为由高声阻抗材料和低声阻抗材料交替形成的布拉格反射结构等声波反射形式，在图5中声学镜为嵌入基底中的空腔所构成；底电极31，平坦层32位于底部电极31的两侧，加入的平坦层与底部电极31的两端面齐平，从而形成平整光滑的表面，这样有利于在底部电极31与平坦层32的连接处上沉积有良好C-轴取向的压电薄膜。平坦层可以采用二氧化硅、氮化硅、碳化硅等合适的介质材料；压电层33；顶电极34，包含两部分即主体部分和和第二部分，其中第二部分为桥部结构。在顶电极的第二部分和压电层之间为空气隙；封装薄膜层35，以及在封装薄膜层上的开孔36；密封层37，用于气密性密封封装薄膜上的开孔36以形成密闭的封装空间38。
在该实施例中，在桥部结构处由于空气隙的存在使其声阻抗与谐振器的有效区域内声阻抗不匹配，会使得声波在边界处传输不连续，因此在边界处，一部分声能就会耦合且反射到有效激励区域中，并且转换成与压电层表面垂直的活塞声波模式，从而使得谐振器的Q因子得到提高。
在该实施例中，封装薄膜35的边界处与谐振器底部空腔和桥部结构边缘之间的距离分别为d1和d3，其典型的距离可以为0.5um-10um，而且桥部结构跨越谐振器底部的空腔结构，其边缘与谐振器底部空腔之间的距离为d3。同时封装薄膜在边界处与顶电极之间的距离为d4，其典型的范围可以为0.1um-10um。如果封装薄膜的边缘位于谐振器的桥部结构，则会影响谐振器的振动，会导致谐振器中垂直方向上的体声波，通过与封装薄膜接触的部分泄露出去，导致谐振器的Q值降低，使其性能变差；而如果封装薄膜的边缘处距离谐振器底部空腔边界处的距离过远，则会导致谐振器的封装尺寸面积过大，不利于谐振器的集成应用。因此，在本发明中，通过控制封装薄膜的边缘与谐振器底部空腔边界之间具有一合适的距离，能够在保证谐振器性能不受影响的情况下，将封装面积尺寸减小到最小，能够使在相同区域范围内，集成更多的器件。
图5为根据本发明的一个示例性实施例的已经进行了薄膜封装的薄膜体声波谐振器的示意性剖视图。与图2的实施例不同在于设置了桥翼结构与桥部结构。
图5所示的实施例中，谐振器在厚度方向上依次包括：声学镜30，此声学镜位于基底的上表面或嵌于基底的内部或者为由高声阻抗材料和低声阻抗材料交替形成的布拉格反射结构等声波反射形式，在图6中声学镜为嵌入基底中的空腔所构成；底电极31，平坦层32位于底部电极31的两侧，加入的平坦层与底部电极31的两端面齐平，从而形成平整光滑的表面，这样有利于在底部电极31与平坦层32的连接处上沉积有良好C-轴取向的压电薄膜。平坦层可以采用二氧化硅、氮化硅、碳化硅等合适的介质材料；压电层33；顶电极34，顶电极沉积在压电层之上，包括桥翼结构43、桥部结构44、凸起结构41和凹陷结构42，在桥翼结构、桥部结构和压电层之间为空气隙61和62。封装薄膜层35，以及在封装薄膜层上的开孔36；密封层37，用于气密性密封封装薄膜上的开孔36以形成密闭的封装空间38。
在该实施例中，悬翼结构43、桥部结构44、凸起结构41和凹陷结构42处由于空气隙的存在使其声阻抗与谐振器的有效区域内声阻抗不匹配，会使得声波在边界处传输不连续，因此在边界处，一部分声能就会耦合且反射到有效激励区域中，并且转换成与压电层表面垂直的活塞声波模式，从而使得谐振器的Q因子得到提高。
在该实施例中，封装薄膜35的边界与谐振器底部空腔和桥部结构边缘之间的距离分别为d1和d3，其典型的距离可以为0.5um-10um，而且桥部结构跨越谐振器底部的空腔结构，其边缘与谐振器底部空腔之间的距离为d3。同时封装薄膜在边界处与顶电极之间的距离为d4、d5，其典型的范围可以为0.1um-10um。如果封装薄膜的边缘位于谐振器的顶电极上，则会影响谐振器的振动，会导致谐振器中垂直方向上的体声波，通过与封装薄膜接触的部分泄露出去，导致谐振器的Q值降低，使其性能变差；而如果封装薄膜的边缘处距离谐振器底部空腔边界处的距离过远，则会导致谐振器的封装尺寸面积过大，不利于谐振器的集成应用。因此，在本发明中，通过控制封装薄膜的边缘与谐振器底部空腔边界之间具有一合适的距离，能够在保证谐振器性能不受影响的情况下，将封装面积尺寸减小到最小，能够使在相同区域范围内，集成更多的器件。
在可选的实施例中，例如顶电极上可以设置附加结构；附加结构与所述封装薄膜的内侧的最短纵向距离在0.1微米-10微米的范围内。此距离有助于防止后续封装填料过程中封装薄膜变形导致的功能部件和封装薄膜接触。所述附加结构包括凸起结构、凸凹结构(参见图5)或附加涂层。
在可选的实施例中，所述封装空间为弧形空间。
在可选的实施例中，所述封装薄膜与所述封装表面形成的夹角α在5度-60度的范围内。
图6为根据本发明的一个示例性实施例的已经进行了薄膜封装的薄膜体声波谐振器的俯视示意图；图7为沿图6中的A-A向截得的示意性剖视图。
在可选的实施例中，所述MEMS器件设置有与所述空腔结构相通的第一释放孔(例如，对应于释放孔20)，所述第一释放孔位于所述封装空间17内；所述封装薄膜14设置有与封装空间17相通的第二释放孔(例如，对应于释放孔15)，第二释放孔中填充有密封材料；且在垂直投影中，至少一个所述第二释放孔与对应的第一释放孔之间的水平间距小于20um。例如，在图7中，图中示出的最右侧的释放孔15与释放孔20之间的水平间距小于20um。
虽然没有示出，在可选的实施例中，在垂直投影中，所述第二释放孔与对应的第一释放孔重合或者部分重合，例如可以是图7中示出的最右侧的释放孔15与释放孔20的垂直投影重合或者部分重合。
虽然没有示出，在可选的实施例中，在垂直投影中，每一个所述第二释放孔与对应的第一释放孔之间的水平间距小于20um。例如，在图7中，并不存在设置于图7中左侧与中间的释放孔15，或者存在的其他释放孔15也与相应的释放孔20之间的水平间距小于20um。
基于图7示出的实施例，由于在垂直投影中，至少一个所述第二释放孔与对应的第一释放孔之间的水平间距小于20um，可以获得如下技术效果：在封装空间17形成的过程中，药液通过释放孔15进入谐振器底部空腔中后，能够快速循环流动出来，将药液残渣等带走，因此降低了药液残渣在空腔中遗留的可能性，有利于提高谐振器或者MEMS器件的性能。
此外，在封装薄膜14的释放孔15处于谐振器或者MEMS器件的有效区域的两侧的情况下，在最后对封装薄膜的释放孔15进行密封的时候，即便有密封试剂掉落下来，也不会对谐振器或者MEMS器件的性能造成影响。
而且，在封装薄膜14设置释放孔15的位置位于空腔10的释放孔20的上方(两者在垂直投影重合或基本重合)的情况下，在形成封装薄膜时，不会在封装薄膜对应与释放孔10的位置处产生台阶，没有应力的聚集现象，从而使得谐振器或MEMS器件的封装结构更为稳定。
图8为示出根据本发明的一个示例性实施例的已经进行了薄膜封装的薄膜体声波谐振器的剖视图。如图8所示，该MEMS器件为薄膜体声波谐振器，包括：底部空腔10，与空腔10连通的第一释放孔11，底电极12，压电层13，顶电极14，平坦层23，封装薄膜20，释放孔21，密封层22，密封空间24。如图8所示，所述第一释放孔位于所述封装空间17的外侧；所述封装薄膜设置有与封装空间相通的第二释放孔15，第二释放孔中填充有密封材料。如图8所示，所述封装薄膜覆盖并密封所述第一释放孔11。
基于图8的实施例，由于释放孔11在封装空间24之外，在形成封装薄膜20的过程中，释放孔便被密封住，所以在释放形成封装空间24的过程中，不会有药液残渣、颗粒等进入FBAR的底部空腔10中，因此谐振器的性能不会受到影响。而且，封装薄膜20上开孔21的位置和数量可灵活选择。在开孔位置上，能够省却与底部空腔释放孔11的对准工艺步骤，降低封装成本；同时可以增加开孔的数量，能够加快空腔24的形成。另外，对于相同面积的FBAR或者MEMS器件来说，将释放孔11封装在空腔24之外，能够减小封装空间24的面积，进而使得谐振器或者MEMS器件的封装尺寸得到减小。
在图6-图8中，并未示出在图2-5中标示的距离和高度，但是，如本领域技术人员能够理解的，图6-图8中的实施例也可以采用图2-5中的距离和高度。
下面示例说明本发明中部件采用的材料。
在本发明中，电极组成材料可以是金(Au)、钨(W)、钼(Mo)、铂(Pt)，钌(Ru)、铱(Ir)、钛钨(TiW)、铝(Al)、钛(Ti)等类似金属形成。
压电层材料可以为氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)、锆钛酸铅(PZT)、铌酸锂(LiNbO3)、石英(Quartz)、铌酸钾(KNbO3)或钽酸锂(LiTaO3)等材料。
牺牲层材料可以为有机材料、聚合物、硅、非晶硅、二氧化硅、PSG、金属(如Ge、Ti、Cu)、金属氧化物(如MgO、ZnO)、光刻胶(如SU-8)等易溶性的材料。
封装薄膜材料可以为硅、二氧化硅、氮化硅、氮化铝、氧化铝、金属、光刻胶、高分子聚合物、石墨烯、纳米管等材料。
密封层材料可以为二氧化硅等致密性的材料、聚合物、旋涂玻璃、塑料、树脂、介电材料、金属、氮化硅、氮化铝等材料。
根据本发明的实施例的另一方面，提出了一种电子设备，包括上述的MEMS器件组件。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行变化，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (20)
1.一种MEMS器件组件，包括：
MEMS器件，具有功能部件、声学镜和封装表面，所述声学镜具有边界，所述功能部件与所述声学镜在器件的厚度方向上至少部分重叠；
封装薄膜，设置于所述封装表面，用于形成封装所述MEMS器件的功能部件的封装空间，所述封装空间具有封装边缘，
其中：
所述封装边缘与所述边界之间的横向距离在0.5微米-20微米的范围内。
2.根据权利要求1所述的组件，其中：
所述功能部件与所述封装薄膜的内侧的最短纵向距离在0.1微米-10微米的范围内。
3.根据权利要求2所述的组件，其中：
所述功能部件包括构成三明治结构的顶电极、压电层和底电极；且
所述顶电极与所述封装薄膜的内侧的最短纵向距离在0.1微米-10微米的范围内。
4.根据权利要求2所述的组件，其中：
所述功能部件包括构成三明治结构的顶电极、压电层和底电极，所述顶电极设置有悬翼结构；且
所述悬翼结构与所述封装薄膜的内侧的最短纵向距离在0.1微米-10微米的范围内。
5.根据权利要求1或2所述的组件，其中：
所述功能部件包括构成三明治结构的顶电极、压电层和底电极，所述顶电极设置有形成桥部结构的电连接部；且
所述桥部结构与所述封装薄膜的内侧的最短纵向距离在0.1微米-10微米的范围内。
6.根据权利要求5所述的组件，其中：
所述桥部结构的空腔边缘与所述封装边缘之间的距离在0.5微米-20微米的范围内。
7.根据权利要求1或2所述的组件，其中：
所述功能部件包括构成三明治结构的顶电极、压电层和底电极，所述顶电极的一侧设置有悬翼结构，另一侧设置有形成桥部结构的电连接部；且
所述桥部结构以及所述悬翼结构与所述封装薄膜的内侧的最短纵向距离均在0.1微米-10微米的范围内。
8.根据权利要求7所述的组件，其中：
所述桥部结构的空腔边缘与所述封装边缘之间的距离在0.5微米-10微米的范围内。
9.根据权利要求1或2所述的组件，其中：
所述功能部件包括设置于其上的附加结构；
所述功能部件的附加结构与所述封装薄膜的内侧的最短纵向距离在0.1微米-10微米的范围内。
10.根据权利要求9所述的组件，其中：
所述附加结构包括凸起结构、凸凹结构或附加涂层。
11.根据权利要求1或2所述的组件，其中：
所述封装空间为弧形空间，所述封装薄膜与所述封装表面形成的夹角在5度-60度的范围内。
12.根据权利要求1所述的组件，其中：
所述声学镜为空腔结构；
所述MEMS器件设置有与所述空腔结构相通的第一释放孔，所述第一释放孔位于所述封装空间内；
所述封装薄膜设置有与封装空间相通的第二释放孔，第二释放孔中填充有密封材料；且
在垂直投影中，至少一个所述第二释放孔与对应的第一释放孔之间的水平间距小于20um。
13.根据权利要求12所述的组件，其中：
在垂直投影中，所述第二释放孔与对应的第一释放孔重合或者部分重合。
14.根据权利要求1所述的组件，其中：
所述声学镜为空腔结构；
所述MEMS器件设置有与所述空腔结构相通的第一释放孔，所述第一释放孔位于所述封装空间的外侧；
所述封装薄膜设置有与封装空间相通的第二释放孔，第二释放孔中填充有密封材料。
15.根据权利要求1所述的组件，其中：
所述封装边缘与所述边界之间的横向距离在2微米-5微米的范围内。
16.根据权利要求1-15中任一项所述的组件，其中：
所述MEMS器件为体声波谐振器。
17.根据权利要求16所述的组件，其中：
所述谐振器为薄膜体声波谐振器。
18.根据权利要求1所述的组件，其中：
所述封装空间为弧形封装空间。
19.一种电子设备，包括根据权利要求1-18中任一项所述的MEMS器件组件。
20.根据权利要求19所述的电子设备，所述电子设备包括滤波器。
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