CN111007894A - 一种NANDFlash特性测试精准控温的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种NANDFlash特性测试精准控温的方法，本方法首先构建测试环境，然后构建NANDFlash芯片温度与箱体温度的温度关系函数，在实际测试时，根据建立的温度关系函数确定测试温度对应的箱体温度，并进入升温过程，升温过程中定时采集温度传感器测试的实际箱体温度，当实际箱体温度达到测试温度对应的箱体温度时，停止升温，进入控温过程；控温过程中，每隔固定时间采集NANDFlash芯片温度与测试温度之间的差值，根据差值进行升温或者降温调整，维持温差在±1℃以内。本发明可以精准控制NANDFLASH温度与设定温度误差在±1℃以内。

Description

一种NANDFlash特性测试精准控温的方法
技术领域
本发明公开一种NANDFlash特性测试精准控温的方法，属于NANDFlash特性测试技术领域。
背景技术
NAND Flash是一种非易失性随机访问存储介质，其存储的原理是通过量子隧道效应，电子跃迁到浮栅层并留在那里，随着时间的流逝，驻留在浮栅层的电子会有一定几率回到沟道中，这种电子驻留的能力称其为数据驻留（Data Retention）。
数据驻留（Data Retention）的时间长短与NANDFLASH所处于的环境温度有很紧密的联系，温度越高，驻留能力越弱，那么在使用NANDFLASH过程中读取数据错误的概率就会明显提高。为了研究NANDFLASH的数据驻留（Data Retention）能力与温度之间的关系，需要保证测试过程中温度的稳定以及误差在允许范围内。在一种严格的环境温度内，测试出数据驻留（Data Retention）在一定时间内的变化状态，制定特定纠错算法，减少NANDFLASH读取错误概率。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种NANDFlash特性测试精准控温的方法，可以精准控制NANDFLASH温度与设定温度误差在±1℃以内，避免因为温度波动带来DataRetention等测试效果不同，影响测试数据。
为了解决所述技术问题，本方法包括以下步骤：
S01）、构建测试环境，将NANDFlash板卡设置于箱体内，箱体内并设有温度传感器、升温装置和降温装置；
S02）、构建NANDFlash芯片温度与箱体温度的温度关系函数，在不同温度点采集NANDFlash芯片自身的温度与温度传感器采集的箱体温度，记录两者温度差值，直至温度差值稳定在±1℃以内，根据采集的温度数据拟合NANDFlash芯片温度与箱体温度的温度关系函数；
S03）、实际测试时，首先设定NANDFlash测试温度，根据步骤S02建立的温度关系函数确定该测试温度对应的箱体温度，并进入升温过程，升温过程中定时采集温度传感器测试的实际箱体温度，当实际箱体温度达到测试温度对应的箱体温度时，停止升温，进入控温过程；
S04）、控温过程中，每隔固定时间采集NANDFlash芯片温度与测试温度之间的差值，根据差值进行升温或者降温调整，维持温差在±1℃以内。
进一步的，控温过程中，当T＜T0-1时，通过升温装置进行升温，当T＞T0+1时，通过降温装置进行降温，T为NANDFlash芯片温度，T0为测试温度。
进一步的，所述升温装置为陶瓷加热片，所述降温装置为散热风扇。
进一步的，降温幅度在5℃以内时，通过关闭陶瓷加热片的方式平稳降温；降温幅度大于5℃时，通过打开散热风扇的方式快速降温。
进一步的，温度调整过程中，NANDFlash不进行IO操作。
进一步的，记录NANDFlash在测试温度下滞留的时间。
进一步的，步骤S04的控温过程中每隔5分钟采集一次NANDFlash芯片温度与测试温度之间的差值。
本发明的有益效果：通过本发明描述的方法，可以精准控制NANDFLASH温度与设定温度误差在±1℃以内，避免因为温度波动带来Data Retention等测试效果不同，影响测试数据，更导致后续算法出现严重偏差，在实际使用中引入严重误差。
附图说明
图1为构建NANDFlash芯片温度与箱体温度的温度关系函数的流程图；
图2为测试NANDFlash的流程图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例第本发明作进一步的说明。
实施例1
本实施例公开一种NANDFlash特性测试精准控温的方法，本方法包括以下步骤：
S01）、构建测试环境，将NANDFlash板卡设置于箱体内，箱体内并设有温度传感器、升温装置和降温装置；
本实施例中，所述升温装置为陶瓷加热片，所述降温装置为散热风扇，箱体顶部开有多个散热孔，保证测试环境密封性的同时方便散热风扇快速降温；
S02）、构建NANDFlash芯片温度与箱体温度的温度关系函数，如图1所示，测定NANDFlash测试温度，然后采集NANDFlash芯片自身的温度与温度传感器采集的箱体温度，记录两者温度差值，直至温度差值稳定在±1℃以内，根据采集的温度数据拟合NANDFlash芯片温度与箱体温度的温度关系函数；
为了使温度关系函数更为精确，每一次设置额定温度进行测试时，记录箱体温度与Nand温度之间的差值，通过多次测试记录的差值，使得温度关系函数更为精确。即在不同温度点采集NANDFlash芯片自身的温度与温度传感器采集的箱体温度，记录两者温度差值，然后构建温度关系函数。
S03）、如图2所示，实际测试时，首先设定NANDFlash测试温度，根据步骤S02建立的温度关系函数确定该测试温度对应的箱体温度，并进入升温过程，升温过程中定时采集温度传感器测试的实际箱体温度，当实际箱体温度达到测试温度对应的箱体温度时，停止升温，进入控温过程；
S04）、控温过程中，每隔固定时间采集NANDFlash芯片温度与测试温度之间的差值，根据差值进行升温或者降温调整，维持温差在±1℃以内。
本实施例中，控温过程中，当T＜T0-1时，通过升温装置进行升温，当T＞T0+1时，通过降温装置进行降温，T为NANDFlash芯片温度，T0为测试温度。
当降温幅度在5℃以内时，通过关闭陶瓷加热片的方式平稳降温；降温幅度大于5℃时，通过打开散热风扇的方式快速降温。
本实施例中，温度调整过程中，NANDFlash不进行IO操作。并且记录NANDFlash在测试温度下滞留的时间，便于测例内使用。
本实施例中，步骤S04的控温过程中每隔5分钟采集一次NANDFlash芯片温度与测试温度之间的差值。
本方法可以精准控制NANDFLASH温度与设定温度误差在±1℃以内，避免因为温度波动带来Data Retention等测试效果不同，影响测试数据，更导致后续算法出现严重偏差，在实际使用中引入严重误差。
本实施例中，构建NANDFlash芯片温度与箱体温度的温度关系函数的多个温度点使用NANDFlash芯片的温度，NandFlash内部有个温度传感器可以采集NANDFlash芯片的温度，通过读取这个传感器获取NANDFlash芯片的温度。
这里的不同温度点指的是目标测试温度，比如目标温度50℃时，应该是NANDFlash芯片温度达到50℃，箱体温度不一定是50℃，需要读取箱体上温度传感器确定。
以上描述的仅是本发明的基本原理和优选实施例，本领域技术人员根据本发明做出的改进和替换，属于本发明的保护范围。

Claims (7)

1.一种NANDFlash特性测试精准控温的方法，其特征在于：包括以下步骤：
S01）、构建测试环境，将NANDFlash板卡设置于箱体内，箱体内并设有温度传感器、升温装置和降温装置；
S02）、构建NANDFlash芯片温度与箱体温度的温度关系函数，在不同温度点采集NANDFlash芯片自身的温度与温度传感器采集的箱体温度，记录两者温度差值，直至温度差值稳定在±1℃以内，根据采集的温度数据拟合NANDFlash芯片温度与箱体温度的温度关系函数；
S03）、实际测试时，首先设定NANDFlash测试温度，根据步骤S02建立的温度关系函数确定该测试温度对应的箱体温度，并进入升温过程，升温过程中定时采集温度传感器测试的实际箱体温度，当实际箱体温度达到测试温度对应的箱体温度时，停止升温，进入控温过程；
S04）、控温过程中，每隔固定时间采集NANDFlash芯片温度与测试温度之间的差值，根据差值进行升温或者降温调整，维持温差在±1℃以内。
2.根据权利要求1所述的NANDFlash特性测试精准控温的方法，其特征在于：控温过程中，当T＜T0-1时，通过升温装置进行升温，当T＞T0+1时，通过降温装置进行降温，T为NANDFlash芯片温度，T0为测试温度。
3.根据权利要求1或2所述的NANDFlash特性测试精准测温的方法，其特征在于：所述升温装置为陶瓷加热片，所述降温装置为散热风扇。
4.根据权利要求3所述的NANDFlash特性测试精准测温的方法，其特征在于：降温幅度在5℃以内时，通过关闭陶瓷加热片的方式平稳降温；降温幅度大于5℃时，通过打开散热风扇的方式快速降温。
5.根据权利要求1所述的NANDFlash特性测试精准测温的方法，其特征在于：温度调整过程中，NANDFlash不进行IO操作。
6.根据权利要求1所述的NANDFlash特性测试精准测温的方法，其特征在于：记录NANDFlash在测试温度下滞留的时间。
7.根据权利要求1所述的NANDFlash特性测试精准测温的方法，其特征在于：步骤S04的控温过程中每隔5分钟采集一次NANDFlash芯片温度与测试温度之间的差值。
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